JPS62186926A - 脱硝装置 - Google Patents

脱硝装置

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の利用分野〕 本発明は、例えば各種ボ、ｒう、コニ業炉、ガスタービ
ン、廃棄物処理装置などの燃焼装置から排出される燃焼
排ガス中の窒素酸化物（以下、ＮＯｘという）を除去す
る脱硝装置に関ずろものである。
〔発明の背景〕
近年、我国においては重油供給のひっ迫から、石油依存
度の是正を図るために、従来の重油専焼から石炭専焼Ｉ
＼と燃料を変換しつつあり、特に事業用ボーｒうにおい
ては石炭専焼の大容量火力発電所が建設されている。
ところが１石炭燃料は石油燃料に比べて燃焼性が悪いの
で排ガス中に含まれるＮＯｘならびに未燃分が発生しや
すい。特にＮ　Ｏｘの低減対策のために火炎の分割、排
ガスの再Ｗｉ環、二段燃焼および炉内脱硝などを採用し
て、緩慢な燃焼を行なわせてＮ　Ｏｘの発生を低減する
ことも行なわれている。
一方１石炭専焼火力においては、ボイラ負荷が常に全負
荷で運転されるものは少なく、負荷を８０％負荷、５０
％負荷、２５％負荷へと負荷を上げ、下げして運転した
り、運転を停止したりする所謂、毎日起動停止（Ｄａｉ
ｌｙ　Ｓｌ：ａｒｔ　５ｔｏｐ以下、ＤＳＳという）運
転、あるいは週末起動停止（Ｗｅｅｋｌｙ　５ｔａｒｔ
　　Ｓｔ、ｏｐ以下、ＷＳＳという）運転を行なって中
間負荷を担う火力発電プラントへ移行しつつある。
またこの中間負荷火力用には火力発電ボイラの他に、起
動特性の良いガスタービンど排熱回収ボイラを組合せた
。所謂、コンバインドプラントも用いられ、前述のＤＳ
Ｓ運転やｗｓｓｚ転を行なって電力需要の多い昼間のみ
運転し、夜間は運転を停止するシステムのものが建設さ
れようとしている。
ところが、この石炭専焼の中間負荷用ボイラ。
ガスタービンにおいてもＮ　ＯＸ排出濃度の規制強化に
伴ない、前述のような従来の燃焼改善に加えて、アンモ
ニア（以下、Ｎ　Ｈａという）を還元剤として触媒の存
在下で脱硝反応を行なう乾式接触還元方式の脱硝装置を
設置するプラントが増加している。
第２０図は、従来のこの種脱硝装置の系統図である。図
中の１は入口煙道、２は脱硝反応器、６はアンモニア注
入装置、７は燃焼装置などの排ガス発生源、８はエアヒ
ータ、９は通風機、１０は煙道である。
燃焼などによって発生した排ガスは、排ガス発生源７よ
り排出され煙道１を経て脱硝反応器２へ導びかれる訳で
あるが、途中に排ガス中のＮ　Ｏｘの還元剤であろＮ　
Ｈ３ガスを注入するアンモニア注入％ｆｆ１６が設けら
れている。排ガス中のＮＯｘは脱硝反応器２内に設置さ
れている触媒の働きによりＮＨ：ｓと反応し、無害な水
蒸気と窒素ガスに分解される。
この脱硝装［２においては、上記反応に使用さ才りるＮ
　Ｈ３ガスの未反応分の排出、即ちリークＮ、ＩＩｉの
排出量を制限するために、注入されるＮ１１３量を制限
している。このことは、脱硝装置２からＮ　Ｈ９の未反
応分が排出されると、それとガス中の５Ｏ−４とが反応
して脱硝装置２の後流側機ＩＧ、例えばエアヒータ８な
どのエレメントに酸性硫安が付着して、熱交換性能の低
下などの弊害を生じるためにｒＪ　ＨＢ−ｆｌを制限し
ている。゛第２１図は、ア〉゛モニア注入量（アンモニ
アとＮＯｘのモル比で表わしている。）と脱硝性能との
関係を示す０性図である。
この図に示すようにモル比をＴｉ口で運用した場合、脱
硝効率はηａを得る。その際アンモニア注入量（ａ　＋
