JPS62188292A - 半導体レ−ザ−の温度安定化装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明は、半導体レーザー（レーザーダイオード；ＬＤ
ともいう）の動作温度を設定温度に維持させ？ことので
きる半導体レーザーの温度安定化装置に関する。

（従来の技術） 近時、半導体レーザーは、入力エネルギーに対する出力
エネルギーの変換効率が大きいことから光学系を備えた
各種の機器に使用されつつある。

ところで、この半導体レーザーは、その発振周波数、発
振出力がその半導体レーザーの動作温度の変化に依存し
て変化するという性質を有している。

そこで、半導体レーザーの発振周波数１発振出力を一定
に保つために、その半導体レーザーの動作温度を設定温
度に保つことが要請される。

（発明が解決しようとする問題点） この半導体レーザーの設定温度を所定温度に保つために
、熱電効果型素子としてのペルチェ素子を有する温度制
御装置（特開昭５３−１７８２号公報参照）を温度安定
化装置として用いることが考えられるが、半導体レーザ
ーの場合には、その注入電流によって半導体レーザーそ
のものが発熱するために、半導体レーザーの動作温度と
設定温度との温度差に基づいて、動作温度を設定温度に
近づけるように熱電効果型素子を制御するものとすると
、半導体レーザーの発熱によって設定温度から動作温度
がずれるという問題点がある。

第１図〜第６図を使用してこの問題点をさらに詳細に説
明する。第１図は、従来のペルチェ効果型素子を有する
温・度制御装置の制御回路を示し、第２図はそのペルチ
ェ効果型素子に半導体レーザーを取付けて熱電変換器に
！を構成した状態を示す概略図である。その制御回路は
、比較回路１とコンプリメンタリ−に構成されたトラン
ジスタ２とペルチェ効果型素子３とから構成されており
、熱電変換器に□はそのペルチェ効果型素子３の一側に
半導体レーザー４を設け、その他側に放熱板５を設け、
サーミスタ６を内蔵して構成される。

サーミスタ６は、半導体レーザー４の動作温度Ｔ、を検
出してその動作温度Ｔ？を動作温度変換電圧Ｅ、に電圧
変換する機能を有し、この動作温度変換電圧Ｅ７は、比
較回路１の一端子に入力される。この比較回路１の他端
子には、設定温度Ｔ。

に対応する基準電圧Ｅ、が入力される。比較回路１は、
この基準電圧Ｅ、とその動作温度変換電圧Ｅ、とを比較
してその差分出力をトランジスタ２に向かって出力する
。トランジスタ２は、トランジスタ２ａとトランジスタ
２ｂとから構成され、Ｅ、＞Ｅ、（Ｔ、＞Ｔ、）の時に
は、ペルチェ効果型素子３によって半導体レーザー４が
冷却されるようにトランジスタ２を通電制御し、Ｅ、＜
Ｅ。

（Ｔ、＜Ｔ、）の時には、ペルチェ効果型素子３によっ
て半導体レーザー４が加熱されるようにトランジスタ２
を通電制御し、これによって、半導体レーザー４の動作
温度Ｔ７が設定温度Ｔ、に近づく方向に制御され、平衡
状態に達する。この平衡状態に達したときの平衡温度を
Ｔｅとする。

ところで、ペルチェ効果型素子３は、第３図に示す特性
を有している。この第３図に示す特性図は、小松エレク
トロニクス社製のＫＳＭ−０２１１のペルチェ効果型素
子３についてのものである。

この第３図において、縦軸はこのペルチェ効果型素子３
に加わる熱負荷としての熱量Ｑを示し、横軸はこのペル
チェ効果型素子３に流れる平衡電流■：を示し、パラメ
ータΔＴは、平衡状態に達したときの動作温度Ｔ、（こ
のとき、Ｔ、＝Ｔｅ）とペルチェ効果型素子３の放熱側
の温度としての環境温度Ｔ、との温度差であり、 ΔＴＥＴｅ−７６ である。温度差ΔＴ＝Ｏは、平衡温度Ｔｅが環境温度Ｔ
、に等しいことを意味する。

ところで、第３図から明らかなように１発熱体（Ｑ）Ｏ
）の場合には、たとえ、温度差ΔＴ＝０℃のときであっ
ても、熱量Ｑを放散するために、ペルチェ効果型素子３
に平衡電流工：が流れていることになる。ここで、半導
体レーザー４の動作温度Ｔアが平衡温度Ｔｅに達したと
きの動作温度変換電圧Ｅ７を平衡温度対応電圧Ｅｅとす
る。また、第１図に示す制御回路の電圧・電流変換係数
をαとすると、熱平衡状態のときの半導体レーザー４の
平衡温、１．ｊ　Ｔ　ｅに対応する平衡温度対応電圧Ｅ
ｅは、■、ｅ＝α（Ｅｅ−Ｅ、）の式を変形して。

