JPS62170044A - 光記録媒体 - Google Patents
光記録媒体Info
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- JPS62170044A JPS62170044A JP61012387A JP1238786A JPS62170044A JP S62170044 A JPS62170044 A JP S62170044A JP 61012387 A JP61012387 A JP 61012387A JP 1238786 A JP1238786 A JP 1238786A JP S62170044 A JPS62170044 A JP S62170044A
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- JP
- Japan
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- optical recording
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- dicyano
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- Pending
Links
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Landscapes
- Thermal Transfer Or Thermal Recording In General (AREA)
- Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明はレーザ光によって情報を記録再生することので
きる光記録媒体に関するものである。
きる光記録媒体に関するものである。
（従来の技術）
レーザ光によって情報を媒体に記録し、かつ再生する光
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Ｔｅ等のカルコゲン元素、又はこれらの化
合物が使用されている（特公昭４７−２６８９７）。と
（にテルルセレン系合金はよく使用されている（特開昭
４７−４８３２．特開昭５０−４２８４９゜特開昭５０
４３９４７）。近年、記録装置を小型化するため、レー
ザ光源としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が８０００人前後であるが、テル
ルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適
度な反射率と適度な吸収率が得られる（フィシかスティ
タス・ソリダイ（ｐｈｙｓ。
デイスクメモリは、記録密度が高いことから大容量記録
装置として優れた特徴を有している。この光記録媒体材
料としては、Ｔｅ等のカルコゲン元素、又はこれらの化
合物が使用されている（特公昭４７−２６８９７）。と
（にテルルセレン系合金はよく使用されている（特開昭
４７−４８３２．特開昭５０−４２８４９゜特開昭５０
４３９４７）。近年、記録装置を小型化するため、レー
ザ光源としては半導体レーザが使用されてきている。半
導体レーザは発振波長が８０００人前後であるが、テル
ルセレン系合金はこの波長帯にも比較的よく適合し、適
度な反射率と適度な吸収率が得られる（フィシかスティ
タス・ソリダイ（ｐｈｙｓ。
５ｔａｔ、ｓｏｌ、７．１８９．１９６４））。
（発明が解決しようとする問題点）
しかしながら、安価な半導体レーザを使用するためには
、これらの媒体では記録感度が十分ではなかった。
、これらの媒体では記録感度が十分ではなかった。
本発明の目的は、耐候性がよくかつ高感度で信号品質の
良好な光記録媒体を提供することにある。
良好な光記録媒体を提供することにある。
（問題を解決するための手段）
本発明の光記録媒体は情報をレーザ光線によって記録し
かつ読み取る光記録媒体であって、５−アミノ−８−（
置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素或いは５．８−（置換アニリノ）−２゜３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素或いはこれらの金属
錯体或いはこれらの混合物を主成分とする有機薄膜と、
テルルセレン合金を主成分とする薄膜との少なくとも２
層を有していることを特徴とする。
かつ読み取る光記録媒体であって、５−アミノ−８−（
置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキ
ノン色素或いは５．８−（置換アニリノ）−２゜３−ジ
シアノ−１，４−ナフトキノン色素或いはこれらの金属
錯体或いはこれらの混合物を主成分とする有機薄膜と、
テルルセレン合金を主成分とする薄膜との少なくとも２
層を有していることを特徴とする。
（作用）
光記録媒体は従来第２図のような構成になっていた。即
ち基板１の上に記録層４が形成されている。
ち基板１の上に記録層４が形成されている。
記録用レーザ光は基板１を通して記録層４に集光照射さ
れ、ピット５が形成される。基板１としてはポリカーボ
ネートやアクリル樹脂等の合成樹脂やガラスが使用され
る。記録層としては種々の材料を使用できるが耐候性を
考慮すると、テルルセレン合金が望ましい。しかしなが
ら、テルルセレン合金膜のみでは、低パワー出力である
安価な半導体レーザを記録光源として使用することがで
きない。そこで、基板と記録層との間に有機物であるグ
