JPS62166090A - 金属部品の接合方法 - Google Patents
金属部品の接合方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
イ６発明の分野
本発明は広範囲の用途に自くが、金属ストリップの二つ
の層を第３の相互連結金属部材によって互いに接合し、
そこでそれらの金属ストリップの二つの層が互いから所
望の距離に維持するのに特に適する。特に、これらの金
属層は、中に相互連結金属が配置されたスルーホールを
有するガラス又はセラミック基板複合材料によって分離
された多層回路部品でよい。
の層を第３の相互連結金属部材によって互いに接合し、
そこでそれらの金属ストリップの二つの層が互いから所
望の距離に維持するのに特に適する。特に、これらの金
属層は、中に相互連結金属が配置されたスルーホールを
有するガラス又はセラミック基板複合材料によって分離
された多層回路部品でよい。
口、背景技術
金属の接合は、普通三つの一般的技法又はその変形によ
って成される。これらには、ろう付け、はんだ付は及び
溶接がある。ろう付けでは、金属部品の間の空間に非鉄
充填金属の薄層を流すことによってそれらを接合する。
って成される。これらには、ろう付け、はんだ付は及び
溶接がある。ろう付けでは、金属部品の間の空間に非鉄
充填金属の薄層を流すことによってそれらを接合する。
この結合は、溶融充填金属の中のわずかな量の母材が母
材の中へあまり拡散することなく溶解することによって
作られる密接な接触から生ずる。通常、温度は、例えば
４２７℃のようなある任意の値を超える。はんだ付けと
いう用語は、温度がこの任意の値より低いことを除いて
ろう付けと類似である。溶接は、典型的には、二つ以上
の金属片に、充填金属あり又はなしで、熱、圧力、又は
その両方を加えて境界面を横切る融合又は再結晶を通じ
て局部的結合を作って接合することを意味する。これら
の技法の各々で、接合される金属部品は、直接接触して
いるか互いに近接して配置されている。しかし、二つの
金属部品が所望の距離だけ互いから離されている場合、
これらの技法を適用することはより厄介になる。本発明
は、互いから所望の距離だけ離された金属部品を接合す
るための簡単な方法である。本発明は、一つ以上のセラ
ミック基板によって分離された金属回路箔の多層回路装
置を構成するために特に適用可能性を有する。
材の中へあまり拡散することなく溶解することによって
作られる密接な接触から生ずる。通常、温度は、例えば
４２７℃のようなある任意の値を超える。はんだ付けと
いう用語は、温度がこの任意の値より低いことを除いて
ろう付けと類似である。溶接は、典型的には、二つ以上
の金属片に、充填金属あり又はなしで、熱、圧力、又は
その両方を加えて境界面を横切る融合又は再結晶を通じ
て局部的結合を作って接合することを意味する。これら
の技法の各々で、接合される金属部品は、直接接触して
いるか互いに近接して配置されている。しかし、二つの
金属部品が所望の距離だけ互いから離されている場合、
これらの技法を適用することはより厄介になる。本発明
は、互いから所望の距離だけ離された金属部品を接合す
るための簡単な方法である。本発明は、一つ以上のセラ
ミック基板によって分離された金属回路箔の多層回路装
置を構成するために特に適用可能性を有する。
多層回路部品に於けるスルーホール結合は、典型的には
、金属粉と有機結合剤を含む金属ペーストを挿入するこ
とによってなされる。次にこの回路部品を加熱して、金
属粉を焼結し結合剤を追い出す。このスルーホールの直
径が、典型的には約０．０７６〜約０．２５４ｍと狭い
ために、この結合剤が完全に追い出されることはめった
にない。
、金属粉と有機結合剤を含む金属ペーストを挿入するこ
とによってなされる。次にこの回路部品を加熱して、金
属粉を焼結し結合剤を追い出す。このスルーホールの直
径が、典型的には約０．０７６〜約０．２５４ｍと狭い
ために、この結合剤が完全に追い出されることはめった
にない。
その結果できた焼結金属粒子は、比較的密度が低く、電
気抵抗が高い。従来の多層回路部品では、この問題は、
電気抵抗が非常に高い、タングステン及びモリマンガン
のような、非常に融点の高い金属を使わなければならな
いため一層悪化する。