　ｂ）の内のｂは脱硝作用に消費されるが、残るａはリ
ークＮ１１ｊどして脱硝装置から排出される。次にアン
モニア注入量を多くしてモル比をｍ２とした場合、脱硝
効率はηｂまで高めることはできるが、モル比を大きく
するに従い脱硝性能の向上は頭打ちとなることから、リ
ークＮ　Ｈ」ＡはＡ＞ａとなり、リークＮ　Ｈａ量が増
加することになり好ましくない。
通邦のプラン１〜においては、脱硝装！ｉｉ！２からの
排出Ｎ　Ｈ３濃度は、後流機器への影響を考慮し出来る
だけ低濃度になるよう注入モル比を制限した運用になっ
ている。脱硝反応は触媒面に吸着したＮ　ＨＢとＮ　Ｏ
ｘの衝突によって反応が進むと考えられているが、前述
の通り注入モル比（注入Ｎ＋＋、’ｔ）を制限している
ため、触媒表面に吸着するＮ　ＩＩ　ｇ　量が注入モル
比が高い（注入Ｎ　Ｈ３屋が多い）場合に１１Ｓべて必
然的に少なく、従って脱硝反応が令触ｍ面上で効率よく
行なわ九ないため触媒の有効活用の面で問題があった。
〔発明の目的〕
本発明の目的は、上記した従来技術の欠点を解消し、リ
ークＮ１１ｉを制限する運用においても触媒が有効に活
用され、脱硝性能の向上を図り、実質的には所望の脱硝
率を保持しながら触媒の使用量が低減できる脱硝装置を
提供することにある。
〔発明の概要〕
前述の目的を達成するため１本発明は、燃焼排ガスなど
のような窒ｗｒｉｔヒ物を含む被処理ガス中にアンモニ
アガスを注入するアンモニア注入手段と、触媒を内蔵し
前記被処理ガスとアンモニアガスとの混合ガスを導入し
て触媒と接触させ被処理ガス中の窒素酸化物を還元する
脱硝反応器とを備えた脱硝装置を対象とするものである
。
そして、前記被処理ガスの一部が脱硝反応器をバイパス
するバイパス経路と、そのバイパス経路へ流れる被処理
ガス量を調整する例えばダンパなどのガス流量Ｗｊ４整
手段とを設け、前記脱硝反応器の前流側でかつバイパス
経路の分岐店より後流側に前記アンモニア注入手段を設
置して、被処理ガスを前記脱硝反応器側とバイパス経路
側に分けて流し、脱硝反応器側に流した被処理ガスは前
述の還元処理を行なった後にバイパス経路を流れて来た
未処理の被処理ガスと混合するように構成されているこ
とを特徴とするものである。
〔発明の実施例〕
次に本発明の実施例を図とともに説明する。第１図は１
本発明の第１実施例に係る脱硝装置の系統である。なお
以下の実施例等の説明に当り従来と同一のものは、同一
の符号を付している。第１図において５４は脱硝反応器
バイパス煙道、５はダンパである。
同図に示すように、排ガス発生源７より排出された排ガ
スは煙道ｌを経て脱硝反応器２へ導びがれる。ここで従
来と異なる点は、脱硝反応器バイパス煙道４と、そのバ
イパス煙道４の途中にバイパスガス量を調整するための
ダンパ５を設けた点である。アンモニア注入装置ｌ！６
は、前記バイパス煙道４の主流からの分岐点の後流側で
しかも脱硝反応器２の前流側に設けられている。
このようなイＲ成になっている脱硝装置においては、脱
硝反応器２を通過して処理されたガスと、脱硝反応器２
をバイパスした排ガスとが合流した後、エアヒータ８等
を経て煙道ＩＯより排出される。尚、アンモニア注入袋
ｖ１Ｇでのアンモニア注入量は、バイパス煙道４が合流
した後の排ガス中のアンモニア濃度が制限値以下になる
ようにコントロールされている。
第２！！Ｉは１本発明の第２実施例を説明するための系
統図である。この実施例の場合は前記第１図で示した脱
硝反応器２が、ガスの流れ方向に対して１次脱硝反応器
