JPS62166319A - エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 - Google Patents
エレクトロクロミツク表示装置の製造方法Info
- Publication number
- JPS62166319A JPS62166319A JP61009425A JP942586A JPS62166319A JP S62166319 A JPS62166319 A JP S62166319A JP 61009425 A JP61009425 A JP 61009425A JP 942586 A JP942586 A JP 942586A JP S62166319 A JPS62166319 A JP S62166319A
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- Japan
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- glass substrate
- ito
- electrochromic
- heat
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- Electrochromic Elements, Electrophoresis, Or Variable Reflection Or Absorption Elements (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［産業上の利用分野］
本発明はエレクトロクロミンク表示装置の製造方法に関
し、より詳しくいえば、より均一な膜厚のエレクトロク
ロミック発色層をもつエレクトロクロミック表示装置の
製造方法に関する。
し、より詳しくいえば、より均一な膜厚のエレクトロク
ロミック発色層をもつエレクトロクロミック表示装置の
製造方法に関する。
［従来の技術］
従来の真空蒸着法、スパッタリング法、イオンブレーテ
ィング法等によって、ガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ ７ｉｍ Ｑｘｉｄｅ）を形成し、それをエレ
クトロクロミック材料である導電性高分子材料の析出電
極として用いていた。
ィング法等によって、ガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉ
ｕｍ ７ｉｍ Ｑｘｉｄｅ）を形成し、それをエレ
クトロクロミック材料である導電性高分子材料の析出電
極として用いていた。
［発明が解決しようとする問題点］
上記のＩＴＯガラス基板では、高分子材料により均一に
肴かなかったり、着いても第２図に示すようにまだらで
あったリーして、エレクトロクロミックディスプレイに
必要な均一な膜は成膜できない。従ってこのＩＴＯガラ
ス基板を表示電極として用いたエレクトロクロミックセ
ルを使用したエレクトロクロミック表示装置においては
、表示が不肖となりまた大面積の表示とすることができ
ない。
肴かなかったり、着いても第２図に示すようにまだらで
あったリーして、エレクトロクロミックディスプレイに
必要な均一な膜は成膜できない。従ってこのＩＴＯガラ
ス基板を表示電極として用いたエレクトロクロミックセ
ルを使用したエレクトロクロミック表示装置においては
、表示が不肖となりまた大面積の表示とすることができ
ない。
本発明は上記欠点を克服するものであり、より均一な導
電性高分子膜から成るエレクトロクロミック発色層を有
するエレクトロクロミック表示装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
電性高分子膜から成るエレクトロクロミック発色層を有
するエレクトロクロミック表示装置の製造方法を提供す
ることを目的とする。
［問題点を解決するための手段］
本発明のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、
ガラス基板上に■］”Ｏを形成するｒＴＯ形成工程と、 得られたＩＴＯガラス基板を真空度１０″″３Ｔｏｒｒ
以上、温度３５０〜４５０℃で２時間以上熱処理を行う
熱処理工程と、 熱処理が行われたＩＴＯガラス基板を析出電極としてア
