JPS62176159A - Manufacture of image sensor - Google Patents
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14665—Imagers using a photoconductor layer
Abstract
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は、イメージセンサの製造方法に係り、特に、イ
メージセンサを受光素子の近傍で切断する方法に関する
。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (Field of Industrial Application) The present invention relates to a method of manufacturing an image sensor, and particularly to a method of cutting an image sensor near a light receiving element.
（従来技術およびその問題点）
ファクシミリや複写は等の画数入力部で使用される原稿
読み取り装置においては、原稿からの光学情報を電気信
号に変換するため、多数の光電変換素子（受光素子）を
１次元的に配列したイメージセンサが用いられている。(Prior art and its problems) Document reading devices used in stroke count input units for facsimiles, copying, etc. use a large number of photoelectric conversion elements (light-receiving elements) to convert optical information from a document into electrical signals. Image sensors arranged one-dimensionally are used.
近年、アモルファスシリコンを光導電図として使用する
ことにより、大面積デバイスの形成が可能となり、原稿
と同一幅を有する密着形イメージセンサの開発が進めら
れている。密着型イメージセンサは、縮小光学系を不要
とし、装置の大幅な小型化を可能とするため、その使用
が注目されているデバイスである。In recent years, the use of amorphous silicon as a photoconductor has made it possible to form large-area devices, and progress has been made in the development of contact-type image sensors having the same width as a document. A contact image sensor is a device that is attracting attention because it eliminates the need for a reduction optical system and allows the device to be significantly miniaturized.
しかしながら、イメージセンサの長尺化が進むにつれて
大型の製造装置が必要となったり、製造歩留りが低下す
る等の不都合が生じてきており、大型図面や黒板サイズ
の原稿等の大型原稿を読み取るようなセンサは、実用に
供し得るものではなかった。However, as image sensors become longer, larger manufacturing equipment is required, and manufacturing yields are lowered. The sensor could not be put to practical use.
そこで、第３図（Ｃ）に示す如く、所定数の受光素子を
配列したイメージセンサを複数個つなぎ合わせ、極めて
長尺のイメージセンサを構成する方法が提案されている
。Therefore, as shown in FIG. 3(C), a method has been proposed in which a plurality of image sensors each having a predetermined number of light receiving elements are connected together to form an extremely long image sensor.
各イメージセンナを接続するに際し、第３図に（ａ）に
示す如く、例えば、まずガラス基板１１上に下部電極と
してのクロム電極１２、光導電体層としての水素化アモ
ルファスシリコン層１３、上部電極１４としての酸化イ
ンジウム錫（ＩＴＯ）Ｍ ｈを形成し、サンドインチ型
のイメージセンサを形成する。When connecting each image sensor, as shown in FIG. 3(a), first, for example, a chromium electrode 12 as a lower electrode, a hydrogenated amorphous silicon layer 13 as a photoconductor layer, and an upper electrode are placed on a glass substrate 11. Indium tin oxide (ITO) M h as 14 is formed to form a sandwich-inch image sensor.
ところで、受光部の形成、特に、水素化アモルファスシ
リコン層の形成において、基板の端部まで均一な膜を形
成するのは困難であり、端部では膜厚の薄い部分が生じ
たりすることが多い。また、フォトレジストの塗布工程
等にも起因して、フォトリソグラフィにより基板の端部
にまで微細パターンを形成することも困難である。従っ
て、実際の大きさよりも大きいものを形成しておき、受
光部の形成後に第３図（ｂ）に示す如く端部を切断する
。By the way, in the formation of the light receiving part, especially in the formation of the hydrogenated amorphous silicon layer, it is difficult to form a uniform film all the way to the edges of the substrate, and thin parts often occur at the edges. . Furthermore, due to the photoresist coating process and the like, it is difficult to form fine patterns even to the edges of the substrate by photolithography. Therefore, a larger size than the actual size is formed, and after the light receiving portion is formed, the end portion is cut off as shown in FIG. 3(b).
このようにして両端の切断された状態で第３図（Ｃ）に
示す如く支持基台１５上に接着される。In this way, both ends are cut off and bonded onto the support base 15 as shown in FIG. 3(C).