２−１と２次脱硝反応器２−２とに２分割されている。
そして、１次脱硝反応器２−１をバイパスするように脱
硝反応器バイパス煙道４が設けられ、そのバイパス煙道
４の途中にダンパ５が付設されている。
同図に示すように、アンモニア注入’［！６は。
バイパス煙道４が主流から分岐した後でしかも前記１次
脱硝反応器２−１の前流側に設けられている。従ってこ
の実施例の場合、１次脱硝反応器２−１に導入されて処
理されたガスと１次脱硝反応器２−１をバイパスした未
処理の排ガスが２次脱硝反応罰２−２の前流側で合流し
て混合される。
そして、前記１次脱硝反応漸２−１から排出されたガス
中に含まれている未反応のＮ　Ｈａと、１次脱硝反応器
２−１をバイパスした排ガス中のＮＯｘとが、次の２次
脱硝反応器２−２において反応するように猜成されてい
る。なお、アンモニア注入１は、２次脱硝反応儲２−２
の出口における排ガス中のアンモニア濃度が制限値以下
になるようにコントロールされている。
次に本発明の具体的な効果の内容について定量的に説明
する。第３図は、脱硝装置のモル比と脱硝率との関係を
示す特性図である。なお、このモル比−脱硝率特性曲線
は１次のような実験によって得られた測定値に基づいて
作成したものである。
すなわち、第１６！０に示すような脱硝率測定装置を用
い、Ｎ０ｘ（Ｎｏ）に対するＮ　Ｈｓのモル比を種々変
えて脱硝反応を行ない、そ扛によってモル比と脱硝率と
の関係を求めた。おな図中の１１は各ガスの流量を測定
する流量計、１２は加熱装置、１３は反応器、１４は表
面に還元触媒を担持した板状触媒、１５はアンモニアト
ラップ、１６はＮＯｘアナライザである。
実験の各楽件は、次の表の通りである。
第３図において１図中のＳＶｘ、ＳＶｚ・・・・・・は
板状触媒（後述する。）を用いた脱硝反応器内における
ガスの空塔速度を示しており１次のうよに定義されてい
る。
ＳＶ＝処理ガス量（Ｎｍ’　／ｈ）／触媒量（ｍｊ）即
ちＳｖが大きい程、触媒単位容量当りの処理ガスが多い
ことを示しており、言いかえれば同じ処理ガス量を処理
する場合、高Ｓｖは触媒量が少なく、低Ｓ■は触媒量が
多いことを意味する。二面において、ＳＶｘが最も大き
く、Ｓｖ２゜Ｓ　Ｖ　ｖ・・・・・・となるに従いＳＶ
値は小さくなっている。なお、ＳＶｚ　、Ｓｖ２・・・
・・・等の相互の関係は触媒量を一定量づつ多くした場
合で示しである。
この第３図に示したモル比−脱硝率特性曲線は、次の特
徴を有していることがわかる。
（１）　Ｍ　ｘ　、、　Ｍ　ｚ・・・・・・とモル比を
高くするに従い。
脱硝率は向上する。
（２）シかし次第に脱硝性能の向上は頭打ちどなり、あ
る値以上のモル比（約１．２以上）になればほとんど脱
硝特性は向上しない。
（３）高Ｓｖ値の場合（低脱硝率の揚１＆）と低ＳＶ値
の場合（高脱硝率の場合）とでは、同じ触媒量を加えた
場合でも脱硝性能の向上はＳＶ値が高い場合の方が効果
が大きい。
（４）モル比が高い範囲であるほど、Ｓｖの差による脱
硝性能の差は大きくなる。すなわち。
ＳＶＩ、ＳＶＺ、・・・・・・の特性曲線はモル比が高
くなるに従い、だんだん離れている。） （５）　Ｓ　Ｖ値が高い場合はど、特性曲線の勾配が小
さくなっている。
以上に示すモル比−脱硝率特性曲線の特徴を考慮して、
第４図に示す（イ）、Ｃ口）の各ケースについて脱硝性
能の比較険討を行なってみる。ケース（イ）は従来の脱
硝装置の系統図であり、ケース（ロ）は本発明に係る脱
硝装置の系統図で、これらの図において３は出口煙道を