によって求められる。

ただし、■、ｅは、設定温度Ｔ、と環境温度Ｔゎとを等
しく制御しようとしたときに、ペルチェ効果型素子３に
流れる電流であり、このとき基準電圧Ｅ、と環境温度対
応電圧Ｅ２との間には、Ｅ、＝Ｅｈの関係がある。

また、この平衡電流ｌ：と熱量Ｑとは、第３図に示すよ
うに熱量Ｑが小さい範囲ではリニアの関係にあるから、
変換係数をβとすると熱量Ｑは、Ｑ＝β・Ｉ□ｅ　　　
　　　　　　・・・　（２）によって表される。

そこで、（１）式と（２）式とによって、平衡温度対応
電圧Ｅｅは、 によって表される。なお、（３）式が成り立つことは、
実験結果からも裏付けられる。第４図は、その実験によ
って得られた熱量Ｑの値と平衡温度対応電圧Ｅｅの値と
をプロットした図である。

この（３）式は、Ｑ＝Ｏのときには、基準電圧Ｅ、を環
境温度対応電圧Ｅ６に等しく設定しておくと、制御回路
がＥ、−Ｅ、＝Ｅ、−Ｅｅ＝Ｏとなるように制御を行う
ため、Ｅｅ＝Ｅ、（ΔＴ＝Ｏ）となることを示している
が、Ｑ＋Ｏのときには、たとえ、設定温度Ｔ、？環境温
度Ｔ、に等しくしようとしてＥ、＝Ｅ、に設定したとし
ても、 Ｅｅ）Ｅ、　　　　　　　　　　　　　　・・・（４）
であることを示している。すなわち、この（３）式は、
半導体レーザー４のような発熱体の場合には、平衡温度
Ｔｅに対応する平衡温度対応電圧Ｅｅは、設定温度Ｔ、
に対応する基準電圧Ｅ、に一致せず、この制御回路では
、熱量Ｑの大きさに比例した量、すなわち、Ｑ／（α・
β）に相当する分だけ平衡温度Ｔｅが設定温度Ｔ、に対
してシフトすることになる。なお、熱量Ｑは、半導体レ
ーザー４の注入電流ＩＬＤに比例する。

ところで、環境温度Ｔ、は、恒常的ではなく、変化する
ものであり、設定温度Ｔ８と環境温度Ｔ６とは必ずしも
一致していない。平衡温度Ｔａが環境温度Ｔ、と異なる
場合（ΔＴ　＝　Ｔ　ｅ　−Ｔ　ｈ　Ｓ　Ｏ）には、発
熱体でないときであっても、ペルチェ効果型素子３には
、第３図に示すように、平衡電流工２ｅが流れる。

第５図は、Ｑ＝ＯのときのΔＴ＝Ｔｅ−Ｔ、と平衡電流
■２ｅとの関係を示すペルチェ効果型素子３の特性図で
あり、平衡温度対応電圧Ｅｅは、ｌ２ｅ＝　ａ　（Ｅｅ
　−Ｅ、　）の式によって、α ここで、平衡温度Ｔｅと環境温度Ｔ、との温度差ΔＴが
小さい部分（６１５１５℃）では、温度差ΔＴと平衡電
流工２ｅとは、リニアな関係にある。

そこで、温度差ΔＴは、 ΔＴ＝−γ・■２ｅ　　　　　　　　　・・・（６）た
だし、ペルチェ効果型素子３に流れる平ｌ１ｌｉ流■２
ｅの流れの方向は、試料を冷却する方向に流れる場合を
正とし、γは変換係数である。

この（６）式を用いて、（５）式を変形し、平衡温度対
応電圧Ｅｅを温度差ΔＴの関数として表すと、 Ｅｅ＝　Ｅ、−□　・　ΔＴ　　　・・・　（７）α　
０　γ となる。

したがって、第１図に示す回路を使用すると、設定温度
Ｔ、と環境温度Ｔ、とが一致していない場合に、平衡温
度Ｔｅに対応する平衡温度対応電圧Ｅｅが、基準電圧Ｅ
、に一致しないことになり、その差ｒ　Ｅ　ｅ　　Ｅ　
ｓ　Ｊは、平衡温度Ｔｅが設定温度Ｔ。