気抵抗が高い。従来の多層回路部品では、この問題は、
電気抵抗が非常に高い、タングステン及びモリマンガン
のような、非常に融点の高い金属を使わなければならな
いため一層悪化する。
ハ２発明の要約
本発明の基礎をなす問題は、互いから分離された金属部
品を金属合金相互結合部品で結合することである。
品を金属合金相互結合部品で結合することである。
本発明の利点は、前述した従来の方法及び装置の制限及
び欠点の一つ以上をなくした、二つの金属部品の接合方
法を提供することである。
び欠点の一つ以上をなくした、二つの金属部品の接合方
法を提供することである。
本発明の他の利点は、二つの金属部品を一定距離だけ離
すように接合する方法を提供することである。
すように接合する方法を提供することである。
本発明の更に他の利点は、二つの金属部品を接合する方
法を比較的安価な工程によって提供することにある。
法を比較的安価な工程によって提供することにある。
従って、二つ以上の金属部品を接合する方法が提供され
ている。少なくとも二つの金属部品を所望の距離だけ互
いから離す。金属合金結合部品をこの第１金属部品と第
２金属部品の間の空間に配置する。この結果できた組立
体をあるプロセス温度に加熱し、これら三つの金属部品
を互いに接合する。この金属合金結合部品は、この組立
体を加熱するプロセス温度を含む所望の温度範囲で液体
の容量パーセントが約２〜約４０％の半固体状態にある
組成をもつように選ぶ。次に、この組立体を冷部して、
この金属合金結合部品を第１及び第２金属部品の両方に
結合する。
ている。少なくとも二つの金属部品を所望の距離だけ互
いから離す。金属合金結合部品をこの第１金属部品と第
２金属部品の間の空間に配置する。この結果できた組立
体をあるプロセス温度に加熱し、これら三つの金属部品
を互いに接合する。この金属合金結合部品は、この組立
体を加熱するプロセス温度を含む所望の温度範囲で液体
の容量パーセントが約２〜約４０％の半固体状態にある
組成をもつように選ぶ。次に、この組立体を冷部して、
この金属合金結合部品を第１及び第２金属部品の両方に
結合する。
さて、本発明と本発明の更なる展開を図面の好ましい実
施例によって説明する。
施例によって説明する。
二、実施例
本発明は、第１図に示すように金属部品を接合する方法
に向けられている。この方法は、第１金属又は合金部品
１ｏ及び第２金属又は合金部品１２を準備する工程を含
む。この第２金属部品は、第１金属部品から所望の距１
ｍｄだけ離れている。
に向けられている。この方法は、第１金属又は合金部品
１ｏ及び第２金属又は合金部品１２を準備する工程を含
む。この第２金属部品は、第１金属部品から所望の距１
ｍｄだけ離れている。
第１金属合金結合部品１４は、金属部品１ｏ及び１２の
間に配置され、且つそれらと選択的に接触している。こ
の第１及び第２金属部品並びに第１結合部品の組立体は
、この金属合金結合部品が液体の容量パーセントで約２
〜４０％の半固体状態にあるプロセス温度に加熱する。
間に配置され、且つそれらと選択的に接触している。こ
の第１及び第２金属部品並びに第１結合部品の組立体は
、この金属合金結合部品が液体の容量パーセントで約２
〜４０％の半固体状態にあるプロセス温度に加熱する。
次に、この第３の金属合金部品が第１及び第２金属部品
と結合するように、この組立体を冷却する。この第３金
属合金部品の液体成分の凝固が結合プロセスの重要な役
割を演すると考えられる。
と結合するように、この組立体を冷却する。この第３金
属合金部品の液体成分の凝固が結合プロセスの重要な役
割を演すると考えられる。
金属部品１０及び１２は、どのような所望の金属又は合
金から作られてもよい。それらは、層をなすように図示
されているが、互いに所望の距離ｄだけ離れたどのよう
な形でもよい。更に、どのような所望の数の金属部品を
互いに結合することも本発明の範囲内にある。
金から作られてもよい。それらは、層をなすように図示
されているが、互いに所望の距離ｄだけ離れたどのよう
な形でもよい。更に、どのような所望の数の金属部品を
互いに結合することも本発明の範囲内にある。
この結合部品１４は、金属部品１ｏ及び１２の融点以下
の温度で半固体状態にある金属合金から選ばれる。この
半固体状態とは、液体の容量パーセントが約２〜４０％
、好ましくは約１０〜３０％あるものと定義される。こ