ニリン、チオフェン等を電解酸化重合を行って該［ＴＯ
ガラス基板表面上に高分子膜から成るエレクトロクロミ
ック発色層を形成させる酸化重合工程と、を含むことを
特徴とする。
ガラス基板上に■］”Ｏを形成するｒＴＯ形成工程と、 得られたＩＴＯガラス基板を真空度１０″″３Ｔｏｒｒ
以上、温度３５０〜４５０℃で２時間以上熱処理を行う
熱処理工程と、 熱処理が行われたＩＴＯガラス基板を析出電極としてア
ニリン、チオフェン等を電解酸化重合を行って該［ＴＯ
ガラス基板表面上に高分子膜から成るエレクトロクロミ
ック発色層を形成させる酸化重合工程と、を含むことを
特徴とする。
このＩＴＯ形成工程は、ガラス基板上にＩＴＯを形成す
る工程である。このＩＴＯを形成する方法としては、真
空蒸着、スパッタリング法又はイオンプレーディング法
等の通常用いられる公知の方法を用いることができる。
る工程である。このＩＴＯを形成する方法としては、真
空蒸着、スパッタリング法又はイオンプレーディング法
等の通常用いられる公知の方法を用いることができる。
またこのガラス基板としては、通常用いられるものを用
いることができる。
いることができる。
上記熱処理工程は、本発明においても最も特徴的な工程
であり、ｊｑられたガラス基板を真空度１０−３Ｔｏｒ
ｒ以上、温度３５０〜４５０℃で２時間以上行う工程で
ある。
であり、ｊｑられたガラス基板を真空度１０−３Ｔｏｒ
ｒ以上、温度３５０〜４５０℃で２時間以上行う工程で
ある。
この真空度が１０−３Ｔｏｒｒ未満ｔ−４１、ＩＴＯの
付着が不均一であったりＩＴＯガラス基板が着色したり
するので好ましくない。これはガラス基板上に付着する
酸素又は雰囲気中の酸素の量が多いから生じるものと考
えられる。従ってこの真空度はできるだけ高真空が好ま
しい。通常、この真空度は１０−３〜１０−”Ｔｏｒｒ
程度である。
付着が不均一であったりＩＴＯガラス基板が着色したり
するので好ましくない。これはガラス基板上に付着する
酸素又は雰囲気中の酸素の量が多いから生じるものと考
えられる。従ってこの真空度はできるだけ高真空が好ま
しい。通常、この真空度は１０−３〜１０−”Ｔｏｒｒ
程度である。
処理温度は３５０〜４５０’Ｃである。３５０℃未満で
はガラス基板上 十分となるので好ましくなく、また４５０℃を超える場
合には、基板ガラスの軟化変形のため好ましくない。ま
た処理時間は２時間以上であり、できるだけ長い方が酸
素等の排除の観点から好ましい。この処理時間は、真空
度又は処理温度との関連で定められるが、通常、２〜４
時間程度である。
はガラス基板上 十分となるので好ましくなく、また４５０℃を超える場
合には、基板ガラスの軟化変形のため好ましくない。ま
た処理時間は２時間以上であり、できるだけ長い方が酸
素等の排除の観点から好ましい。この処理時間は、真空
度又は処理温度との関連で定められるが、通常、２〜４
時間程度である。
上記酸化重合工程は、熱処理工程が行われたＩＴｏガラ
ス基板を析出電極としてチオフェン、アニリン等を電解
酸化重合を行って該ＩＴＯガラス基板表面上に高分子膜
から成るエレクトロクロミック発色層を形成させる工程
である。
ス基板を析出電極としてチオフェン、アニリン等を電解
酸化重合を行って該ＩＴＯガラス基板表面上に高分子膜
から成るエレクトロクロミック発色層を形成させる工程
である。
この電界酸化重合とは、例えばアニリン等をとかした硫
酸水溶液を用意し、これにＩＴＯガラス基板と対向電極
板とを浸し、該ＩＴＯガラス基板のｒ］−〇層側等が正
極となるように数ポル］・程度の電圧を印加して行なわ
れる重合をいう。すると数秒でＩＴＯＩＩ上に所望の厚
さのポリアニリン躾等が成長する。
酸水溶液を用意し、これにＩＴＯガラス基板と対向電極
板とを浸し、該ＩＴＯガラス基板のｒ］−〇層側等が正
極となるように数ポル］・程度の電圧を印加して行なわ
れる重合をいう。すると数秒でＩＴＯＩＩ上に所望の厚
さのポリアニリン躾等が成長する。
上記各工程を経た後、通常以下のようにしてエレクトロ
クロミック表示装置は製造される。まず上記所定のエレ
クトロクロミック発色層を有するＩＴＯガラス基板と他
のＩＴＯガラス基板との周端部側にスベー丈を配置し、
それらの周囲を注入口となる１箇所を除いて接着剤でシ
ールし、該注入口から真空注入法によってそれらの間に
