JPS62165939A - 処理方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、ＩＣ製造用基板９画像記録用ディスク、液晶
ディプレイ用電極等を代表例とする表面に微細な凹凸を
有する板状物を、各種液体状薬品（以下処理液と記す）
を用いて洗浄、エツチング。

脱脂、レジスト剥離等の表面処理を怖す際に均一な処理
を可能ならしめる処理方法に関するものである。

以下の詳細な説明では、これらの分野の中で特に処理の
均一性と清浄度が必要であり、今後三次元的な素子製造
技術が要求されるＩＣ製造用基板（以下、Ｓｉ　　ウェ
ハと記す）のエツチング及び洗浄について記す。

従来の技術 従来のＳｔ　ウェハのエツチング方法としては、エツチ
ング液に浸漬する方法（以下、第１の方法ト記ス）、Ｓ
ｉ　　ウェハを回転させながらエツチング液をノズル等
から噴出する方法（特開昭５３−８５７７号公報、特開
昭５４−７８７４号公報。

特開昭５６−２７９３１号公報、特開昭５８−１２２７
３２号公報、特開昭６８−１９６０２４号公報、特開昭
５９−１０３３４４号公報、特開昭５９−２０４２３８
号公報）（以下、第２の方法と記す）、減圧下でエツチ
ングする方法（特公昭６０−７３８２号公報）（以下、
第３の方法と記す）等が知られている。

また、Ｓｔ　ウェハの洗浄方法としては、はとんどが洗
浄液に浸漬してＳｉ　　ウェハを揺動したり、超音波を
印加する等の補助手段を併用しながら洗浄しているのが
現状である。

発明が解決しようとする問題点 上記の洗浄やエツチングの様な処理において従来の技術
では、以下に示すような問題点があった。

■　上記第１の方法では、Ｓｉ　ウェハ表面に形成され
たパターンのコーナ部や小さなくぼみに空気が付着して
Ｓｉ　ウェハと処理液の接触が妨げられて処理ムラが生
じる。

特に、Ｓｔ　ウェハ表面にＳ　ｉ０２膜等の親水性の部
分と、ＳｉやＳｔ窒化膜等の疎水性の部分が混在する場
合Ｋ、その境界部に気泡が付きゃすく処理ムラが多発し
やすい。

捷た、配線用コンタクトホールやトレンチに入っている
空気は容易に出すコンタクトポールやトレンチ内の処理
ができない。

■　上記第２の方法では処理液が運動エネルギーを有し
ていることから一般には上記第１の方法よりも気泡は若
干除去しやすいが、処理液がＳｉ　　ウェハと衝突した
時に発泡してかえって気泡が多くつぐ場合（特に疎水性
の部分がある場合に）も多々あり、また第１の方法と同
様に、コンタクトホールやトレンチ内の気泡の除去には
ほとんど効果が無く、処理ムラが発生する。

さらに、この方法では処理液が飛散しゃすぐ作業の安全
性にも問題がある。

■　上記第３の方法ではエツチング反応により発生する
ガスを除去するためにＳｉ　ウェハを処理中エツチング
室は常に減圧状態に保たれている。ところが、この様な
処理条件では、例えば５１０２を弗酸でエツチングした
り、Ｓｉ窒化物をリン酸でエツチングする場合の様に反
応によりガスが発生しない処理においては、Ｓｉ　　ウ
ェハを処理液に浸αｔした時に付着した大きな気泡は減
圧によってさらに膨張して十分な浮力を得てウェハ表面
から脱ｉｉ？ｆｌ−するが、小さな気泡は７膨張しても
脱歴するのに十分な浮力が得られず減圧時間中大きな気
泡としてＳｉ　　ウェハ表面に付着したままで残留し、
（例えば３０　Ｔｏｒｒの減圧下では気泡の体積は２５
．３倍に膨張している。）大気圧の元では無視できる様
な大きさの気泡でも減圧下ではエツチングムラに対する
影響が非常に大きくなり、均一性はかえって悪くなる。

また、常に減圧状態を保つためにＨＦ等の酸性腐食ガス
が多量に発生してロータリポンプ等の減圧装置の腐食が
進み減圧装置の寿命が短かくなる。

本発明は上記問題点に鑑み、Ｓ１ウエハ等の被処理物の
表面性状のいかんを問わず均一に処理ができ、大量の処
理が可能でかつ、作業の自動化を図りやすい処理方法を
提供するものである。