アニン膜を挿入すると高感度になるという提案がなされ
ている（特開昭５９−２３２８９５）が、本発明者らが
評価したところによるとこの構成では耐候性が充分であ
るという結果は得られなかった。本発明者らは種々の有
機物を検討した結果、５−アミノ−８−（置換アニリノ
）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素或い
は５．８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素或いはこれらの金属錯体或いはこ
れらの混合物を主成分とする有機薄膜を第１図に示すよ
うに挿入すると高感度でかつ充分な耐候性の光記録媒体
が得られること見出し、本発明に到ったものである。
れ、ピット５が形成される。基板１としてはポリカーボ
ネートやアクリル樹脂等の合成樹脂やガラスが使用され
る。記録層としては種々の材料を使用できるが耐候性を
考慮すると、テルルセレン合金が望ましい。しかしなが
ら、テルルセレン合金膜のみでは、低パワー出力である
安価な半導体レーザを記録光源として使用することがで
きない。そこで、基板と記録層との間に有機物であるグ
アニン膜を挿入すると高感度になるという提案がなされ
ている（特開昭５９−２３２８９５）が、本発明者らが
評価したところによるとこの構成では耐候性が充分であ
るという結果は得られなかった。本発明者らは種々の有
機物を検討した結果、５−アミノ−８−（置換アニリノ
）−２，３−ジシアノ−１，４−ナフトキノン色素或い
は５．８−（置換アニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素或いはこれらの金属錯体或いはこ
れらの混合物を主成分とする有機薄膜を第１図に示すよ
うに挿入すると高感度でかつ充分な耐候性の光記録媒体
が得られること見出し、本発明に到ったものである。
（実施例１）
以下本発明の実施例について説明する。
内径１５ｍｍ、外径１３０ｍｍ、厚さ１．２ｍｍの案内
溝付きポリカーボネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装
置内に入れ、２Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸
発源としては、第１の抵抗加熱用ボート５−アミノ−８
−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素が９５％以上含まれているナフト
キノン系色素を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにＴｅを
入れ、第３の抵抗加熱用ボートにＳｅを入れた。まず、
ナフトキノン系色素を１００人厚蒸着し、次にＴｅとＳ
ｅを共蒸着することによりＴｅが７７Ｍ子、Ｓｅが２３
原子％の２２５人厚０テルルセレン合金膜を形成した。
溝付きポリカーボネート樹脂ディスク基板を真空蒸着装
置内に入れ、２Ｘ１０−５Ｔｏｒｒ以下に排気した。蒸
発源としては、第１の抵抗加熱用ボート５−アミノ−８
−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ−１，
４−ナフトキノン色素が９５％以上含まれているナフト
キノン系色素を入れ、第２の抵抗加熱用ボートにＴｅを
入れ、第３の抵抗加熱用ボートにＳｅを入れた。まず、
ナフトキノン系色素を１００人厚蒸着し、次にＴｅとＳ
ｅを共蒸着することによりＴｅが７７Ｍ子、Ｓｅが２３
原子％の２２５人厚０テルルセレン合金膜を形成した。
この光ディスクを８０°Ｃの窒素雰囲気中で１時間アニ
ールしたのち、波長５ｓｏｏＡにおける基板入射反射率
を測定したところ２９％であり、吸収率は３８％であっ
た。波長８３００人のＡｌＧａＡｓ半導体レーザを用い
て、媒体線速度５．６ｍ／ｓｅｅ、記録周波数０．６２
５ＭＨｚ（デユーティ５０％）の条件で３．５ｍＷで記
録し、０．７ｍＷで再生したところ、バンド幅３０ｋＨ
ｚの信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）は４５ｄＢ以上、第２高調
波対信号比（２ｎｄＨ／Ｃ）は−２０ｄＢと良好な品質
の信号が得られた。比較のためのナフトキノン系色素層
を設けないディスクでは、２ｎｄＨ／Ｃが最小となるの
に５．５ｍＷも記録パワーを必要とし、信号品質も良好
ではなかった。次に、この光記録媒体を６０°０８０％
の高温高湿度の環境に１２０時間保存した後、上記特性
を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。比較のためのナフトキノン系色素
層のかわりにグアニン層を設けたディスクではグアニン
の結晶化によるノイズの上昇が観測され、良好な品質の
信号は得られなかった。他の比較のためのナフトキノン
系色素層の上にテルル層を設けたディスクでは、テルル
の酸化のため良好な品質の信号は得られなかった。
ールしたのち、波長５ｓｏｏＡにおける基板入射反射率
を測定したところ２９％であり、吸収率は３８％であっ
た。波長８３００人のＡｌＧａＡｓ半導体レーザを用い
て、媒体線速度５．６ｍ／ｓｅｅ、記録周波数０．６２
５ＭＨｚ（デユーティ５０％）の条件で３．５ｍＷで記
録し、０．７ｍＷで再生したところ、バンド幅３０ｋＨ
ｚの信号対雑音比（Ｃ／Ｎ）は４５ｄＢ以上、第２高調
波対信号比（２ｎｄＨ／Ｃ）は−２０ｄＢと良好な品質
の信号が得られた。比較のためのナフトキノン系色素層
を設けないディスクでは、２ｎｄＨ／Ｃが最小となるの
