JPH06112620A - 配線の接続方法及び配線の接続構造 - Google Patents
配線の接続方法及び配線の接続構造Info
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- JPH06112620A JPH06112620A JP4285109A JP28510992A JPH06112620A JP H06112620 A JPH06112620 A JP H06112620A JP 4285109 A JP4285109 A JP 4285109A JP 28510992 A JP28510992 A JP 28510992A JP H06112620 A JPH06112620 A JP H06112620A
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- substrate
- wirings
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/02—Details
- H05K1/03—Use of materials for the substrate
- H05K1/0393—Flexible materials
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- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/0011—Working of insulating substrates or insulating layers
- H05K3/0017—Etching of the substrate by chemical or physical means
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/36—Assembling printed circuits with other printed circuits
- H05K3/361—Assembling flexible printed circuits with other printed circuits
-
- H—ELECTRICITY
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/4007—Surface contacts, e.g. bumps
-
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- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/40—Forming printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
- H05K3/403—Edge contacts; Windows or holes in the substrate having plural connections on the walls thereof
Landscapes
- Multi-Conductor Connections (AREA)
- Coupling Device And Connection With Printed Circuit (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 配線の接続部分の配線間ピッチを狭めて接続
部分の基板の面積を小さくでき、また、半導体装置の電
装部品の小型化を実現できる配線の接続方法及び配線の
接続構造を提供すること。 【構成】 銅で形成された配線が施されたポリイミド樹
脂からなる可撓性基板１の裏面に溝部４，４…をエキシ
マレーザ加工機により形成する。溝部４，４…が形成さ
れた部分に配線１a が露出する深さの孔部５，５…をエ
キシマレーザ加工機を用いて形成する。孔部５，５…の
寸法は配線１a の幅よりも小さい。この孔部５，５…を
金属で埋め、導電性突起物６，６…をメッキ工程にて形
成する。このように導電性突起物６，６…が形成された
可撓性基板１の溝部４，４…に、接続すべきリジット基
板２の配線２a,２a …を嵌め込み、導電性突起物６，６
…と配線２a,２a …とを接触させる。可撓性基板１及び
リジット基板２間は、接着剤７により接着される。
部分の基板の面積を小さくでき、また、半導体装置の電
装部品の小型化を実現できる配線の接続方法及び配線の
接続構造を提供すること。 【構成】 銅で形成された配線が施されたポリイミド樹
脂からなる可撓性基板１の裏面に溝部４，４…をエキシ