問題点を解決するための手段 上記問題点を解決するだめの本発明の第１の発明は、内
部を減圧する手段を備えた容器内で被処理物と処理液を
接触させた後、前記容器内の圧力を城じて再び大気圧に
戻り、ｓ然る後処理を完了して前記被処理物に付着した
前記処理液を除去することを特徴とする処理方法を提供
するものである。

また、本発明の第２の発明は、内部を減圧する手段を備
えた容器内で、処理液と相溶性のある液体と被処理物を
接触させた後、前記容器内の圧力を減じてから大気圧に
戻し、然る後被処理物を処理液に接触させて処理を完了
した後、前記被処理物に付着した前記処理液を除去する
ことを特徴とする処理方法を提供するものである。

作　　用 上記の本発明の第１の発明の処理方法においては、内部
を減圧する容器内で被処理物であるＳｉウェハを処理液
と接触させてから容器内を減圧した後容器内の圧力を再
び大気圧に戻すことによってＳｉ　ウェハ表面の小さな
凹凸内にあり、処理に悪影響を及ぼす程度の大きさの気
泡を処理液中で大きく膨張させてその浮力によってＳｉ
　　ウェハ表面から脱離する。

し７たがって、Ｓｉ　ウェハ表面の凹部内面と処理液の
接触を妨げていた気泡が無くなりどの様な形状の＜　ｊ
・Ｙみであろうとも大気圧によって処理液をくぼみの奥
深くまで注入することができ、均一な処理ができる（大
気圧７６０ＭＨｙ’に対して、直径が５インチのＳｉ　
ウェハの厚みは０．５〜０．６ｍｍである。）。

まだ、減圧は一時的に行なうだけであるから腐食性のガ
スが発生しても従来技術の第３の処理方法程も減圧装置
の腐食が進行せず寿命が長い。

さらに、この本発明の第１の発明の処理方法では、気泡
をできるだけ短時間に脱離させるためにＳｉ　ウェハに
機械的振動を加えたり、揺動させたり、減圧中にＳｉ　
ウェハを短時間処理液から出したり、あるいは処理液を
ボング、スターラ、超音波等で攪拌すると効果がある。

本発明の第２の発明の処理方法で、下記の様な処理液と
相溶性のある液体と被処理物表面を接触させた後、容器
の圧力を減じ、その後さらに大気圧に戻すと、凹部の大
きな気泡は減圧によって膨張し浮力が大きくなって除去
される一方、被処理物表面に残る極くわずかな小さな気
泡（減圧容器内は完全に真空にすることは不可能で、減
圧容器内に液体があるとその蒸気圧までしか真空度は一
層がらない。例えば水の場合には約２０　Ｔｏｒｒ　（
２０℃）である。したがって、被処理物の四部にもとも
とあった空気は減圧脱気することによって大部分は除去
できるが、それでも凹部の容積の２０／７６゜に相当す
る体積の空気はそのまま残っている。）と被処理物との
界面に徐々に入り込んで被処理物の表面全体を処理液で
ぬらすことができる。

本発明の第２の発明の処理方法で用いる処理液と相溶性
のある液体は、処理の種類、被処理物の性状、処理液の
性質等に応じて適当に選択しなければならないが、上記
のＳｉ　ウェハの洗浄やエツチングにおいては水系の処
理液が専ら用いられていることから、これに利用できる
処理液と相溶性のある液体としては、メタノール、エタ
ノール。

ｎ−グロハノール、インプロノくノール、クリコール等
のアルコール類、アセトン等のケトン類、酢酸等のカル
ボン酸、酢酸メチル、酢酸エチル等のエステル類、エチ
ルアミン等のアミン類、さらには、スルホン酸や界面活
性剤及び水等があり、本発明ではこれらの中のいずれの
物質の単体あるいは混合物を用いても支障ないが、Ｓｌ
　ウェハへの吸着能が小さく処理液を置換しやすい物質
として・水、メタノール、エタノール、エチルアミン、
酢酸、酢酸メチル、酢酸エチル、アセトン、インプロパ
ツール、ｎ−プロパツール等が適シてイル。

