JPS61281279A - 薄膜ｅｌ表示素子 - Google Patents
薄膜ｅｌ表示素子Info
- Publication number
- JPS61281279A JPS61281279A JP60123882A JP12388285A JPS61281279A JP S61281279 A JPS61281279 A JP S61281279A JP 60123882 A JP60123882 A JP 60123882A JP 12388285 A JP12388285 A JP 12388285A JP S61281279 A JPS61281279 A JP S61281279A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- film
- transparent conductive
- insulating film
- conductive film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
「技術分野」
本発明は、 ＥＬ発光膜の背面側に複数に分割された電
圧印加用電極を形成し、この電圧印加用電極に交流電圧
を印加して、ＥＬ発光膜の表示面側に形成された等電位
面形成の働きをする透明導電膜を介して交流電界を付与
し、それによってＥＬ発光膜を発光させるようにした薄
膜ＥＬ表示素子に関する。
圧印加用電極を形成し、この電圧印加用電極に交流電圧
を印加して、ＥＬ発光膜の表示面側に形成された等電位
面形成の働きをする透明導電膜を介して交流電界を付与
し、それによってＥＬ発光膜を発光させるようにした薄
膜ＥＬ表示素子に関する。
「従来技術およびその問題点」
近年、薄膜ＥＬ表示素子は各種装置のディスプレイに応
用されつつある。従来の一般的な薄膜ＥＬ表示素子は、
第４図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明導電
！Ｉ２と絶縁膜３とＥＬ発光膜４と絶縁膜５と対向電極
膜６とが順次積層された２重絶縁型６層構造で構成され
ている。この薄膜ＥＬ表示素子は、透明導電膜２と対向
電極膜６との間に数１０Ｈｚから数ＫＨｚの交流電界を
印加することにより、ＥＬ発光膜４内の活性種イオンが
励起され、発光するようになっている。
用されつつある。従来の一般的な薄膜ＥＬ表示素子は、
第４図に示すように、透明ガラス基板１上に、透明導電
！Ｉ２と絶縁膜３とＥＬ発光膜４と絶縁膜５と対向電極
膜６とが順次積層された２重絶縁型６層構造で構成され
ている。この薄膜ＥＬ表示素子は、透明導電膜２と対向
電極膜６との間に数１０Ｈｚから数ＫＨｚの交流電界を
印加することにより、ＥＬ発光膜４内の活性種イオンが
励起され、発光するようになっている。
しかしながら、従来の薄膜ＥＬ表示素子は、その構造か
ら電極の取出しをＥＬ発光膜の上下より行なう必要があ
り、電極の取出し処理が複雑であった。また、各種装置
のディスプレイとしての使用が増加するに伴なって表示
分解能の向上が要求されているが、 ＥＬ全発光取出す
側の電極膜（通常透明ガラス基板側の電極膜）は透明導
電膜である必要があり、現在の技術水準において透明導
電膜の比抵抗は約２Ｘ１０−４Ωｃｍ程度であるため、
表示分解能の向上を目的としてパターン幅を細くするこ
とを考えた場合、パターン幅を細くしていくことが電極
引き出しの導通抵抗の増加につながる。このため、透明
導電膜のパターン幅には制限があり、表示分解能の向上
のネックとなっていた。
ら電極の取出しをＥＬ発光膜の上下より行なう必要があ
り、電極の取出し処理が複雑であった。また、各種装置
のディスプレイとしての使用が増加するに伴なって表示
分解能の向上が要求されているが、 ＥＬ全発光取出す
側の電極膜（通常透明ガラス基板側の電極膜）は透明導
電膜である必要があり、現在の技術水準において透明導
電膜の比抵抗は約２Ｘ１０−４Ωｃｍ程度であるため、
表示分解能の向上を目的としてパターン幅を細くするこ
