JP2920691B2 - Contact image sensor - Google Patents
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Description
【発明の詳細な説明】 （産業上の利用分野） 本発明はファクシミリやイメージスキャナに使用され
る密着型イメージセンサに関し、特に駆動の際の基準と
なる暗状態の基準信号を得るための構造に関する。Description: BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention relates to a contact type image sensor used for a facsimile or an image scanner, and more particularly to a structure for obtaining a reference signal in a dark state, which is a reference for driving. .
（従来の技術） 従来、ファクシミリ等には、例えば原稿等の画像情報
を１対１に投影して電気信号に変換する密着型イメージ
センサが使用されている。密着型イメージセンサは、例
えば、第３図に示すように、複数の受光素子41を一列に
ライン状に配置し原稿幅と略同じ長さとした受光素子ア
レイ42と、各受光素子41から引き出された引き出し配線
43とを具備している。受光素子アレイ42上には原稿60が
配置され、この原稿60面からの反射光を前記受光素子ア
レイ42が受光し、各受光素子41に発生した電気信号を引
き出し配線43に接続された駆動IC（図中せず）の走査
（主走査方向）により、引き出し配線43を介して順次時
系列的に読み出して原稿60面の１ラインの画像信号を検
出し、ローラ等の原稿送り手段（図中せず）により原稿
60を移動（副走査方向）させて前記動作を繰り返し、原
稿60全体の画像情報を得るものである。2. Description of the Related Art Conventionally, a facsimile or the like uses a contact-type image sensor that projects image information of a document or the like one-to-one and converts it into an electric signal. The contact type image sensor is, for example, as shown in FIG. 3, a plurality of light receiving elements 41 are arranged in a line in a line, and a light receiving element array 42 having a length substantially equal to the width of a document is extracted from each light receiving element 41. Drawer wiring
43. A document 60 is arranged on the light receiving element array 42, the light receiving element array 42 receives the reflected light from the surface of the document 60, and an electric signal generated in each light receiving element 41 is connected to a driving IC 43 By scanning (not shown) (in the main scanning direction), the image signals are sequentially read out in a time-series manner through the lead-out wiring 43 to detect an image signal of one line on the surface of the original 60, and original feeding means such as a roller (shown in the figure) Without)
The above operation is repeated by moving the sub-scanner 60 (sub-scanning direction) to obtain image information of the entire original 60.
第４図は受光素子41の断面図を示すもので、受光素子
41は、クロム（Cr）から成る下部共通電極51と、ａ−Si
等から成る光電変換層52と、酸化インジウム・スズ（IT
O）から成る上部個別電極53とを透明基板50上に順次積
層して成るサンドイッチ構造で構成されている。FIG. 4 shows a cross-sectional view of the light receiving element 41.
41 is a lower common electrode 51 made of chromium (Cr) and a-Si
Photoelectric conversion layer 52 composed of, for example, indium tin oxide (IT
The upper individual electrode 53 made of O) is sequentially laminated on the transparent substrate 50 to form a sandwich structure.
下部共通電極51は主走査方向（第４図の表裏方向）に
帯状に形成され、光電変換層52及び上部個別電極53は各
受光素子41毎（ビット毎）に個別に分割形成されてい
る。従って、下部共通電極51及び上部個別電極53によっ
て光電変換層52を挟んだ部分が各受光素子41を構成し、
その集まりが受光素子アレイ42を形成している。また、
下部共通電極51には、各受光素子41に対応するように方
形状の光入射窓54が形成され、透明基板50の下方に位置
する光源（図中せず）からの光を受光素子アレイ42上に
配置する原稿60に投光するように構成している。The lower common electrode 51 is formed in a band shape in the main scanning direction (the front and back direction in FIG. 4), and the photoelectric conversion layer 52 and the upper individual electrode 53 are separately formed for each light receiving element 41 (for each bit). Therefore, the portion sandwiching the photoelectric conversion layer 52 between the lower common electrode 51 and the upper individual electrode 53 constitutes each light receiving element 41,
The group forms the light receiving element array 42. Also,
A rectangular light incident window 54 is formed in the lower common electrode 51 so as to correspond to each light receiving element 41, and receives light from a light source (not shown) located below the transparent substrate 50 in a light receiving element array 42. It is configured to project light on the original 60 arranged above.