さらに、これらの混合物及び上記化合物と水との混合物
で表面張力が３０ｄｙｎｅ　７ｃｍ以下のものが凹部に
一層浸透しやすく適している。

これらの物質の中で水板外の物質は分子内に、−ＯＨ，
＞ｏ、−ＣＯＯＨ，−Ｃｏｏ−、−３ｏ３Ｈ等の親水基
とアルキル基の疎水基を有し、これらの液体あるいは蒸
気（ガス）にＳｉ　ウェハを晒すと、Ｓｉウェハの親水
性の部分には親水基が、Ｓｔ　　ウニノ・の疎水性の部
分には疎水基が優先的に吸着すると共に累積膜を形成す
ることから、Ｓ１ウ工ハ全体が親水性の処理液にも、親
油性の処理液にもぬれやすくなる。すなわち、Ｓｔ　ウ
ェハを処理する前に、これらの液体でＳｔ　ウニノ・を
ぬらすことによって、処理を開始する時には、Ｓｉ　ウ
ェハ全面がほぼ同時に処理が始まり、Ｓｉ　ウェハ全体
の処理量や処理度合が一定となり均一な処理ができる。

さらに、これらの物質は処理液（水系）と相溶性である
ことから、処理中に処理液に溶けたり、処理液で分解さ
れたり、さらに、表面張力が３゜ｂｙｎｅ／ｃｒｎ以下
の化合物では気泡が脱離しやすく、気泡はＳｉ　ウェハ
表面には残らない。これによって、Ｓｔ　ウェハに気泡
が付着せず均一な処理が可能になり、かつＳｉ表面を汚
染することがない。

また、水は処理液が水溶液であるため凹部浸透した水は
処理液とすみやかに置換して均一な処理ができるととも
に、Ｓｔ　ウェハ表面に残存して素子に悪影響を与える
こともない。

さらに、Ｓｔ　ウェハを上記処理液と相溶性のある液体
とを接触させる方法としては、液状物質に８１ウエハを
浸漬する方法、水平又は垂直に保持したＳｔ　ウェハに
液状物質をノズル等から噴出してふきかける方法、処理
液と相溶性のある物質を加熱したり、超音波を印加して
ガス状にしてその雰囲気にＳｔ　　ウェハを晒す方法等
があり、本発明ではどの方法を用いても支障ないが、浸
漬する方法は装置が簡単でかつガス爆発の危険性や人体
への影響も少なく、好ましい。

まだ、Ｓｌ　ウェハに付着した処理液を除去する方法と
しては、Ｓｌ　ウェハを純水に浸漬したり、純水をンヤ
ワー状に噴出して水洗する方法が一般的である。水洗効
果を高めるために、Ｓｉ　ウニノ・を揺動したり、水洗
槽に超音波やガスのバブリング、あるいは水洗水を急速
換水する等の機能が加えられているが、本発明ではどの
方法を使用しても、又それらの方法のうち複数を組み合
わせて使用してもよい。Ｓｉ　　ウェハの乾燥方法も、
スピン乾燥、蒸気乾燥、ブローオフ乾燥等、本発明はど
の方法を採用しても、またそれらの方法を組み合わせて
用いてもよい。さらに、本発明は処理枚数に関係なく、
枚葉処理でもバッチ処理でも同等の処理性能が得られる
。

一方、従来の浸漬法による深さ方向の処理ではせいぜい
２μｍ程度であったものが、本発明の第１の発明または
第２の発明の処理方法を用いると、理論上は大気圧の水
柱の高さに匹敵する深さまで処理できることになるが、
後の水洗や乾燥をも考え合わせると５〜７μｍ程度まで
の処理に適している。

まだ、本発明の第１の発明および第２の発明の処理方法
の減圧度は処理液の蒸気圧によって決まるが、弗酸の水
による希釈液では真空到達度は２゜℃で約２０Ｔｏｒｒ
　までで、本発明の二つの方法で有効な真空度は１５０
〜２０Ｔｏｒｒ（２０℃）の範囲、好ましくば４ｏ〜２
０Ｔｏｒｒ　である。

なお、容器内を減圧する手段としては、真空ポンプとし
て一般に用いられているロータリーポンプ、拡散ポンプ
、メカニカルブースターポンプ。

水封ポンプ等各種ポンプがあるが、本発明ではどのよう
なポンプを用いても支障なく、まだこれらの中から複数
のものを組み合わせて使用しても問題ない。

実施例 以下図面を参照しながら、本発明の第１の実施例につい
て説明する。

第１図は、本発明の第１の実施例における内部を減圧す
る手段としてのロータリポンプ１３を備えた容器の断面
を示すものである。第１図において、１１は容器、１２
は処理液を入れる槽１３は減圧する手段としての真空ポ
ンプ、１４はＳｔ　ウェハの乗せ台（以下、ハンガーと
記す。）、１５は処理液、１６はパルプ、１７は被処理
物としてのＳｉ　ウェハを示す。