とを考えた場合、パターン幅を細くしていくことが電極
引き出しの導通抵抗の増加につながる。このため、透明
導電膜のパターン幅には制限があり、表示分解能の向上
のネックとなっていた。
「発明の目的」
本発明の目的は、上記従来技術の問題点を解決し、電極
の取出しを容易にし、透明導電膜の比抵抗に影響される
ことなくパターン形状や幅を自由に設定でき、しかもマ
トリックス表示も可能とした薄膜ＥＬ表示素子を提供す
ることにある。
の取出しを容易にし、透明導電膜の比抵抗に影響される
ことなくパターン形状や幅を自由に設定でき、しかもマ
トリックス表示も可能とした薄膜ＥＬ表示素子を提供す
ることにある。
「発明の構成ノ
本発明の薄膜ＥＬ表示素子は、透明基板上に形成された
透明導電膜と、この透明導電膜上に直接もしくは絶縁膜
を介して形成されたＥＬ発光膜と、このＥＬ発光膜上に
直接もしくは絶縁膜を介して形成された電気的に接続さ
れていない少なくとも一組の電圧印加用電極と、この電
圧印加用電極の上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上
に形成された接続電極とを備え、前記電圧印加用電極の
一部が前記絶縁膜を通して前記接続電極に立体的に接続
されていることを特徴とする。
透明導電膜と、この透明導電膜上に直接もしくは絶縁膜
を介して形成されたＥＬ発光膜と、このＥＬ発光膜上に
直接もしくは絶縁膜を介して形成された電気的に接続さ
れていない少なくとも一組の電圧印加用電極と、この電
圧印加用電極の上に形成された絶縁膜と、この絶縁膜上
に形成された接続電極とを備え、前記電圧印加用電極の
一部が前記絶縁膜を通して前記接続電極に立体的に接続
されていることを特徴とする。
本発明では、透明基板上の透明導電膜には直接電圧が印
加されず、ＥＬ発光膜の背面側に形成された電圧印加用
電極間に交流電圧が印加される。そして、交流電圧によ
る電界は、電圧印加用電極と等電位面形成の働きをする
透明導電膜との間に付与される。その結果、電圧印加用
電極と透明導電膜との間に配置されたＥＬ発光膜が発光
するようになっている。なお、ＥＬ発光膜の発光部分は
、電圧印加用電極と透明導電膜とが重なった部分となる
。このように、ＥＬ発光膜の背面側に形成された電圧印
加用電極にのみ直接電圧を印加するようにしたので、電
極の取出しが容易となる。また、透明基板上の透明導電
膜には通電されないので、透明導電膜の比抵抗に影響さ
れることなく、パターン形状や幅を自由に設定できる。
加されず、ＥＬ発光膜の背面側に形成された電圧印加用
電極間に交流電圧が印加される。そして、交流電圧によ
る電界は、電圧印加用電極と等電位面形成の働きをする
透明導電膜との間に付与される。その結果、電圧印加用
電極と透明導電膜との間に配置されたＥＬ発光膜が発光
するようになっている。なお、ＥＬ発光膜の発光部分は
、電圧印加用電極と透明導電膜とが重なった部分となる
。このように、ＥＬ発光膜の背面側に形成された電圧印
加用電極にのみ直接電圧を印加するようにしたので、電
極の取出しが容易となる。また、透明基板上の透明導電
膜には通電されないので、透明導電膜の比抵抗に影響さ
れることなく、パターン形状や幅を自由に設定できる。
なお、電圧印加用電極は、電気的に接続されていない少
なくとも一組の部分からなり、それぞれの部分は電源の
異なる端子に接続されるのであるが、−組の電極は所定
の間隔を置いて形成される。この電極間距離は、電圧印
加用電極と透明導電膜との間の厚さの２倍以上とするこ
とが好ましい、電極間距離がこれよりも接近していると
、電圧印加用電極相互間に作用する電界の影響を受けて
発光パターンが乱れることになる。
なくとも一組の部分からなり、それぞれの部分は電源の
異なる端子に接続されるのであるが、−組の電極は所定
の間隔を置いて形成される。この電極間距離は、電圧印
加用電極と透明導電膜との間の厚さの２倍以上とするこ
とが好ましい、電極間距離がこれよりも接近していると
、電圧印加用電極相互間に作用する電界の影響を受けて