しかしながら、この場合、受光部の極めて近く、すなわ
ち、ビット間距離９の１／２以下で切断しなければなら
ないため、切断時にがかる機械的ストレスによって、端
部のビットでは光電変換特性が劣化し、特に暗電流が顕
著に増加してしまうという不都合があった。However, in this case, since the cutting must be done very close to the light receiving part, that is, less than 1/2 of the inter-bit distance 9, the photoelectric conversion characteristics of the bits at the ends deteriorate due to mechanical stress during cutting. In particular, there was a problem in that the dark current increased significantly.
〔問題点を解決するための手段］
そこで本発明では、イメージセンサの受光部の形成に先
立ち、息根上に切断用の溝を形成しておき、受光部の形
成後に、該溝の位置で基板を切断するようにしている。[Means for Solving the Problems] Therefore, in the present invention, a cutting groove is formed on the root of the image sensor prior to forming the light receiving part of the image sensor, and after the light receiving part is formed, the substrate is cut at the position of the groove. I am trying to cut it.
また、上述の如くして切断されたイメージセンサを支持
基台上に１列に配列し、長尺のイメージセンサを形成す
るようにしている。Further, the image sensors cut as described above are arranged in a line on a support base to form a long image sensor.
（作 用〕
あらかじめ、溝を形成しておくことにより、切断時の握
械的ストレスが大幅に低減され、端部のビットまで良好
な光電変換特性を有するイメージセンサの形成が可能と
なる。(Function) By forming the grooves in advance, the mechanical stress during cutting is significantly reduced, making it possible to form an image sensor having good photoelectric conversion characteristics up to the bits at the ends.
また、上述の如くして端部のビットまで良好な光電変換
特性を有するイメージセンサを複数個接続することによ
り、極めて長尺で信頼性の高いイメージセンサの形成が
可能となる。Furthermore, by connecting a plurality of image sensors having good photoelectric conversion characteristics up to the bits at the ends as described above, it is possible to form an extremely long and highly reliable image sensor.
（実施例）
以下、本光明の実施例について図面を参照しつつ詳細に
説明する。(Example) Hereinafter, an example of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.
まず、 次いで、通常の方法で、センサ部を形成する。first, Next, a sensor section is formed using a conventional method.
すなわち、スクリーン印刷法により、メタロオーガニッ
ク金からなる配線パターン（図示せず）を形成する。That is, a wiring pattern (not shown) made of metallo-organic gold is formed by screen printing.
続いて、蒸着法によりクロム薄膜を着膜した後、フォト
リソエツチング法により、下部電極３をパターニングす
る。（第１図（ａ））
第１図（ａ）に示す如く、ダイヤモンドチップ等を用い
てスクライブすることにより、ガラス基板１の表面上の
所定の位置に切断用の満２を形成する。（このとき、該
溝２の深さは基板の厚さの１／１０程度とする。）
次いで、メタルマスクを使用し、該下部電極３の電極部
を十分に覆うように光導電体層４としてノンドープの水
素化アモルファスシリコン層をグロー放電法により堆積
した後、さらにこの上層に、透光性の上部電極５として
、酸化インジウム錫膜をスパッタリング法により形成し
、サンドインチ型のイメージセンサを形成する。（第１
図（ｂ）〉この後、機械的応力により第１図（Ｃ）に示
す如く、該イメージセンサの端部を切断除去する。Subsequently, a thin chromium film is deposited by vapor deposition, and then the lower electrode 3 is patterned by photolithography. (FIG. 1(a)) As shown in FIG. 1(a), a cutting hole is formed at a predetermined position on the surface of the glass substrate 1 by scribing using a diamond tip or the like. (At this time, the depth of the groove 2 is about 1/10 of the thickness of the substrate.) Next, using a metal mask, the photoconductor layer 4 is placed so as to sufficiently cover the electrode part of the lower electrode 3. After depositing a non-doped hydrogenated amorphous silicon layer by a glow discharge method, an indium tin oxide film is further formed on this upper layer by a sputtering method as a translucent upper electrode 5 to form a sandwich-type image sensor. do. (1st
Figure (b)> After this, the end of the image sensor is cut and removed by mechanical stress as shown in Figure 1 (C).
