JPS62170335A - 特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料及びその製造方法 - Google Patents

特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料及びその製造方法

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JPS62170335A
JPS62170335A JP62009185A JP918587A JPS62170335A JP S62170335 A JPS62170335 A JP S62170335A JP 62009185 A JP62009185 A JP 62009185A JP 918587 A JP918587 A JP 918587A JP S62170335 A JPS62170335 A JP S62170335A
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diffusion
blocking layer
tin
substrate
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JP62009185A
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エーリツヒ・ホーデス
クラウス・ゲルケ
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Glyco Metall Werke Daelen und Loos GmbH
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料に
して、 基体、例えば鋼層上に、銅及び又は錫を含有する中間層
及びこの層の上に一拡散阻止層によって分離されて一錫
及び又は銅を含有する機能層、例えば摩擦又は滑り層が
付設されており、その際拡散層は略0.5〜5μmの厚
さであり得、そして面心立方格子を形成する金属材料か
らなる層複合材料及びその製造方法に関する。
(従来の技術) 例えば、西独国特許公開公報第2853724号による
公知の層複合材料では、緊急走行特性を有する材料、例
えば鉛青銅から成る中間層とその上の機能層、例えば滑
り及び摩擦層が設けられており、その際中間層と機能層
又は滑り及び摩耗層の間には、高温で滑り層から出る錫
を捕捉し、錫と鉛青銅の胴から金属間脆性位相が生ずる
ことを回避するために、薄い、酸化しない拡散阻止層を
配設することが推奨される。後者は脆性特性に基づく滑
り及び摩擦要素の動的歪みの際に滑り及び摩擦層の溶け
るきっかけが生ずる。従って拡散阻止層として、西独国
特許公開公報第2853724号において、中間層と滑
り及び摩擦層の間にNiCr2O又は純粋のクロムから
なる拡散阻止層を設けることが提案された。しかし、実
際の経験では、ニッケル・クロム拡散阻止層も純粋なり
ロム・拡散阻止層も錫含有の滑り及び摩擦層(例えばA
lSn・合金)では全く効果がない。格子電子顕微鏡及
びマイクロプローブによる研究によれば、錫は明らかに
格子欠陥にNiCr2O又は純粋のクロムから成るその
ような拡散阻止層によって拡散され、そして鉛青銅中間
層の銅と金属間脆性位相、即ちCu、、Sn6となるこ
とがわかった、このことは実際に近い運転条件の下で滑
り層の破壊従って支承層の欠落に繋がった。
電気メッキによる拡散阻止層層付けも比較的多数の格子
欠陥を有し、従って温度の上昇の際同様に錫が機能層又
は滑り及び摩擦層から中間層へ拡散される。
(発明の課題) 本発明は冒頭に記載したような層複合材料を拡散阻止層
によって錫の拡散が実際上遮断され、又は少なくとも減
少されるように改良することを課題とする。
(課題の解決のための手段) 本発明の課題は拡散阻止層が真空中の陰極スパッタによ
って、面心立方格子の実際上格子欠陥のない再結晶され
た組織の形成の下に形成されている層複合材料によって
解決される。
(発明の効果) 陰極スパッタによる方法によって、面心立方格子から成
る金属材料から拡散阻止層を形成することによって一驚
(程の結果が生じたように一中間層からの機能層の溶は
出しが回避される。そのように面心立方格子から成る金
属材料からなる薄い層はメッキによってもつくられる。
しかし、メッキによる薄い層はしばしば結晶中の格子欠
陥を伴い、従って高温では錫がかなりの量、機能層から
中間層へ拡散される。
本発明の特別有利な実施形としては、拡散阻止層が少な
くとも10%(重it)の錫を含有したニッケル・錫合
金が形成される。次に拡散阻止層を形成する材料の錫含
有量は20%またはそれ以上の錫含有量となりやすいも
のと仮定される。拡散阻止層から錫が中間層へ転移され
、それから錫含有量は再び機能層から補完され、従って
錫が機能層から中間層へ間接的に拡散することが可能に
される。
しかし、実際にはこのような作用は生じない。驚くこと
に、少なくとも10%(重量)の錫含有のニッケル・錫
合金は機能層と中間層との間の許容できる錫の堰き止め
作用を行うようにされるからである。
本発明による層複合材料及びそめ製造方法は特別に有利
であり、本発明による、特に、滑り及び摩擦要素のため
の層複合材料にして、 基体、例えば鋼層上に、銅及び又は錫を含有する中間層
及びこの層の上に一拡散阻止層よによって分離されて一
錫及び又は銅を含有する機能層、例えば摩擦又は滑り層