発光パターンが乱れることになる。
本発明の好ましい態様によれば、電圧印加用電極は電源
の一方の端子に接続されるＸ電極群と電源の他方の端子
に接続されるＹ電極群とからなり、Ｘ電極群とＹ電極群
のいずれか一方は同一平面上で接続され、Ｘ電極群とＹ
電極群の他方は絶縁膜を通して接続電極に立体的に接続
され、Ｘ電極群とＹ電極群とはマトリックス状に組まれ
て交差部分は電気的に接続されることなく互いに近接し
た一組の電極からなるセグメントをなしており、透明導
電膜はセグメントに対応して分離形成されている。この
態様によれば、Ｘ電極群のいずれかのＸ電極と、Ｙ電極
群のいずれかのＹ電極とに交流電圧を印加すると、それ
らの交差部に位置するセグメントと、そのセグメントに
対応して形成された透明導電膜との間に交流電界が付与
される。そして、ＥＬ発光膜の上記セグメントに対応す
る部分が発光する。したがって、電圧を印加するＸ電極
とＹ電極とを選択することによって、所望のセグメント
部分を発光させ、マトリックス表示を可能とすることが
できる。
の一方の端子に接続されるＸ電極群と電源の他方の端子
に接続されるＹ電極群とからなり、Ｘ電極群とＹ電極群
のいずれか一方は同一平面上で接続され、Ｘ電極群とＹ
電極群の他方は絶縁膜を通して接続電極に立体的に接続
され、Ｘ電極群とＹ電極群とはマトリックス状に組まれ
て交差部分は電気的に接続されることなく互いに近接し
た一組の電極からなるセグメントをなしており、透明導
電膜はセグメントに対応して分離形成されている。この
態様によれば、Ｘ電極群のいずれかのＸ電極と、Ｙ電極
群のいずれかのＹ電極とに交流電圧を印加すると、それ
らの交差部に位置するセグメントと、そのセグメントに
対応して形成された透明導電膜との間に交流電界が付与
される。そして、ＥＬ発光膜の上記セグメントに対応す
る部分が発光する。したがって、電圧を印加するＸ電極
とＹ電極とを選択することによって、所望のセグメント
部分を発光させ、マトリックス表示を可能とすることが
できる。
「発明の実施例」
第１図および＄２図には、本発明の実施例による薄膜Ｅ
Ｌ表示素子のセグメントをなす一部分が示されている。
Ｌ表示素子のセグメントをなす一部分が示されている。
第１図に示すように、重版の透明ガラス基板（コー＝７
グ＃７０５９） １上に、Ｉｎ２Ｑ ３−５ｎＱ２系の
透明導電膜７をスパッタリング法により厚さ約２０００
人に形成する。その後、エツチングにより第２図の点線
で示すような形状にする０次に、透明導電膜７上に五酸
化タンタル（Ｔａ２０ｓ）からなる絶縁膜３を反応性ス
パッタリング法により厚さ約１０００人に形成する。続
いて、マンガンをドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ、
Ｍｎ５０．３ａｔ＄）からなるＥＬ発光膜４をスパッタ
リング法により厚さ約８０００人に形成する。さらに、
その上に五酸化タンタル（ＴａｚＯｓ）からなる絶縁膜
５を反応性スパッタリング法により厚さ約３０００人で
形成する。さらに、その上にアルミニウムからなる電極
膜をスパッタリング法により厚さ約２０００人に形成し
、その後。
グ＃７０５９） １上に、Ｉｎ２Ｑ ３−５ｎＱ２系の
透明導電膜７をスパッタリング法により厚さ約２０００
人に形成する。その後、エツチングにより第２図の点線
で示すような形状にする０次に、透明導電膜７上に五酸
化タンタル（Ｔａ２０ｓ）からなる絶縁膜３を反応性ス
パッタリング法により厚さ約１０００人に形成する。続
いて、マンガンをドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｍｎ、
Ｍｎ５０．３ａｔ＄）からなるＥＬ発光膜４をスパッタ
リング法により厚さ約８０００人に形成する。さらに、
その上に五酸化タンタル（ＴａｚＯｓ）からなる絶縁膜
５を反応性スパッタリング法により厚さ約３０００人で
形成する。さらに、その上にアルミニウムからなる電極
膜をスパッタリング法により厚さ約２０００人に形成し
、その後。