の結合金属に選ばれる材料は合金で、それは組成によっ
て融点の範囲があるからである。この合金の組成は、半
固体状態でそのプロセス温度範囲でその形を実質的に維
持できるように選ぶ。結合は、主として半固体状態での
金属合金の液体部分の凝固で達成される。
の温度で半固体状態にある金属合金から選ばれる。この
半固体状態とは、液体の容量パーセントが約２〜４０％
、好ましくは約１０〜３０％あるものと定義される。こ
の結合金属に選ばれる材料は合金で、それは組成によっ
て融点の範囲があるからである。この合金の組成は、半
固体状態でそのプロセス温度範囲でその形を実質的に維
持できるように選ぶ。結合は、主として半固体状態での
金属合金の液体部分の凝固で達成される。
この液体の量が増加すると、結合の強度を高めるように
思われるだろう。しかし、液体の量が増すと、結合合金
が落ち込む傾向、即ちゆがむかつぶれる傾向も増す。も
し、この結合合金が落ち込みすぎると、結合が非常に弱
いか存在しなくなる。
思われるだろう。しかし、液体の量が増すと、結合合金
が落ち込む傾向、即ちゆがむかつぶれる傾向も増す。も
し、この結合合金が落ち込みすぎると、結合が非常に弱
いか存在しなくなる。
この結合材料の形は、針金、棒、箔又は他の所望の形の
どれでもよい。
どれでもよい。
本発明は、特に多層回路装置の電気的スルーホール接続
に適用できる。第２Ａ図を参照すると、ガラス被覆セラ
ミック基板１６にスルーホール１８があるのが図示され
ている。ｔＡｉ２０がこのガラス被覆基板の下側２２に
配置されている。結合線２４は、好ましくは銅箔２０が
セラミック基板１６の下側につけられてから、このスル
ーホールに挿入される。この線は、例えばはさみ切り又
は火災切断のような何か所望の方法によって、この基板
の上面２６と同面に切断してもよい。この切断は、この
線を箔２０と電気的に接触させることで開始してもよい
。
に適用できる。第２Ａ図を参照すると、ガラス被覆セラ
ミック基板１６にスルーホール１８があるのが図示され
ている。ｔＡｉ２０がこのガラス被覆基板の下側２２に
配置されている。結合線２４は、好ましくは銅箔２０が
セラミック基板１６の下側につけられてから、このスル
ーホールに挿入される。この線は、例えばはさみ切り又
は火災切断のような何か所望の方法によって、この基板
の上面２６と同面に切断してもよい。この切断は、この
線を箔２０と電気的に接触させることで開始してもよい
。
製造工程中に線をスルーホール中に挿入することを保証
するため、この線はスルーホールの直径より実質的に小
さな直径を有するのが好ましい。
するため、この線はスルーホールの直径より実質的に小
さな直径を有するのが好ましい。
線の直径は、約０．６３５５１Ｉ１１小さいのが好まし
く、更に好ましくは約０．２５４ｍ小さく、最も好まし
くは約０．１２７ｍ小さい。例えば、もしスルーホール
の直径が約０．１２７ｍならば、線の直径は約０．１２
７ｍ＋より小さく、好ましくは約０．０５１〜約０．０
７６ｍｍでもよい。これらの大きさは単なる例示で、線
は、線がスルーホールのどちらかの端に配置された箔の
層と接触し且つ結合すると仮定するなら、スルーホール
の直径に比べてどのような所望の直径であってもよい。
く、更に好ましくは約０．２５４ｍ小さく、最も好まし
くは約０．１２７ｍ小さい。例えば、もしスルーホール
の直径が約０．１２７ｍならば、線の直径は約０．１２
７ｍ＋より小さく、好ましくは約０．０５１〜約０．０
７６ｍｍでもよい。これらの大きさは単なる例示で、線
は、線がスルーホールのどちらかの端に配置された箔の
層と接触し且つ結合すると仮定するなら、スルーホール
の直径に比べてどのような所望の直径であってもよい。
次の工程は、第２Ｂ図に示すように、ガラス被覆基板１
６の上面に箔の層２８を配置することである。次に、ス
ルーボール１８′に線２４′を挿入してから、片面に箔
２０’を備えた第２ガラス被覆基板１６′を箔層２８上
に配置する。ダッシュ付の参照番号はダッシュなしの番
号が示す要素と本質的に同じ要素を示す。箔２０．２０
’及び２８の層は、この組立体３０を約６００°〜約１
０００℃の縫囲内の所望のプロセス温度に加熱すること
によって、グレージングした基板１６．１６′に結合し
てもよい。この組立体３０に、箔層への基板の密着性を