マレーザ加工機により形成する。溝部４，４…が形成さ
れた部分に配線１a が露出する深さの孔部５，５…をエ
キシマレーザ加工機を用いて形成する。孔部５，５…の
寸法は配線１a の幅よりも小さい。この孔部５，５…を
金属で埋め、導電性突起物６，６…をメッキ工程にて形
成する。このように導電性突起物６，６…が形成された
可撓性基板１の溝部４，４…に、接続すべきリジット基
板２の配線２a,２a …を嵌め込み、導電性突起物６，６
…と配線２a,２a …とを接触させる。可撓性基板１及び
リジット基板２間は、接着剤７により接着される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、基板に施した電気配線
同士の接続方法及び配線の接続構造に関する。
同士の接続方法及び配線の接続構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、リジット基板及び可撓性基板に施
された電気配線（以下配線という）同士を電気的接続す
るためには、夫々の配線を熱圧着することで行ってい
た。この方法は、リジット基板及び可撓性基板の配線同
士を半田付けにより接続するものであり、図１は、熱圧
着により接続された基板の模式的斜視図をである。図中
12はリジット基板であり、その表面に配線12a,12a …が
形成されている。また11は可撓性基板であり、その表面
に配線11a,11a …が形成されている。配線11a の終端は
可撓性基板11の一端部に形成されており、この端部の配
線11a が配線12a と平面視で重なるように、リジット基
板12表面に可撓性基板11裏面を接触させて重ね合わせ、
配線12a 及び配線11a を相互に半田付けし、熱圧着部1
3,13 …を形成することにより、基板及び夫々の配線を
接続する。
された電気配線（以下配線という）同士を電気的接続す
るためには、夫々の配線を熱圧着することで行ってい
た。この方法は、リジット基板及び可撓性基板の配線同
士を半田付けにより接続するものであり、図１は、熱圧
着により接続された基板の模式的斜視図をである。図中
12はリジット基板であり、その表面に配線12a,12a …が
形成されている。また11は可撓性基板であり、その表面
に配線11a,11a …が形成されている。配線11a の終端は
可撓性基板11の一端部に形成されており、この端部の配
線11a が配線12a と平面視で重なるように、リジット基
板12表面に可撓性基板11裏面を接触させて重ね合わせ、
配線12a 及び配線11a を相互に半田付けし、熱圧着部1
3,13 …を形成することにより、基板及び夫々の配線を
接続する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このように熱圧着によ
る方法の場合は、半田付けに必要な接続の幅、即ち熱圧
着部13,13 …の幅が配線幅よりも大きく、これを考慮に
入れると接続部分での配線の最小ピッチは略 200μｍと
なる。基板上の配線最小ピッチは略 100μｍであること
から、接続部分の配線形成に大きな面積を必要とし、こ
のために基板面積を大きくしていた。
る方法の場合は、半田付けに必要な接続の幅、即ち熱圧
着部13,13 …の幅が配線幅よりも大きく、これを考慮に
入れると接続部分での配線の最小ピッチは略 200μｍと
なる。基板上の配線最小ピッチは略 100μｍであること
から、接続部分の配線形成に大きな面積を必要とし、こ
のために基板面積を大きくしていた。
【０００４】また、コネクタにより両基板の配線を接続
する方法もある。これは、リジット基板上に配線と接続
されたコネクタを搭載し、このコネクタと可撓性基板一
端部に形成された配線部分とを連結することにより、両
基板及びその配線を接続する方法である。この方法にあ
っては、リジット基板上に搭載するコネクタの小型化に
限界があり、コネクタの搭載のためにリジット基板に大
きな面積が必要となり、半導体装置の電装部品の小型化
を阻むと言う問題があった。
する方法もある。これは、リジット基板上に配線と接続
されたコネクタを搭載し、このコネクタと可撓性基板一
端部に形成された配線部分とを連結することにより、両
基板及びその配線を接続する方法である。この方法にあ
っては、リジット基板上に搭載するコネクタの小型化に
限界があり、コネクタの搭載のためにリジット基板に大
きな面積が必要となり、半導体装置の電装部品の小型化
を阻むと言う問題があった。
【０００５】本発明は、かかる事情に鑑みてなされたも
のであり、少なくとも１つの基板の裏面に、配線を露出
する孔部を形成し、該孔部に導電性突起物を埋め、該導
電性突起物と他基板の配線とを接触させることにより、