エツチングして電圧印加用電極８ａ、８ｂとする。電圧
印加用電極８ａ、８ｂは、電気的に接続されることなく
互いに近接して形成され、一つのセグメントＡをなして
いる。なお、前記透明導電膜７は、平面的に見たとき、
このセグメントＡに重なるように形成されている。次に
、フォトレジストを約２ｇｍ厚で塗布し、一方の電圧印
加用電極８ｂの立体配線の柱状部分９が残るようにパタ
ーニングする。その後、二酸化シリコン（Ｓｉ０２）か
らなる絶縁膜１０を反応性スパッタリング法により厚さ
約ｌｐ■で形成し、続いてレジストとレジスト上部の二
酸化シリコンを除去する０次に、再びレジストを約２
ｐ、ｍ厚で塗布し、柱状部分８を残して二酸化シリコン
からなる絶縁膜１０を覆うようにパターニングする。そ
の後、再びアルミニウムをスパッタリング法により厚さ
約ｌＩＬ■で形成し、レジストとレジスト上部のアルミ
ニウムを除去する。これによって、柱状部分θが絶縁膜
ｌＯを上下に貫通するように形成される。その後、再度
アルミニウムをスパッタリング法により厚さ約２０００
人で形成し、エツチングして接続電極１１を形成する。
印加用電極８ａ、８ｂは、電気的に接続されることなく
互いに近接して形成され、一つのセグメントＡをなして
いる。なお、前記透明導電膜７は、平面的に見たとき、
このセグメントＡに重なるように形成されている。次に
、フォトレジストを約２ｇｍ厚で塗布し、一方の電圧印
加用電極８ｂの立体配線の柱状部分９が残るようにパタ
ーニングする。その後、二酸化シリコン（Ｓｉ０２）か
らなる絶縁膜１０を反応性スパッタリング法により厚さ
約ｌｐ■で形成し、続いてレジストとレジスト上部の二
酸化シリコンを除去する０次に、再びレジストを約２
ｐ、ｍ厚で塗布し、柱状部分８を残して二酸化シリコン
からなる絶縁膜１０を覆うようにパターニングする。そ
の後、再びアルミニウムをスパッタリング法により厚さ
約ｌＩＬ■で形成し、レジストとレジスト上部のアルミ
ニウムを除去する。これによって、柱状部分θが絶縁膜
ｌＯを上下に貫通するように形成される。その後、再度
アルミニウムをスパッタリング法により厚さ約２０００
人で形成し、エツチングして接続電極１１を形成する。
接続電極１１は、第２図中想像線で示す如くパターニン
グされている。最後に、シリコン窒素酸化物（ＳｉＮｘ
Ｏｙ 、ただしＩ、ｙは適当な定数）からなるパッシベ
ーション膜９をスパッタリング法により厚さ約１ｗ重で
形成する。
グされている。最後に、シリコン窒素酸化物（ＳｉＮｘ
Ｏｙ 、ただしＩ、ｙは適当な定数）からなるパッシベ
ーション膜９をスパッタリング法により厚さ約１ｗ重で
形成する。
この薄膜ＥＬ表示素子では、電圧印加用電極８ａ、８ｂ
間に交流電圧が印加される。この場合、電圧印加用電極
８ｂには、接続電極１１および柱状部３を介して電圧が
印加される。こうして、電圧印加用電極８ａ、 ８ｂ間
に交流電圧が印加されると、電圧印加用電極８ａ、８ｂ
と透明導電膜７との間に電界が形成される。そして、第
２図中の斜線部Ｂで示すように、電圧印加用電極８ａ、
８ｂと透明導電膜７とが重なった部分においてＥＬ発光
＄４が発光する。
間に交流電圧が印加される。この場合、電圧印加用電極
８ｂには、接続電極１１および柱状部３を介して電圧が
印加される。こうして、電圧印加用電極８ａ、 ８ｂ間
に交流電圧が印加されると、電圧印加用電極８ａ、８ｂ
と透明導電膜７との間に電界が形成される。そして、第
２図中の斜線部Ｂで示すように、電圧印加用電極８ａ、
８ｂと透明導電膜７とが重なった部分においてＥＬ発光
＄４が発光する。
第３図に示すように、この薄膜ＥＬ表示素子は、実際に
は多数のセグメントＡがマトリックス状に配列されてで
きている。すなわち、電圧印加用電極８ａは、接続ライ
ン１３によって図中縦方向に接続され、複数のＸ電極膜
１、ｘ２） ！３・・・・・・を形成している。また、
電圧印加用電極８ｂは、接続電極１１によって図中横方
向に接続され、複数のＹ電極！！、ｙ２）ｙ３・・・・
・・を形成している。そして、Ｘ電極”１ｔ”２） ！