前記上部個別電極53の反光入射窓54側には、絶縁層55
に形成されたコンタクト孔56を介して引き出し配線57に
接続され、各受光素子41の画像信号を検出するように構
成している。受光素子アレイ42には、各受光素子41を保
護する保護膜58及び原稿60の移動による磨耗を防ぐ耐磨
耗層59が形成されている。An insulating layer 55 is provided on the anti-light incident window 54 side of the upper individual electrode 53.
Is connected to the lead-out wiring 57 via a contact hole 56 formed in the light-receiving element 41 so as to detect an image signal of each light-receiving element 41. On the light receiving element array 42, a protective film 58 for protecting each light receiving element 41 and a wear resistant layer 59 for preventing abrasion due to the movement of the document 60 are formed.
上述のような密着型イメージセンサにおいては、各受
光素子41からの画像信号を得る際に基準となる暗状態の
基準信号を得るための受光素子（基準信号検出用ビッ
ト）を受光素子アレイ42の端部に設ける必要があった。In the contact-type image sensor as described above, a light receiving element (a reference signal detection bit) for obtaining a reference signal in a dark state, which serves as a reference when obtaining an image signal from each light receiving element 41, is provided in the light receiving element array 42. It had to be provided at the end.
そこで従来例においては、第４図に示すように、基準
信号検出用の受光素子41上に位置する耐磨耗層59上に黒
色チャート70を貼着し、光源から光入射窓54を介して投
光された光が黒色チャート70で反射して受光素子41に入
射するように構成することにより、原稿60面の白黒にか
かわらず基準信号検出用の受光素子41には常に暗状態の
基準信号が検出されるようにしていた。Therefore, in the conventional example, as shown in FIG. 4, a black chart 70 is stuck on the wear-resistant layer 59 located on the light-receiving element 41 for detecting a reference signal, By configuring the projected light to be reflected by the black chart 70 and incident on the light receiving element 41, the light receiving element 41 for detecting the reference signal is always supplied to the light receiving element 41 for detecting the reference signal regardless of whether the original 60 is black and white. Was detected.
（発明が解決しようとする課題） しかしながら上記構造によると、黒色チャート70を耐
磨耗層59上に貼着したので、黒色チャート70が直接原稿
60に接するため、黒色チャート70が磨耗するという問題
点があった。また、黒色チャート70は耐磨耗層59上の一
部に貼着されるので、その厚さにより原稿60を移動させ
る際の走行性が悪くなるという問題点があった。更に、
黒色チャート70を基準信号検出用の受光素子41上に位置
するように精度よく貼付するのが困難であるという問題
点があった。(Problems to be Solved by the Invention) However, according to the above structure, since the black chart 70 is stuck on the wear-resistant layer 59, the black chart 70 is directly
There was a problem that the black chart 70 was worn due to contact with the 60. Further, since the black chart 70 is stuck on a part of the wear-resistant layer 59, there is a problem that the traveling property when the original 60 is moved is deteriorated due to the thickness thereof. Furthermore,
There is a problem that it is difficult to attach the black chart 70 with high accuracy so as to be positioned on the light receiving element 41 for detecting the reference signal.
また、黒色チャート70を耐磨耗層59の下層に貼付し、
前記耐磨耗性の問題を回避する構造も考えられるが、こ
の場合にも黒色チャート70の厚さにより耐磨耗層59上が
平坦化せず、基準信号検出用受光素子の近くに位置する
受光素子の解像度が悪くなるという問題点がある。更
に、黒色チャート70の貼り着け精度の問題は依然として
残る。Also, a black chart 70 is attached to the lower layer of the wear-resistant layer 59,
Although a structure that avoids the problem of abrasion resistance is also conceivable, in this case also, the thickness of the black chart 70 does not flatten the abrasion-resistant layer 59 and is located near the light-receiving element for reference signal detection. There is a problem that the resolution of the light receiving element deteriorates. Further, the problem of the sticking accuracy of the black chart 70 still remains.