接続部分の配線間ピッチを狭めて接続部分の基板の面積
を小さくでき、また、半導体装置の電装部品の小型化を
実現できる配線の接続方法及び配線の接続構造を提供す
ることを目的とする。
のであり、少なくとも１つの基板の裏面に、配線を露出
する孔部を形成し、該孔部に導電性突起物を埋め、該導
電性突起物と他基板の配線とを接触させることにより、
接続部分の配線間ピッチを狭めて接続部分の基板の面積
を小さくでき、また、半導体装置の電装部品の小型化を
実現できる配線の接続方法及び配線の接続構造を提供す
ることを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る配線の接
続方法は、２つの基板表面に施された夫々の配線を相互
に電気的に接続する方法において、一基板の裏面に、該
基板に施された配線にまで達する孔部を設ける工程と、
該孔部を埋めて導電性の突起物を形成する工程と、該突
起物と他基板に施された接続すべき配線とを接触させる
工程とを有することを特徴とする。
続方法は、２つの基板表面に施された夫々の配線を相互
に電気的に接続する方法において、一基板の裏面に、該
基板に施された配線にまで達する孔部を設ける工程と、
該孔部を埋めて導電性の突起物を形成する工程と、該突
起物と他基板に施された接続すべき配線とを接触させる
工程とを有することを特徴とする。
【０００７】第２発明に係る配線の接続構造は、２つの
基板表面に施された夫々の配線相互の電気的な接続構造
において、一基板の裏面に、該基板に施された配線にま
で達するように形成された孔部と、該孔部を埋めた導電
性の突起物とを備え、該突起物と他基板に施された接続
すべき配線とが接触していることを特徴とする。
基板表面に施された夫々の配線相互の電気的な接続構造
において、一基板の裏面に、該基板に施された配線にま
で達するように形成された孔部と、該孔部を埋めた導電
性の突起物とを備え、該突起物と他基板に施された接続
すべき配線とが接触していることを特徴とする。
【０００８】
【作用】本発明の配線の接続方法及び配線の接続構造で
は、表面に配線を施す基板の裏面に、該配線を露出させ
て孔部を形成し、ここに導電性突起物を埋めて接続すべ
き配線と該導電性突起物とを接触させることにより、配
線同士を電気的接続している。前記孔部の寸法は配線の
幅よりも小さくできることから、配線の接続に配線のた
めの面積以上を必要とせず、基板上の最小配線ピッチと
同ピッチで、配線が形成できる。
は、表面に配線を施す基板の裏面に、該配線を露出させ
て孔部を形成し、ここに導電性突起物を埋めて接続すべ
き配線と該導電性突起物とを接触させることにより、配
線同士を電気的接続している。前記孔部の寸法は配線の
幅よりも小さくできることから、配線の接続に配線のた
めの面積以上を必要とせず、基板上の最小配線ピッチと
同ピッチで、配線が形成できる。
【０００９】
【実施例】以下、本発明をその実施例を示す図面に基づ
き具体的に説明する。図２は、本発明方法により接続さ
れる基板の模式的斜視図であり、図３〜図７は、この方
法により接続される基板の作成工程を示す、図２のIII-
III 線から見た模式的断面図である。以下、配線の接続
方法を説明する。図３に示すように、例えばポリイミド
樹脂からなる可撓性基板１の表面には、銅で形成された
配線が施されている。図４に示すように、可撓性基板１
の裏面に溝部４，４…を形成する。この溝部４，４…は
エキシマレーザ加工機により形成される。
き具体的に説明する。図２は、本発明方法により接続さ
れる基板の模式的斜視図であり、図３〜図７は、この方
法により接続される基板の作成工程を示す、図２のIII-
III 線から見た模式的断面図である。以下、配線の接続
方法を説明する。図３に示すように、例えばポリイミド
樹脂からなる可撓性基板１の表面には、銅で形成された
配線が施されている。図４に示すように、可撓性基板１
の裏面に溝部４，４…を形成する。この溝部４，４…は
エキシマレーザ加工機により形成される。
【００１０】図８はエキシマレーザ加工機の光学系を含
む構成を示すブロック部である。図中21はレーザ発振器
であり、ガス供給部22からのガスがレーザ発振器21へ供
給される。ガス冷却部23がレーザ発振器21に接続され、
レーザ発振器21内のガスを冷却してガスの寿命を延長さ
せる。また、ガス排気部24がレーザ発振器21に接続さ
れ、使用後のガスを排気するようになっている。そし
て、試料を載置するステージ29が配設され、これに接続
されたステージコントローラ30により、ステージ29は位
置調整される。レーザ発振器21から出射したレーザガス
ビームｇが、光路に配置されたＸ−Ｙスリット25を通過