このとき、切断に先立ち、満２が形成されているため、
切断によるストレスも小さくイメージセンサの端部のビ
ットについても、光電変換特性は劣化することなく良好
に維持されており、この状態で、通常の接続法により、
支持基台６上に１列に接続する。（第１図（ｄ））
このようにして長尺のイメージセンサの形成が可能とな
り、これは極めて信頼性の高いものとなっている。At this time, since a full 2 is formed before cutting,
The stress caused by cutting is small, and the photoelectric conversion characteristics of the bits at the end of the image sensor are maintained well without deterioration.In this state, using the normal connection method,
They are connected in one row on the support base 6. (FIG. 1(d)) In this way, it is possible to form a long image sensor, which is extremely reliable.
なお、上記実施例では、溝の深さは、基板の厚さの１／
１０程度としたが、１／２〜１／１０の範囲で適宜選択
可能である。In the above embodiment, the depth of the groove is 1/1 of the thickness of the substrate.
Although it is set to about 10, it can be appropriately selected in the range of 1/2 to 1/10.
また、溝の形成面についても、受光素子形成面のみなら
ず、第２図（ａ）および（ｂ）に示す如く必要に応じて
裏面側に溝２′を形成したり両面に溝２ａ、２ｂを形成
したりしてもよい。受光素子およびパッシベーション膜
を連続的に形成し、その後で切断しようとする場合は、
パッシベーション膜の存在により、切断が困難であり、
良好な切断面を得ることは不可能であるため、裏面側又
は両側に形成するのが望ましい。Regarding the surface where grooves are formed, grooves 2' are formed not only on the surface where the light receiving element is formed, but also on the back surface side as shown in FIGS. may be formed. If you plan to continuously form the photodetector and passivation film and then cut them,
Difficult to cut due to the presence of passivation film,
Since it is impossible to obtain a good cut surface, it is desirable to form it on the back side or both sides.
更に、実施例では、複数のイメージセンサを一列に接続
して長尺のイメージセンサを形成する方法について説明
したが、接続する場合だけでなく、イメージセンサを単
体で使用する場合にも有効であることはいうまでもない
。すなわち、光導電体層としての水素化アモルファスシ
リコン層の形成をはじめ、下部電極としてのクロム層、
上部電極としての酸化インジウム錫層等の形成において
、端部では、どうしても膜厚が薄くなる等の欠陥が生じ
易い。またスクリーン印刷法によってメタロオーガニッ
ク金等の配線パターンを形成する際基板端部に隆起部が
生じ易い。従って、欠陥領域であることの多い端部を切
断除去し、良好な領域のみを使用することにより、歩留
りを向上することも可能である。Furthermore, in the embodiment, a method of connecting a plurality of image sensors in a line to form a long image sensor has been described, but this method is effective not only when connecting a plurality of image sensors, but also when using a single image sensor. Needless to say. That is, the formation of a hydrogenated amorphous silicon layer as a photoconductor layer, a chromium layer as a lower electrode,
When forming an indium tin oxide layer or the like as an upper electrode, defects such as a thin film inevitably tend to occur at the edges. Furthermore, when forming a wiring pattern of metallo-organic gold or the like by screen printing, protrusions are likely to occur at the edges of the substrate. Therefore, it is also possible to improve the yield by cutting away the edges, which are often defective areas, and using only good areas.
更にまた、基板の端部を切断する場合のみならず、あら
かじめ、各ビット間のすべての部分に溝を形成しておく
ことにより、各受光素子の検査を行なった後、欠陥の検
出されたビットを除いて所定の長さに切断し、これをイ
メージセンサとして使用することも可能であり、更に歩
留りを向上することができる。Furthermore, not only when cutting the edge of the board, but also by forming grooves in all parts between each bit in advance, after inspecting each light-receiving element, it is possible to cut the bits where defects are detected. It is also possible to cut the film to a predetermined length and use it as an image sensor, further improving the yield.
〔効 果］
以上、説明してきたように、本発明によれば、センサ部
の形成に先立ち、基板上に切断用の溝部を形成しておき
、センサ部の形成後に、該溝部の位置で基板を切断する
ようにしているため、切断時の機械的ストレスを大幅に
低減することができ、端部ビットの欠陥もなく信頼性の
高いイメージセンサを形成することが可能となる。また
、これらを１列に接続して、信頼性の高い長尺のイメー
ジセンサの形成が可能となる。[Effects] As described above, according to the present invention, a groove for cutting is formed on the substrate before forming the sensor section, and after forming the sensor section, the substrate is cut at the position of the groove. Since the edges are cut, the mechanical stress during cutting can be significantly reduced, and it is possible to form a highly reliable image sensor without any defects in the end bits. Furthermore, by connecting these in a row, it is possible to form a highly reliable long image sensor.
