JPS62184401A - カラ−フイルタの製造方法 - Google Patents
カラ−フイルタの製造方法Info
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- JPS62184401A JPS62184401A JP61026164A JP2616486A JPS62184401A JP S62184401 A JPS62184401 A JP S62184401A JP 61026164 A JP61026164 A JP 61026164A JP 2616486 A JP2616486 A JP 2616486A JP S62184401 A JPS62184401 A JP S62184401A
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Landscapes
- Optical Filters (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
この発明は固体撮像素子などのカラーフィルタの製造方
法に関し、特に高解像力のカラーフィルタの製造方法に
関するものである。
法に関し、特に高解像力のカラーフィルタの製造方法に
関するものである。
[従来の技術]
従来、カラーフィルタの製造においては、水溶性ポリマ
ー(ゼラチンおよびカゼインなど)中に重クロム酸アン
モニウムを混合した感光剤を回転塗布し、マスクアライ
ナを用いてモザイクパターンあるいはストライプパター
ンの形成を行なってきた。
ー(ゼラチンおよびカゼインなど)中に重クロム酸アン
モニウムを混合した感光剤を回転塗布し、マスクアライ
ナを用いてモザイクパターンあるいはストライプパター
ンの形成を行なってきた。
第2A図〜第2D図は従来のモノリシック型固体撮像素
子のカラーフィルタの製造方法の主要工程段階における
状態を示す断面図である。
子のカラーフィルタの製造方法の主要工程段階における
状態を示す断面図である。
この製造方法について説明すると、基板1上に光検出部
2.電荷転送部3などが形成されており(基板1上に形
成される他の撮像用の構成要素については図示を省略す
る)、まず、基板1.光検出部2.電荷転送部3上に、
たとえばポリグリシジルメタクリレ−1−などの有機感
光性高分子膜料を回転塗布し、続いてこの有機感光性高
分子材料上にネガ型のフォトレジストであるゼラチン−
重クロム酸アンモニウム混合水溶液を回転塗布し、この
後、有態感光性高分子材料、ゼラチンー重クロム酸アン
モニウム混合水溶液をプレベークして透明な有機感光性
高分子膜4.ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜5を
形成する(第2A図)。
2.電荷転送部3などが形成されており(基板1上に形
成される他の撮像用の構成要素については図示を省略す
る)、まず、基板1.光検出部2.電荷転送部3上に、
たとえばポリグリシジルメタクリレ−1−などの有機感
光性高分子膜料を回転塗布し、続いてこの有機感光性高
分子材料上にネガ型のフォトレジストであるゼラチン−
重クロム酸アンモニウム混合水溶液を回転塗布し、この
後、有態感光性高分子材料、ゼラチンー重クロム酸アン
モニウム混合水溶液をプレベークして透明な有機感光性
高分子膜4.ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜5を
形成する(第2A図)。
次に、ガラスなどの透明基板60にクロム61が蒸暑さ
れた所定のクロムマスク6を用いて紫外光によりゼラチ
ン−盾クロム酸アンモニウム膜5を選択的に露光し、こ
の後、露光されたぜラチンー重りロム酸アンモニウム膜
5を水で現像処理して所望のゼラチン−重クロム酸アン
モニウム膜パターン5aを形成する(第2B図)。次に
、ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パターン5aを
染料を溶融した水槽中に浸すことにより染色する。
れた所定のクロムマスク6を用いて紫外光によりゼラチ
ン−盾クロム酸アンモニウム膜5を選択的に露光し、こ
の後、露光されたぜラチンー重りロム酸アンモニウム膜
5を水で現像処理して所望のゼラチン−重クロム酸アン
モニウム膜パターン5aを形成する(第2B図)。次に
、ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パターン5aを
染料を溶融した水槽中に浸すことにより染色する。