高めるため、好ましくは約７０’；Ｊ／ａｓ２以下の積
層圧力を加えてもよい。二つの基板と三つの箔層を含む
多層構造は例示であり、要求によって任意の数の基板と
箔層の堆積を結合】ることも本発明の範囲内である。箔
層は、ホトエツチングのような従来の手法のいずれかを
使って所望の回路構成に作ることができる。この工程は
、箔層を二つの積み重ねた基板の間に結合される前にエ
ツチングするように、エツチングした箔層をはさんだ二
つ以上の基板の組立が数段階で行われることを要求する
かもしれない。
６の上面に箔の層２８を配置することである。次に、ス
ルーボール１８′に線２４′を挿入してから、片面に箔
２０’を備えた第２ガラス被覆基板１６′を箔層２８上
に配置する。ダッシュ付の参照番号はダッシュなしの番
号が示す要素と本質的に同じ要素を示す。箔２０．２０
’及び２８の層は、この組立体３０を約６００°〜約１
０００℃の縫囲内の所望のプロセス温度に加熱すること
によって、グレージングした基板１６．１６′に結合し
てもよい。この組立体３０に、箔層への基板の密着性を
高めるため、好ましくは約７０’；Ｊ／ａｓ２以下の積
層圧力を加えてもよい。二つの基板と三つの箔層を含む
多層構造は例示であり、要求によって任意の数の基板と
箔層の堆積を結合】ることも本発明の範囲内である。箔
層は、ホトエツチングのような従来の手法のいずれかを
使って所望の回路構成に作ることができる。この工程は
、箔層を二つの積み重ねた基板の間に結合される前にエ
ツチングするように、エツチングした箔層をはさんだ二
つ以上の基板の組立が数段階で行われることを要求する
かもしれない。
線２４．２４’ は、ガラスを箔層及び基板に結合する
ために必要な、一般に約６００’〜１０００℃の範囲に
あるプロセス温度で半固体状態にある高膨張率の銅合金
から選ぶのが好ましい。この線の材料は、更に半固体状
態で、液体の容量パーセントが約２〜４０．好ましくは
約１０〜３０％であるように選ぶ。この半固体状態から
固体状態へ線を冷却すると線を箔層２０．２０’及び２
８へろう付けする結果となる。線がスルーホール１８．
１８’ の中で、各線のどちらかの端に配置された箔層
の一つ又は両方と接触しないほどに落ち込まないこと、
即ちゆがみ又はつぶれないことが重要である。更に、線
と箔層の間の結合点に丸みが図示されているが、すみ肉
又は丸みを形成することなく結合を生ずることも本発明
の範囲内である。過去には、米国特許第３．９０２．５
４４号及び第４．１０６．９５６号に示されるのと同じ
固体状態の金属を使用することが知られている。
ために必要な、一般に約６００’〜１０００℃の範囲に
あるプロセス温度で半固体状態にある高膨張率の銅合金
から選ぶのが好ましい。この線の材料は、更に半固体状
態で、液体の容量パーセントが約２〜４０．好ましくは
約１０〜３０％であるように選ぶ。この半固体状態から
固体状態へ線を冷却すると線を箔層２０．２０’及び２
８へろう付けする結果となる。線がスルーホール１８．
１８’ の中で、各線のどちらかの端に配置された箔層
の一つ又は両方と接触しないほどに落ち込まないこと、
即ちゆがみ又はつぶれないことが重要である。更に、線
と箔層の間の結合点に丸みが図示されているが、すみ肉
又は丸みを形成することなく結合を生ずることも本発明
の範囲内である。過去には、米国特許第３．９０２．５
４４号及び第４．１０６．９５６号に示されるのと同じ
固体状態の金属を使用することが知られている。
しかし、本発明は、これらの特許に述べられているよう
な特殊な方法で結合部品を作ることを要しない。従来技
術のように結合部品を作ることは、チキントロープ性か
らたるみにつながるかもしれないので、実際に望ましく
ない。
な特殊な方法で結合部品を作ることを要しない。従来技
術のように結合部品を作ることは、チキントロープ性か
らたるみにつながるかもしれないので、実際に望ましく
ない。
グレージングした基板によって分離された二つ以上の箔
層を相互結合するこの独特な方法は、銅合金線の熱膨張
係数が約１６０ Ｘ １０−７ｍｍ／ｓ／℃と高いのに
比べて、セラミック基板の熱膨張係数が約５０ Ｘ １
０−７ｔｔｍ／ ｒｒａ／ ”Ｃとかなり低いのを利用
する。このセラミックと金属線の熱膨張係数の差は、ス
ルーホールの線膨張に比べて線の線膨張が大きい結果と