３・・・・・・と、Ｙ電極膜１、 ！２）ｙ３・・・・
・・との交差部分に電圧印加用電極８ａ、８ｂからなる
セグメントＡがそれぞれ形成されている。
は多数のセグメントＡがマトリックス状に配列されてで
きている。すなわち、電圧印加用電極８ａは、接続ライ
ン１３によって図中縦方向に接続され、複数のＸ電極膜
１、ｘ２） ！３・・・・・・を形成している。また、
電圧印加用電極８ｂは、接続電極１１によって図中横方
向に接続され、複数のＹ電極！！、ｙ２）ｙ３・・・・
・・を形成している。そして、Ｘ電極”１ｔ”２） ！
３・・・・・・と、Ｙ電極膜１、 ！２）ｙ３・・・・
・・との交差部分に電圧印加用電極８ａ、８ｂからなる
セグメントＡがそれぞれ形成されている。
そこで、今、Ｘ電極膜２とＹ電極膜２との間に交流電圧
を印加すると、Ｘ電極膜２とＹ電極膜２との交差部分に
位置するセグメントＡ′において、図中斜線部Ｂが発光
する。同様にして、交流電圧を印加するＸ電極膜１．ｘ
２） ｘ３・旧・・と、Ｙ電極Ｙｓ、Ｙ２）ｙ３・・・
・・・とを適宜選択することにより、任意のセグメント
Ａを発光させることができる。したがって、マトリック
ス表示による多様な表示が可能となる。
を印加すると、Ｘ電極膜２とＹ電極膜２との交差部分に
位置するセグメントＡ′において、図中斜線部Ｂが発光
する。同様にして、交流電圧を印加するＸ電極膜１．ｘ
２） ｘ３・旧・・と、Ｙ電極Ｙｓ、Ｙ２）ｙ３・・・
・・・とを適宜選択することにより、任意のセグメント
Ａを発光させることができる。したがって、マトリック
ス表示による多様な表示が可能となる。
なお、上記実施例において、フォトレジストの代りにド
ライフィルムレジストを用いても同様な薄膜ＥＬ表示素
子を製造することができる。
ライフィルムレジストを用いても同様な薄膜ＥＬ表示素
子を製造することができる。
さらに、上記実施例において、絶縁膜３．５の材質およ
び絶縁膜ｌＯの形成方法を変えた他の実施例を挙げると
、次の通りである。
び絶縁膜ｌＯの形成方法を変えた他の実施例を挙げると
、次の通りである。
第１図に示すように、市販の透明ガラス基板（：！−二
ｙグ＃７０５９） １上に、Ｉｎ２Ｑ ３−５ｎＱ２系
の透明導電膜７をスパッタリング法により厚さ約２００
０人に形成する。その後、エツチングにより第２図の点
線で示すような形状にする０次に、透明導電膜７上に酸
化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）と五酸化タンタル（Ｔａ２
０ｓ）からなる複合絶縁膜３をそれぞれ反応性スパッタ
リング法により厚さ約１０００人に形成する。続いて、
マンガンをドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｉｎ、Ｍｎｍ
０．３ａｔｌ）からなるＥＬ発光［４をスパッタリング
法により厚さ約８０００人に形成する。
ｙグ＃７０５９） １上に、Ｉｎ２Ｑ ３−５ｎＱ２系
の透明導電膜７をスパッタリング法により厚さ約２００
０人に形成する。その後、エツチングにより第２図の点
線で示すような形状にする０次に、透明導電膜７上に酸
化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）と五酸化タンタル（Ｔａ２
０ｓ）からなる複合絶縁膜３をそれぞれ反応性スパッタ
リング法により厚さ約１０００人に形成する。続いて、
マンガンをドープした硫化亜鉛（ＺｎＳ：Ｉｎ、Ｍｎｍ
０．３ａｔｌ）からなるＥＬ発光［４をスパッタリング
法により厚さ約８０００人に形成する。
さらに、その上に酸化イツトリウム（Ｙ２Ｏ２）と五酸
化タンタル（Ｔａ２０ｓ）からなる複合絶縁膜５をそれ
ぞれ反応性スパッタリング法により厚さ約３０００人に
形成する。さらに、その上にアルミニウムからなる電極
膜をスパッタリング法により厚さ約２０００人に形成し
、その後、エツチングにして電圧印加用電極８ａ、８ｂ
とする。電圧印加用電極８ａ、８ｂは、電気的に接続さ
れることなく互いに近接して形成され、一つのセグメン