以下、本実施例の具体的内容を示す。

（１、Ｏ，Ｏ）の結晶面でスライスし表面を鏡面に仕上
げたＳｉ　ウェハ（直径６インチ）面上に、パイロジェ
ニック法で１００００人の３１０２膜を形成した後、フ
ォトレジストを１．２７１ｍの厚みに塗布し長さ１００
μｍで幅が０．５μｍ〜４．０μｍ（０，５μｍおきに
）のライン状パターンをＳｉ　ウェハ全体に多数現像し
た。

上記Ｓｔ　ウェハをドライエツチング（使用ガス：ＣＨ
Ｆ３＋Ｃ２Ｆ６の混合ガス、ＥＥＥカニ　７００　ｍ　
Ｔｏｒｒ）によってＳｉＯ□をエツチングした。

このＳｌ　ウェハをさらにドライエツチング（使用ガス
：ＣＣＱ４＋０２の混合ガス、圧力８０ｍＴｏｒｒ）で
エツチング時間を変えてＳｉ単結晶を１，３゜５，７μ
ｍの種々深さく以下、溝の深さと記す）にエツチングし
た後、酸素プラズマで７オトレジストを除去した。この
時のエツチング部の断面形状を電子顕微鏡（以下、ＳＥ
Ｍと記す。）で観察するためにＳｉ　ウェハの一部をパ
ターン形成部で破断した。その様子を第２図に示す。Ｓ
ｉ単結晶がエツチングされた部分（以下、溝と記す）の
底部は全て、Ｖ型をしていた。

上記の溝の深さを６μｍにエツチングしたＳｉウェハを
第１図のハンガー１４に入れ、処理液として弗酸と硝酸
の混酸（ＨＦ：ＨＮＯ３＝３：９７（体積比）、以下混
酸と記す）を槽１２に入れた後、容器１１を密封してハ
ンガー１４を押し込みＳｉ　ウェハ１７を完全に混酸１
６に沈めた後、直ちにロータリポンプ１３を用いて容器
１１内の圧力を３ｃ）Ｔｏｒｒ　（混酸１６の液温１６
℃）まで減圧した後、バルブ１６を開いて容器１１内に
空気を導入して大気圧に戻した。Ｓｉ　ウェハ１７を混
酸１５に浸漬して１５分経過後、Ｓｔ　ウェハ１７を混
酸１６から引き上げてピンセットでハンガー１４から取
り出し、直ちに多量の超純水（比抵抗値１８ＭΩ・α）
で水洗した後、５０００ｒｐｍでスピン乾燥した。まだ
、溝の深さが異なる他のＳｔ　ウェハについても同様に
してエツチングした。このＳｉウェハをＳＥＭで観察す
ると第３図に示すように、溝の幅及び溝の深さが異なる
いずれのパターンにおいても溝の側壁が均一に混酸でエ
ツチングされて溝幅が広がるとともに溝底部がＶ字型か
ら第３図のような丸みを持つ形状に変化しており、Ｓｉ
ウェハのウェットエツチング処理液である混酸が溝全体
に浸透して均一な処理ができることが明らかになった。

またＳｔ　ウニ八面全体にわたって多数の溝を同様に観
察したが、結果は全く同じであった。また、真空度を５
０　、７０　、１００．１５０Ｔｏｒｒでも各々同様の
実験を行なったが結果は同じであった。

一方、比較のために第１の実施例に示した装置を用いて
、容器１１内を減圧にせず、その他の工程は第１の実施
例と全く同じ方法にてＳｆ　ウェハを混酸でエツチング
した後のＳＥＭ観察（以下第１の比較例と記す）では、
溝の幅及び溝の深さが異なるいずれのＳｔ　ウェハにお
いても溝の入口近くは混酸でエツチングされ溝幅は広が
っていたが、溝の内部はエツチングされて溝幅が広がっ
ている部分と、エツチングされずに溝幅が広がっていな
い部分が混在して溝内部に凹凸が発生しエツチングが不
均一であることがわかった。