なる。従って、落ち込みが処理される特定の材料システ
ムによって定められる限界内に保たれるなら、線が箔層
に押しつけられる。
層を相互結合するこの独特な方法は、銅合金線の熱膨張
係数が約１６０ Ｘ １０−７ｍｍ／ｓ／℃と高いのに
比べて、セラミック基板の熱膨張係数が約５０ Ｘ １
０−７ｔｔｍ／ ｒｒａ／ ”Ｃとかなり低いのを利用
する。このセラミックと金属線の熱膨張係数の差は、ス
ルーホールの線膨張に比べて線の線膨張が大きい結果と
なる。従って、落ち込みが処理される特定の材料システ
ムによって定められる限界内に保たれるなら、線が箔層
に押しつけられる。
線が二つの箔層にろう付けされ、組立体が冷却された後
は、この結合された線は引張状態にあるかもしれない。
は、この結合された線は引張状態にあるかもしれない。
従って、この線の材料は、この特定の材料システムに要
求される結合温度条件にさらした後も十分な延性をもつ
ように選ぶのが好ましい。
求される結合温度条件にさらした後も十分な延性をもつ
ように選ぶのが好ましい。
ここに述べた環境に適した線を形成する合金は、約２〜
約１３％のＳｎ、約０．２〜約４％のＰ１約５〜約１５
％のｓｂ、約３〜約６％のＳｉ、約４〜約１２％のＡｓ
及びその混合物、４％までのＦｅから成るグループから
選んだ元素と残りが銅から本質的になる銅合金である。
約１３％のＳｎ、約０．２〜約４％のＰ１約５〜約１５
％のｓｂ、約３〜約６％のＳｉ、約４〜約１２％のＡｓ
及びその混合物、４％までのＦｅから成るグループから
選んだ元素と残りが銅から本質的になる銅合金である。
適当な合金の例は、約８％の３ｎ１約０．０２５％のＰ
１約２％のＦｅ及び残りが銅を含む銅合金である。他の
例は、約２％のＰを含むＣｕ、約１２％のｓｂを含むＣ
Ｕ、約５％の８１を含むＣｕ、約９％のＡＳを含むＣＵ
及びこれらの合金の三元又は四元合金である。所望のプ
ロセス温度で上記の半固体状態にあることと共に所望の
高膨張率性を有する他の合金系を使用することも本発明
の範囲内にある。
１約２％のＦｅ及び残りが銅を含む銅合金である。他の
例は、約２％のＰを含むＣｕ、約１２％のｓｂを含むＣ
Ｕ、約５％の８１を含むＣｕ、約９％のＡＳを含むＣＵ
及びこれらの合金の三元又は四元合金である。所望のプ
ロセス温度で上記の半固体状態にあることと共に所望の
高膨張率性を有する他の合金系を使用することも本発明
の範囲内にある。
本発明によれば、上記の目的、手段及び利点を完全に満
足する、金属部品を接合する方法が提供されることが明
白である。本発明はその実施例と組合せて説明したが、
当業者には、上記の説明を参照すれば、多くの代替案、
修整及び変形が明白であることは明らかである。従って
、そのような代替案、隆整及び変形の全てを添付の特許
請求の範囲の精神と範囲内に含めるつもりである。
足する、金属部品を接合する方法が提供されることが明
白である。本発明はその実施例と組合せて説明したが、
当業者には、上記の説明を参照すれば、多くの代替案、
修整及び変形が明白であることは明らかである。従って
、そのような代替案、隆整及び変形の全てを添付の特許
請求の範囲の精神と範囲内に含めるつもりである。
第１図は、所望の距離だけ離され且つ本発明によって第
３の金属合金部品によって互に接合された二つの金属部
品を示す。 第２Ａ図及び第２Ｂ図は、ガラス基板によって分離され
た三つの金属箔層を、本発明によって、第３の金属合金
の線で接合するために必要な一連の工程を示す。 １０・・・・・・第１金属又は合金部品１２・・・・・
・第２金属又は合金部品１４．２４・・・・・・第１金
属合金結合部品１６・・・・・・第１ｔ７ラミツク基板
１６′・・・・・・第２セラミック基板１８・・・・・
・第１スルーホール １８′・・・・・・第２スルーホール ２０′・・・・・・第３箔層 ２４′・・・・・・第２金属合金結合部品２８・・・・
・・第１箔層 ３０・・・・・・多層部品
３の金属合金部品によって互に接合された二つの金属部
品を示す。 第２Ａ図及び第２Ｂ図は、ガラス基板によって分離され
た三つの金属箔層を、本発明によって、第３の金属合金
の線で接合するために必要な一連の工程を示す。 １０・・・・・・第１金属又は合金部品１２・・・・・
・第２金属又は合金部品１４．２４・・・・・・第１金
属合金結合部品１６・・・・・・第１ｔ７ラミツク基板