に対してΔＴに比例した量だけシフトすることになる。

第６図は、このことを実験によって確認したグラフを示
す図である。

すなわち、設定温度Ｔ、を一定にしても、環境温度Ｔ、
が変化すると温度差へＴが変化するため、平衡温度Ｔｅ
が環境温度Ｔｈの影響を受けて変化することになり、動
作温度Ｔ７が一定しないことになる。

次に、発熱体であり、かつ、環境温度Ｔｈと設定温度Ｔ
、とが一致してない場合には、平衡電流工ｊは、重畳の
原理により。

によって表される。

この（８）式を（１）式によって変形すると、α　　　
α・β　　α・γ となり。

を得る。

この（９）式から明らかなように、Ｑ、ΔＴによらずに
、平衡温度Ｔｅを設定温度Ｔ、に近づける手段として、
電圧・電流変換係数（電流増幅率ともいう）αを極力大
きくすることが考えられる。

しかしながら、この電圧・電流変換係数αを大きくする
と、αの大きさに比例してオーバシュートを生じ、かえ
って、動作温度Ｔアが安定しないという問題点を生じる
。

（発明の目的） 本発明の目的は、半導体レーザーの発熱量の変化、半導
体レーザーの周囲の環境温度の変化に適切に応答して熱
電効果型素子を制御し、もって半導体レーザーの動作温
度を常に設定温度に保つことのできる半導体レーザーの
温度安定化装置を提供することにある。

（問題点を解決するための手段） 本発明の特徴は、半導体レーザーを所定の設定温度で動
作させる半導体レーザーの温度安定化装置において、そ
の半導体レーザーに注入電流を供給する電流供給源と、
その半導体レーザーの注入電流に基づく発熱量を検出す
る発熱量検出部と、その半導体レーザーに設けられてそ
の動作温度を検出する動作温度検出部と、その半導体レ
ーザーの周囲の環境温度を検出する環境温度検出部と、
その半導体レーザーとの間で熱の授受を行う熱電効果型
素子と、その動作温度検出部の出力とその環境温度検出
部の出力とが入力され、その動作温度とその環境温度と
の差分に基づいてその動作温度とその設定温度とがずれ
ることを補正するための差分補正用出力を発生する差分
補正用出力発生回路と、その発熱量検出部の出力が入力
され、その半導体レーザーの発熱量に基づいてその動作
温度とその設定温度とがずれることを補正するための発
熱分補正用出力を発生する発熱分補正用出力発生回路と
、その設定温度に対応する基準電圧が印加され、その差
分補正用出力発生回路の差分補正用出力とその発熱分補
正用出力発生回路の発熱分補正用出力とに基づいて、そ
の基準電圧を補正して補正基準電圧を出力し、この補正
基準電圧とその動作温度検出部の出力とを比較してその
設定温度にその動作温度が一致するようにその熱電効果
型素子を制御する制御部とを有するところにある。

（作用） 本発明によれば、差分補正用出力発生回路が動作温度と
環境温度との差分補正用出力を発生すると共に、発熱分
補正用出力発生回路が発熱分補正用出力を発生する。こ
の発熱分補正用出力と差分補正用出力とは制御部に入力
される。この制御部は、設定温度に対応する基準電圧を
、差分補正用出力と発熱分補正用出力とに基づいて補正
し、補正基準電圧を出力する。そして、制御部はこの補
正基準電圧とその動作温度検出部の出力とを比較してそ
の設定温度にその動作温度が一致するようにその熱電効
果型素子を制御する。

（実施例） 以下に、本発明の実施例を図面を参照しつつ説明する。

第７図は、設定温度Ｔ８に対応する基準電圧Ｅ１、が印
加され、後述の差分補正用出力発生回路に１の差分補正
用出力Ｅ８″と後述する発熱分補正用出力発生回路に２
の発熱分補正用出力Ｅ。′とに基づいて、基準電圧Ｅ８
□を補正して後述する補正基準電圧Ｅ、２を出力し、補
正基準電圧Ｅ、２と動作温度検出部の出力とを比較して
設定温度Ｔ、に動作温度Ｔ、が一致するように熱電効果
型素子３を制御する制御部に、の構成を示すもので、こ
の第７図において、ＩＯはオペアンプである。このオペ
アンプ１０１つ一端子には、設定温度Ｔ、に対応する基
準電圧Ｅ　Ｉ　Ｌが入力されている。オペアンプ１０の
他端子には、補正用出力としての補正用電圧Ｅ。が入力
されている。この補正用電圧Ｅ０は、半導体レーザー４
の熱ｆｉｔＱ及び環境温度Ｔ６と設定温度Ｔ。