）Ａをなしている。
化タンタル（Ｔａ２０ｓ）からなる複合絶縁膜５をそれ
ぞれ反応性スパッタリング法により厚さ約３０００人に
形成する。さらに、その上にアルミニウムからなる電極
膜をスパッタリング法により厚さ約２０００人に形成し
、その後、エツチングにして電圧印加用電極８ａ、８ｂ
とする。電圧印加用電極８ａ、８ｂは、電気的に接続さ
れることなく互いに近接して形成され、一つのセグメン
）Ａをなしている。
なお、前記透明導電膜７は、平面的に見たとき、このセ
グメントＡに重なるように形成されている０次に、二酸
化シリコン（Ｓｉ０２ ）からなる絶縁膜１０を反応性
スパッタリング法により厚さ約１ル層で形成する。そし
て、フォトレジストを厚さ約１ ｐ、ｍ塗布し、立体配
線の柱状部分θを形成する箇所が抜けるようにパターニ
ングする。その状態で、ＣＦａ ＋ Ｃ２Ｈａ系エツチ
ングガスを用いて電圧印加用電極８ｂのアルミニウム面
が現われるまで二酸化シリコンの絶縁１１１１Ｇをエツ
チングする。その後、アルミニウムをスパッタリング法
により厚さ約ＩＩＬ濡で形成し、次にレジストとレジス
ト上部のアルミニウムを除去する。この結果、立体配線
する柱状部３が形成される。その後、再びアルミニウム
をスパッタリング法で厚さ約２０００人で形成し、続い
てエツチングを行ない所定パターンの接続電極１１を形
成する。最後に、シリコン窒素酸化物（ＳｉＮｘＯｙ
、ただし！、ｙは適当な定数）からなるパッシベーショ
ンＭ８をスパッタリング法により厚さ約１ＪＬ１１で形
成する。こうして得られた薄膜ＥＬ表示素子においても
、前記実施例と同様なＥＬ発光がなされた。
グメントＡに重なるように形成されている０次に、二酸
化シリコン（Ｓｉ０２ ）からなる絶縁膜１０を反応性
スパッタリング法により厚さ約１ル層で形成する。そし
て、フォトレジストを厚さ約１ ｐ、ｍ塗布し、立体配
線の柱状部分θを形成する箇所が抜けるようにパターニ
ングする。その状態で、ＣＦａ ＋ Ｃ２Ｈａ系エツチ
ングガスを用いて電圧印加用電極８ｂのアルミニウム面
が現われるまで二酸化シリコンの絶縁１１１１Ｇをエツ
チングする。その後、アルミニウムをスパッタリング法
により厚さ約ＩＩＬ濡で形成し、次にレジストとレジス
ト上部のアルミニウムを除去する。この結果、立体配線
する柱状部３が形成される。その後、再びアルミニウム
をスパッタリング法で厚さ約２０００人で形成し、続い
てエツチングを行ない所定パターンの接続電極１１を形
成する。最後に、シリコン窒素酸化物（ＳｉＮｘＯｙ
、ただし！、ｙは適当な定数）からなるパッシベーショ
ンＭ８をスパッタリング法により厚さ約１ＪＬ１１で形
成する。こうして得られた薄膜ＥＬ表示素子においても
、前記実施例と同様なＥＬ発光がなされた。
「発明の効果」
以上説明したように、本発明によれば、電圧を印加する
電極がＥＬ発光層の背面側だけになるので、電極の取出
しが従来の薄１１１！Ｌ表示素子と比べて容易となる。
電極がＥＬ発光層の背面側だけになるので、電極の取出
しが従来の薄１１１！Ｌ表示素子と比べて容易となる。
また、表示面側の透明導電膜には直接電圧を印加しない
ので、透明導電膜の比抵抗に影響されることなく、パタ
ーンの形状や幅を自由に設定できる。さらに、電圧印加
用電極の一部がその上部に形成された絶縁膜を通して立
体配線されているので、Ｘ電極群とＹ電極群とを設けて
マトリックス表示を行なうことも可能である。加えて、
ＥＬ発光層の背面側の膜が多層となるので、耐湿性能も
向上する。
ので、透明導電膜の比抵抗に影響されることなく、パタ
ーンの形状や幅を自由に設定できる。さらに、電圧印加
用電極の一部がその上部に形成された絶縁膜を通して立
体配線されているので、Ｘ電極群とＹ電極群とを設けて
マトリックス表示を行なうことも可能である。加えて、
ＥＬ発光層の背面側の膜が多層となるので、耐湿性能も
向上する。
第１図は本発明の実施例による薄膜ＥＬ表示素子のセグ
メント部分を示す断面図、第２図は同薄膜ＥＬ表示素子
のセグメント部分の発光状態を示す平面構造図、第３図