１６′・・・・・・第２セラミック基板１８・・・・・
・第１スルーホール １８′・・・・・・第２スルーホール ２０′・・・・・・第３箔層 ２４′・・・・・・第２金属合金結合部品２８・・・・
・・第１箔層 ３０・・・・・・多層部品
Claims (17)
- （１）第１金属又は合金部品（１０）を準備する工程、 該第１金属又は合金部品（１０）から所望の距離だけ離
れた第２金属又は合金部品（１２）を準備する工程、 該第１金属又は合金部品と該第２金属又は合金部品の間
に配置され、それらと接触する第１金属合金結合部品（
１４）を準備する工程、 該第１及び第２部品並びに該第１結合部品の組立体を、
該金属合金結合部品が液体の容量パーセントで約２から
約４０％の半固体状態にある所望のプロセス温度に加熱
する工程、並びに 該組立体を冷却し、それによつて該金属合金結合部品が
該第１及び第２金属又は合金部品に結合される工程を含
むことを特徴とする金属部品接合方法。 - （２）特許請求の範囲第１項記載の方法に於いて、更に
、該第１金属合金結合部品をそのプロセス温度で液体の
容量パーセントが約１０から約３０％の半固体状態であ
るように選ぶ工程を含むことを特徴とする方法。 - （３）特許請求の範囲第１項記載の方法に於いて、更に
、該第１金属合金結合部品の長さを該加熱工程中該第１
及び第２金属又は合金部品との接触を維持するように選
ぶ工程を含み、該第１金属合金結合部品が更に該第１及
び第２金属又は合金部品と選択的に接触していることを
特徴とする方法。 - （４）特許請求の範囲第３項記載の方法に於いて、更に
、該第１金属合金結合部品を加熱前に該所望の距離と本
質的に等しい長さであり、且つこの長さを半固体状態で
本質的に維持するように選ぶ工程を含むことを特徴とす
る方法。 - （５）特許請求の範囲第３項記載の方法に於いて、更に
該第１及び第２金属又は合金部品の材料を銅及び合金か
ら成るグループから選ぶ工程を含むことを特徴とする方
法。 - （６）特許請求の範囲第５項記載の方法に於いて、更に
、該第１金属合金結合部品を、約２から約１３％のＳｎ
、約０．２から約４％のＰ、約５から約１５％のＳｂ、
約３から約６％のＳｉ、約４から約１２％のＡｓ、及び
その混合物、４％までのＦｅ、並びに残りのＣｕから成
るグループからの要素から選ぶ工程を含むことを特徴と
する方法。 - （７）特許請求の範囲第６項記載の方法に於いて、更に
該第１及び第２部品と該第１結合部品の組立体を、該第
１及び第２部品が固体状態にあり且つ該第１金属合金結
合部品が半固体状態にある、約６００℃から約１０００
℃の範囲内の所望のプロセス温度に加熱することを特徴
とする方法。 - （８）特許請求の範囲第７項記載の方法に於いて、更に
該第１及び第２金属又は合金部品を箔の第１及び第２層
から且つ該第１金属合金結合部品（１０）を直径が約０
．６３５ｍｍ小さい線から選ぶ工程を含むことを特徴と
する方法。 - （９）特許請求の範囲第８項記載の方法に於いて、更に
該線を約０．２５４ｍｍ小さな直径に選ぶ工程を含むこ
とを特徴とする方法。 - （１０）特許請求の範囲第３項記載の方法に於いて、更
に、 両面にガラス被膜を有する基板でこのガラス被覆基板を
貫通する第１スルーホール（１８）を有する第１セラミ
ック基板（１６）を準備する工程、この第１基板を該第
１及び第２金属又は合金部品（１０）、（１２）の間に
配置し、それによつて該第１及び第２部品が互いから所
望の距離だけ離される工程、 該第１金属結合部品（２４）を該第１スルーホール内に
配置する工程を含み、それによつてこの第１及び第２部
品、第１結合部品並びに基板をプロセス温度に加熱する
工程とその後にこれらの部品と基板を冷却する工程が多
層装置（３０）を形成することを特徴とする方法。 - （１１）特許請求の範囲第１０項記載の方法に於いて、
更に、該第１及び第２金属又は合金部品を箔の第１及び
第２層から、且つ該第１金属合金結合部品を直径が約０
．６３５ｍｍ小さい線から選ぶ工程を含むことを特徴と
する方法。 - （１２）特許請求の範囲第１１項記載の方法に於いて、
更に該第１及び第２層の箔に電気回路部品を形成する工
程を含むことを特徴とする方法。 - （１３）特許請求の範囲第１２項記載の方法に於いて、
更に 両面にガラス被膜を有する基板でそこを貫通する第２ス