示している。
ケース（ロ）の場合、排ガスの一部がバイパス煙道４を
通って脱硝反応ＷＩ２をバイパスするため、脱硝反応器
２で処理するガス量がその分だけ少なくなる。従って触
媒充填量をケース（イ）、すなわち従来と同じ全充填し
ておれば結果的にはＳｖ値が小さい運用を行なうことに
なる。又、アンモニア注入量もケース（イ）と同じ量を
注入するとすれば、処理ガス量が少なくなった分だけＮ
Ｏｘ量が少なくなり、相対的にはモル比が大きい運転を
行なうことになる。２九らをまとめれば１本発明に係る
ケース（ロ）の場合は、従来のケース（イ）に比べ低Ｓ
■でかつ高モル比運用行なうことになる。
このケース（イ）とケース（ロ）の相違を第３図に示す
モル比−脱硝率特性曲線を用いて説明する。
例えばケース（イ）でモル比をＭｘ、ＳＶ値をＳＶＩで
運用しているものを、ケース（ロ）のように一部の４１
トガスをバイパスするようにした場合、モル比はＭ、！
まで高くなり、Ｓｖ値はＳ　Ｖ　３まで低くした運用を
行なうことになる。従って第４図に示す脱硝反応器２の
前後での脱硝性能は、（イ）の場合脱硝率がη１である
ものが、（ロ）の場合脱硝率がη２まで高くなる。又、
仮にケース（ロ）でバイパス量を多くした場合を考える
と１モル比はＭ　２　’まで高められ、Ｓｖ値はＳＶ４
まで低くなり、結局、脱硝率はη″２まで高くした運用
を行なうことができろ。
ここで脱硝性能の向上する要因をＳｖ値の変化に対する
ものと１モル比の変化に対するものに分けて考えると、
Δηｓｖ又はΔηｓｖ’がＳｖ効果によるもの、一方、
Δηｉ又はΔη１′がモル比を高くしたことによる効果
として考えられる。すなわち、η１＋Δηｓｖ＋Δηｉ
＝η１又は、ηｌ＋Δηｓｖ’＋Δη１′＝η２′の関
係が成り立つ。
次にこのΔηｓｖ及びΔηｉについて具体的に説明する
。
第５図、第６図に、排ガスのバイパス割合とΔηＳＶと
の関係を示している。第５図は低モル比の場合の特性曲
線で、同図のように排ガスのバイパス割合が大きくなる
ほど脱硝反応器２で処理されるガス量が少なくなるため
、Δηｓｖは大きくなる傾向にある。しかし１モル比−
脱硝率特性曲線の特徴（３）で述べた通り、その効果は
だんだん少なくなる。又、同様の理由によりＳＶｘ。
ＳＶＺ・・・・・・でみた場合、Ｓｖ値が大きいほどΔ
ηＳＶの変化率が大きくなる。
＠６図は９モル比が高い運用の場合を示しており、前述
の第５図と異なりΔη５Ｖの値は大きくなっている。こ
れは前記モル比−脱硝率特性曲線の特徴（４）に起因す
るものである。
次に第７図、第８図に、排ガスのバイパス割合とΔηｉ
との関係を示している。
第７図は低モル比の場合を示しており、同図のようにバ
イパス割合を多くするに従いΔηｉは大きくなるが、そ
の効果はある値以上でほとんど効果がなくなる。これは
前記モル比−脱硝率特性曲線の特徴（２）に起因するも
のである。
第８図はモル比が高い場合であるが、第７図に比べΔη
１がバイパス割合が小さい範囲で頭打ちとなっている。
これは前記モル比−脱硝率特性曲線の特徴（１）、（２
）より明らかである。
以上により脱硝反応器をバイパスした場合の性能向上に
関与する因子ΔηｓｖならびにΔηｉの特性が明らかと
なったが、未処理ガスをバイパスすることによる脱硝性
能の低下分を考慮して、前記Δηｓｖ、ΔＱｔｊの向上
因子との比較により総合的な脱硝性能の評価を行なう必
要がある。
第９図に未処理ガスのバイパスによる総合脱硝率の低下
分Δηｂを示している。