との温度差ΔＴに比例する物理量であり、その補正用出
力発生回路については後述する。オペアンプ１０は、基
準電圧Ｅ、１と補正用電圧Ｅ、との差「Ｅ８□−ＥｃＪ
に相当する補正基準電圧Ｅ、２を比較回路１の他端子に
向かって出力する。比較回路１は、その一端子に入力さ
れている動作温度検出出力としての動作温度変換電圧Ｅ
７とその補正基準電圧Ｅ、２とを比較し、その差分の出
力によりトランジスタ２を制御し、そのトランジスタ２
によって動作温度Ｔ？が平衡状態に達するようにペルチ
ェ効果型素子３を通電制御する。

この制御によって、動作温度Ｔ７が平衡状態に達したと
すると、（９）式は補正基準電圧Ｅ、２を用いて、 と表現できる。

Ｅ、２＝Ｅ、□−ＥＣであるから、（１０）式は、α　
８　β　　　　　　α１γ という式に変形できる。

平衡温度Ｔｅが設定温度Ｔ、と一致するためには、基準
電圧Ｅ、１と平衡温度対応電圧Ｅｅとの差が「０」でな
ければならない。

この条件のもとで、　（１１）式を変形すると、αリ　
　　α０γ の式から。

α６β　　　α１γ という式をうる。

そこで、　（１２）式において、 α　０　γ とおく。

すなわち、Ｅ、＝　Ｅ、’＋Ｅ、”である。

この記号Ｅ　ｃｌは半導体レーザー４の発熱量に基づい
て動作温度Ｔ７と設定温度Ｔ、とがずれることを補正す
るために必要とする発熱分補正用出力としての補正用電
圧を物理的に意味し、記号Ｅ、′は、動作温度Ｔ７と設
定温度Ｔ、との差分に基づいて動作温度Ｔアと設定温度
Ｔ、とが補正するための差分補正用出力としての差分補
正用電圧を物理的には意味している。そこで、この補正
用電圧Ｅ＠′、Ｅ。°を制御電圧Ｅ、として加えれば、
動作温度Ｔ７が平衡状態に達したときの平衡温度Ｔｅを
設定温度Ｔ、に一致させることができることになる。

第８図は、その発熱量補正用電圧Ｅ　、　ｙを発生させ
る発熱量補正用発生回路に２の一実施例を示すものであ
る。半導体レーザー４の発熱量Ｑは、第９図に示すよう
に、注入電流ＩＬＤに比例しているから、半導体レーザ
ー４に注入電流■、。を供給する電流供給源９と半導体
レーザー４とを含む直列回路の途中に固定抵抗器Ｒ１を
設け、その電位降下Ｖが注入電流に比例することを利用
する。

このことを数式を用いて表現すると、 Ｑ＝Ｃ−Ｉ、、、Ｖ＝Ｒ，−Ｉ、、から、Ｖ＝Ｒ，・　
□　　　　　（１５） である。ただし、記号Ｃは変換係数である。

この電圧Ｖをオペアンプ１１の一端子に入力し、オペア
ンプ１２に接続された可変抵抗器Ｒｖによって、その増
幅率ｍを調整する。

オペアンプ１２から出力される出力電圧を発熱量補正用
電圧ＥＩとして利用するものであるから。

Ｅ１＝ｍＶであり、この式と（１３）式、（１５）式に
よって、 増幅率ｍは、 となる。この（１６）式において、右辺の項に含まれて
いる物理量は全て定数とみなすことができるので、増幅
率ｍは、一義的に決定される。

この増幅率ｍは、ｍ　＜　１であって非反転増幅を直接
行うことができないため、実施例においては、反転増幅
を２回行うことにしている。

第１Ｏ図は、その差分補正用電圧Ｅ６″′を発生させる
差分補正用出力発生回路Ｋｉの一実施例を示している。

この第１０図において、１３．１４はサーミスタであり
、サーミスタ１３は半導体レーザー４に内蔵され。

サーミスタ１４は放熱板５に取付けられている。そのサ
ーミスタ１３は、半導体レーザー４の動作温度Ｔアを検
出する動作温度検出部として機能する。

そのサーミスタ１４は、環境温度Ｔｈを検出する環境温
度検出部として機能する。このサーミスタ１３゜１４に
よって検出された検出出力Ｅ、、、Ｅ７．は、それぞれ
温度−電圧変換回路１５．１６を介してオペアンプ１７
に入力される。このオペアンプ１７は、温度差ΔＴに比
例した電圧Ｖ、を発生する機能を有する。

