JPS6218081B2 - - Google Patents
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- Publication number
- JPS6218081B2 JPS6218081B2 JP55050810A JP5081080A JPS6218081B2 JP S6218081 B2 JPS6218081 B2 JP S6218081B2 JP 55050810 A JP55050810 A JP 55050810A JP 5081080 A JP5081080 A JP 5081080A JP S6218081 B2 JPS6218081 B2 JP S6218081B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- variable capacitance
- capacitance diode
- transistor
- resistor
- variable
- Prior art date
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- Expired
Links
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 3
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03L—AUTOMATIC CONTROL, STARTING, SYNCHRONISATION OR STABILISATION OF GENERATORS OF ELECTRONIC OSCILLATIONS OR PULSES
- H03L1/00—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply
- H03L1/02—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only
- H03L1/022—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature
- H03L1/023—Stabilisation of generator output against variations of physical values, e.g. power supply against variations of temperature only by indirect stabilisation, i.e. by generating an electrical correction signal which is a function of the temperature by using voltage variable capacitance diodes
Landscapes
- Inductance-Capacitance Distribution Constants And Capacitance-Resistance Oscillators (AREA)
- Stabilization Of Oscillater, Synchronisation, Frequency Synthesizers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は可変容量ダイオードを備える可変周波
数発振器の温度安定化に関するものである。
数発振器の温度安定化に関するものである。
この種の可変周波数発振器は普通、可変容量ダ
イオードの温度依存性を補償するため、この可変
容量ダイオードの温度依存性を打消すことができ
る温度特性を持つた温度補償用コンデンサと組合
せて発振回路を構成するようにしていた。しかし
これは、特別なコンデンサを必要とする欠点があ
つた。
イオードの温度依存性を補償するため、この可変
容量ダイオードの温度依存性を打消すことができ
る温度特性を持つた温度補償用コンデンサと組合
せて発振回路を構成するようにしていた。しかし
これは、特別なコンデンサを必要とする欠点があ
つた。
本発明は、かかるコンデンサを用いず、可変容
量ダイオードに付与するための制御電圧を供給す
るトランジスタのバイアスを温度に依存せしめ、
その温度特性と可変容量ダイオードの温度特性を
キヤンセルするようにして発振器の温度安定化を
図ろうとするものある。
量ダイオードに付与するための制御電圧を供給す
るトランジスタのバイアスを温度に依存せしめ、
その温度特性と可変容量ダイオードの温度特性を
キヤンセルするようにして発振器の温度安定化を
図ろうとするものある。
第１図は、本発明の実施例を示したものであ
る。１は発振トランジスタであり、コンデンサ
C1，C2及び可変容量ダイオードVC並びにインダ
クタンスＬとからなる発振回路２を備え、周知の
コルピツツ型発振器を構成している。３は可変容
量ダイオードVCに制御電圧を付与するためのト
ランジスタで、そのベース電極に抵抗R1を介し
て、例えばPLLループの位相誤差電圧が入力端子
４を通じて付与されるようにされている。そし
て、このトランジスタ３のエミツタ電極には抵抗
R2を接続し、その端子電圧を可変容量ダイオー
ドVCに付与するようにしている。
る。１は発振トランジスタであり、コンデンサ
C1，C2及び可変容量ダイオードVC並びにインダ
クタンスＬとからなる発振回路２を備え、周知の
コルピツツ型発振器を構成している。３は可変容
量ダイオードVCに制御電圧を付与するためのト
ランジスタで、そのベース電極に抵抗R1を介し
て、例えばPLLループの位相誤差電圧が入力端子
４を通じて付与されるようにされている。そし
て、このトランジスタ３のエミツタ電極には抵抗
R2を接続し、その端子電圧を可変容量ダイオー
ドVCに付与するようにしている。
トランジスタ３のコレクタ電流をIc、コレクタ
の遮断電流をIcoとすると、 Ic＝βＩB＋（β＋１）Ico ＩE＝Ic＋ＩB ただし、ＩE、ＩBはそれぞれエミツタ電流、ベ
ース電流であり、βは電流増巾率である。
の遮断電流をIcoとすると、 Ic＝βＩB＋（β＋１）Ico ＩE＝Ic＋ＩB ただし、ＩE、ＩBはそれぞれエミツタ電流、ベ
ース電流であり、βは電流増巾率である。
ここで、温度によつてコレクタ遮断電流Icoが
増加すると、エミツタ電流ＩEが増加し、トラン
ジスタ３のエミツタ電位が上昇する。したがつて
可変容量ダイオードVCにかかる端子電圧が増加
し、可変容量ダイオードの容量値を減じる方向に
動作する。そして、温度上昇によつて容量値が増
加する傾向にある可変容量ダイオードの温度依存
性を相殺するように動作する。トランジスタ３の
バイアス回路は一般にはコレクタ遮断電流Icoが