この図から明らかなように、脱硝率ηが高いほど未処理
ガスのバイパスによる総合脱硝率への影響（よ大きいく
なっている。従って、 Δ　ηヒ＝ηｌ　＋Δ　ηＳＶ＋Δ　ηｉ　−Δ　ηｂ
（この式でΔηｔは総合脱硝率への影響を示している。
） により、バイパスによる脱硝性能の総合評価を下す必要
がある。
第１Ｏ図ならびに第１１図は排ガスのバイパス割合とΔ
ηｔとの関係を示す特性曲線で、第１０図は低モル比の
場合を、第１１図は高モル比の場合をそれぞれ示してい
る。
第１０図に示す通り、脱硝率が低い場合の条件（約ηｌ
く５０％の範囲）ではバイパス量が約５０％以下の範囲
で、Δηｔは正となる。しかし、脱硝率が高い場合はη
ｓｖの値が小さくなることが大きく影響しその効果は小
さくなることが大きく影響し、その効果は小さくなる。
また、バイパス割合を余り大きくするとηｂの値が急激
に大きくなり、Δηｔは負の値となり総合脱硝率は低下
する。
第１１図に示す高モル運用の場合は、第８図に示す通り
Δηｉの効果が少なく、そのため第１０図に示す低モル
比運用の場合に比べてその効果は少ない、そのため、低
脱硝率運用の場合にΔη七が正の値となる。
従って低モル比でかつ低脱硝率の運用を行なう場合は、
第４図（イ）の構成よりも同図（ロ）の構成の方が、脱
硝性能を高めることができる。言いかえれば（イ）の場
合と同じ脱硝性能を得ようとした場合、触媒量は少なく
て済むことになる。
第１０図ならびに第１１図に示した特性値をベースにし
て総合脱硝率ηｔが正の範囲となる最大バイパス割合Ｂ
が決定されることから、この最大バイパス割合Ｂと脱硝
率との関係をプロットしたのが第１７図である。
図中の破線は、　Ｂ＝　１５６Ｌｏｇ（１００−η１）
−２１６，７の曲線を示している。この各特性曲線から
明らかなように、好適なバイパス割合はモル比によって
異なる。例えばモル比が０．４．０．６ならびに０．８
と比較的低モル比の場合は、好適なバイパス割合は例え
ば２０〜８０％、好ましはく２０〜６０％の範囲である
。一方、モル比が１．０あるいは１．１と高モル比にな
ると、好適なパイだス量は例えば２〜２０％、好ましく
は２〜ｌＯ％の範囲である。
以上説明した内容は、低モル比（リークＮＨ３を制限し
た運用という意味）で、高Ｓｖ値（低脱硝率の意味）の
場合に限り効果があり、仮に低モル比、低ＳＶ値（高脱
硝率の意味）の場合は効果が期待できなかった。
しかし、第１２図に示すように脱硝反応器をガスの流れ
方向に沿って１次脱硝反応＠２−１と２次脱硝反応器２
−２のように２分割して考えた場合、同量のガスをより
少量の触媒で処理することになり、１次脱硝反応器２−
１は高Ｓｖ脱硝反応器とみることができる。
従って、この１次脱硝反応＠２−１のみに対して未処理
ガスがバイパスするラインを設ければ第４１１（ロ）に
て説明した効果と同様の効果を得ることができる。
このような考えで構成したのが第１３図に示す系統図で
ある。これの特長は、第１２図に示す脱硝反応［１２−
１に充填しである触媒より実質的に少ない充填量で同じ
脱硝性能を得ろことができる点にある。
第１４図ならびに第１５図にその特性曲線を示している
。第１４図はモル比が約０．６の低モル比の場合を、第
１５図はモル比が約０．８の高モル比の場合をそれぞれ
示している。これらの図において、横軸に触媒の全体量
に対する１次脱硝反応＠２−１に充填した触媒の割合を
、ｂは触媒の低減量を示している。この特性曲線は、触
媒低減割合が最も大きいときのバイパス割合（第１Ｏ図
。