5bは染色されたゼラチン−虚クロム酸アンモニウム膜
パターンを示す(第2C図)。次に、有機感光性高分子
膜4.染色ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パター
ン5b上に有機感光性高分子膜7を形成して染色ゼラチ
ン−重クロム酸アンモニウム膜パターン5bを保護し、
このようにして有機感光性高分子膜4.染色ゼラチン−
重クロム酸アンモニウム膜パターン5b、有機感光性高
分子膜7から構成されるカラーフィルタが完成される(
第2D図)。
パターンを示す(第2C図)。次に、有機感光性高分子
膜4.染色ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パター
ン5b上に有機感光性高分子膜7を形成して染色ゼラチ
ン−重クロム酸アンモニウム膜パターン5bを保護し、
このようにして有機感光性高分子膜4.染色ゼラチン−
重クロム酸アンモニウム膜パターン5b、有機感光性高
分子膜7から構成されるカラーフィルタが完成される(
第2D図)。
[発明が解決しようとする問題点]
ところで、従来のカラーフィルタの製造方法では、ゼラ
チン−重クロム酸アンモニウム膜5のパターニングはそ
の分子量、光反応性などによって決まり、このゼラチン
系のネガ型フォトレジストは解像性が劣るという問題点
を有していた。このため、微細なモザイクパターンでは
隣接画素間の十分な分離が達成できなかった。
チン−重クロム酸アンモニウム膜5のパターニングはそ
の分子量、光反応性などによって決まり、このゼラチン
系のネガ型フォトレジストは解像性が劣るという問題点
を有していた。このため、微細なモザイクパターンでは
隣接画素間の十分な分離が達成できなかった。
しかし、ゼラチン系のフォトレジストは酸性染料による
染色において他の水溶性フォトレジストに比べて良好な
被染色性を有しているいるので、ゼラチン系のフォトレ
ジストを用いる意義は大きい。
染色において他の水溶性フォトレジストに比べて良好な
被染色性を有しているいるので、ゼラチン系のフォトレ
ジストを用いる意義は大きい。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、高解像力のカラーフィルタの製造を可能にす
る方法を得ることを目的とする。
たもので、高解像力のカラーフィルタの製造を可能にす
る方法を得ることを目的とする。
[問題点を解決するための手段]
この発明に係るカラーフィルタの製造方法は、基板上に
透明感光性高分子膜を形成し、透明感光性高分子膜上に
ゼラチン系のネガ型フォトレジスト膜を形成し、ネガ型
フォトレジスト膜を露光し、この後露光されたネガ型フ
ォトレジスト膜を現像し、現像されたネガ型フォトレジ
スト膜上にノボラック系のポジ型フォトレジスト膜を形
成し、所定のマスクを用いてポジ型フォトレジスト膜を
選択的に露光し、この後露光されたポジ型フォトレジス
ト膜現像してポジ型フォトレジスト膜パターンを形成し
、ポジ型フォトレジスト膜パターンをマスクとして四塩
化炭素を含むエツチングガス雰囲気でネガ型フォトレジ
スト膜を選択的にプラズマエツチングして被染色部を形
成する方法である。
透明感光性高分子膜を形成し、透明感光性高分子膜上に
ゼラチン系のネガ型フォトレジスト膜を形成し、ネガ型
フォトレジスト膜を露光し、この後露光されたネガ型フ
ォトレジスト膜を現像し、現像されたネガ型フォトレジ
スト膜上にノボラック系のポジ型フォトレジスト膜を形
成し、所定のマスクを用いてポジ型フォトレジスト膜を
選択的に露光し、この後露光されたポジ型フォトレジス
ト膜現像してポジ型フォトレジスト膜パターンを形成し
、ポジ型フォトレジスト膜パターンをマスクとして四塩
化炭素を含むエツチングガス雰囲気でネガ型フォトレジ
スト膜を選択的にプラズマエツチングして被染色部を形
成する方法である。
【作用]
この発明においては、四塩化炭素を含むエツチングガス
を用いた場合、ゼラチン系のネガ型フォトレジスト膜の
プラズマエツチング速度はノボラック系のポジ型フォト
レジスト膜パターンのプラズマエツチング速度よりも著
しく大きいので、ポジ型フォトレジスト膜パターンはネ
ガ型フォトレジスト膜のバターニングのためのマスクと
して有効に働く。また、ノボラック系のポジ型フォトレ
ジストは解像力が優れているので、ネガ型フォトレジス
ト膜のパターニングにおいてその微細加工が可能となる
。
を用いた場合、ゼラチン系のネガ型フォトレジスト膜の
プラズマエツチング速度はノボラック系のポジ型フォト