所定の電解液を注入し、該注入口をシールする。このよ
うにしてエレクトロクロミックはルを製作し、次いで所
定の電気回路等を接続して、本表示装置を製造する。
クロミック表示装置は製造される。まず上記所定のエレ
クトロクロミック発色層を有するＩＴＯガラス基板と他
のＩＴＯガラス基板との周端部側にスベー丈を配置し、
それらの周囲を注入口となる１箇所を除いて接着剤でシ
ールし、該注入口から真空注入法によってそれらの間に
所定の電解液を注入し、該注入口をシールする。このよ
うにしてエレクトロクロミックはルを製作し、次いで所
定の電気回路等を接続して、本表示装置を製造する。
［発明の効果］
本発明のエレクトロクロミック表示装置の製造方法は、
ガラス基板上に【ＴＯを形成するＩＴＯ形成工程と、得
られたＩＴＯガラス基板を真空度１０−３Ｔｏｒｒ以上
、温度３５０〜４５０℃で２時間以上熱処理を行う熱処
理工程と、熱処理が行われたＩＴＯガラス基板を析出電
極としてアニリン等を電解酸化重合を行って該熱処理後
ＩＴＯガラス表面上に高分子膜から成るエレクトロクロ
ミック発色層を形成させる酸化重合工程と、から成るこ
とを特徴とする。
ガラス基板上に【ＴＯを形成するＩＴＯ形成工程と、得
られたＩＴＯガラス基板を真空度１０−３Ｔｏｒｒ以上
、温度３５０〜４５０℃で２時間以上熱処理を行う熱処
理工程と、熱処理が行われたＩＴＯガラス基板を析出電
極としてアニリン等を電解酸化重合を行って該熱処理後
ＩＴＯガラス表面上に高分子膜から成るエレクトロクロ
ミック発色層を形成させる酸化重合工程と、から成るこ
とを特徴とする。
従って、本製造方法によれば、ＩＴＯガラスを高真空下
等の酸素がほとんど含まれないと思われる条件で熱処理
をした後、アニリン等の電解酸化重合を行なうので、均
一な種々の導電性高分子膜から成るエレクトロクロミッ
ク発色層を１９にとができる。故に本製造方法によれば
表示が均一なエレクトロクロミック表示装置とすること
ができるし、また、大面積のエレクトロクロミック表示
装置とすることが可能となる。
等の酸素がほとんど含まれないと思われる条件で熱処理
をした後、アニリン等の電解酸化重合を行なうので、均
一な種々の導電性高分子膜から成るエレクトロクロミッ
ク発色層を１９にとができる。故に本製造方法によれば
表示が均一なエレクトロクロミック表示装置とすること
ができるし、また、大面積のエレクトロクロミック表示
装置とすることが可能となる。
［実施例］
以下、実施例により本発明を説明する。
以下の２つの条件下において熱処理を行なった。
（１）スパッタリング法により形成したＩＴＯ付ガラス
基板（板厚１ｎＩＲ，ｒＴｏ！Ｉ！厚１０００人）を真
空度１０−５Ｔｏｒｒで４５０℃、３時間の熱処理を行
なった。
基板（板厚１ｎＩＲ，ｒＴｏ！Ｉ！厚１０００人）を真
空度１０−５Ｔｏｒｒで４５０℃、３時間の熱処理を行
なった。
なおこのスパッタリング法による形成条件は、ＩＴＯを
ターゲットとし、アルゴン分圧１０″″３Ｔｏｒｒ、基
体ガラス温度１２０℃で行った。
ターゲットとし、アルゴン分圧１０″″３Ｔｏｒｒ、基
体ガラス温度１２０℃で行った。
（２）イオンブレーティング法により形成したＩＴｏガ
ラス基板（板厚１１１Ｉ１１ ＩＴｏ膜厚１０００人）
を、真空度１０−４Ｔｏｒｒｉ’４００℃、３時間の熱
処理を行なった。
ラス基板（板厚１１１Ｉ１１ ＩＴｏ膜厚１０００人）
を、真空度１０−４Ｔｏｒｒｉ’４００℃、３時間の熱
処理を行なった。
なおこのイオンブレーティング法による形成条件は、Ｉ
ＴＯを蒸発源としアルゴン分圧１０−３Ｔｏｒｒ、Ｗ体
ガラス温度２５０℃で行なった。
ＴＯを蒸発源としアルゴン分圧１０−３Ｔｏｒｒ、Ｗ体
ガラス温度２５０℃で行なった。
上記（１）（２）のいずれの場合も０．２Ｍ（モル／又
）−チオフェン＋０．１Ｍ−ＬｉＢＦ４／アセトニトリ
ルの電解液中で電解酸化重合を行なって、このＩＴＯガ
ラス基板上にポリチオフェン膜を形成させ、上記（１）
におけるその成膜状態を示す写真（１，５倍）を第１図
に示した。
）−チオフェン＋０．１Ｍ−ＬｉＢＦ４／アセトニトリ
ルの電解液中で電解酸化重合を行なって、このＩＴＯガ
ラス基板上にポリチオフェン膜を形成させ、上記（１）
におけるその成膜状態を示す写真（１，５倍）を第１図
に示した。
なお上記（２）における成膜状態も、第１図に示したも