第１１図において最もΔη七が大きい時のバイパス割合
）で示している。従って１次脱硝反応器における充填触
媒の割合が変れば、当然に最適バイパス割合も変化する
ことになる。
低減可能量は前述の意味からモル比、Ｓｖの因子から一
義的に決定されるため、Ｓｖの高、低にかかわらず最大
低減可能触媒量は決まってくる。
すなわち１次脱硝反応器に充填する触媒量を少なくすれ
ば、高りｖ運転となり触媒量低減割合は大きくなるが、
低減量は（充填触媒量）Ｘ（低減割合）で示されろため
、充填触媒量が少ない分だけ低減量が少なくなる。従っ
て、１次脱硝反応、器に充填する触媒の割合で最も低減
量が多くなるポイントが存在する。このような考えで１
次脱硝反応器の充填触媒量及びバイパス割合を決定すれ
ば、低ＳＶ時においても触媒量の低減が図れることにな
る。
本発明に係る脱硝装置は、新設プラントにはもちろん適
用できるが既設の設備にも適用可能である。つまり、脱
硝反応器のバイパス煙道は既設ダクトを用い追設脱硝装
置を新規に設ければよいわけである。また、既設主ライ
ンの通風損失の余裕が小さい場合は、前述の２次脱硝反
応器のみ主ラインに設け、１次脱硝反応器は主ラインを
バイパスして設ける等の方法がある。この場合、脱硝フ
ァンの設置は必要である。
第１８図は１本発明の第３実施例を説明するための図で
ある。第２図を用いて説明した第２実施例の場合は、１
次脱硝反応器２−１と２次脱硝反応霞２−２とを別個に
設けたが、この実施例の場合は１つのケーシング１８内
を１次脱硝反応□□□２−１と２次脱硝反応１２２に分
けた例を示している。図中の１９は仕切板で、ケーシン
グ１８の前流側においてガスの流れに沿って複数枚所定
の間隔をおいて設けることによって、１次脱硝反応器２
−１と脱硝反応バイパス煙道４が区画形成されろ。そし
て仕切板１９の内側でかつ１次脱硝反応器２−１の上方
の位置に、アンモニア注入装置６のノズルがそれぞれ配
置されている。また仕切板１９の内側でかつバイパス煙
道４の前流側にダンパ５が設けられている。なお図中の
２０は１次脱硝反応器２−１と２次脱硝反応＠２−２の
間に形成された混合室である。
このように構成された脱硝装置の場合、排ガスがケーシ
ング１８内に導入されろと、１次脱硝反応器２−１を通
過するものとバイパス煙道４を通過するものとに分かれ
る。排ガスのバイパス量は。
ダンパ５によって最適値になるように調整されろ。
１次脱硝反応器２−１側に導入された排ガスはＮ　Ｈ３
と混合され、１次脱硝反応器２−１において脱硝反応が
行なわれる。
その後、１次脱硝反応器２−１を通過した排ガス中に含
まれている未反応のＮ　Ｈ３とバイパス煙道４を通過し
た未反応の排ガスとが前記混合室２０で混合され１次に
２次脱硝反応器２−２に導入されて脱硝反応が行なわれ
ガス中のＮＯｘが除去されて、ケーシング１８の出口へ
と導かれる。
この構造の脱硝装置は、既設のものに適用する場合に好
適である。すなわち、既設の脱硝装置を例えば２次脱硝
反応器とし、その上に１次脱硝反応器を別に設けると、
脱硝装置全体の高さが高くなり大型化してしまい、特に
脱硝硝装置の上方に十分なスペースがない場合に問題と
なる。この点前記実施例のようにケーシング１８内を改
造して。
その中に１次脱硝反応器２−１と２次脱硝反応器２−２
を設ければ、前述のような問題が解決される。
また既設の脱硝装置にバイパス煙道を付設しようとする
と、脱硝［１の外にバイパス煙道が突出して邪魔になり
、特に周囲の設備との間に余りスペースがない場合に問