する。Ｘ−Ｙスリット25は、ビームの断面形状を所定形
状に整合するものである。ビームの拡がりを抑制するフ
ィールドレンズ27が光路に配置され、前記Ｘ−Ｙスリッ
ト25及びフィールドレンズ27間には、レーザガスビーム
ｇをフィールドレンズ27へ透過させる角度でミラーが配
置される。
む構成を示すブロック部である。図中21はレーザ発振器
であり、ガス供給部22からのガスがレーザ発振器21へ供
給される。ガス冷却部23がレーザ発振器21に接続され、
レーザ発振器21内のガスを冷却してガスの寿命を延長さ
せる。また、ガス排気部24がレーザ発振器21に接続さ
れ、使用後のガスを排気するようになっている。そし
て、試料を載置するステージ29が配設され、これに接続
されたステージコントローラ30により、ステージ29は位
置調整される。レーザ発振器21から出射したレーザガス
ビームｇが、光路に配置されたＸ−Ｙスリット25を通過
する。Ｘ−Ｙスリット25は、ビームの断面形状を所定形
状に整合するものである。ビームの拡がりを抑制するフ
ィールドレンズ27が光路に配置され、前記Ｘ−Ｙスリッ
ト25及びフィールドレンズ27間には、レーザガスビーム
ｇをフィールドレンズ27へ透過させる角度でミラーが配
置される。
【００１１】また、ステージ29上方には加工すべき形状
を有した加工用マスクを保持するマスクホルダ26が配置
され、さらに上方には、該加工用マスクの形状をステー
ジ29上に縮小結像するイメージレンズ28が配置される。
また、イメージレンズ28上方には、フィールドレンズ27
を透過したレーザガスビームｇをイメージレンズ28へ透
過させる角度でミラーが配され、さらに上方には、ステ
ージ29上の試料の状態を監視するモニターカメラ20が配
設されている。
を有した加工用マスクを保持するマスクホルダ26が配置
され、さらに上方には、該加工用マスクの形状をステー
ジ29上に縮小結像するイメージレンズ28が配置される。
また、イメージレンズ28上方には、フィールドレンズ27
を透過したレーザガスビームｇをイメージレンズ28へ透
過させる角度でミラーが配され、さらに上方には、ステ
ージ29上の試料の状態を監視するモニターカメラ20が配
設されている。
【００１２】以上の如き装置を用いて可撓性基板１に溝
部４，４…を形成する場合は、ステージ29上に可撓性基
板１の配線を施した面をステージ側にして載置する。ガ
スが供給されたレーザ発振器21からレーザガスビームｇ
が放射され、Ｘ−Ｙスリット25を透過してビーム断面を
所定形状とし、フィールドレンズ27, イメージレンズ28
及び加工用マスクホルダ26を透過して集束される。そし
て可撓性基板１上に結像された形状に照射される。
部４，４…を形成する場合は、ステージ29上に可撓性基
板１の配線を施した面をステージ側にして載置する。ガ
スが供給されたレーザ発振器21からレーザガスビームｇ
が放射され、Ｘ−Ｙスリット25を透過してビーム断面を
所定形状とし、フィールドレンズ27, イメージレンズ28
及び加工用マスクホルダ26を透過して集束される。そし
て可撓性基板１上に結像された形状に照射される。
【００１３】このようなエキシマレーザによる加工は、
レーザ媒質として希ハロゲンガス、例えばArF, KrF, Xe
Cl, XeF 等を用い、浸食深さが試料に与えるエネルギー
密度により制御されるというアブレーション現象を利用
して、非熱的な加工を試料表面に施すので、微細加工が
可能となり、加工面がなめらかで、深さ方向の制御が行
える。
レーザ媒質として希ハロゲンガス、例えばArF, KrF, Xe
Cl, XeF 等を用い、浸食深さが試料に与えるエネルギー
密度により制御されるというアブレーション現象を利用
して、非熱的な加工を試料表面に施すので、微細加工が
可能となり、加工面がなめらかで、深さ方向の制御が行
える。
【００１４】なお、配線１a 上方に形成された溝部４，
４…は、その幅及び深さを、接続すべき基板の配線の幅
及び深さにより決定される。例えば、配線の幅が50μｍ
の場合には、形成する溝部の幅は80μｍ，深さを10μｍ
にする。
４…は、その幅及び深さを、接続すべき基板の配線の幅
及び深さにより決定される。例えば、配線の幅が50μｍ
の場合には、形成する溝部の幅は80μｍ，深さを10μｍ
にする。
【００１５】次に、図５に示すように、可撓性基板１裏
面の溝部４，４…が形成された部分に配線１a が露出す
る深さの孔部５，５…を、上述したエキシマレーザ加工
機を用いて形成する。孔部５，５…の寸法は配線１a の
幅よりも小さく形成する。また、上述した溝部４，４…
及び孔部５，５…は、加工用マスクを差し替えることに