本発明は上記実情に鑑みてなされたもので、基準信号
検出用の受光素子を容易に形成するとともに、原稿の走
行性に悪影響を与えることがない密着型イメージセンサ
の基準信号検出用ビットの構造を提供することを目的と
する。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and a structure of a reference signal detecting bit of a contact type image sensor that easily forms a light receiving element for detecting a reference signal and does not adversely affect the traveling property of a document. The purpose is to provide.
（課題を解決するための手段） 上記目的を達成するため本発明は、透明基板上に下部
共通電極，光電変換層，上部個別電極を順次積層した受
光素子をライン状に複数並べた受光素子アレイと、前記
各上部個別電極に接続した引き出し配線とを具備し、前
記受光素子アレイにより原稿面からの反射光を受光し、
前記引き出し配線を介して順次時系列的に読取信号を検
出する密着型イメージセンサにおいて、次の構成を含む
ことを特徴としている。(Means for Solving the Problems) In order to achieve the above object, the present invention provides a light receiving element array in which a plurality of light receiving elements in which a lower common electrode, a photoelectric conversion layer, and an upper individual electrode are sequentially stacked on a transparent substrate are arranged in a line. And a lead wiring connected to each of the upper individual electrodes, and receives light reflected from the document surface by the light receiving element array,
The contact type image sensor for sequentially detecting a read signal in a time series through the lead-out wiring is characterized by including the following configuration.
前記各受光素子の全てに対し、前記原稿面へ光を投光
するための光入射窓を形成する。A light entrance window for projecting light onto the document surface is formed for each of the light receiving elements.
前記受光素子の端部に位置する受光素子の上部個別電
極を覆うように前記引き出し配線を形成する。The lead wiring is formed so as to cover an upper individual electrode of the light receiving element located at an end of the light receiving element.
（作用） 本発明によれば、受光素子の上部個別電極を覆うよう
に引き出し配線を形成するので、原稿面からの反射光に
対して引き出し配線が遮光層となり、受光素子への光の
入射を遮断する。(Operation) According to the present invention, the lead-out wiring is formed so as to cover the upper individual electrode of the light-receiving element. Cut off.
したがって、受光素子アレイの端部に位置する受光素
子については、対応する光入射窓を形成するとともに、
上部個別電極を引き出し配線で覆うことにより基準信号
（暗電流）検出用とする。Therefore, for the light receiving element located at the end of the light receiving element array, a corresponding light entrance window is formed,
The upper individual electrode is covered with a lead-out line to detect a reference signal (dark current).
（実施例） 本発明の一実施例について第１図及び第２図を参照し
ながら説明する。Embodiment An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 1 and 2. FIG.
密着型イメージセンサを構成する多数の受光素子１の
うち、一端部Ａ（第１図）に位置する24個の受光素子1a
を基準信号検出用ビットとして構成している。Among the many light receiving elements 1 constituting the contact image sensor, 24 light receiving elements 1a located at one end A (FIG. 1)
Are configured as reference signal detection bits.
受光素子1aは、クロム（Cr），モリブデン（Mo），チ
タン（Ti）等から成る下部共通電極11と、ａ−Si等から
成る光電変換層12と、酸化インジウム・スズ（ITO）か
ら成る上部個別電極13とをガラス等から成る透明基板10
上に順次積層して成るサンドイッチ構造で構成されてい
る。The light receiving element 1a includes a lower common electrode 11 made of chromium (Cr), molybdenum (Mo), titanium (Ti), a photoelectric conversion layer 12 made of a-Si or the like, and an upper part made of indium tin oxide (ITO). Transparent substrate 10 made of glass or the like with individual electrodes 13
It has a sandwich structure that is sequentially laminated on top.
下部共通電極11は主走査方向（第１図の左右方向，第
２図の表裏方向）に帯状され、光電変換層12及び上部個
別電極13は各受光素子1a毎（ビット毎）に個別に方形状
に分割形成されている。従って、下部共通電極11及び上
部個別電極13によって光電変換層12を挟んだ部分が各受
光素子1a,1bを構成し、その集まりが受光素子アレイ２
を形成している。The lower common electrode 11 is band-shaped in the main scanning direction (the left-right direction in FIG. 1, the front and back direction in FIG. 2), and the photoelectric conversion layer 12 and the upper individual electrode 13 are individually formed for each light receiving element 1a (for each bit). It is divided into shapes. Therefore, a portion sandwiching the photoelectric conversion layer 12 between the lower common electrode 11 and the upper individual electrode 13 constitutes each of the light receiving elements 1a and 1b, and a group thereof is a light receiving element array 2
Is formed.