題となる。この点前記実施例のような構造では、ケーシ
ング１８内にバイパス煙道４が形成されるから、既設の
もので周囲とのスペースが余りとれない場合においても
適用することができろ。
本発明の脱硝装置において、ガス流量調整手段をバイパ
ス経路との分岐点の後流側でかつ脱硝反応器の前流側に
設けて、バイパス経路へのガス流量を調整することも可
能であるが、このようにすれば脱硝反応器内においてガ
スの偏流を生じ脱硝性能の悪影響を与えるから、前記実
施例で説明したようにガス流量調整手段はバイパス経路
上に設けた方が得策である。
第１９図は、本発明の実施例ならびに前述の実験で用い
られろ触媒ブロックの拡大断面図である。
例えばステンレス鋼板などの板状をした触媒担体２１の
表面に還元触媒が担持され、この担体２１には同図に示
すように一定の間隔をおいて上方向と下方向とに突出し
た屈曲部２２が形成されている。そしてこの屈曲部２２
が互にずれるようにしてＩ■体２１を重ね合わせろこと
によって、担体２１と担体２１との間にガス流通用の空
間２３が形成さ、ｉＬろ。図に示すように、担体２１を
多数枚重ねてブロック化することによって触媒ブロック
が形成され、このブロックを多数縦方向ならびに横方向
に配置することによって前述の脱げｆ反応器が構成され
る。
〔発明の効果〕
本発明は前述のような構成になっており、リークＮ　ｌ
（：ｌを制限する運用においても触媒が有効に活用され
、所望の脱１ｉｆｆ率を保持しながら触媒の使用量を低
減して、安価な脱硝袋！！！を提供することができろ。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の第１実施例に係る脱硝装置の系統図、
第２図は本発明の第２実施例に係る脱硝＠置の系統図、
第３図はモル比と脱硝率との関係を示す特性図、第４図
は従来技術と本発明とを比較するための系統図、第５！
！Ｉは低モル比運用の場合のバイパス割合とΔＱＳＶと
の関係を示す特性図。 第６図は高モル比運用の場合のバイパス割合とΔηｉと
の関係を示す特性図、第７図は低モル比運用の場合のバ
イパス割合と６９Ｍとの関係を示す特性図、第８図は高
モル比運用の場合のバイパス割合とΔη閂との関係を示
す特性図、第９図はバイパス割合とΔηｂどの関係を示
す特性図、第１０図は低モル比運用の場合のバイパス割
合とΔηしとの関係を示す特性図、第１１図は高モル比
運用の場合のバイパス割合とΔηｔとの関係を示す特性
図、第１２図は脱硝反応器をガス流れに対して２分割し
た場合の系統図、第１３図は脱硝反応器をガスの流れに
対して２分割して前流側の脱硝反応器にバイパス煙道を
付設した系統図、第１４図は低モル比運用の場合の触媒
低減量を示す特性図、第１５図は高モル比運用の場合の
触媒低減量を示す特性図、第１６図は本発明の脱硝率測
定に用いた測定装置の概略構成図、第１７図はバイパス
割合と脱硝率との関係を示す特性図、第１８図は本発明
の第３実施例に係る脱硝装置の系統図、第１９図は本発
明の実施例で用いた触媒ブロックの拡大断面図、第２０
図は従来の脱硝装置の系統図、第２１図は一般的なモル
比と脱硝率との関係を示す特性図である。 ２・・・・・・脱硝反応器、２−１・・・・・・・・・
１次脱硝反応１１−２−２・・・・・・・・・２次脱硝
反応器、４・・・・・・バイパス煙道、５・・・・・・
ダンパ、６・・・・・・アンモアニ注入装置、７・・・
・・・排ガス発生源、１８・・・・・・ケーシング。 １９・・・・・・仕切板、２０・・・・・・混合室。