より、連続的に形成することができる。
面の溝部４，４…が形成された部分に配線１a が露出す
る深さの孔部５，５…を、上述したエキシマレーザ加工
機を用いて形成する。孔部５，５…の寸法は配線１a の
幅よりも小さく形成する。また、上述した溝部４，４…
及び孔部５，５…は、加工用マスクを差し替えることに
より、連続的に形成することができる。
【００１６】そして、図６に示すように形成された孔部
５，５…を金属で埋め、導電性突起物６，６…を形成す
る。導電性突起物６，６…は、メッキ工程にて形成され
る。図９は、噴流式メッキ装置の構造を示す模式的断面
図である。図中31はメッキ槽であり、内部にメッキ液32
を収容している。メッキ槽31外に配された温度調節器33
によりメッキ液32は所定温度に調節される。メッキ槽31
内部のメッキ液32液面上方には、メッキ液32を循環させ
るためのポンプ34が配設され、さらに上方には反応槽35
が、メッキ液32を流出するパイプを介して配設されてい
る。反応槽35内上部には、網目に形成されたメッシュ電
極36が配置され、その上方には被メッキ物37が、反応槽
35側壁よりも高い位置でメッシュ電極36と平行に配置さ
れている。メッシュ電極36及び被メッキ物37に電源が接
続され、被メッキ物37側に高電位が与えられるようにな
っている。
５，５…を金属で埋め、導電性突起物６，６…を形成す
る。導電性突起物６，６…は、メッキ工程にて形成され
る。図９は、噴流式メッキ装置の構造を示す模式的断面
図である。図中31はメッキ槽であり、内部にメッキ液32
を収容している。メッキ槽31外に配された温度調節器33
によりメッキ液32は所定温度に調節される。メッキ槽31
内部のメッキ液32液面上方には、メッキ液32を循環させ
るためのポンプ34が配設され、さらに上方には反応槽35
が、メッキ液32を流出するパイプを介して配設されてい
る。反応槽35内上部には、網目に形成されたメッシュ電
極36が配置され、その上方には被メッキ物37が、反応槽
35側壁よりも高い位置でメッシュ電極36と平行に配置さ
れている。メッシュ電極36及び被メッキ物37に電源が接
続され、被メッキ物37側に高電位が与えられるようにな
っている。
【００１７】このような装置で、可撓性基板１の孔部
５，５…に導電性突起物を形成する場合には、図５に示
す可撓性基板の裏面、即ち孔部５，５…が形成された側
を、メッシュ電極36に対向させて固定する。メッシュ電
極36及び可撓性基板１に電圧を印加すると共に、ポンプ
34で非シアン系のメッキ液32を吸い上げてメッシュ電極
36を噴射する。このとき、メッシュ電極36の網目の部分
から噴出するメッキ液32が可撓性基板１に噴射され、可
撓性基板１の孔部５，５…に露出した配線１a,１a …の
部分に金, 半田等のメッキ生成物が塗着する。そして、
メッキ生成物が孔部５，５…を埋め、孔部５，５…を越
えて突出して生成されるに従い、メッシュ電極36及び可
撓性基板１間に与える電流密度を高くする。電流密度を
高くすることにより、メッキ生成物が孔部５，５…を越
えて凸状に成長することができる。
５，５…に導電性突起物を形成する場合には、図５に示
す可撓性基板の裏面、即ち孔部５，５…が形成された側
を、メッシュ電極36に対向させて固定する。メッシュ電
極36及び可撓性基板１に電圧を印加すると共に、ポンプ
34で非シアン系のメッキ液32を吸い上げてメッシュ電極
36を噴射する。このとき、メッシュ電極36の網目の部分
から噴出するメッキ液32が可撓性基板１に噴射され、可
撓性基板１の孔部５，５…に露出した配線１a,１a …の
部分に金, 半田等のメッキ生成物が塗着する。そして、
メッキ生成物が孔部５，５…を埋め、孔部５，５…を越
えて突出して生成されるに従い、メッシュ電極36及び可
撓性基板１間に与える電流密度を高くする。電流密度を
高くすることにより、メッキ生成物が孔部５，５…を越
えて凸状に成長することができる。
【００１８】図１０は、メッシュ電極36及び可撓性基板
１間に与える電流密度の変化を示すグラフであり、横軸
は時間を縦軸は電流密度を表している。このグラフに示
すように、メッキ開始から30分でメッキ生成物が孔部５
を埋め、その後メッキ開始時13mAの電流密度を増加して
表面が凸状の導電性突起物を形成する。そして40分間の
メッキ工程を終了する。
１間に与える電流密度の変化を示すグラフであり、横軸
は時間を縦軸は電流密度を表している。このグラフに示
すように、メッキ開始から30分でメッキ生成物が孔部５
を埋め、その後メッキ開始時13mAの電流密度を増加して
表面が凸状の導電性突起物を形成する。そして40分間の
メッキ工程を終了する。
【００１９】このように導電性突起物６，６…が形成さ
