JPS62172692A - 薄膜el表示素子 - Google Patents

薄膜el表示素子

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Publication number
JPS62172692A
JPS62172692A JP61014249A JP1424986A JPS62172692A JP S62172692 A JPS62172692 A JP S62172692A JP 61014249 A JP61014249 A JP 61014249A JP 1424986 A JP1424986 A JP 1424986A JP S62172692 A JPS62172692 A JP S62172692A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
film
voltage application
thin film
display element
electrodes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP61014249A
Other languages
English (en)
Inventor
健一 三森
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP61014249A priority Critical patent/JPS62172692A/ja
Publication of JPS62172692A publication Critical patent/JPS62172692A/ja
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  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 「技術分野」 本発明は、EL発光膜の背面側に形成された複数の電圧
印加用電極に交流電圧を印加して、EL発光膜の表示面
側に形成された等電位面形成の働きをする透明導電膜を
介して交旋電界を付与し、それによってEL発光膜を発
光させるようにした薄膜EL表示素子に関する。
「従来技術およびその問題点」 従来の薄膜EL表示素子は−例えば第5図に示すように
、透明ガラス基板1上に、透明電極2と、第1の絶縁膜
3と、EL発光n々4と、第2の絶縁膜5と、対向電極
6とを順次積層した8層構造で構成されていた。この薄
膜EL表示素子は、透明電極2と対向電極Bとの間に数
10Hzから数KHzの交流電界を印加することにより
、 EL発光膜4の内の活性種イオンが励起され、発光
するようになっている。この薄膜EL表示素子は、近年
各種装置のディスプレイに応用されつつある。
しかしながら、従来のfJ膜EL表示素子は、その構造
から電極の取出しをEL発光膜の上下より行なう必要が
あり、電極の取出し処理が複雑となっていた。また、各
種装置のディスプレイとしての使用が増加するに伴なっ
て表示分解能の向上が要求されている。ところが、EL
光発光取出す側の電極rm (通常透明ガラスノ、(板
側の電8inり)は透明導電膜である必要があり、現在
の技術水準において透明導電膜の比抵抗は約2XIO−
’Ω・ca程度であるという制限がある。このため、表
示分解能の向上を目的としてパターン幅を細くしようと
すると、導通抵抗が増加してしまい、このことが表示分
解能の向上のネックとなっていた。
そこで1本発明者は、第3図および第4図に示すような
構造の薄IIIEL表示素子を既に提案している(特願
昭80−123880号、特願昭80−121881号
、特願昭60−123882号参照)。この薄膜EL表
示素子は、透明ガラス基板ll上に、透明導電膜12と
、絶縁膜13と、 EL発光膜14と、絶縁膜15と、
電圧印加用電極IJ  17とを順次積層して構成され
ている。
この場合、電圧印加用電極16、!7は、電気的に接続
されない少なくとも一組のものからなり、これらの電圧
印加用電極1B、17と透明導電膜12とは互いに重な
るように構成されている。そして、−組の電圧印加用電
極16.17間に交流電圧を印加すると、交流電圧によ
る電界は、電圧印加用電極16.17と等電位面形成の
働きをする透明導電膜12との間に付与される。その結
果、電圧印加用電極te、17と透明導電膜12との間
に配置されたEL発光膜14が発光するようになってい
る。なお、EL発光膜14の発光部分は、電圧印加用電
極1G、17と透明導電膜12とが重なった部分、すな
わち第4図における斜線部分Sとなっている。
しかしながら、この薄膜EL表示素子では、−組の電圧
印加用電極1B、17を例えばマトリクス状等に配置す
るような場合には、電圧印加用電極16.17の少なく
とも一方の電極取出しラインを立体配線する必要が生じ
る。その場合、例えば電極IC上に絶縁膜を介して電極
17の電極取出しラインを立体配線することになるが、
製造工程が複雑化するという問題点があった。また、基
板の周辺部から電圧印加用電極lft、 17の電極を
取出すので、有効表示面積が小さくなるという問題点も
あった。さらに、成膜工程と立体配線工程とを連続して
行なわなければならず、工程の複雑化に伴ない完成品の
歩留りが低下するという問題点もあった。
「発明の目的」 本発明の目的は、電極の取出し処理を簡略化することが
でき、有効表示面積を広くとることができ、かつ、完成
品の歩留りを向上させることができるようにした薄膜E
L表示素子を提供することにある。
「発明の構成」 本発明による薄膜EL表示素子は、立体配線がなされて
いる基板と、この基板上に形成された電気的に接続され
ていない少なくとも一組の電圧印加用電極と、この電圧
印加用電極上に直接もしくは絶縁膜を介して形成された
EL発光膜と、このEL発光膜上に直接もしくは絶縁n
父を介して形成された透明溝m膜とを備えていることを
特徴とする。
このように、あらかじめ立体配線がなされた基板上にE
L表示素子を構成したので、立体配線基板を利用して電
圧印加用電極の電極取出しを行なうことができ、かつ、
基板にIC等を直接搭載することも可能となる。また、
立体配線基板を利用して電極取出しを行なうので、有効
表示面積を広くとることができる。さらに、立体配線基
板を製造する工程と、その上に成膜する工程との2つに
製造工程を分けることができるので、それぞれの工程で
不良等のチェックができ、完成品での歩留りが向上する
。なお、立体配線基板としては1例えば多層印刷配線板
などを用いることができる。
「発明の実施例」 第1図および第2図には、本発明による薄膜EL表示素
子の実施例が示されている。