は同薄膜ＥＬ表示素子のセグメントの配列状態を示す平
面構造図、第４図は従来のＥＬ表示素子の一例を示す部
分断面図である。 図中、１は透明ガラス基板、７は透明導電膜、３は絶縁
膜、礁はＥＬ発光膜、５は絶縁膜、８ａ、 ８ｂは電圧
印加用電極、８は柱状部、１０は絶縁膜、１１は接続電
極、Ａはセグメント、！１、！２） ｘ３はＸ電極、
！１、！２．！３はＹ電極である。
メント部分を示す断面図、第２図は同薄膜ＥＬ表示素子
のセグメント部分の発光状態を示す平面構造図、第３図
は同薄膜ＥＬ表示素子のセグメントの配列状態を示す平
面構造図、第４図は従来のＥＬ表示素子の一例を示す部
分断面図である。 図中、１は透明ガラス基板、７は透明導電膜、３は絶縁
膜、礁はＥＬ発光膜、５は絶縁膜、８ａ、 ８ｂは電圧
印加用電極、８は柱状部、１０は絶縁膜、１１は接続電
極、Ａはセグメント、！１、！２） ｘ３はＸ電極、
！１、！２．！３はＹ電極である。
Claims (2)
- （１） 透明基板上に形成された透明導電膜と、この
透明導電膜上に直接もしくは絶縁膜を介して形成された
ＥＬ発光膜と、このＥＬ発光膜上に直接もしくは絶縁膜
を介して形成された電気的に接続されていない少なくと
も一組の電圧印加用電極と、この電圧印加用電極の上に
形成された絶縁膜と、この絶縁膜上に形成された接続電
極とを備え、前記電圧印加用電極の一部が前記絶縁膜を
通して前記接続電極に立体的に接続されていることを特
徴とする薄膜ＥＬ表示素子。 - （２） 特許請求の範囲第１項において、前記電圧印
加用電極は電源の一方の端子に接続されるＸ電極群と電
源の他方の端子に接続されるＹ電極群とからなり、前記
Ｘ電極群と前記Ｙ電極群のいずれか一方は同一平面上で
接続され、前記Ｘ電極群と前記Ｙ電極群の他方は前記絶
縁膜を通して前記接続電極に立体的に接続され、前記Ｘ
電極群と前記Ｙ電極群とはマトリックス状に組まれて交
差部分は電気的に接続されることなく互いに近接した一
組の電極からなるセグメントをなしており、前記透明導
電膜は前記セグメントに対応して分離形成されている薄
膜ＥＬ表示素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123882A JPS61281279A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60123882A JPS61281279A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS61281279A true JPS61281279A (ja) | 1986-12-11 |
Family
ID=14871698
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60123882A Pending JPS61281279A (ja) | 1985-06-07 | 1985-06-07 | 薄膜ｅｌ表示素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS61281279A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106098U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-08 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562482A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electroluminescence element |
| JPS56168389A (en) * | 1980-04-24 | 1981-12-24 | Lohja Ab Oy | Electroluminescence structure |
-
1985