また、下部共通電極11には、各受光素子1a,1bに対応
するように方形状の光入射窓１が形成され、透明基板10
の下方に位置する光源（図示せず）からの光を受光素子
アレイ1a,1b上に配置する原稿60に投光するように構成
している。The lower common electrode 11 is formed with a rectangular light entrance window 1 corresponding to each of the light receiving elements 1a and 1b.
Light from a light source (not shown) positioned below the light receiving element arrays 1a and 1b is projected onto a document 60 arranged on the light receiving element arrays 1a and 1b.
前記上部個別電極13の反光入射窓14側には、絶縁層15
に形成されたコンタクト孔16を介してアルミニウム（A
l）等から成る引き出し配線17に接続され、各受光素子1
a,1bからの電気信号を検出するように構成している。An insulating layer 15 is provided on the anti-light incident window 14 side of the upper individual electrode 13.
Aluminum (A) through contact holes 16 formed in
l) Each of the light receiving elements 1
It is configured to detect electric signals from a and 1b.
基準信号検出用ビットとして機能する受光素子1aは、
光電変換層12に光が入射しないように、引き出し配線17
の端部に前記光電変換層12及び上部個別電極13を覆うよ
うに方形状の遮光部17aが連続して形成されている。The light receiving element 1a functioning as a reference signal detection bit is
In order to prevent light from entering the photoelectric conversion layer 12,
A rectangular light-shielding portion 17a is continuously formed at the end of the light-receiving portion so as to cover the photoelectric conversion layer 12 and the upper individual electrode 13.
受光素子アレイ２上には、各受光素子1a,1bを保護す
るポリイミドから成る保護膜18が形成され、更に保護膜
18には、原稿60の移動による磨耗を防ぐため薄板ガラス
から成る耐磨耗層19が貼着されている。On the light receiving element array 2, a protective film 18 made of polyimide for protecting each of the light receiving elements 1a and 1b is formed.
An abrasion resistant layer 19 made of thin glass is adhered to 18 to prevent abrasion due to movement of the original 60.
以上のように構成した24個の基準信号検出用ビットと
しての受光素子1aのうち、隣接する光入射窓14からの散
乱光の影響があると考えられる両端の４画素づつ（合計
８画素）を除く16画素からの電気信号を暗状態の基準信
号として検出する。Of the 24 light receiving elements 1a serving as reference signal detection bits configured as described above, four pixels at each end (total of eight pixels) considered to be affected by scattered light from the adjacent light incident window 14 are shown. The electrical signals from the 16 pixels except for the detected pixels are detected as dark-state reference signals.
次に上記密着型イメージセンサの製造工程について説
明する。Next, a manufacturing process of the contact type image sensor will be described.
まず、検査、洗浄された透明基板（ガラス）10上に、
受光素子1a,1bの下部共通電極11となるクロム（Cr）層
をDCマグネトロンスパッタにより1500Å程度の膜厚で着
膜する。First, on the inspected and cleaned transparent substrate (glass) 10,
A chromium (Cr) layer serving as the lower common electrode 11 of the light receiving elements 1a and 1b is deposited to a thickness of about 1500 ° by DC magnetron sputtering.
次に、受光素子1a,1bと光電変換層12となる水酸化ア
モルファスシリコン層を13000Å程度の膜厚に着膜し、
受光素子1a,1bの上部個別電極13となる酸化インジウム
・スズ層を600Å程度の膜厚で着膜する。この時、それ
ぞれの着膜の前にアルカリ洗浄を行なう。Next, an amorphous silicon hydroxide layer serving as the light receiving elements 1a, 1b and the photoelectric conversion layer 12 was deposited to a thickness of about 13,000 mm,
An indium tin oxide layer serving as the upper individual electrode 13 of the light receiving elements 1a and 1b is deposited to a thickness of about 600 °. At this time, alkali cleaning is performed before each deposition.
