JPS62176183A - 半導体レーザ装置の製造方法 - Google Patents
半導体レーザ装置の製造方法Info
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- JPS62176183A JPS62176183A JP1761086A JP1761086A JPS62176183A JP S62176183 A JPS62176183 A JP S62176183A JP 1761086 A JP1761086 A JP 1761086A JP 1761086 A JP1761086 A JP 1761086A JP S62176183 A JPS62176183 A JP S62176183A
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- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、化合物半導体層からなる半導体レーザ装置に
関する。
関する。
本発明は化合物半導体特にＧａＡｓ −ＡｌＧａＡｓ系
の半導体レーザ装置において、実質的に電流注入領域を
形成する領域に接してＧａｘ Ｉｎ１−ｘ Ａｓｙ Ｐ
ｔ−ｙ層（０，５≦ｘ＜１．Ｏ≦ｙ＜１）を有すること
によって、製造時の表面酸化を回避し、或いはエツチン
グの制御性を向上せしめ信頼性の高い半導体レーザ装置
を提供できるようにしたものである。
の半導体レーザ装置において、実質的に電流注入領域を
形成する領域に接してＧａｘ Ｉｎ１−ｘ Ａｓｙ Ｐ
ｔ−ｙ層（０，５≦ｘ＜１．Ｏ≦ｙ＜１）を有すること
によって、製造時の表面酸化を回避し、或いはエツチン
グの制御性を向上せしめ信頼性の高い半導体レーザ装置
を提供できるようにしたものである。
従来より、半導体レーザ装置として、ＧａＡｓ−ＡｌＧ
ａＡｓ系のダブルへテロ接合形半導体レーザ装置（以下
、ＤＨレーザ装置と略す）が提案されている。
ａＡｓ系のダブルへテロ接合形半導体レーザ装置（以下
、ＤＨレーザ装置と略す）が提案されている。
例えば第４図に示すＤＨレーザ装置（１０）は、ｎ −
ＧａＡｓ基板（１１上にｎ −ＡｌＧａＡｓクラッド層
（２）、ＧａＡｓ （又は八１ＧａＡｓ）活性層（３）
、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（４）が順次積層され
、さらにｎ −ＧａＡｓ電流狭窄層（５）を介してｐ
−ＡｌＧａＡｓクラッド層（６）及びｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層（７）がＭＩＮされ、キャップ層（７）及び基板
（１）に電極（８）及び（９）が被着形成されて構成さ
れる。
ＧａＡｓ基板（１１上にｎ −ＡｌＧａＡｓクラッド層
（２）、ＧａＡｓ （又は八１ＧａＡｓ）活性層（３）
、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（４）が順次積層され
、さらにｎ −ＧａＡｓ電流狭窄層（５）を介してｐ
−ＡｌＧａＡｓクラッド層（６）及びｐ−ＧａＡｓキャ
ップ層（７）がＭＩＮされ、キャップ層（７）及び基板
（１）に電極（８）及び（９）が被着形成されて構成さ
れる。
又、第２図は分布帰還型半導体レーザ装置（１１）の従
来例であり、ｎ −ＧａＡｓ基板（１２）上にｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層（１３） 、ＧａＡｓ （又は八１
ＧａＡｓ）活性層（１４） 、ｐＡＩＧａＡｓＡｌＧａ
Ａｓガイド層 、周期的な凹凸による回折格子（１６）
、ｐ−＾ｌＧａＡｓクラノド１（１７）が形成され、
このクラッド層（１７）上にストライプ状のｐ −Ａｌ
ＧａＡｓ層（１７ａ ）が形成されて構成される。（１
８）はｐ−ＧａＡｓキャップ層、（１９）は例えばＳｉ
３Ｎ４等よりなる絶縁層、（２０）及び（２１）は電極
である。