第１図（ａ）乃至（ｄ）は、本弁明実施例のイメージセ
ンサの製造工程図、第２図（ａ）および（ｂ）は、本光
明の方法に基づく、溝部の形成例の変形を示す図、第３
図（ａ）乃至（Ｃ）は、従来例のイメージセンサの形成
工程を示す図である。
１．１１・・・ガラス基板、２．２’ 、２ａ、２ｂ・
・・溝、３，１２・・・下部電極、４，１３・・・光導
電体層、５，１４・・・上部電極、６，１５・・・支持
基台。
第１図（ｂ）
第１図（Ｃ）
第１図（ｄ）
第２図（Ｇ） 第２図（ｂ）第３図（ａ）
第３図（ｂ）
第３図（Ｃ）FIGS. 1(a) to (d) are manufacturing process diagrams of an image sensor according to an embodiment of the present invention, and FIGS. 2(a) and (b) are diagrams showing a modification of the groove forming example based on the method of the present invention. Figure shown, 3rd
Figures (a) to (C) are diagrams showing the steps of forming a conventional image sensor. 1.11...Glass substrate, 2.2', 2a, 2b.
...Groove, 3,12...Lower electrode, 4,13...Photoconductor layer, 5,14...Upper electrode, 6,15...Support base. Figure 1 (b) Figure 1 (C) Figure 1 (d) Figure 2 (G) Figure 2 (b) Figure 3 (a) Figure 3 (b) Figure 3 (C)
Claims (2)
成する工程と、 基板上に配列された複数個の受光素子からなるセンサを
形成するセンサ形成工程と、 前記センサを所定の位置で切断する切断工程とを 含むことを特徴とするイメージセンサの製造方法。(1) Prior to forming the sensor, a step of forming a groove for cutting on the substrate, a sensor forming step of forming a sensor consisting of a plurality of light receiving elements arranged on the substrate, and positioning the sensor at a predetermined position. A method of manufacturing an image sensor, the method comprising: a cutting step of cutting the image sensor.
成する工程と、 基板上に配列された複数個の受光素子からなるセンサを
形成するセンサ形成工程と、 前記センサを所定の位置で切断する切断工程とを 所望の位置で切断されたセンサを支持基台上に複数個１
列に配列して接着せしめる接続工程とを含むことを特徴
とするイメージセンサの製造方法。(2) Prior to forming the sensor, a step of forming a groove for cutting on the substrate, a sensor forming step of forming a sensor consisting of a plurality of light receiving elements arranged on the substrate, and positioning the sensor at a predetermined position. The cutting process involves cutting a plurality of sensors at desired positions on a support base.
1. A method of manufacturing an image sensor, comprising a connecting step of arranging and bonding in rows.
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP61017602A JPH0763087B2 (en) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | Method of manufacturing image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
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|---|---|---|---|
| JP61017602A JPH0763087B2 (en) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | Method of manufacturing image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62176159A true JPS62176159A (en) | 1987-08-01 |
| JPH0763087B2 JPH0763087B2 (en) | 1995-07-05 |
Family
ID=11948429
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61017602A Expired - Fee Related JPH0763087B2 (en) | 1986-01-29 | 1986-01-29 | Method of manufacturing image sensor |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0763087B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01211940A (en) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Cutting of sensor substrate |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866367A (en) * | 1971-12-13 | 1973-09-11 | ||
| JPS5578531A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor substrate |
| JPS60261245A (en) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image sensor |
-
1986
- 1986-01-29 JP JP61017602A patent/JPH0763087B2/en not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4866367A (en) * | 1971-12-13 | 1973-09-11 | ||
| JPS5578531A (en) * | 1978-12-08 | 1980-06-13 | Mitsubishi Electric Corp | Semiconductor substrate |
| JPS60261245A (en) * | 1984-06-08 | 1985-12-24 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Image sensor |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01211940A (en) * | 1988-02-19 | 1989-08-25 | Fuji Xerox Co Ltd | Cutting of sensor substrate |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0763087B2 (en) | 1995-07-05 |
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