レジスト膜パターンのプラズマエツチング速度よりも著
しく大きいので、ポジ型フォトレジスト膜パターンはネ
ガ型フォトレジスト膜のバターニングのためのマスクと
して有効に働く。また、ノボラック系のポジ型フォトレ
ジストは解像力が優れているので、ネガ型フォトレジス
ト膜のパターニングにおいてその微細加工が可能となる
。
[実施例]
以下、この発明の実施例を図について説明する。
なお、この実施例の説明において、従来の技術の説明と
重複する部分については適宜その説明を省略する。
重複する部分については適宜その説明を省略する。
第1A図〜第1D図はモノシリツク型固体am素子のカ
ラーフィルタの製造方法の主要工程段階における状態を
示す断面図である。
ラーフィルタの製造方法の主要工程段階における状態を
示す断面図である。
この製造方法について説明すると、従来と同様の製造方
法により第2A図の工程を経た侵、ゼラチン−重クロム
酸アンモニウム膜5の全領域を紫外光により露光し、続
いて、露光されたゼラチン−重クロム酸アンモニウムf
f15を水で現像処理する。8は露光・現像処理後のゼ
ラチン−重クロム酸アンモニウム膜を示す(第1A図)
。次に、ゼラチン−重りOム酸アンモニウムl1ls上
にノボラック系のポジ型フォトレジスト、たとえば0F
PR−800を回転塗布し、この後、0FPR−8oO
をプレベークして0FPR−800膜を形成する。続い
て、ガラスなどの透明基板90にクロム91が蒸着され
た所定のクロムマスク9を用いて紫外光によりこの0F
PR−800!IIを選択的に露光し、この後、露光さ
れた0FPR−800膜を水で現像処理して所望の0F
PR−800111パターン10aを形成する(第1B
図)、、次に、OF P R−800IIIパターン1
0aをマスクとしてゼラチン−重クロム酸アンモニウム
118をプラズマ中で選択的にリアクティブイオンエツ
チングしてゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パター
ン8aを形成する。このとき、エツチングガスとして四
塩化炭素と酸素との混合ガス(組成比、CC11,:0
2−1 :2または1:3)を用いると、ゼラチン−重
クロム酸アンモニウム膜8のプラズマエツチング速度γ
とOF P R−8001!!I 1eL Oaのプラズマエツチング速度γ0FPIIとの比がγ
yeffi/γoyra−20〜12と大きくなり、0
FPR−800膜パターン10aがゼラチン−重クロム
酸アンモニウム膜8のバターニングのためのマスクとし
て有効に働く。また、カラーフィルタの解像力はこのマ
スクに用いられるフォトレジストの解像力に左右される
が、通常のノボラック系のポジ型フォトレジストは解像
力が優れているので、従来法に比べてゼラチン−重クロ
ム酸アンモニウム膜8のバターニングにおいてその微細
加工が可能となり、カラーフィルタの解像力は著しく向
上する(第1C図)。次に、残存した0FPR−800
膜パターン10aをアルコール(エタノール、イソプロ
ピルアルコールなど)を用いて溶融剥離する(第1D図
)。次に、従来と同様の方法により、ゼラチン−重クロ
ム酸アンモニウム膜パターン8aを染色し、この後、有
機感光性高分子114.染色ゼラチン−重クロム酸アン
モニウム膜パターン8a上に有機感光性高分子膜を形成
することによって高解像力のカラーフィルタが完成され
る。
法により第2A図の工程を経た侵、ゼラチン−重クロム
酸アンモニウム膜5の全領域を紫外光により露光し、続
いて、露光されたゼラチン−重クロム酸アンモニウムf
f15を水で現像処理する。8は露光・現像処理後のゼ
ラチン−重クロム酸アンモニウム膜を示す(第1A図)
。次に、ゼラチン−重りOム酸アンモニウムl1ls上
にノボラック系のポジ型フォトレジスト、たとえば0F
PR−800を回転塗布し、この後、0FPR−8oO
をプレベークして0FPR−800膜を形成する。続い
て、ガラスなどの透明基板90にクロム91が蒸着され
た所定のクロムマスク9を用いて紫外光によりこの0F
PR−800!IIを選択的に露光し、この後、露光さ
れた0FPR−800膜を水で現像処理して所望の0F
PR−800111パターン10aを形成する(第1B
図)、、次に、OF P R−800IIIパターン1
0aをマスクとしてゼラチン−重クロム酸アンモニウム
118をプラズマ中で選択的にリアクティブイオンエツ
チングしてゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パター