来例であり、ｎ −ＧａＡｓ基板（１２）上にｎ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層（１３） 、ＧａＡｓ （又は八１
ＧａＡｓ）活性層（１４） 、ｐＡＩＧａＡｓＡｌＧａ
Ａｓガイド層 、周期的な凹凸による回折格子（１６）
、ｐ−＾ｌＧａＡｓクラノド１（１７）が形成され、
このクラッド層（１７）上にストライプ状のｐ −Ａｌ
ＧａＡｓ層（１７ａ ）が形成されて構成される。（１
８）はｐ−ＧａＡｓキャップ層、（１９）は例えばＳｉ
３Ｎ４等よりなる絶縁層、（２０）及び（２１）は電極
である。
ところで、第４図のレーザ装置（１０）の場合には電流
狭窄層（５）を形成するために、結晶成長を中断して電
流狭窄層となるｎ −ＧａＡｓを選択エツチングする工
程が入り、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（４）の一部
が表面に臨む。ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（４）は
ＡＩ含有量が多いためにエツチング後に空気に晒される
と表面酸化（２２）が生じ、これが次のｐ−＾ｌＧａＡ
ｓクラッド層（６）の再結晶成長時の結晶性に悪影響を
及ぼしていた。
狭窄層（５）を形成するために、結晶成長を中断して電
流狭窄層となるｎ −ＧａＡｓを選択エツチングする工
程が入り、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（４）の一部
が表面に臨む。ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（４）は
ＡＩ含有量が多いためにエツチング後に空気に晒される
と表面酸化（２２）が生じ、これが次のｐ−＾ｌＧａＡ
ｓクラッド層（６）の再結晶成長時の結晶性に悪影響を
及ぼしていた。
また、第５図のレーザ装置（１１）の場合には、回折格
子（１６）を形成するために、逆メサとなるような異方
性の強いエツチング液によるエツチングが施される。し
かし、ストライプ状のクラッド層（１７ａ）を形成する
際の選択工・ノチングとしては、順メサとなるようなエ
ツチングが望ましいために異方性の弱い、従った等方向
エツチング液が用いられる。しかし、この等方向エツチ
ング液は選択性がないのでエツチング時間の制御が必要
となる。
子（１６）を形成するために、逆メサとなるような異方
性の強いエツチング液によるエツチングが施される。し
かし、ストライプ状のクラッド層（１７ａ）を形成する
際の選択工・ノチングとしては、順メサとなるようなエ
ツチングが望ましいために異方性の弱い、従った等方向
エツチング液が用いられる。しかし、この等方向エツチ
ング液は選択性がないのでエツチング時間の制御が必要
となる。
本発明は、上述の点に鑑み、製造時の表面酸化、エツチ
ングの制御性等の問題を解決し、信頼性を向上すること
ができる半導体レーザ装置を提供するものである。
ングの制御性等の問題を解決し、信頼性を向上すること
ができる半導体レーザ装置を提供するものである。
本発明は、化合物半導体層からなる半導体レーザ装置に
おいて、実質的に電流注入領域を形成する領域（４）（
又は（１７） ）に接してＧａｘＩｎｌ−ｘＡｓｙ Ｐ
ｔ−ｙ層（０，５≦ｘ＜ｌ、Ｑ≦ｙ＜１） （３１）
を有して成る。
おいて、実質的に電流注入領域を形成する領域（４）（
又は（１７） ）に接してＧａｘＩｎｌ−ｘＡｓｙ Ｐ
ｔ−ｙ層（０，５≦ｘ＜ｌ、Ｑ≦ｙ＜１） （３１）
を有して成る。
ＧａＩｎＡｓＰはＡｌＧａＡｓと格子筒金する。即ち第
３図に示すようにＡｌＧａＡｓ （０＜ ＡＩ≦０．４
５．０．５５≦Ｇａ＜１）と格子整合するＧａ１ｎＡｓ
Ｐ （０，５≦Ｇａ＜１．０＜Ｉｎ≦０．５．０≦Ａｓ
＜ｌ、Ｑ＜ｐ≦１）の組成比ライン（１）は屓ＧａＡｓ
の組成比ライン（ＩＩ）にのっている。
３図に示すようにＡｌＧａＡｓ （０＜ ＡＩ≦０．４