この薄膜EL表示素子では、多層印刷配線板21を用い
ている。そして、この多層印刷配線板21上に電圧印加
用電極用のアルミニウムをスパッタリング法により厚さ
約2000人に形成する。このアルミニウムを第2図中
の点線で示すようにエツチングして、電気的に接続され
ていない一組の電圧印加用電極2B、27を形成する。
なお、電圧印加用電極28、27は、多層印刷配線板2
1の立体配線28.29にそれぞれ接続されるようにす
る。次に、電圧印加用電極26.27上に、Ta205
からなる絶縁1模25を反応性スパッタリング法により
厚さ約3000人に形成する。さらに、絶縁膜25上に
、マンガンをドープした硫化亜鉛(Zn!J二Mn、1
lIn−0,3at%)からなるEL発光膜24をスパ
ッタリング法により厚さ約8000人に形成する。そし
て、EL発光膜14上にTa205からなる絶縁膜23
を厚さ約1000人に形成する。最後に、In2o 3
− SnQ、系の透明導電11’222をスパッタリン
グ法により厚さ約2000人に形成する。透明導電膜2
2は、エツチングにより第2図中の実線で示すようにパ
ターン化する。なお、この透明導電膜22上に図示しな
い透明なパッシベーション膜等を設けてもよい。
このgi膜EL表示素子において、多層印刷配線板21
の立体配線28.28を通して一組の電圧印加用電極2
6.27間に交流電圧を印加すると、交流電界は、電圧
印加用電極2B、27と、等電位面形成の働きをする透
明導電膜22との間に付与される。その結果、電圧印加
用電極2B、27と、透明導電膜22との間に配置され
たEL発光膜24が発光し、発光部分は、電圧印加用電
極26.27と、透明導電膜22とが重なった部分、す
なわち第2図における斜線部分Sとなる。なお、発光に
よる光は、多層印刷配線板21の反対側、すなわち透明
導電M422側から取出される。
この薄膜EL表示素子では、多層印刷配線板21の立体
配線28.29を通して電極を取出すことができるので
、電極取出し処理が極めて簡略化され、有効表示面積も
広くとることができる。また、多層印刷配線板21にI
C等を直接搭載することができるので、素子と回路とを
ユニット化し1回路設計や装置への組込みを容易にする
ことができる。さらに、多層印刷配線板21を製造する
工程と、その上に成膜する工程との2つに製造工程を分
けることができるので、それぞれの工程で不良等のチェ
フクができ、完成品での歩留りが向上する。
なお、同一の多層印刷配線板21上に、第1図、第2図
に示す薄膜EL表示素子を複数個形成し、例えばマトリ
クス表示などを行なうことも可能である。その場合、電
極取出しラインは、多層印刷配線板21内にあらかじめ
形成しておくことができる。
「発明の効果」 以上説明したように、本発明によれば、あらかじめ立体
配線がなされた基板上にEL表示素子を構成したので、
基板を利用して電圧印加用電極の電極取出しを行なうこ
とができ、かつ、基板にIC等を直接搭載することも可
能となる。また、基板周辺部に端子部を形成する必要が
ないので、有効表示面積を広くとることができる。さら
に、立体配線基板を製造する工程と、その上に成膜する
工程との2つに製造工程を分けることができるので、そ
れぞれの工程で不良等のチェックができ、完成品での歩
留りが向上する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明による薄膜EL表示素子の実施例を示す
断面図、第2図は同薄膜EL表示素子の平面構成図、第
3図は本発明に先立って提案された薄膜EL表示素子の
断面図、第4図は同薄膜EL表示素子の平面構成図、第
5図は従来のVJ膜EL表示素子の断面図である。 図中、21は多層印刷゛配線板、22は透明導電膜、2
3は絶縁膜、24はEL発光膜、25は絶縁膜、26.
27は電圧印加用電極、28.29は立体配線である。 第5図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  立体配線がなされている基板と、この基板上に形成さ
    れた電気的に接続されていない少なくとも一組の電圧印
    加用電極と、この電圧印加用電極上に直接もしくは絶縁
    膜を介して形成されたEL発光膜と、このEL発光膜上
    に直接もしくは絶縁膜を介して形成された透明導電膜と
    を備えていることを特徴とする薄膜EL表示素子。
JP61014249A 1986-01-25 1986-01-25 薄膜el表示素子 Pending JPS62172692A (ja)

Priority Applications (1)

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JP61014249A JPS62172692A (ja) 1986-01-25 1986-01-25 薄膜el表示素子

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JP61014249A JPS62172692A (ja) 1986-01-25 1986-01-25 薄膜el表示素子

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JP61014249A Pending JPS62172692A (ja) 1986-01-25 1986-01-25 薄膜el表示素子

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JP (1) JPS62172692A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093703A (en) * 1988-03-25 1992-03-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Thin film transistor with 10-15% hydrogen content
JPH04229594A (ja) * 1990-12-18 1992-08-19 Fuji Xerox Co Ltd El発光素子    

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5093703A (en) * 1988-03-25 1992-03-03 Sanyo Electric Co., Ltd. Thin film transistor with 10-15% hydrogen content
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