以下、本発明の第２の実施例を示す。

本発明の第２の実施例では、第１の実施例におけるウェ
ットエツチング用混酸の代りにＲＣＡ洗浄液（ＮＨ２Ｏ
Ｈ：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝１＝２ニア体積比。

ａｏｔｌｌ：　）を用い、その他の工程は第１の実施例
と全く同様にしてＳｉ　ウェハを洗浄、水洗、乾燥し、
溝の側壁にあるパーティクル状異物の数をＳＥＭで観察
した。

また、比較のために（第２の比較例）第１の比較例にお
いて混酸の代りに上記のＲＣＡ洗浄液を用いて、同様に
溝側壁のパーティクル状異物の数を計数した（以下第２
の比較例と記す。）。第２の実施例と第２の比較例のパ
ーティクル状異物の数を計数した結果を下記の第１表に
示す。

なお、第１表の計数値は、幅１．６μｍ、長さ１００μ
ｍのライン状溝５ｏ本中にある直径０．３μｍ以上異物
の総数である。

この結果から、本発明による処理方法を用いることによ
って、深い凹部の底まで洗浄液で処理できることがわか
る。

第　　　１　　　表 以下、本発明の第３の実施例について説明する。

本発明の第３の実施例では、第１の実施例と同様にして
Ｓｉ　ウェハにライン状の溝をドライエツチングで形成
したＳｔ　ウェハを、第１図に示したハンガー１４にセ
ットした後、槽１２に混酸と相溶性のある液体である水
を入れ減圧容器１１を密封し、ハンガー１４を押し込ん
でウェハ１７を水に浸漬した後真空ポンプ１３で減圧容
器１１内を２０Ｔｏｒｒ（水温１５℃）１で減圧した。

そして、減圧状態のままハンガー１４を約４６°の角度
で４〜６回、回転させる操作をくり返した後、パルプ１
６を開けて減圧容器内の圧力を大気圧に戻した。

その後、Ｓｉ　ウェハを混酸に浸漬してウェットエツチ
ングして水洗、乾燥を行なった後、溝状パターン部をＳ
ＥＭで観察したところ、第３図と同じように溝底部が丸
みをもった７字型に変化しており、また溝の側壁も均一
にウェットエツチングされ、第１の実施例と同様に均一
な処理ができることがわかった。

一方、比較のために第３の実施例に示した装置を用いて
、減圧容器１１内を減圧にせず、その他の工程は第３の
実施例と全く同じ方法にてＳｉ　ウェハを混酸でエツチ
ングした後のＳＥＭ観察（以下第３の比較例と記す）で
は、溝の深さが異なるいずれのＳｔ　ウェハにおいても
溝の入口近くは混酸でエツチングされ溝幅は広がってい
たが、溝の内部は第１の比較例と同様に溝内部は不均一
な処理しかできないことが明確になった。

以下、本発明の第４の実施例を示す。

Ｓｉ　ウェハのウェットエツチング剤である混酸と相溶
性のある液体として、アルコール類ではメタノール（表
面張力２４　ｄ７ｎｅ／ｃｒｎ）　、　ｘタノール（表
面張力２４　、１　ｄｙｎｅ／ｃｒｎ）　、　ｎ−プロ
ピルアルコール及びインプロピルアルコール（表面張力
２２．９ｄｙｎｅ／ｃｘ　）　、ケトン類ではアセトン
（表面張力２６．３ｄｙｎｅ／ｍ　）及びメチルエチル
ケトン（表面張力２６．８ｄｙｎｅ／ｃＩｎ）　、カル
ボン酸では酢酸（表面張力２９　、６ｄｙｎｅ／ｃｒｎ
）　、　ｘ　ステル類では酢酸メチル、酢酸エチル及び
非イオン系界面活性剤（水で０．５％に希釈したもの）
、エタノールと酢酸の１：１の混合物、エタノールと水
の混合液（エタノール：水＝６：４及び４：６）、酢酸
と水の混合液（酢酸：水＝６＝４及び４：６）を用いて
第３の実施例と同様にして、ウェットエツチングを行な
ったところ、同じように溝底部が丸みのあるＶ字型に変
化し、エツチング用混酸が溝全体に浸透していることが
確認できた。また、メタノールと水、インプロピルアル
コールと水、酢酸と水の混合液を用いて同様の検討を行
なったが、結果は全く同じであった。