ン8aを形成する。このとき、エツチングガスとして四
塩化炭素と酸素との混合ガス(組成比、CC11,:0
2−1 :2または1:3)を用いると、ゼラチン−重
クロム酸アンモニウム膜8のプラズマエツチング速度γ
とOF P R−8001!!I 1eL Oaのプラズマエツチング速度γ0FPIIとの比がγ
yeffi/γoyra−20〜12と大きくなり、0
FPR−800膜パターン10aがゼラチン−重クロム
酸アンモニウム膜8のバターニングのためのマスクとし
て有効に働く。また、カラーフィルタの解像力はこのマ
スクに用いられるフォトレジストの解像力に左右される
が、通常のノボラック系のポジ型フォトレジストは解像
力が優れているので、従来法に比べてゼラチン−重クロ
ム酸アンモニウム膜8のバターニングにおいてその微細
加工が可能となり、カラーフィルタの解像力は著しく向
上する(第1C図)。次に、残存した0FPR−800
膜パターン10aをアルコール(エタノール、イソプロ
ピルアルコールなど)を用いて溶融剥離する(第1D図
)。次に、従来と同様の方法により、ゼラチン−重クロ
ム酸アンモニウム膜パターン8aを染色し、この後、有
機感光性高分子114.染色ゼラチン−重クロム酸アン
モニウム膜パターン8a上に有機感光性高分子膜を形成
することによって高解像力のカラーフィルタが完成され
る。
なお、上記実施例では、モノリシック型固体撮像素子の
カラーフィルタの製造方法について示したが、この発明
は透明なガラス基板に形成されるカラーフィルタの製造
にも応用できることは言うまでもない。
カラーフィルタの製造方法について示したが、この発明
は透明なガラス基板に形成されるカラーフィルタの製造
にも応用できることは言うまでもない。
[発明の効果]
以上のようにこの発明によれば、ノボラック系のポジ型
フォトレジスト膜パターンをマスクとして四塩化炭素を
含むエツチングガス雰囲気でゼラチン系のネガ型フォト
レジスト膜を選択的にプラズマエツチングして被染色部
を形成するようにしたので、良好な被染色性を有するゼ
ラチン系の7オトレジスト膜のバターニングにおいてそ
の微細加工が可能になり、高解像力のカラーフィルタを
製造することができる。
フォトレジスト膜パターンをマスクとして四塩化炭素を
含むエツチングガス雰囲気でゼラチン系のネガ型フォト
レジスト膜を選択的にプラズマエツチングして被染色部
を形成するようにしたので、良好な被染色性を有するゼ
ラチン系の7オトレジスト膜のバターニングにおいてそ
の微細加工が可能になり、高解像力のカラーフィルタを
製造することができる。
第1A図〜第1D図はモノリシック型置体Ii像素子の
カラーフィルタの製造方法の主要工程段階における状態
を示す断面図である。 第2A図〜第2D図は従来のモノリシック型固体撮像素
子のカラーフィルタの製造方法の主要工程段階における
状態を示す断面図である。 図において、1は基板、2は光検出部、3は電荷転送部
、4.7は有機感光性高分子膜、5.8はゼラチン−重
クロム酸アンモニウム膜、5a。 8aはゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パターン、
5bは染色ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パター
ン、6.9はクロムマスク、10aは0FPR−800
111パターンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第1A
図 第1D図 光2A閏 第2C図 5bsf色t°ラテン′−奢りOム1う斐ア>εエフ6
月更ノザター/7】廟機広光f1達l費 手続補正書(自発) 特許庁長官殿 111、
事件の表示 特願昭61−26164号2、発明の
名称 カラーフイμりの製造方法 3、補正をする者 5、補正の対象 明1Batの発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書第51第11行ないし第12行の「現像
し、」を「環徴して未反応物を除去し、」に訂正する。 (2) 明細書第5頁第15行ないし第16行の「ポジ
型フォトレジスト躾現像して」を[ポジ型フォトレジス
ト膜を現像して」に訂正する。 (3) 明細書第7頁第16行の「水で」を「所定の現
像液を用いて」に訂正する。 以上
カラーフィルタの製造方法の主要工程段階における状態
を示す断面図である。 第2A図〜第2D図は従来のモノリシック型固体撮像素
子のカラーフィルタの製造方法の主要工程段階における