が付設されており、その際拡散層はほぼ0.5〜5μm
の厚さであり得、そして面心立方格子を形成する金属材
料からなる層複合材料において、 拡散阻止層は真空中の陰極スパッタによって、面心立方
格子の実際上格子欠陥のない再結晶されたMi織の形成
の下に形成されていることを特徴とする層複合材料、 並びに拡散阻止層が少なくとも10%(質量)の錫を含
有するニッケル・錫合金から陰極スパッタによって形成
される層複合材料をを製造する方法において、 先に中間層を付けられた基体が真空中での反転された陰
極スパッタによる中間層の自由表面の洗浄又は腐食、及
び続いて拡散阻止層の得られるべき組織に相応して特定
される、基体及びプラズマ圧力の条件の下に陰極スパッ
タによる拡散阻止層の層付けを受けることを特徴とする
特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料及びその製
造方法によって特徴つけられている。
方法は好適である。その際層付けされる表面は出来る限
り高い温度で、そして受容体には出来る限り低いプラズ
マ圧力で陰極スパッタで層付けされる表面個所は原子程
度の大きさを有し、かつ層付けされる表面には高い運動
エネルギーが付与されるようにされる。層付けされるべ
き表面に当接の後に、層付される分子又は原子は平均し
て尚かなりの運動能力を保持し、その結果少なくとも1
部は再び多かれ少なかれ表面の当接個所で溶け、再結晶
過程の形で材料に特有な組織に入り込む。
分子又は原子の比較的高い相対運動は実際に格子欠陥の
ない組織の構成に繋がる。
勿論層付けされる表面の温度は中間層の組成によって上
限が設定される、すなわち中間層の構成部分、例えば鉛
は温度しきい値の上方で蒸発する。
この上限は本発明によれば、拡散阻止層が1つまたは複
数の原子の厚さに達しそれによって中間層の構成部分の
蒸発を阻止するように作用し得る場合、層付けされる表
面の基体温度は拡散阻止層の形成の間上昇する。陰極ス
パッタによって層付けされる表面に付けられる分子の運
動は受容体の出来る限り小さいプラズマ圧力で作用され
、それによってプラズマ分子と陰極スパッタ分子との衝
突回数は小さくされることによって高い値に保持される
。他方プラズマ圧力の著しい減少の際、陰極スパッタの
物理的媒介物である異常グロー放電は電流、従って陰極
スパッタの装入能力が過剰に低下する程に弱められる。
しかし、陰極スパッタのための物理的作業条件はこの限
界値に達する前に拡散阻止層の構成が再結晶の形で行わ
れるように調整され、かつ決定される。
形成されるべき拡散阻止層の厚さの改良は拡散阻止層の
形成の間に、基体にターゲットにかけられる負の電圧よ
りも小さいオーダーの負の電圧が印加される場合に達成
される。その際勿論層ずガス分子さもなければ異分子が
拡散阻止層の組織中に構成され、そこで不所望な格子欠
陥が形成されることが考慮される。しかし、事実このこ
とは層付けされる表面の正しく保持される高温及び受容
体の比較的低いプラズマ圧力との共同によって作用され
る。
拡散阻止層の形成の際の所望の温度への基体の加熱は中
間層の自由表面の清浄化又は腐食の間に利用される反転
される陰極スパッタが行われ、特にこの反転された陰極
スパッタは基体の所望の温度への加熱のために利用され
、これのみで、又は他のエネルギー供給による支持の下
に、例えば赤外線照射又は誘導加熱も使用され、その際
誘導加熱は磁界中で陰極スパッタが行われるべき場合は
殆ど考慮されない。拡散阻止層の形成のための陰極スパ
ッタの過程でも基体及び発生した拡散阻止層は例えば層
付けされる側で赤外線照射によって加熱されることがで
きる。
拡散阻止層への機能層の層付けは同様に陰極スパッタ及
びこれに続く拡散阻止層の層付けによって実施される。
その際たの材料による陰極スパッタへの移行、即ち機能
層のために設けられた材料のための陰極スパッタの移行
の際に、ターゲットまたは場合によっては、基体に印加
されるべき、正しく保持されるべきプラズマ圧力及びプ
ラズマの組成の電圧に関して他の運転条件の移行も可能
である。同時に受容体において工作物又は工作物部分で
の拡散阻止層も、他の工作物又は工作物部分でも機能層
をつけるために、合理的に受容体の内方に分離部及び仕
切板を設け、それによって工作物又は工作物帯状物が受
容体の分離された範囲から受容体の他の分離された範囲
に移行されることができる。
拡散阻止層の形成とは異なるプラズマ組成の元での機能
層の形成が行われる、かったの組成のプラズマが拡散阻
止層の新たに作られた自由表面上への不利な作用を有し
得る危険がある場合、本発明の範囲内で先ず、拡散阻止
層を被覆する薄い層を拡散阻止層の形成のための組成と
同様な組成のプラズマを使用して、陰極スパッタ反は赤
外線照射によって拡散阻止層の自由表面につけることが
可能であり、その際この保護層は既に機能層のために設
けられた材質から形成されることができる。
拡散阻止層の欠陥組織の1つの形成のために、陰極スパ
ッタによる拡散阻止層の形成のために利用されるターゲ
ット又はこれに含まれる材料が高度に脱ガスされる前処
理を施され、その結果拡散阻止層の形成のために利用さ
れるターゲット材料が特別のガス雰囲気によって特徴つ
けられる場合に、有利である。拡散阻止層の形成のため
に利用されるターゲットに含まれる材料の特別に脱ガス
される前処理は高真空溶融及び又は高真空灼熱及び又は
高真空蒸留から成ることができる。
(実施例) 鋼又は網支持ブツシュから成る支持層1上に例えば0.