ルーホール（１８′）を有する第２セラミック基板（１
６′）を準備する工程、 該第２セラミック基板の第１面を箔（２８）の該第１層
上に配置する工程、 第２金属合金結合部品（２４′）を該第２スルーホール
（１８′）内に準備する工程、 金属又は合金箔の第３層を準備する工程、 該第３層の箔を該セラミック基板（１６′）の第２面上
に配置する工程、並びに 該第１及び第２セラミック基板並びに該第１、第２及び
第３層（７）箔で出来た堆積層を互いに結合するため加
熱する工程を含み、それによつて多層回路組立体（３０
）を作ることを特徴とする方法。 - （１４）特許請求の範囲第１３項記載の方法に於いて、
更に該第３層の箔に電気回路部品を形成する工程を含む
ことを特徴とする方法。 - （１５）特許請求の範囲第１４項記載の方法に於いて、
更に該第２金属合金結合部品を該第１金属合金結合部品
と本質的に同じ材料から選ぶ工程を含むことを特徴とす
る方法。 - （１６）特許請求の範囲１５項記載の方法に於いて、更
に該第２金属合金結合部品（２４′）の長さを該加熱工
程中該第１層及び第３層の箔との接触を維持するように
選ぶ工程を含み、該第２金属合金結合部品が更に該第１
及び第３層の箔と選択的に接触していることを特徴とす
る方法。 - （１７）特許請求の範囲第１６項記載の方法に於いて、
更に該堆積層を、該第１、第２及び第３層の箔が固体状
態にあり且つ該第１及び第２金属合金結合部品が半固体
状態にある、約６００°から約１０００℃の範囲内の所
望のプロセス温度に加熱することを特徴とする方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/811,910 US4771537A (en) | 1985-12-20 | 1985-12-20 | Method of joining metallic components |
| US811910 | 1985-12-20 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62166090A true JPS62166090A (ja) | 1987-07-22 |
Family
ID=25207923
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61303584A Pending JPS62166090A (ja) | 1985-12-20 | 1986-12-19 | 金属部品の接合方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4771537A (ja) |
| EP (1) | EP0227066A1 (ja) |
| JP (1) | JPS62166090A (ja) |
| KR (1) | KR870005740A (ja) |
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| WO2007049458A1 (ja) * | 2005-10-26 | 2007-05-03 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | 積層型電子部品、電子装置および積層型電子部品の製造方法 |
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1985
- 1985-12-20 US US06/811,910 patent/US4771537A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-12-19 EP EP86117753A patent/EP0227066A1/en not_active Withdrawn
- 1986-12-19 JP JP61303584A patent/JPS62166090A/ja active Pending
- 1986-12-20 KR KR860011015A patent/KR870005740A/ko not_active Application Discontinuation
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