JPS62190891A - 半導体レ−ザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザ装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62190891A JPS62190891A JP61034596A JP3459686A JPS62190891A JP S62190891 A JPS62190891 A JP S62190891A JP 61034596 A JP61034596 A JP 61034596A JP 3459686 A JP3459686 A JP 3459686A JP S62190891 A JPS62190891 A JP S62190891A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor laser
- manufacturing
- submount
- laser device
- heat
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、半導体レーザ装置の製造方法に関するもので
ある。
ある。
従来の技術
現在、半導体レーザ等の製造工程においては、放熱の役
目をするシリコン基板とした巾約０．３ ｃｍ、厚さ１
８０〜４００μのサブマウント上に、ダイボンダー装置
のヒートコラムテーブルヲ微動ヘッドにより回転させ、
サブマウントと平行に半導体レーザ素子全設置するよう
にしている。
目をするシリコン基板とした巾約０．３ ｃｍ、厚さ１
８０〜４００μのサブマウント上に、ダイボンダー装置
のヒートコラムテーブルヲ微動ヘッドにより回転させ、
サブマウントと平行に半導体レーザ素子全設置するよう
にしている。
以下、図面を参照しながら、上述したような従来例の半
導体レーザ装置の製造方法について説明する。
導体レーザ装置の製造方法について説明する。
第２図は、ダイボンダー装置のヒートコラム回転テーブ
ル台を真上から見た図である。
ル台を真上から見た図である。
１はヒートコラム、２はヒートコラム回転テーブル、３
は放熱の役目をするシリコンを基板としたサブマウント
、４は半導体素子、６はヒートコラム回転テーブル微動
ヘッドである。
は放熱の役目をするシリコンを基板としたサブマウント
、４は半導体素子、６はヒートコラム回転テーブル微動
ヘッドである。
まず、特殊ダイボンダー装置のヒートコラム回転テーブ
ル２を、微動ヘッド４でほぼ平行な位置におき、第２図
（ａ）のように、放熱の役目をするシリコンを基板とし
たサブマウント３をヒートコラム回転テーブル２の上に
おき、第２図（ｂ）のようにその上に真空針で真空引き
した半導体素子６を、微動ヘッド４で、サブマウント３
と平行になるように調節し、設置する。ボンディング温
度に達すると今度は冷却され、温度が下降し予熱温度に
達すると、ボンディングが終了される。
ル２を、微動ヘッド４でほぼ平行な位置におき、第２図
（ａ）のように、放熱の役目をするシリコンを基板とし
たサブマウント３をヒートコラム回転テーブル２の上に
おき、第２図（ｂ）のようにその上に真空針で真空引き
した半導体素子６を、微動ヘッド４で、サブマウント３
と平行になるように調節し、設置する。ボンディング温
度に達すると今度は冷却され、温度が下降し予熱温度に
達すると、ボンディングが終了される。
発明が解決しようとする問題点
しかしながら、上記のような半導体レーザ装置の製造方
法では、ダイボンダー装置のヒートコラムテーブルの回
転度数に範囲があり、ヒートコラムテーブルを微動ヘッ
ドにより、もとの平行状態にもどし、サブマウント基準
面針で真空引きした後、サブマウントと半導体レーザ素
子を平行に設置するという操作はきわめて時間に無駄が
あり、半導体レーザの量産に不適である。
法では、ダイボンダー装置のヒートコラムテーブルの回
転度数に範囲があり、ヒートコラムテーブルを微動ヘッ
ドにより、もとの平行状態にもどし、サブマウント基準
面針で真空引きした後、サブマウントと半導体レーザ素
子を平行に設置するという操作はきわめて時間に無駄が
あり、半導体レーザの量産に不適である。
本発明は上記欠点に鑑み、サブマウントボンディング時
間の短縮化が可能となり、半導体レーザ装置の量産に適
する半導体レーザ装置の製造方法を提供するものである
。
間の短縮化が可能となり、半導体レーザ装置の量産に適
する半導体レーザ装置の製造方法を提供するものである
。
問題点を解決するための手段
上記問題点を解決するために、本発明の半導体レーザ装
置の製造方法は、ダイボンダー装置のサブマウント基準
面に半導体素子の側面を接触させて位置規制全行った後
、前記半導体素子全前記サブマウントの表面に基準面に
合わせて工程から構成されている。
置の製造方法は、ダイボンダー装置のサブマウント基準
面に半導体素子の側面を接触させて位置規制全行った後
、前記半導体素子全前記サブマウントの表面に基準面に
合わせて工程から構成されている。
作 用
この構成によって、ダイボンダー装置のヒートコラムテ
ーブルの回転時間が除かれ、半導体レーザ装置の製造時
間の短縮化が可能となる。
ーブルの回転時間が除かれ、半導体レーザ装置の製造時