のとほぼ同じである。
のとほぼ同じである。
一方上記（１）の熱処理前のＩＴＯガラス基板上に、上
記と同様にしてポリチオフェン膜を形成させ、その成膜
状態を示す写真（１，５倍）を第２図に示した。なお第
１図および第２図において、黒かつ色部分は高分子膜を
、白色（透明）部分はガラス基板を示している。
記と同様にしてポリチオフェン膜を形成させ、その成膜
状態を示す写真（１，５倍）を第２図に示した。なお第
１図および第２図において、黒かつ色部分は高分子膜を
、白色（透明）部分はガラス基板を示している。
これらの図によれば、熱処理をする萌は、第２図に示す
ようにポリチオフェン膜がこの基板上にまだらにしか肴
かなかったものが、熱処理後は第１図に示すように、ま
だら模様がなくなり均一に看いている。従って本実施例
では、均一なポリチオフェン膜を得ることができたので
、このチオフェン膜を有するガラス基板を表示電極とす
れば、均一な表示のエレクトロクロミック表示装置とす
ることが可能であり、また大面積のエレクトロクロミッ
ク表示装置の表示電極とすることが可能となった。
ようにポリチオフェン膜がこの基板上にまだらにしか肴
かなかったものが、熱処理後は第１図に示すように、ま
だら模様がなくなり均一に看いている。従って本実施例
では、均一なポリチオフェン膜を得ることができたので
、このチオフェン膜を有するガラス基板を表示電極とす
れば、均一な表示のエレクトロクロミック表示装置とす
ることが可能であり、また大面積のエレクトロクロミッ
ク表示装置の表示電極とすることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
第１図は本実施例により熱処理が行なわれたＩＴｏガラ
ス基板を析出電極として重合させて形成されたエレクト
ロクロミック発色層の結晶の構造の拡大写真図である。 第２図は熱処理が行なわれていないＩＴＯガラス基板を
析出電極として重合させて形成されたエレクトロクロミ
ック発色層の結晶の構造の拡大写具図である。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社代理人
弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫 図面の浄書、（内容に変更なし） 第１図 第２図 手続補正書く方式） 昭和６１年４月７日 特ム’ｌ ＩＴ長官 宇 買 道 ［＋Ｉｓ
殿１、事ｆ［の表示 昭和６１年特許願第００９４２５号 ２、発明の名称 エレクト【」りＯミック表示装置の製造方ン去；３．補
正をする者 事ｆ１との関係 特許出頼人 愛知県費田市トヨタ町１番地 ＜３２０）ト］り自動中株式会社 代＆ｒｉ 松 木 清 ４、代理人 〒４５０愛知駅名古屋市中１４区名駅３丁目３番の４ 卯不ビルく電話＜０５２＞５８３−９７２０）５．７＋
１正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、 図面の簡単な説明の欄及び図面 ６、補正の内容 （１）明細内の第２頁の第１１行目にある！・・・・・
・まだらであったりして、」とある「まだら」と「であ
ったりして、」との間に「（黒色部分１が高分子膜であ
る）Ｊと挿入します。 （２）明細書の第８頁の第５行目にある「を示ず写真」
を削除します。 （３）明ｍ書第８頁の第１０行目にあるｌを示す写真」
を削除します。 （４）明ＩＩｌ占の第８頁の１２行目にある［黒かつ色
部分は高分子膜を、白色（透明）部分は」を「黒色部分
１は高分子膜を、白色部分２は」と補正します。 （５）明細書の第８頁の１５行目にある［ポリチオフェ
ン膜が」とある「ポリチオフェン膜１と「が」との間に
「１」を挿入します。 ｔｅ＞明細書の第９頁の第８行目から９行目にある１結
晶の構造の拡大写真図」を１−成膜状（Ｓを示す説明図
」と補正します。 （７）明細書の第９頁の第１２行目から第１３行目にあ
る［結晶の構造の拡大写真図」を［成膜状態を示す説明
図］と補正します。 （８）明細書の第９頁の第１３行目のあとに１１・・・
黒色部分（高分子膜）」 １゛２・・・白色部分（ガラス基板）」と挿入しま１゜ （９）図面（第１図へ一第２図）は別紙の通り。 （ａ厚な黒色で鮮明に描いたらの） ７、 添オ・１１類の目録 （１）補正後の図面 １通 （第１図へ・第２図）