ここで、温度・電圧変換係数を記号ｎで表現すると、八
Ｔと電圧Ｖ、どの関係を、 Ｖ、＝ｎ・ΔＴ　　　　　　　　・・・（１７）式で表
すことができる。

そこで、オペアンプ１７に接続された可変抵抗器Ｒｖｊ
　によってその増幅率ｍ′を調整することにすると、 α　０　γ よって、増幅率ｍ′は、 ｎ　＋　α　１　γ そこで、これらの補正用出力発生回路にいに２を第７図
に示す制御部に３に接続し、第１１図に示す半導体レー
ザーの温度安定化装置を構成し、増幅率ｍ、ｍ’の調整
を行うと、半導体レーザー４の発熱量Ｑ、環境温度Ｔｈ
と動作温度Ｔ？どの温度差ΔＴにかかわりなく動作温度
Ｔ７を設定温度Ｔ。

に一致させることができる。

ところで、温度差ΔＴは、ΔＴが小さい部分でのみリニ
アであり、設定温度Ｔ、と環境温度Ｔｈとの温度差ΔＴ
が大きすぎると、リニアとみなすことができなくなる（
第５図参照）。

この場合には、ペルチェ効果型素子３を二股に設ける。

第１２図は、このペルチェ効果型素子３を二段に設けた
熱電変換器に工′の構成を示すもので、１８は第１ペル
チェ効果型素子、１９は第２ペルチェ効果型素子、２０
は熱伝導体を示している。熱伝導体２０は第１ペルチエ
効果型素子１８と第２ペルチエ効果型素子１９との間に
設けられ、この熱伝導体２０には、サーミスタ２１が設
けられている。このサーミスタ２１は熱伝導体２０の温
度Ｔｈ′を検出する機能を有する。この温度Ｔ、′は、
環境温度Ｔ１と動作温度Ｔ７との中間の値を有し、この
温度Ｔ、″を第１ペルチエ効果素子の環境温度Ｔ、とし
て取り扱う。そして、第１３図に示す半導体レーザーの
温度安定化装置を構成する。この半導体レーザーの温度
安定化装置は、ペルチェ効果型素子１９を制御するため
のトランジスタ２′と比較回路１′とを有する。この比
較回路１′の一端子には基準電圧Ｅ１、を印加し、その
他端子にサーミスタ２１から出力される環境温度対応電
圧Ｅア２′を印加する。そしてこの環境温度対応電圧Ｅ
ア２′と基準電圧Ｅ１、とを比較して差分の出力に基づ
いてトランジスタ２′を制御し、環境温度Ｔ６が温度Ｔ
ｋ’に近づくようにコントロールする。また、この温度
Ｔｈ’と動作温度Ｔ７に基づいて差分補正用出力Ｅ。″
を生成するようにする。そして、この温度Ｔ、′を動作
温度Ｔ７に極力近づけておくと、ΔＴ　＝　Ｔ、　−’
ｒｈ’を小さくすることができるので、第１ペルチエ効
果型素子１８をリニアな領域でコントロールできること
になる。また、第２ペルチエ効果型素子１９によって環
境温度Ｔ、の変化を軽減できるので、設定温度Ｔ、に動
作温度Ｔ７をより一層維持できることになる。

以上、実施例においては、ペルチェ効果型素子を熱電効
果型素子として利用した場合について説明したが、トム
ソン効果型素子を熱雷効果型素子として使用することも
できる。

（発明の効果） 本発明は、半導体レーザーに注入電流を供給する電流供
、冶源と、その半導体レーザーの注入電流に基づく発熱
量を検出する発熱量検出部と、その半導体レーザーに設
けられてその動作温度を検出する動作温度検出部と、そ
の半導体レーザーの周囲の環境温度を検出する環境温度
検出部と、その半導体レーザーとの間で熱の授受を行う
熱な効果型素子と、その動作温度検出部の出力とその環
境温度検出部の出力とが入力され、その動作温度と環境
温度との差分に基づいて動作温度と設定温度とがずれる
ことを補正するための差分補正用出力を発生する差分補
正用出力発生回路と、その発熱量検出部の出力が入力さ
れ、その半導体レーザーの発熱量に基づいて動作温度と
設定温度とがずれることを補正するための発熱分補正用
出力を発生する発熱分補正用出力発生回路と、その設定
温度に対応する基準電圧が印加され、その差分補正用出
力発生回路の差分補正用出力とその発熱分補正用出力発
生回路の発熱分補正用出力とに基づいて、その基準電圧
を補正して補正基準電圧を出力し、この補正基準電圧と
その動作温度検出部の出力とを比較してその設定温度に
その動作温度が一致するようにその熱電効果型素子を制
御する制御部とを有するところに特徴があるから、半導
体レーザーの発熱量の変化、半導体レーザーの周囲の環
境温度の変化に適切に応答して熱電効果型素子を制御し
、もって半導体レーザーの動作温度を常に設定温度に保
つことができるという効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