増加しても、コレクタ電流Ic若しくはエミツタ電
流ＩEが増加しないようにエミツタ抵抗R2を大き
く、かつベース抵抗R1を小さく設計するのであ
るが、本発明ではこのトランジスタ３の温度依存
性を積極的に利用するために、ベース抵抗R1の
抵抗値をエミツタ抵抗R2のそれの10倍以上に設
定して、エミツタ抵抗R2による負帰還の効果を
減ずるようにしている。
増加すると、エミツタ電流ＩEが増加し、トラン
ジスタ３のエミツタ電位が上昇する。したがつて
可変容量ダイオードVCにかかる端子電圧が増加
し、可変容量ダイオードの容量値を減じる方向に
動作する。そして、温度上昇によつて容量値が増
加する傾向にある可変容量ダイオードの温度依存
性を相殺するように動作する。トランジスタ３の
バイアス回路は一般にはコレクタ遮断電流Icoが
増加しても、コレクタ電流Ic若しくはエミツタ電
流ＩEが増加しないようにエミツタ抵抗R2を大き
く、かつベース抵抗R1を小さく設計するのであ
るが、本発明ではこのトランジスタ３の温度依存
性を積極的に利用するために、ベース抵抗R1の
抵抗値をエミツタ抵抗R2のそれの10倍以上に設
定して、エミツタ抵抗R2による負帰還の効果を
減ずるようにしている。
本発明は叙上の如く、可変容量ダイオードの温
度依存性をそれに制御電圧を付与するトランジス
タの温度依存性により相殺するようにしたので、
従来回路の様に可変容量ダイオードの温度依存性
を打消すための特別なコンデンサを必要とせず有
用である。
度依存性をそれに制御電圧を付与するトランジス
タの温度依存性により相殺するようにしたので、
従来回路の様に可変容量ダイオードの温度依存性
を打消すための特別なコンデンサを必要とせず有
用である。
図面は本発明の１実施例を示す回路結線図であ
る。 主な図番の説明 VC…可変容量ダイオード、
３…トランジスタ。
る。 主な図番の説明 VC…可変容量ダイオード、
３…トランジスタ。
Claims (1)
- １ 可変容量ダイオードを備え、該可変容量ダイ
オードに付与する制御電圧をトランジスタを通じ
て付与するようにした可変周波数発振器におい
て、前記トランジスタのベースにはベース抵抗を
介して位相誤差電圧が付与され、エミツタ抵抗の
端子電圧を前記可変容量ダイオードに付与するよ
うにしてなり、前記ベース抵抗の抵抗値を前記エ
ミツタ抵抗の抵抗値の10倍以上に設定して前記エ
ミツタ抵抗による負帰還の効果を減ずるようにし
て前記可変容量ダイオードの有する正の温度特性
に基づく容量変動を補償するように設定したこと
を特徴とする可変周波数発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5081080A JPS56146308A (en) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Variable frequency oscillator |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5081080A JPS56146308A (en) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Variable frequency oscillator |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS56146308A JPS56146308A (en) | 1981-11-13 |
| JPS6218081B2 true JPS6218081B2 (ja) | 1987-04-21 |
Family
ID=12869112
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5081080A Granted JPS56146308A (en) | 1980-04-16 | 1980-04-16 | Variable frequency oscillator |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS56146308A (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5772609U (ja) * | 1980-10-21 | 1982-05-04 | ||
| JPS5959049U (ja) * | 1982-10-13 | 1984-04-17 | アルプス電気株式会社 | 周波数シンセサイザ用電子同調チユ−ナ |
| JP2507488B2 (ja) * | 1987-10-19 | 1996-06-12 | 日本電気株式会社 | 温度補償機能を有するパルス幅制御型圧電発振器 |
| US4978930A (en) * | 1989-07-18 | 1990-12-18 | At&E Corporation | Low voltage VCO temperature compensation |
| JPH04361408A (ja) * | 1991-06-07 | 1992-12-15 | Mitsubishi Electric Corp | 可変周波数発振回路 |
| US7164325B2 (en) * | 2004-03-30 | 2007-01-16 | Qualcomm Incorporated | Temperature stabilized voltage controlled oscillator |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441102B2 (ja) * | 1975-03-04 | 1979-12-06 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS52114852U (ja) * | 1976-02-24 | 1977-08-31 | ||
| JPS5754336Y2 (ja) * | 1977-08-25 | 1982-11-25 |
-
1980
- 1980-04-16 JP JP5081080A patent/JPS56146308A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5441102B2 (ja) * | 1975-03-04 | 1979-12-06 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS56146308A (en) | 1981-11-13 |
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