以下、本発明の第６の実施例を示す。

本発明の第５の実施例では、第３の実施例におけるウェ
ットエツチング用混酸の代りにＲＣＡ洗浄液（ＮＨＯＨ
：Ｈ２Ｏ２：Ｈ２０＝１＝２＝７，８０℃）を用い、そ
の他の工程は第３の実施例と全く同様にしてＳｔ　ウェ
ハを洗浄、水洗、乾燥し、溝の側壁にあるパーティクル
状異物の数をＳＥＭで観察しだ。

まだ、比較のために（第４の比較例）第３の比較例にお
ける混酸の代りに上記のＲＣＡ洗浄液を用いて、同様に
溝側壁のパーティクル状異物の数を計数した（以下第４
の比較例と記す。）。第５の実施例と第４の比較例のパ
ーティクル状異物の数を計数した結果を下記の第２表に
示す。

りお、第２表の計数値は幅１．５μｍ、長さ１００／１
ｍのライン状溝５０本中のある直径０．３μｍ以上異物
の総数である。

この結果から、本発明による処理方法を用いることによ
って、深い凹部の底まで洗浄液で処理できることがわか
る。

なお、以上の各実施例ではＳｉ　ウェハのウェットエツ
チングと洗浄工程の例のみを示したが、本発明はこれら
のみに限らず表面に凹凸を有する板状被処理物を処理液
を用いて処理を施す工程全てに適用できるものである。

第２表 発明の効果 以上の様に本発明の第１の発明の処理方法では、被処理
物を処理液に浸漬した後減圧することによって被処理物
表面の大きな気泡を浮力を利用して除去し、かつ小さな
気泡を大気圧によって処理に影響しない寸でに圧縮する
ことにより、被処理物の表面が凹凸の多い形状であ−〕
でも、被処理物が処理ムラ無く接触することができるだ
め、処理ムラの発生が防止され、良質の製品を歩留り良
く得ることができる。

また、本発明の第２の発明の処理方法によれば、被処理
物を処理液で処理するのに先立って、被処理物を処理液
と相溶性のある液体と接触させた後、圧力を減じてから
大気圧に戻し、処理液による処理を行うことにより、被
処理物と、処理液と相溶性のある液体との界面の気泡を
除去するとともに被処理物全体が処理液と一層ぬれやす
くなり、その結果処理ムラの発生が防止され、良質の製
品を歩留りよく得ることができる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の第１の実施例における処理装置の断面
図、第２図は本発明の第１の実施例におけるＳｔ　　ウ
ェハにドライエツチングで溝を形成したときの溝の断面
形状図、第３図は本発明の第１の実施例におけるＳｉ　
ウェハを混酸でエツチングした後の溝の断面形状図であ
る。 １１・・・・・・容器、１３・・・・・・真空ポンプ（
減圧する手段）、１６・・・・・・処理液、１７・・・
・・・Ｓｔ　ウェハ（被処理物）。

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. （１）内部を減圧する手段を備えた容器内で被処理物と
   処理液を接触させた後、前記容器内の圧力を減じて再び
   大気圧に戻し、然る後処理を完了して前記被処理物に付
   着した前記処理液を除去することを特徴とする処理方法
   。
2. （２）被処理物が表面に微細な凹凸を有する半導体素子
   製造用の基板であることを特徴とする特許請求の範囲第
   １項に記載の処理方法。
3. （３）被処理物を処理液に浸漬している間、前記被処理
   物と前記処理液を相対的に運動させることを特徴とする
   特許請求の範囲第１項に記載の処理方法。
4. （４）内部を減圧する手段を備えた容器内で、処理液と
   相溶性のある液体と被処理物を接触させた後、前記容器
   内の圧力を減じてから大気圧に戻し、然る後被処理物を
   処理液に接触させて処理を完了した後、前記被処理物に
   付着した前記処理液を除去することを特徴とする処理方
   法。
5. （５）処理液と相溶性のある液体は、分子内に親水基と
   疎水基を有する物質及び水の中から選んだ少くとも１種
   類の化合物を含む液体であることを特徴とする特許請求
   の範囲第４項に記載の処理方法。
6. （６）被処理物が表面に微細な凹凸を有する半導体素子
   製造用のＳｉ基板であることを特徴とする特許請求の範
   囲第４項に記載の処理方法。
7. （７）被処理物を処理液で処理を施している間、前記被
   処理物と前記処理液を相対的に運動させることを特徴と
   する特許請求の範囲第４項に記載の処理方法。