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. （１）窒素酸化物を含む被処理ガス中にアンモニアガス
    を注入するアンモニア注入手段と、触媒を内蔵し前記被
    処理ガスとアンモニアガスとの混合ガスを導入して触媒
    と接触させ被処理ガス中の窒素酸化物を還元する脱硝反
    応器とを備えた脱硝装置において、 前記被処理ガスの一部が脱硝反応器をバイパスするバイ
    パス経路と、そのバイパス経路へ流れる被処理ガス量を
    調整するガス流量調整手段とを設け、前記脱硝反応器の
    前流側でかつバイパス経路の分岐点より後流側に前記ア
    ンモニア注入手段を設置して、被処理ガスを前記脱硝反
    応器側とバイパス経路側に分けて流し、脱硝反応器側に
    流した被処理ガスは前述の還元処理を行なつた後にバイ
    パス経路を流れて来た未処理の被処理ガスと混合するよ
    うに構成されていることを特徴とする脱硝装置。
  2. （２）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記ガ
    ス流量調製手段が前記バイパス経路上に設けられている
    ことを特徴とする脱硝装置。
  3. （３）特許請求の範囲第（１）項記載において、前記脱
    硝反応器が被処理ガスの流れ方向に沿つて少なくとも１
    次脱硝反応器と２次脱硝反応器とに分けられ、前流側の
    １次脱硝反応器に対して前記バイパス経路を設け、１次
    脱硝反応器を通過した処理ガスとバイパス経路を通過し
    た未処理の被処理ガスとを混合して、この混合ガスを後
    流側の２次脱硝反応器に導入するように構成されている
    ことを特徴とする脱硝装置。
  4. （４）特許請求の範囲第（１）項記載において、脱硝反
    応ケーシング内に被処理ガスの流れ方向に沿つて仕切部
    材が設けられ、この仕切部材によつて区画形成された少
    なくとも１つのガス流通空間部に触媒を配置して脱硝反
    応器を構成し、少なくとも他の１つのガス流通空間部を
    バイパス経路とし、前記仕切部材の内側でかつ前記脱硝
    反応器の前流側にアンモニア注入手段を設け、前記仕切
    部材の内側でかつバイパス経路の入口側に前記ガス流量
    調整手段を設けたたことを特徴とする脱硝装置。
  5. （５）特許請求の範囲第（１）項記載において、脱硝反
    応ケーシング内の入口側に被処理ガスの流れ方向に沿つ
    て仕切部材が設けられ、その仕切部材によつて区画形成
    された少なくとも１つのガス流通空間に触媒を配置して
    １次脱硝反応器を構成し、少なくとも他の１つのガス流
    通空間部をバイパス経路とし、前記仕切部材の内側で前
    記１次脱硝反応器の前流側にアンモニア注入手段を設け
    、仕切部材の内側でかつ前記バイパス経路の入口側に前
    記ガス流量調整手段を設け、その仕切部材の後流側に触
    媒を配置てし２次脱硝反応器を構成したことを特徴とす
    る脱硝装置。
  6. （６）特許請求の範囲第（５）項記載において、前記１
    次脱硝反応器と２次脱硝反応器との間にガス混合用の空
    間が形成されていることを特徴とする脱硝装置。
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