に５．５ｍＷも記録パワーを必要とし、信号品質も良好
ではなかった。次に、この光記録媒体を６０°０８０％
の高温高湿度の環境に１２０時間保存した後、上記特性
を調べたが変化はなく、耐候性に優れた光記録媒体であ
ることが確認された。比較のためのナフトキノン系色素
層のかわりにグアニン層を設けたディスクではグアニン
の結晶化によるノイズの上昇が観測され、良好な品質の
信号は得られなかった。他の比較のためのナフトキノン
系色素層の上にテルル層を設けたディスクでは、テルル
の酸化のため良好な品質の信号は得られなかった。
（実施例２）
実施例１と同様にして、ナフトキノン系色素として５−
アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシ
アノ−１，４−ナフトキノン色素が重量％で約９８％、
５゜８−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ
−１，４−ナフトキノン色素が重量％で約２％の混合物
を用い、テルルセレン系合金としてＴｅとＳｅとｐｂが
原子％で８θ対１５対５の組成を用いた。実施例１と同
様にして評価したところ、記録パワー３．５ｍＷで良好
な記録が可能であった。比較のためのナフトキノン系色
素層を設けないディスクでは５．５ｍＷの記録パワーを
必要とした。本発明の記録媒体を６０００８０％の条件
に１２０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された
。
アミノ−８−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシ
アノ−１，４−ナフトキノン色素が重量％で約９８％、
５゜８−（ｐ−エトキシアニリノ）−２，３−ジシアノ
−１，４−ナフトキノン色素が重量％で約２％の混合物
を用い、テルルセレン系合金としてＴｅとＳｅとｐｂが
原子％で８θ対１５対５の組成を用いた。実施例１と同
様にして評価したところ、記録パワー３．５ｍＷで良好
な記録が可能であった。比較のためのナフトキノン系色
素層を設けないディスクでは５．５ｍＷの記録パワーを
必要とした。本発明の記録媒体を６０００８０％の条件
に１２０時間保存した後、上記特性を調べたが変化はな
く、耐候性に優れた光記録媒体であることが確認された
。
（発明の効果）
上記実施例から明らかなように、本発明により耐候性が
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
よくかつ高感度で信号品質の良好な光記録媒体が得られ
る。
第１図は本発明の光記録媒体の一例を示す断面概略図、
第２図は従来の光記録媒体の断面概略図である。図にお
いて、１は基板、２はナフトキノン系色素層、３はテル
ルセレン合金層、４は記録層を示す。 代理にブｒ ７’ｌ’！ ｙ）−内 原 １当“７
１ 図 ７２ 図 ５ ピット
第２図は従来の光記録媒体の断面概略図である。図にお
いて、１は基板、２はナフトキノン系色素層、３はテル
ルセレン合金層、４は記録層を示す。 代理にブｒ ７’ｌ’！ ｙ）−内 原 １当“７
１ 図 ７２ 図 ５ ピット
Claims (1)
- 情報をレーザ光線によって記録しかつ読み取る光記録媒
体において、５−アミノ−８−（置換アニリノ）−２、
３−ジシアノ−１、４−ナフトキノン色素或いは５、８
−（置換アニリノ）−２、３−ジシアノ−１、４−ナフ
トキノン色素或いはこれらの金属錯体或いはこれらの混
合物を主成分とする有機薄膜と、テルルセレン合金を主
成分とする薄膜との少なくとも２層を有していることを
特徴とする光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012387A JPS62170044A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61012387A JPS62170044A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62170044A true JPS62170044A (ja) | 1987-07-27 |
Family
ID=11803856
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61012387A Pending JPS62170044A (ja) | 1986-01-22 | 1986-01-22 | 光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62170044A (ja) |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199292A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-12 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
-
1986
- 1986-01-22 JP JP61012387A patent/JPS62170044A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59199292A (ja) * | 1983-04-28 | 1984-11-12 | Nec Corp | 光学記録媒体 |
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