上記水素化アモルファスシリコン層（光電変換層12）
は、Ｐ−CVD法により基板温度が170〜250℃で、SiH4の
ガス圧力が0.3〜0.7Torrで、SiH4ガス流量が150〜300sc
cmで、RFパワーが100〜200Wの条件下で形成する。The hydrogenated amorphous silicon layer (photoelectric conversion layer 12)
The substrate temperature is 170 to 250 ° C. by the P-CVD method, the gas pressure of SiH 4 is 0.3 to 0.7 Torr, and the SiH 4 gas flow rate is 150 to 300 sc.
Formed under the condition of RF power of 100 to 200 W in cm.
また、酸化インジウム・スズ層（上部個別電極13）
は、DCマグネトロンスパッタにより基板温度が室温で、
ArとO2ガスの圧力が1.5×10-3Torrで、Arガス流量が100
〜150sccmで、O2ガス流量が１〜2sccmで、DCパワーが20
0〜400Wの条件下で形成する。In addition, indium tin oxide layer (upper individual electrode 13)
The substrate temperature is room temperature by DC magnetron sputtering,
Ar and O 2 gas pressure is 1.5 × 10 -3 Torr and Ar gas flow rate is 100
In ~150sccm, O 2 gas flow rate in 1~2sccm, DC power 20
It is formed under the condition of 0 to 400W.
この後、酸化インジウム・スズ層をファトリソ工程
と、希塩酸を用いたエッチング工程でパターニングし
て、各受光素子1a,1b毎に分離するよう個別化された上
部個別電極13を形成する。Thereafter, the indium-tin oxide layer is patterned by a fatoliso process and an etching process using diluted hydrochloric acid to form an upper individual electrode 13 that is individualized so as to be separated for each of the light receiving elements 1a and 1b.
続いて、同一のレジストパターンにより水素化アモル
ファスシリコン層をC2C1F5とSF6とO2の混合ガスを用い
たドライエッチングによりパターニングして各受光素子
1a,1b毎に分離するよう個別化された光電変換層12を形
成する。ここで、下部共通電極11のクロム（Cr）層は、
ａ−Si:Hのドライエッチング時にストッパーとしての役
割を果たし、パターニングされずに残ることになる。こ
のドライエッチング時において、光電変換層12となるａ
−Si:H層には、サイドエッチが大きく入るため、レジス
トを剥離する前に再度ITOのエッチングを行なう。こう
することにより、ITOの周辺裏側からさらにエッチング
されて光電変換層12と同じサイズの上部個別電極13が形
成される。Subsequently, the hydrogenated amorphous silicon layer is patterned by dry etching using a mixed gas of C 2 C 1 F 5 , SF 6 and O 2 with the same resist pattern, and each light receiving element is
An individualized photoelectric conversion layer 12 is formed so as to be separated for each of 1a and 1b. Here, the chromium (Cr) layer of the lower common electrode 11 is
During dry etching of a-Si: H, it functions as a stopper and remains without patterning. At the time of this dry etching, a
Since the Si: H layer has a large side etch, the ITO is etched again before removing the resist. By doing so, the upper individual electrode 13 having the same size as the photoelectric conversion layer 12 is formed by further etching from the back side of the ITO.
次に、クロム（Cr）層をフォトリソ法により露光，現
像を行ってレジストパターンを形成し、硝酸セリウムア
ンモニウム、過塩素酸と水の混合液を用いたエッチング
工程で、パターニングして帯状の下部共通電極11及び各
受光素子1a,1bに対応する光入射窓14を形成し、その後
レジスト剥離を行なう。Next, the chromium (Cr) layer is exposed and developed by a photolithography method to form a resist pattern, and is patterned by an etching process using a mixed solution of cerium ammonium nitrate, perchloric acid and water to form a belt-like lower common portion. The light incident window 14 corresponding to the electrode 11 and each of the light receiving elements 1a and 1b is formed, and then the resist is stripped.
次に、受光素子1a,1b全体を覆うように絶縁膜15を130
00Å程度の厚さで塗布し、160℃程度でプリベーグを行
なってフォトリソエッチング工程でパターン形成を行な
い、再度ベーキングする。前記パターニングにより、上
部個別電極13の端部に対応する位置にコンタクト孔16を
形成する。更に、コンタクト孔16部分に残ったポリイミ
ド等を完全に除去するために、O2でプラズマにさらすDe
scumを行なう。Next, the insulating film 15 is covered with the insulating film 15 to cover the entire light receiving elements 1a and 1b.