れた可撓性基板１の溝部４，４…に、接続すべきリジッ
ト基板２の配線２a,２a …を嵌め込み、導電性突起物
６，６…と配線２a,２a …とを接触させる（図２に示す
白抜き矢符方向）。図７に示すように、可撓性基板１の
配線１a,１a …とリジット基板２a,２a …との電気的接
続は導電性突起物６を介して行われており、また、可撓
性基板１及びリジット基板２間は、接着剤７により接着
される。
れた可撓性基板１の溝部４，４…に、接続すべきリジッ
ト基板２の配線２a,２a …を嵌め込み、導電性突起物
６，６…と配線２a,２a …とを接触させる（図２に示す
白抜き矢符方向）。図７に示すように、可撓性基板１の
配線１a,１a …とリジット基板２a,２a …との電気的接
続は導電性突起物６を介して行われており、また、可撓
性基板１及びリジット基板２間は、接着剤７により接着
される。
【００２０】以上のような配線の接続により、接続面積
に大きな面積を必要とせず、接続部分での配線は、基板
の配線パターンの最小ピッチと略同ピッチで形成するこ
とができる。
に大きな面積を必要とせず、接続部分での配線は、基板
の配線パターンの最小ピッチと略同ピッチで形成するこ
とができる。
【００２１】また、本実施例では、可撓性基板１の溝部
４，４…及び孔部５，５…を、エキシマレーザにより形
成しているので、微細加工が可能である。また、孔部
５，５…を形成する場合に、ポリイミド樹脂からなる可
撓性基板１と銅で形成された配線１a とは材質が異なる
ので、加工のためのエネルギが異なる。このことから、
過剰にレーザガスビームを照射して可撓性基板１を加工
しても、配線１a までは浸食されず、配線１a の露出面
に残るポリイミド樹脂を全て除去することができる。
４，４…及び孔部５，５…を、エキシマレーザにより形
成しているので、微細加工が可能である。また、孔部
５，５…を形成する場合に、ポリイミド樹脂からなる可
撓性基板１と銅で形成された配線１a とは材質が異なる
ので、加工のためのエネルギが異なる。このことから、
過剰にレーザガスビームを照射して可撓性基板１を加工
しても、配線１a までは浸食されず、配線１a の露出面
に残るポリイミド樹脂を全て除去することができる。
【００２２】なお、本実施例では孔部４，４…をエキシ
マレーザにより形成しているが、これに限るものではな
く、配線幅よりも小さな孔部を形成できれば良い。
マレーザにより形成しているが、これに限るものではな
く、配線幅よりも小さな孔部を形成できれば良い。
【００２３】
【発明の効果】以上のように、本発明の配線の接続方法
及び配線の接続構造においては、基板の裏面に配線を露
出する孔部を形成し、該孔部に導電性突起物を埋め、該
導電性突起物と他基板の配線とを接触させているので、
接続部分の配線間ピッチが狭まり、接続部分の基板の面
積が小さくなる。また、半導体装置の電装部品の小型化
を実現できる等、本発明は優れた効果を奏する。
及び配線の接続構造においては、基板の裏面に配線を露
出する孔部を形成し、該孔部に導電性突起物を埋め、該
導電性突起物と他基板の配線とを接触させているので、
接続部分の配線間ピッチが狭まり、接続部分の基板の面
積が小さくなる。また、半導体装置の電装部品の小型化
を実現できる等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】従来方法により接続される基板の模式的斜視図
である。
である。
【図２】本発明方法により接続される基板の模式的斜視
図である。
図である。
【図３】本発明方法により接続される基板の形成工程を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図４】本発明方法により接続される基板の形成工程を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図５】本発明方法により接続される基板の形成工程を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図６】本発明方法により接続される基板の形成工程を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図７】本発明方法により接続される基板の形成工程を
示す模式的断面図である。
示す模式的断面図である。
【図８】エキシマレーザ加工機の光学系を含む構成を示
すブロック部である。
すブロック部である。
【図９】噴流式メッキ装置の構造を示す模式的断面図で
ある。
ある。
【図１０】メッシュ電極及び可撓性基板間に与える電流
密度の変化を示すグラフである。
密度の変化を示すグラフである。