５．０．５５≦Ｇａ＜１）と格子整合するＧａ１ｎＡｓ
Ｐ （０，５≦Ｇａ＜１．０＜Ｉｎ≦０．５．０≦Ａｓ
＜ｌ、Ｑ＜ｐ≦１）の組成比ライン（１）は屓ＧａＡｓ
の組成比ライン（ＩＩ）にのっている。
そして、このＧａ１ｎＡｓＰはＡｌＧａＡｓに比べてエ
ツチング速度が小さいために等方向エツチング液でも選
択性を有する。又Ｇａ１ｎＡｓＰは表面に晒されても酸
化されることがない。従って、例えば電流狭窄を有する
ＤＨレーザ装置において、ＡｌＧａＡｓクラッド層（４
）上にＧａ１ｎ （八ｓ） Ｐ層（３１）を成長させ、
この上にＧａＡｓ電流狭窄層（５）を選択形成したとき
は、Ｇａ１ｎ （Ａｓ） Ｐ層（３１）の一部が表面に
臨みＡｌＧａＡｓクラッド層（４）は表面に露呈しない
ために、表面酸化が起こらず、次のクラッド層（６）、
キャップ層（７）の再結晶成長では良好な結晶性が保た
れる。
ツチング速度が小さいために等方向エツチング液でも選
択性を有する。又Ｇａ１ｎＡｓＰは表面に晒されても酸
化されることがない。従って、例えば電流狭窄を有する
ＤＨレーザ装置において、ＡｌＧａＡｓクラッド層（４
）上にＧａ１ｎ （八ｓ） Ｐ層（３１）を成長させ、
この上にＧａＡｓ電流狭窄層（５）を選択形成したとき
は、Ｇａ１ｎ （Ａｓ） Ｐ層（３１）の一部が表面に
臨みＡｌＧａＡｓクラッド層（４）は表面に露呈しない
ために、表面酸化が起こらず、次のクラッド層（６）、
キャップ層（７）の再結晶成長では良好な結晶性が保た
れる。
又、例えば分布帰還型（又は分布反対型）レーザ装置に
おいてＡｌＧａＡｓクラッド層（１７）上にＧａ１ｎ
（Ａｓ） Ｐ 層（３’ｌ）を形成し、この上にストラ
イプ状のへ１ＧａＡｓクラッド層（１７ａ）を選択エツ
チングにて形成したときは、等方向エツチング液を用い
てもＧａＩｎ （Ａｓ） Ｐ Ｍ （３１）でエツチン
グが止まるので、素子構造の設計値に対する精度、制御
性、再現性が向上する。
おいてＡｌＧａＡｓクラッド層（１７）上にＧａ１ｎ
（Ａｓ） Ｐ 層（３’ｌ）を形成し、この上にストラ
イプ状のへ１ＧａＡｓクラッド層（１７ａ）を選択エツ
チングにて形成したときは、等方向エツチング液を用い
てもＧａＩｎ （Ａｓ） Ｐ Ｍ （３１）でエツチン
グが止まるので、素子構造の設計値に対する精度、制御
性、再現性が向上する。
以下、第１図及び第２図を参照して本発明による半導体
レーザ装置の実施例を説明する。
レーザ装置の実施例を説明する。
第１図の実施例は第４図と同様なりＨレーザ装置に適用
した場合である。本例では、ｎ −ＧａＡｓ基板（１１
上にｎ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（２）、ＧａＡｓ
（又はＡＩＧａＡｓ）活性層（３）、ｐＡＩＧａＡｓ例
えばｐＡＩｏ、４５ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｓクラッド層（
４）を順次成長し、さらにこのクラッド層（４）上にＡ
Ｉｏ、４５ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｓと格子整合する例えば
Ｇａｏ、ｓ□Ｉｎｏ、４ｓ Ｐ層（３１）を薄く成長す
る。そして、このＧａｏ、５１１ｎｏ、４９Ｐ層（３１
）上に電流狭窄層となるｎ −ＧａＡｓＪｉを成長して
後、その中央を選択エツチングしてｎ −ＧａＡｓ電流
狭窪層（５）を形成する。次いでｐ −ＡｌＧａＡｓク
ラッド層（６）及びｐ −ＧａＡｓキ中ツブ層（７）を
成長し、電極（８）及び（９）を被着形成してＤＨレー
ザ装置（３２）を構成する。
した場合である。本例では、ｎ −ＧａＡｓ基板（１１
上にｎ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（２）、ＧａＡｓ
（又はＡＩＧａＡｓ）活性層（３）、ｐＡＩＧａＡｓ例
えばｐＡＩｏ、４５ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｓクラッド層（