It is applied to a thickness of about 00 °, pre-baked at about 160 ° C., a pattern is formed in a photolithographic etching step, and baking is performed again. By the patterning, a contact hole 16 is formed at a position corresponding to the end of the upper individual electrode 13. Furthermore, in order to completely remove polyimide and the like remaining in the contact hole 16 portion, the substrate is exposed to plasma with O 2.
Do scum.
次に、アルミニウム（Al）をDCマグネトロンスパッタ
により10000Å程度の厚さで約150℃程度の温度で全面着
膜し、所望のパターンを得るためにフッ酸、硝酸、リン
酸、水の混合液を用いたフォトリソエッチング工程でパ
ターニングしてレジストを除去する。これにより、各受
光素子1a,1bにコンタクト孔16を介して接続される引き
出し配線17及び基準信号検出用ビットとなる受光素子1a
の上部個別電流13上に遮光部17aを形成する。Next, aluminum (Al) is deposited on the entire surface at a temperature of about 150 ° C. with a thickness of about 10,000 mm by DC magnetron sputtering, and a mixed solution of hydrofluoric acid, nitric acid, phosphoric acid, and water is obtained to obtain a desired pattern. The resist is removed by patterning in the used photolithography etching step. As a result, the lead wiring 17 connected to each of the light receiving elements 1a and 1b through the contact hole 16 and the light receiving element 1a serving as a reference signal detection bit
A light-shielding portion 17a is formed on the upper individual current 13 above.
ポリイミドを３μｍ程度の厚さで塗布し、125℃程度
でプリベーグを行なってフォトリソエッチング工程でパ
ターン形成を行ない、再度230℃程度で90分間ベーキン
グして保護膜18を形成する。その後、Descumを行ない、
不要に残ったポリイミドを取り除く。最後に全面を覆う
ように薄板ガラスを貼着して耐摩耗層19とする。Polyimide is applied to a thickness of about 3 μm, pre-bake is performed at about 125 ° C., a pattern is formed by a photolithographic etching process, and baked again at about 230 ° C. for 90 minutes to form a protective film 18. After that, perform Descum,
Unnecessary polyimide is removed. Finally, a thin glass plate is attached so as to cover the entire surface to form the wear-resistant layer 19.
上記実施例によれば、薄膜プロセス工程で基準信号検
出用ビットを形成するので、マスクパターンを代えるだ
けで容易に、且つ位置精度を良好に形成することができ
る。更に、耐摩耗層19上を平坦に形成できるので、原稿
60の走行性が良好となる。According to the above-described embodiment, since the reference signal detection bits are formed in the thin film process, it is possible to easily form the position accuracy only by changing the mask pattern. Furthermore, since the abrasion resistant layer 19 can be formed flat,
The running performance of 60 becomes good.
また、本実施例によれば、基準信号検出用ビットの各
受光素子1aについても光入射窓14を形成したので、例え
ば受光素子1aに隣接する信号検出用の受光素子1bについ
て考えた場合、この受光素子1bには受光素子1aに対応す
る光入射窓14からも光が漏れ込むので、同じ色調の原稿
面を読み取る場合、信号検出用受光素子の中央部分に位
置する受光素子1bに対して同一受光量を入射させること
ができる。Further, according to the present embodiment, since the light incident window 14 is also formed for each light receiving element 1a of the reference signal detection bit, for example, when considering the light receiving element 1b for signal detection adjacent to the light receiving element 1a, Since light leaks into the light receiving element 1b from the light incident window 14 corresponding to the light receiving element 1a, when reading a document surface having the same color tone, the light receiving element 1b located at the center of the signal detecting light receiving element is the same as the light receiving element 1b. The amount of received light can be incident.
（発明の効果） 本発明によれば、受光素子の上部個別電極を覆うよう
に引き出し配線を形成して基準信号検出用ビットを形成
するので、薄膜積層で精度良く且つ容易に作成すること
ができる。(Effects of the Invention) According to the present invention, a reference signal detection bit is formed by forming a lead-out wiring so as to cover an upper individual electrode of a light receiving element. .