第１図は従来のペルチェ効果型素子を有する温度制御装
置を使用して半導体レーザーの温度安定化装置を構成し
た場合の制御回路を示す図、第２図はそのペルチェ効果
型素子に半導体レーザーを取付けて熱電変換器を構成し
た状態を示す構成図、第３図は熱量と平衡電流との関係
を示すペルチェ効果型素子の特性図、第４図は実験によ
って得た熱量の値と平衡温度対応電圧の値とをプロット
して示した図、第５図は、発熱体でないときであって平
衡温度とＪｌｉ？境温度とが異なる場合にペルチェ効果
型素子に流れる平衡電流の特性を示す図、第６図は第１
図に示す制御回路を用いてペルチェ効果型素子を制御し
た場合の実験結果を示す図、第７図は本発明に係る半導
体レーザーの温度安定化装置の制御部を示す回路図、第
８（ｉ！は本発明に係る発熱分補正用出力発生回路の構
成図、第９図は本発明に係る半導体レーザーの温度安定
化装置に使用する半導体レーザーの熱量と注入電流との
関係を示す特性図、第１０図は本発明に係る差分補正用
出力発生発生回路の構成図、第１１図は本発明に係る半
導体レーザーの温度安定化装置の全体構成を示す回路図
、第１２図は本発明に係る半導体レーザーの温度安定化
装置に使用する熱電変換器の他の構成を示す図、第１３
図はその熱電変換器に使用する半導体レーザーの温度安
定化装置の全体構成を示す回路図である。 ３・・・１！電効果型素子 ４・・・半導体レーザー ９・・・注入電流供給源 １３・・・動作温度検出部（サーミスタ）１４・・・環
境温度検出部（サーミスタ）Ｋ１・・・差分補正用出力
発生回路 に２・・・発熱分補正用出力発生回路 に、・・・制御部 Ｔゎ・・・環境温度 Ｔ７・・・動作温度 Ｔ、・・・設定温度 ＥいＥ、い・・・基準電圧 Ｋ３よ・・・補正基準電圧 Ｅ　％・・・発熱分補正用出力 Ｅ　ｃｌ＃・・・差分補正用出力 第１図 １Ｋ（Ａ） 第１１図 に２ 第１２図

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. （１）半導体レーザーを所定の設定温度で動作させる半
   導体レーザーの温度安定化装置において、前記半導体レ
   ーザーに注入電流を供給する電流供給源と、 前記半導体レーザーの注入電流に基づく発熱量を検出す
   る発熱量検出部と、 前記半導体レーザーに設けられてその動作温度を検出す
   る動作温度検出部と、 前記半導体レーザーの周囲の環境温度を検出する環境温
   度検出部と、 前記半導体レーザーとの間で熱の授受を行う熱電効果型
   素子と、 前記動作温度検出部の出力と前記環境温度検出部の出力
   とが入力され、前記動作温度と前記環境温度との差分に
   基づいて前記動作温度と前記設定温度とがずれることを
   補正するための差分補正用出力を発生する差分補正用出
   力発生回路と、前記発熱量検出部の出力が入力され、前
   記半導体レーザーの発熱分に基づいて前記動作温度と前
   記設定温度とがずれることを補正するための発熱分補正
   用出力を発生する発熱分補正用出力発生回路と、 前記設定温度に対応する基準電圧が印加され、前記差分
   補正用出力発生回路の差分補正用出力と前記発熱分補正
   用出力発生回路の発熱分補正用出力とに基づいて、前記
   基準電圧を補正して補正基準電圧を出力し、該補正基準
   電圧と前記動作温度検出部の出力とを比較して前記設定
   温度に前記動作温度が一致するように前記熱電効果型素
   子を制御する制御部と、を有することを特徴とする半導
   体レーザーの温度安定化装置。