４）を順次成長し、さらにこのクラッド層（４）上にＡ
Ｉｏ、４５ Ｇａｏ、ｓｓ Ａｓと格子整合する例えば
Ｇａｏ、ｓ□Ｉｎｏ、４ｓ Ｐ層（３１）を薄く成長す
る。そして、このＧａｏ、５１１ｎｏ、４９Ｐ層（３１
）上に電流狭窄層となるｎ −ＧａＡｓＪｉを成長して
後、その中央を選択エツチングしてｎ −ＧａＡｓ電流
狭窪層（５）を形成する。次いでｐ −ＡｌＧａＡｓク
ラッド層（６）及びｐ −ＧａＡｓキ中ツブ層（７）を
成長し、電極（８）及び（９）を被着形成してＤＨレー
ザ装置（３２）を構成する。
この構成によれば、ｐ ＡＩｏ、４Ｓ Ｇａｏ、ｓｓ
Ａｓクラッド層（４）上にＧａｏ、ｓｘ Ｉｎｏ、−
＋ｓ Ｐ Ｐｉ （３１）が形成されているため、ｎ
ＧａＡｓ電流狭窄層（５）を形成すべくそのｎ −Ｇ
ａＡｓ層を選択エツチングしたとき、表面に臨む層はＡ
１を含まないｎ −ＧａＡｓ電流狭窄層（５）とＧａｏ
、５１１ｎｏ、４ｓ Ｐ層（３１）である。従って表面
酸化は回避され、以後結晶性を損なうことなくｐ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層（６）、Ｉ） ＧａＡｓキャップ
層（７）が成長される。また、ｎ −ＧａＡｓ層の選択
エツチングに際しては、Ｇａｏ、５１１ｎｏ、＋ｓ Ｐ
層（３１）がエツチング阻止層として働くために、エ
ツチングの制御性が向上する。
Ａｓクラッド層（４）上にＧａｏ、ｓｘ Ｉｎｏ、−
＋ｓ Ｐ Ｐｉ （３１）が形成されているため、ｎ
ＧａＡｓ電流狭窄層（５）を形成すべくそのｎ −Ｇ
ａＡｓ層を選択エツチングしたとき、表面に臨む層はＡ
１を含まないｎ −ＧａＡｓ電流狭窄層（５）とＧａｏ
、５１１ｎｏ、４ｓ Ｐ層（３１）である。従って表面
酸化は回避され、以後結晶性を損なうことなくｐ−Ａｌ
ＧａＡｓクラッド層（６）、Ｉ） ＧａＡｓキャップ
層（７）が成長される。また、ｎ −ＧａＡｓ層の選択
エツチングに際しては、Ｇａｏ、５１１ｎｏ、＋ｓ Ｐ
層（３１）がエツチング阻止層として働くために、エ
ツチングの制御性が向上する。
第２図の実施例は第５図と同様な分布帰還型半導体レー
ザ装置に通用した場合である。本例では、ｎ −ＧａＡ
ｓ基板（１２）上にｎ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（１
３） 、ＧａＡｓ （又は八１ＧａＡｓ）活性層（１４
）、ｐ−ＡｌＧａＡｓガイド層（１５）を成長し、回折
格子（１６）を形成して後、所定の厚のｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ例えばｐ〜ＡＩ０．４５ Ｇａｏ、５ｓ Ａｓクラッ
ド層（１７）及びこれと格子整合する例えばＧａｏ、５
ｘ ｆｎｏ、４ｓ Ｐ ｉｉ （３１）を形成する。次
にでｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（１７ａ）及びｐ−
ＧａＡｓキャンプ眉（１Ｂ）を成長させ、これをストラ
イプ状に残るように選択エツチングする。このときのエ
ツチング液は等方向エツチング液を使用する。次でＳｉ
３Ｎ＋等による絶縁層（１９）を形成し、キャンプｒＪ
（１８）及び基板（１２）に接して夫々電極（２０）及
び（２１）を形成して分布帰還型半導体レーザ装置（３
３）を構成する。
ザ装置に通用した場合である。本例では、ｎ −ＧａＡ
ｓ基板（１２）上にｎ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（１
３） 、ＧａＡｓ （又は八１ＧａＡｓ）活性層（１４
）、ｐ−ＡｌＧａＡｓガイド層（１５）を成長し、回折
格子（１６）を形成して後、所定の厚のｐ−ＡｌＧａＡ
ｓ例えばｐ〜ＡＩ０．４５ Ｇａｏ、５ｓ Ａｓクラッ
ド層（１７）及びこれと格子整合する例えばＧａｏ、５
ｘ ｆｎｏ、４ｓ Ｐ ｉｉ （３１）を形成する。次
にでｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（１７ａ）及びｐ−
ＧａＡｓキャンプ眉（１Ｂ）を成長させ、これをストラ
イプ状に残るように選択エツチングする。このときのエ
ツチング液は等方向エツチング液を使用する。次でＳｉ
３Ｎ＋等による絶縁層（１９）を形成し、キャンプｒＪ
（１８）及び基板（１２）に接して夫々電極（２０）及
び（２１）を形成して分布帰還型半導体レーザ装置（３
３）を構成する。
この構成によれば、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層内の
所定位置にＧａ１ｎＰ 層（３１）が形成されることに
より、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（１７ａ）をスト
ライプ状に残るように選択エツチングしたとき等方向エ
ツチング液を用いた場合にもＧａｌｎＰ層（３Ｉ）でエ
ツチングが止まる。このため、ストライプ方向に逆メサ
とならないようにストライプ状のｐ −ＡｌＧａＡｓク
ラッドＪｉｉ（１７ａ）を形成することができる。また
、ストライプ状のｐ−へ１ＧａＡｓクラッド層（１７ａ
）の外側のｐＡＩＧａＡｓクラッド層（１７）の厚みと
しては、横モードを安定させるために所望の厚みに選定
される必要がある。本例ではＧａＩｎＰ ｉｉ （３１
）でエツチングが止まるので、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層（Ｉ７）の厚みを所望の厚さにすることができ、
従って素子構造の設計値に対する精度、制御性、再現性
が向上する。
所定位置にＧａ１ｎＰ 層（３１）が形成されることに
より、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラッド層（１７ａ）をスト
ライプ状に残るように選択エツチングしたとき等方向エ
ツチング液を用いた場合にもＧａｌｎＰ層（３Ｉ）でエ
ツチングが止まる。このため、ストライプ方向に逆メサ
とならないようにストライプ状のｐ −ＡｌＧａＡｓク
ラッドＪｉｉ（１７ａ）を形成することができる。また
、ストライプ状のｐ−へ１ＧａＡｓクラッド層（１７ａ
）の外側のｐＡＩＧａＡｓクラッド層（１７）の厚みと
しては、横モードを安定させるために所望の厚みに選定
される必要がある。本例ではＧａＩｎＰ ｉｉ （３１
）でエツチングが止まるので、ｐ −ＡｌＧａＡｓクラ
ッド層（Ｉ７）の厚みを所望の厚さにすることができ、
従って素子構造の設計値に対する精度、制御性、再現性
が向上する。
本発明によれば、ＧａＡｓ −ＡｌＧａＡｓ系半導体レ
ーザ装置においてＡＩＧａＡｓとほぼ同じ機能をもつＧ
ａｘＩｎｌ−ｘＡｓｙ Ｐｌ−ｙ （０，５≦ｘ＜ｌ、
Ｑ≦ｙ＜１）を導入することにより、製造時におけるＡ
ｌＧａＡｓの表面酸化が回避でき、素子設計上の制限が
なくなり信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。
ーザ装置においてＡＩＧａＡｓとほぼ同じ機能をもつＧ
ａｘＩｎｌ−ｘＡｓｙ Ｐｌ−ｙ （０，５≦ｘ＜ｌ、
Ｑ≦ｙ＜１）を導入することにより、製造時におけるＡ
ｌＧａＡｓの表面酸化が回避でき、素子設計上の制限が
なくなり信頼性の高い半導体レーザ装置が得られる。
又、Ｇａ１ｎ （八ｓ） Ｐ系はＧａ （八１）Ａｓ系
とはエツチング特性が異なり、即ちＧａ （Ａｌ） Ａ
ｓ系に比べてエツチング速度が小さいので、等方向エツ
チング液を用いた場合にも選択性があり、即ちＧａ１ｎ
（Ａｓ） Ｐ屓がエツチング阻止層として働く。この
ため、製造の制御性、再現性が向上するものである。
とはエツチング特性が異なり、即ちＧａ （Ａｌ） Ａ
ｓ系に比べてエツチング速度が小さいので、等方向エツ
チング液を用いた場合にも選択性があり、即ちＧａ１ｎ
（Ａｓ） Ｐ屓がエツチング阻止層として働く。この
ため、製造の制御性、再現性が向上するものである。