ス基板を析出電極として重合させて形成されたエレクト
ロクロミック発色層の結晶の構造の拡大写真図である。 第２図は熱処理が行なわれていないＩＴＯガラス基板を
析出電極として重合させて形成されたエレクトロクロミ
ック発色層の結晶の構造の拡大写具図である。 特許出願人 トヨタ自動車株式会社代理人
弁理士 大川 宏 同 弁理士 丸山明夫 図面の浄書、（内容に変更なし） 第１図 第２図 手続補正書く方式） 昭和６１年４月７日 特ム’ｌ ＩＴ長官 宇 買 道 ［＋Ｉｓ
殿１、事ｆ［の表示 昭和６１年特許願第００９４２５号 ２、発明の名称 エレクト【」りＯミック表示装置の製造方ン去；３．補
正をする者 事ｆ１との関係 特許出頼人 愛知県費田市トヨタ町１番地 ＜３２０）ト］り自動中株式会社 代＆ｒｉ 松 木 清 ４、代理人 〒４５０愛知駅名古屋市中１４区名駅３丁目３番の４ 卯不ビルく電話＜０５２＞５８３−９７２０）５．７＋
１正の対象 明細書の発明の詳細な説明の欄、 図面の簡単な説明の欄及び図面 ６、補正の内容 （１）明細内の第２頁の第１１行目にある！・・・・・
・まだらであったりして、」とある「まだら」と「であ
ったりして、」との間に「（黒色部分１が高分子膜であ
る）Ｊと挿入します。 （２）明細書の第８頁の第５行目にある「を示ず写真」
を削除します。 （３）明ｍ書第８頁の第１０行目にあるｌを示す写真」
を削除します。 （４）明ＩＩｌ占の第８頁の１２行目にある［黒かつ色
部分は高分子膜を、白色（透明）部分は」を「黒色部分
１は高分子膜を、白色部分２は」と補正します。 （５）明細書の第８頁の１５行目にある［ポリチオフェ
ン膜が」とある「ポリチオフェン膜１と「が」との間に
「１」を挿入します。 ｔｅ＞明細書の第９頁の第８行目から９行目にある１結
晶の構造の拡大写真図」を１−成膜状（Ｓを示す説明図
」と補正します。 （７）明細書の第９頁の第１２行目から第１３行目にあ
る［結晶の構造の拡大写真図」を［成膜状態を示す説明
図］と補正します。 （８）明細書の第９頁の第１３行目のあとに１１・・・
黒色部分（高分子膜）」 １゛２・・・白色部分（ガラス基板）」と挿入しま１゜ （９）図面（第１図へ一第２図）は別紙の通り。 （ａ厚な黒色で鮮明に描いたらの） ７、 添オ・１１類の目録 （１）補正後の図面 １通 （第１図へ・第２図）
Claims (1)
- （１）ガラス基板上にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ
Ｏｘｉｄｅ）を形成するＩＴＯ形成工程と、得られたＩ
ＴＯガラス基板を真空度１０＾−＾３Ｔｏｒｒ以上、温
度３５０〜４５０℃で２時間以上熱処理を行う熱処理工
程と、 熱処理が行われたＩＴＯガラス基板を析出電極としてア
ニリン、チオフェン等を電解酸化重合を行って該ＩＴＯ
ガラス基板表面上に高分子膜から成るエレクトロクロミ
ック発色層を形成させる酸化重合工程と、を含むことを
特徴とするエレクトロクロミック表示装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009425A JPS62166319A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61009425A JPS62166319A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166319A true JPS62166319A (ja) | 1987-07-22 |
Family
ID=11719988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61009425A Pending JPS62166319A (ja) | 1986-01-20 | 1986-01-20 | エレクトロクロミツク表示装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62166319A (ja) |
-
1986
- 1986-01-20 JP JP61009425A patent/JPS62166319A/ja active Pending
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