１ 可撓性基板 １a,２a 配線 ２ リジット基板 ４ 溝部 ５ 孔部 ６ 導電性突起物 ７ 接着剤
Claims (2)
- 【請求項１】 ２つの基板表面に施された夫々の配線を
相互に電気的に接続する方法において、一基板の裏面
に、該基板に施された配線にまで達する孔部を設ける工
程と、該孔部を埋めて導電性の突起物を形成する工程
と、該突起物と他基板に施された接続すべき配線とを接
触させる工程とを有することを特徴とする配線の接続方
法。 - 【請求項２】 ２つの基板表面に施された夫々の配線相
互の電気的な接続構造において、一基板の裏面に、該基
板に施された配線にまで達するように形成された孔部
と、該孔部を埋めた導電性の突起物とを備え、該突起物
と他基板に施された接続すべき配線とが接触しているこ
とを特徴とする配線の接続構造。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285109A JPH06112620A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 配線の接続方法及び配線の接続構造 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4285109A JPH06112620A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 配線の接続方法及び配線の接続構造 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06112620A true JPH06112620A (ja) | 1994-04-22 |
Family
ID=17687238
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4285109A Pending JPH06112620A (ja) | 1992-09-29 | 1992-09-29 | 配線の接続方法及び配線の接続構造 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06112620A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001056339A1 (fr) * | 1998-08-13 | 2001-08-02 | Sony Chemicals Corp. | Carte de circuits imprimes flexible et son procede de production |
| US6809267B1 (en) | 1998-08-13 | 2004-10-26 | Sony Chemicals Corporation | Flexible printed wiring board and its production method |
| WO2008018160A1 (fr) * | 2006-08-07 | 2008-02-14 | Nippon Avionics Co., Ltd. | Procédé et appareil permettant de connecter des cartes de circuit imprimé |
| US8469493B2 (en) | 2007-06-19 | 2013-06-25 | Brother Kogyo Kabushiki Kaisha | Flexible wiring member, liquid droplet jetting head, and method for connecting flexible wiring member and device |
| CN104981100A (zh) * | 2015-06-18 | 2015-10-14 | 镇江华印电路板有限公司 | 软硬结合电路板 |
| CN106817841A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 同泰电子科技股份有限公司 | 软硬结合线路板及其制作方法 |
-
1992
- 1992-09-29 JP JP4285109A patent/JPH06112620A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| CN106817841A (zh) * | 2015-12-01 | 2017-06-09 | 同泰电子科技股份有限公司 | 软硬结合线路板及其制作方法 |
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