2〜0.7mmの層厚さの銅含有軸受ハウジング材料、
例えば鉛青銅から成る中間層2が付けられる。 中間層
2の銅含有軸受ハウジング材料は多層滑り層の中間層に
おける銅含有軸受材料としては普通のものである。支持
層1とは反対側の中間層2の表面には、図示の例では略
3μmの厚さを存することができる拡散阻止層3が付け
られる。
拡散阻止層は図示の例では、20%(重量)の錫含有の
ニッケル・錫合金から成る。拡散阻止層は陰極スパッタ
によって中間層の自由表面につけられる。拡散阻止層3
の表面には、滑り層が真空中での陰極スパッタによって
付けられる。滑り層4は錫含有合金又は分散合金から成
る。滑り層4のための滑り軸受合金として、例えば錫ベ
ース、例えば合金5n12CubPbz又はかなりの錫
含有の鉛ベースの合金例えばPb5n 、。Cu2又は
Pb5n 、。が考慮される。
しかし、滑り層12は分散合金、特にAlSnベースの
もの特に、Al5n6、Al5nzo又はAlSn、、
からも形成され得る。
どんな場合でも、滑り層4にに含まれる錫は通常、中間
層2に拡散し、かつそこにある銅と金属間位相、特に金
属間脆性位相、即ちCuaSn5に一体化されようとし
、このことは滑り軸受の運転温度の上昇にともなって増
大する。公知の拡散阻止層、特にメッキによる拡散阻止
層は低温での錫の著しい拡散を起こしうる。高い運転温
度、例えば200°Cでは、及びそれ以上では錫は滑り
層から通常の拡散阻止層によって銅含有の中間層へ実際
に阻止されずに拡散する。このことは公知の拡散阻止層
の結晶組織における欠陥個所は温度上昇に基づいて運動
する錫原子が直ちに拡散阻止層を透過することができる
からである。
これに対して拡散阻止N3がスパツクされる場合、再結
晶によって実際に格子欠陥のない面心立方格子5が形成
される(第3図)。再結晶されかつ格子欠陥のない面心
立方格子によって、図示の例で設けられたニッケル錫合
金は200”C及びそれ以上の温度でも実際に拡散する
錫に対して不遇第1図は本発明による層複合材料から形
成された滑り軸受ブツシュの斜視図、第2図は第1図の
A−B線に沿う部分断面図そして第3図は結晶格子を図
式的に示す第2図のC部拡大図である。
図中符号 3 ・・・拡散阻止層

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料にし
    て、基体、例えば鋼層上に、銅及び又は錫を含有する中
    間層及びこの層の上に−拡散阻止層によって分離されて
    −錫及び又は銅を含有する機能層、例えば摩擦又は滑り
    層が付設されており、その際拡散層は略0.5〜5μm
    の厚さであり得、そして面心立方格子を形成する金属材
    料からなる層複合材料において、拡散阻止層(3)は真
    空中の陰極スパッタによって、面心立方格子の実際上格
    子欠陥のない再結晶された組織の形成の下に形成されて
    いることを特徴とする層複合材料。
  2. (2)拡散阻止層(3)が少なくとも10%(重量)の
    錫を含有するニッケル・錫合金から陰極スパッタによっ
    て形成される、特許請求の範囲第1項記載の層複合材料
  3. (3)特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料にし
    て、基体、例えば鋼層上に、銅及び又は錫を含有する中
    間層及びこの層の上に−拡散阻止層によって分離されて
    −錫及び又は銅を含有する機能層、例えば摩擦又は滑り
    層が付けられており、その際拡散層はほぼ0.5〜5μ
    mの厚さであり得、そして面心立方格子を形成する金属
    材料からなる層複合材料において、拡散阻止層(3)は
    真空中の陰極スパッタによって、面心立方格子の実際上
    格子欠陥のない再結晶された組織の形成の下に形成され
    ている層複合材料を製造する方法において、先に中間層
    を付けられた基体が真空中での反転された陰極スパッタ
    による中間層の自由表面の洗浄又は腐食、及び続いて拡
    散阻止層の得られるべき組織に相応して特定される、基
    体及びプラズマ圧力の条件の下で陰極スパッタによる拡
    散阻止層の層付けを受けることを特徴とする特に、滑り