第１図は本発明による半導体レーザ装置の一実施例を示
す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す斜視図、
第３図は本発明の説明に供するＧａ１ｎＡｓＰとＡｌＧ
ａＡｓの組成図、第４図及び第５図は夫々従来の半導体
レーザ装置の例を示す断面図及び斜視図である。 （１１はｎ −ＧａＡｓ基板、（２）はｎ −ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、（３）はＧａＡｓ （又はＡＩＧａＡ
ｓ）活性層、（４）はｐ−へ１ＧａＡｓクラッド層、（
５）は電流狭窄層、（６）はｐ −ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、（７）はｐＧａＡｓＧａＡｓキャップ層）はＧａ
ｌｎＰ層である。
す断面図、第２図は本発明の他の実施例を示す斜視図、
第３図は本発明の説明に供するＧａ１ｎＡｓＰとＡｌＧ
ａＡｓの組成図、第４図及び第５図は夫々従来の半導体
レーザ装置の例を示す断面図及び斜視図である。 （１１はｎ −ＧａＡｓ基板、（２）はｎ −ＡｌＧａ
Ａｓクラッド層、（３）はＧａＡｓ （又はＡＩＧａＡ
ｓ）活性層、（４）はｐ−へ１ＧａＡｓクラッド層、（
５）は電流狭窄層、（６）はｐ −ＡｌＧａＡｓクラッ
ド層、（７）はｐＧａＡｓＧａＡｓキャップ層）はＧａ
ｌｎＰ層である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 化合物半導体層からなる半導体レーザ装置において、 実質的に電流注入領域を形成する領域に接してＧａ＿ｘ
Ｉｎ＿１＿−＿ｘ Ａｓｙ Ｐ＿１＿−＿ｙ層（０．
５≦ｘ＜１、０≦ｙ＜１）を有して成る半導体レーザ装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017610A JP2518202B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 半導体レ―ザ装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61017610A JP2518202B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 半導体レ―ザ装置の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176183A true JPS62176183A (ja) | 1987-08-01 |
| JP2518202B2 JP2518202B2 (ja) | 1996-07-24 |
Family
ID=11948653
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017610A Expired - Lifetime JP2518202B2 (ja) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | 半導体レ―ザ装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2518202B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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1986
- 1986-01-29 JP JP61017610A patent/JP2518202B2/ja not_active Expired - Lifetime
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| JP2518202B2 (ja) | 1996-07-24 |
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