- 1985-06-07 JP JP60123882A patent/JPS61281279A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5562482A (en) * | 1978-11-06 | 1980-05-10 | Fuji Photo Film Co Ltd | Electroluminescence element |
| JPS56168389A (en) * | 1980-04-24 | 1981-12-24 | Lohja Ab Oy | Electroluminescence structure |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS63106098U (ja) * | 1986-12-27 | 1988-07-08 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPS61284091A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JP3927323B2 (ja) | 有機ｅｌフルカラーディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
| CN104835420B (zh) | 显示装置及其制造方法 | |
| US6225740B1 (en) | Electroluminescent lamps | |
| JP3918558B2 (ja) | 有機ｅｌ表示装置 | |
| JP3991605B2 (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 | |
| TW200805645A (en) | An electro-optic device and a method for producing the same | |
| JP2000077181A (ja) | Ｅｌ素子 | |
| JPS62122094A (ja) | カラ−薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS61281279A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JP2914355B2 (ja) | 有機ｅｌ素子 | |
| JPH0155757B2 (ja) | ||
| JPS62165895A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JP2000148090A (ja) | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 | |
| JPS62172692A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JP2003092190A (ja) | 有機エレクトロルミネセンス素子及びその製造方法 | |
| JPS6269492A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS6210898A (ja) | Ｅｌ素子及びその製造方法 | |
| JPS61279097A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS58154107A (ja) | 電極基板の製造方法 | |
| JPS62115123A (ja) | 表示素子用電極基板 | |
| JPH0119840Y2 (ja) | ||
| JPS63183486A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS6310493A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 | |
| JPS62172689A (ja) | 薄膜ｅｌ表示素子 |