    及び摩擦要素のための層複合材料及びその製造方法。
  4. (4)拡散阻止層の形成の間、基体の温度は中間層の組
    成に相応した許容最大値に、そして受容中のプラズマ圧
    力はターゲットへの選択された電位の印加の下に陰極ス
    パッタの際に保持されるべき異常グロー放電におけるの
    最小電流に相応した値に調整される、特許請求の範囲第
    3項記載の方法。
  5. (5)拡散阻止層の形成の間、負の電圧が基体に印加さ
    れ、その電圧はターゲットに印加される負の電圧よりも
    小さいオーダである、特許請求の範囲第3項又は4項記
    載の方法。
  6. (6)基体の加熱は拡散阻止層の形成の際の所望の温度
    で、一方反転されて陰極スパッタによって中間層の自由
    表面の洗浄又は腐食のために行われる、特許請求の範囲
    第3項から第5項までのうちの何れか1つに記載の方法
  7. (7)拡散阻止層の形成のための陰極スパッタの過程で
    、基体及び発生した拡散阻止層は例えば、層付けされる
    面への赤外線放射によって加熱される、特許請求の範囲
    第3項から第6項までのうちのいずれか1つに記載の方
    法。
  8. (8)拡散阻止層の形成が磁界における陰極スパッタに
    よって行われる、特許請求の範囲第3項から第7項まで
    のうちのいずれか1つに記載の方法。
  9. (9)機能層は拡散阻止層の層付けに直ぐ続いて、その
    自由表面に陰極スパッタ又はイオンプレーテングによっ
    て付けられ、その際電圧及びプラズマ圧力は機能層の形
    成のために所望の条件に調整される、特許請求の範囲第
    3項から第8項までのうちのいずれか1つに記載の方法
  10. (10)拡散阻止層の形成の際とは異なるプラズマ組成
    の下に機能層を形成する際に、先ず拡散阻止層を被覆す
    る薄い保護層が拡散阻止層の形成のためと同様な組成の
    プラズマの利用の下に、好ましくは機能層のために設け
    られた材質からな成る拡散阻止層の自由表面への陰極ス
    パッタ又はイオンプレーテングによって行われる、特許
    請求の範囲第9項記載の方法。
  11. (11)陰極スパッタによる拡散阻止層の形成のために
    利用されるターゲット又はそこに含まれる材質又は材料
    は高度に脱ガスされる前処理を受ける、特許請求の範囲
    第3項から第19項までのうちのいずれか1つに記載の
    方法。
  12. (12)拡散阻止層の形成のために利用されるターゲッ
    トを含む材質又は材料は高真空溶融及び又は高真空灼熱
    及び又は高真空蒸留を受ける、特許請求の範囲第11項
    記載の方法。
JP62009185A 1986-01-20 1987-01-20 特に、滑り及び摩擦要素のための層複合材料及びその製造方法 Pending JPS62170335A (ja)

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Application Number Priority Date Filing Date Title
DE3601439.7 1986-01-20
DE3601439A DE3601439C1 (de) 1986-01-20 1986-01-20 Schichtverbundwerkstoff,insbesondere fuer Gleit- und Reibelemente,sowie Verfahren zu seiner Herstellung

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Publication Number Publication Date
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JP (1) JPS62170335A (ja)
AT (1) AT393367B (ja)
BR (1) BR8700174A (ja)
CH (1) CH672318A5 (ja)
DE (1) DE3601439C1 (ja)
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