間の短縮化が可能となる。
実施例
以下、本発明の一実施例について図面全参照しながら説
明する。第１図は、ダイボンダー装置のヒートコラム内
を真上から見た図である。
明する。第１図は、ダイボンダー装置のヒートコラム内
を真上から見た図である。
１はヒートコラム、２はヒートコラム回転テーブル、３
は放熱の役目金するシリコンを基板としたサブマウント
、４は半導体素子である。
は放熱の役目金するシリコンを基板としたサブマウント
、４は半導体素子である。
以上のように構成された半導体レーザ装置の製造方法に
ついて説明する。
ついて説明する。
まずヒートコラム回転テーブル２の上に放熱の役目をす
るシリコンを基板としたサブマウント３を第１図のよう
におく。次に半導体素子４を、真空針で真空引きしサブ
マウントと平行になるように、第１図０− ａのように
サブマウント３の側辺と半導体素子の側辺または第１図
（ｂ）のように角を接触させ、サブマウント３と半導体
素子４が平行になる状態にする。次に半導体素子をサブ
マウントの上に移動させて固定する。
るシリコンを基板としたサブマウント３を第１図のよう
におく。次に半導体素子４を、真空針で真空引きしサブ
マウントと平行になるように、第１図０− ａのように
サブマウント３の側辺と半導体素子の側辺または第１図
（ｂ）のように角を接触させ、サブマウント３と半導体
素子４が平行になる状態にする。次に半導体素子をサブ
マウントの上に移動させて固定する。
ボンディング温度に達し冷却され、温度が下降し予熱温
度に達するとボンディングが終了し、サブマウント３と
半導体素子４が平行に設置されもなお、真空針によって
真空引きされ、真空針に吸着した半導体素子は自由に回
転及び動作可能でなければならない。
度に達するとボンディングが終了し、サブマウント３と
半導体素子４が平行に設置されもなお、真空針によって
真空引きされ、真空針に吸着した半導体素子は自由に回
転及び動作可能でなければならない。
発明の効果
以上のように本発明によれば、ダイボンダー装置のヒー
トコラムテーブルを回転せずに、放熱の役目をするシリ
コンを基板としたサブマウントと半導体レーザ素子を平
行に固定することができ、半導体レーザ装置の製造時間
の短縮化が可能となり、半導体レーザの量産に大きい効
果をもたらす。
トコラムテーブルを回転せずに、放熱の役目をするシリ
コンを基板としたサブマウントと半導体レーザ素子を平
行に固定することができ、半導体レーザ装置の製造時間
の短縮化が可能となり、半導体レーザの量産に大きい効
果をもたらす。
第１図は本発明の一実施例における半導体レーザ装置の
製造方法を示す正面図、第２図は従来例の半導体レーザ
装置の製造方法を示す正面図である。 １・・・・・・ヒートコラム、２・・・・・・ヒートコ
ラム回転テーブル、３・・・・・・サブマウント、４・
・・・・・半導体素子、６・・・・・・ヒートコラム回
転テーブル微動ヘッド、６・・・・・・ヒートコラム台
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名イー
（ＣＬ−）！−（ｂ） 第２図
製造方法を示す正面図、第２図は従来例の半導体レーザ
装置の製造方法を示す正面図である。 １・・・・・・ヒートコラム、２・・・・・・ヒートコ
ラム回転テーブル、３・・・・・・サブマウント、４・
・・・・・半導体素子、６・・・・・・ヒートコラム回
転テーブル微動ヘッド、６・・・・・・ヒートコラム台
。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名イー
（ＣＬ−）！−（ｂ） 第２図
Claims (1)
- 半導体レーザ素子を回転、移動自在な真空針で保持し、
マウント基準面に前記半導体レーザ素子の側面を接触さ
せて位置規制を行ったのち、前記マウントの上に前記半
導体レーザ素子をボンディングすることを特徴とする半
導体レーザ装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034596A JPS62190891A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61034596A JPS62190891A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62190891A true JPS62190891A (ja) | 1987-08-21 |
Family
ID=12418715
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61034596A Pending JPS62190891A (ja) | 1986-02-18 | 1986-02-18 | 半導体レ−ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62190891A (ja) |
-
1986
- 1986-02-18 JP JP61034596A patent/JPS62190891A/ja active Pending
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