また、従来例のように黒色チャートを貼付する必要が
ないので、原稿の素行性に支障をきたすことがない。Further, since there is no need to attach a black chart as in the conventional example, there is no hindrance to the originality of the document.
また、基準信号（暗電流）検出用の受光素子に対して
も光入射窓を形成しているので、基準信号（暗電流）検
出用の受光素子に隣接する信号検出用の受光素子につい
て、中央部に位置する信号検出用の受光素子と同じよう
に光が漏れ込むので、同じ色調の原稿に対して、信号検
出用の受光素子の位置による入射光量のバラツキを防止
することができる。Further, since the light incident window is formed for the light receiving element for detecting the reference signal (dark current), the light receiving element for detecting the signal adjacent to the light receiving element for detecting the reference signal (dark current) is located at the center. Since the light leaks in the same manner as the signal detecting light receiving element located in the section, it is possible to prevent a variation in the incident light amount due to the position of the signal detecting light receiving element with respect to a document having the same color tone.
第１図は本発明の一実施例に係る基準信号検出用ビット
を有する密着型イメージセンサの平面説明図、第２図は
第１図のII−II′断面説明図、第３図は密着型イメージ
センサと原稿との配置を示す概略平面説明図、第４図は
密着型イメージセンサにおける従来の基準信号検出用ビ
ットの断面説明図である。 １……受光素子 ２……受光素子アレイ 10……透明基板 11……下部共通電極 12……光電変換層 13……上部個別電極 14……光入射窓 17……引き出し配線 17a……遮光部FIG. 1 is an explanatory plan view of a contact type image sensor having a reference signal detecting bit according to one embodiment of the present invention, FIG. 2 is an explanatory sectional view taken along the line II-II 'of FIG. 1, and FIG. FIG. 4 is a schematic plan view showing the arrangement of an image sensor and a document, and FIG. 4 is a cross-sectional view of a conventional reference signal detection bit in a contact type image sensor. DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Light receiving element 2 ... Light receiving element array 10 ... Transparent substrate 11 ... Lower common electrode 12 ... Photoelectric conversion layer 13 ... Upper individual electrode 14 ... Light incident window 17 ... Lead-out wiring 17a ... Light shielding part
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) H01L 27/146 H04N 1/028 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on front page (58) Field surveyed (Int.Cl. 6 , DB name) H01L 27/146 H04N 1/028
Claims (1)
上部個別電極を順次積層した受光素子をライン状に複数
並べた受光素子アレイと、前記各上部個別電極に接続し
た引き出し配線とを具備し、前記受光素子アレイにより
原稿面からの反射光を受光し、前記引き出し配線を介し
て順次時系列的に読取信号を検出する密着型イメージセ
ンサにおいて、 前記各受光素子の全てに対し、前記原稿面へ光を投光す
るための光入射窓を形成し、 前記受光素子の端部に位置する受光素子の上部個別電極
を覆うように前記引き出し配線を形成する ことを特徴とする密着型イメージセンサ。A first common electrode, a photoelectric conversion layer,
A light-receiving element array in which a plurality of light-receiving elements in which upper individual electrodes are sequentially stacked are arranged in a line; and a lead-out line connected to each of the upper individual electrodes, and the light-receiving element array receives reflected light from a document surface. A contact image sensor that sequentially detects a read signal in a time-series manner through the lead-out wiring, wherein a light incident window for projecting light onto the document surface is formed for all of the light receiving elements; The contact type image sensor, wherein the lead wiring is formed so as to cover an upper individual electrode of the light receiving element located at an end of the light receiving element.
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|---|---|---|---|
| JP2320615A JP2920691B2 (en) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Contact image sensor |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP2320615A JP2920691B2 (en) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | Contact image sensor |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192470A JPH04192470A (en) | 1992-07-10 |
| JP2920691B2 true JP2920691B2 (en) | 1999-07-19 |
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ID=18123390
Family Applications (1)
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Country Status (1)
| Country | Link |
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| JP (1) | JP2920691B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4622009B2 (en) * | 1999-07-30 | 2011-02-02 | 富士通株式会社 | Semiconductor imaging device |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2320615A patent/JP2920691B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JPH04192470A (en) | 1992-07-10 |
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