状態を示す断面図である。 図において、1は基板、2は光検出部、3は電荷転送部
、4.7は有機感光性高分子膜、5.8はゼラチン−重
クロム酸アンモニウム膜、5a。 8aはゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パターン、
5bは染色ゼラチン−重クロム酸アンモニウム膜パター
ン、6.9はクロムマスク、10aは0FPR−800
111パターンである。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。 代 理 人 大 岩 増 雄第1A
図 第1D図 光2A閏 第2C図 5bsf色t°ラテン′−奢りOム1う斐ア>εエフ6
月更ノザター/7】廟機広光f1達l費 手続補正書(自発) 特許庁長官殿 111、
事件の表示 特願昭61−26164号2、発明の
名称 カラーフイμりの製造方法 3、補正をする者 5、補正の対象 明1Batの発明の詳細な説明の欄 6、補正の内容 (1) 明細書第51第11行ないし第12行の「現像
し、」を「環徴して未反応物を除去し、」に訂正する。 (2) 明細書第5頁第15行ないし第16行の「ポジ
型フォトレジスト躾現像して」を[ポジ型フォトレジス
ト膜を現像して」に訂正する。 (3) 明細書第7頁第16行の「水で」を「所定の現
像液を用いて」に訂正する。 以上
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 基板上に透明感光性高分子膜を形成する工程と前記透明
感光性高分子膜上にゼラチン系のネガ型フォトレジスト
膜を形成する工程と、 前記ネガ型フォトレジスト膜を露光し、この後該露光さ
れたネガ型フォトレジスト膜を現像する工程と、 前記現像されたネガ型フォトレジスト膜上にノボラック
系のポジ型フォトレジスト膜を形成する工程と、 所定のマスクを用いて前記ポジ型フォトレジスト膜を選
択的に露光し、この後該露光されたポジ型フォトレジス
ト膜を現像してポジ型フォトレジスト膜パターンを形成
する工程と、 前記ポジ型フォトレジスト膜パターンをマスクとして四
塩化炭素を含むエッチングガス雰囲気で前記ネガ型フォ
トレジスト膜を選択的にプラズマエッチングして被染色
部を形成する工程とを含むカラーフィルタの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61026164A JPS62184401A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | カラ−フイルタの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61026164A JPS62184401A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | カラ−フイルタの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62184401A true JPS62184401A (ja) | 1987-08-12 |
Family
ID=12185910
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61026164A Pending JPS62184401A (ja) | 1986-02-08 | 1986-02-08 | カラ−フイルタの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62184401A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02127602A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-05-16 | Polaroid Corp | カラーフィルターの製造方法 |
-
1986
- 1986-02-08 JP JP61026164A patent/JPS62184401A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH02127602A (ja) * | 1988-10-24 | 1990-05-16 | Polaroid Corp | カラーフィルターの製造方法 |
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