JPS62165914A - 拡散炉装置 - Google Patents
拡散炉装置Info
- Publication number
- JPS62165914A JPS62165914A JP650686A JP650686A JPS62165914A JP S62165914 A JPS62165914 A JP S62165914A JP 650686 A JP650686 A JP 650686A JP 650686 A JP650686 A JP 650686A JP S62165914 A JPS62165914 A JP S62165914A
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Links
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 98
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims abstract description 62
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 claims abstract description 15
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 5
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 claims description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 18
- 238000005406 washing Methods 0.000 abstract 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 238000003780 insertion Methods 0.000 description 1
- 230000037431 insertion Effects 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分５！ｆ〕
この発明は、熱拡散により半導体ウェハ（以下ウェハと
いう）に酸化膜等を形成ずろ拡散炉装置に関する。
いう）に酸化膜等を形成ずろ拡散炉装置に関する。
第２図（Ａ）は従来の拡散かｉ装置の側断面図、第２図
Ｎ３）はその縦断回図である。図において、（１）は加
熱ヒータ、（２＋ｉよ磁性管、（３）は外側を磁性管（
２）で保謁された石英管で、長手方向の一端には反応ガ
スの導入ｊｌ（３ａ）が設けられ、他９１Ａ１に（よエ
ンドキャップ（４）が設けられている。（５）は石英管
（３）内に収納された石英ボートで、ウェハ（６）を垂
直方向に整然と並へる治具である。
Ｎ３）はその縦断回図である。図において、（１）は加
熱ヒータ、（２＋ｉよ磁性管、（３）は外側を磁性管（
２）で保謁された石英管で、長手方向の一端には反応ガ
スの導入ｊｌ（３ａ）が設けられ、他９１Ａ１に（よエ
ンドキャップ（４）が設けられている。（５）は石英管
（３）内に収納された石英ボートで、ウェハ（６）を垂
直方向に整然と並へる治具である。
従来の拡散炉装置は以上のように構成され、加熱ヒータ
ー（１）によって間接加熱（例丸ば１１００℃）された
石英管（３１に、ボートローグー（図示せず）等によっ
て、ウェハ（６）を整然と並へた石英ボー ｌ−Ｔ５）
を石英管（３）の中心部まで挿入し、エンドキャップ（
４）で外部と連間ずろ。
ー（１）によって間接加熱（例丸ば１１００℃）された
石英管（３１に、ボートローグー（図示せず）等によっ
て、ウェハ（６）を整然と並へた石英ボー ｌ−Ｔ５）
を石英管（３）の中心部まで挿入し、エンドキャップ（
４）で外部と連間ずろ。
次に、所定の反応ガスを矢印（７）の方向から導入して
所定時間加熱し、例丸ば５０００人等の薄膜をウェハ（
６）の表面に形成する。所定の薄膜形成が終了すると、
温度を下降して再びエフ１：キヤツプ（４）をｌ；ｉＪ
き、ボートローグー等で石英ボート（５）ｆｉ！引き出
し、熱拡散が完了する。そして以上のサイクルを繰り返
し、次々とウェハ（６）の設Ａ拡故が辻続的に行われる
。。
所定時間加熱し、例丸ば５０００人等の薄膜をウェハ（
６）の表面に形成する。所定の薄膜形成が終了すると、
温度を下降して再びエフ１：キヤツプ（４）をｌ；ｉＪ
き、ボートローグー等で石英ボート（５）ｆｉ！引き出
し、熱拡散が完了する。そして以上のサイクルを繰り返
し、次々とウェハ（６）の設Ａ拡故が辻続的に行われる
。。
上記の従来の拡散炉装置では、ウェハ（６）を整然と並
へた石英ボート（５）を石英管（３）内にその内壁面に
接触させた状態で収納しているので、熱拡１秋処理のサ
イクルを繰り返すと、石英管（３）の内壁面に反応７レ
ークが付着し、かつ挿入の際石英ボー）・（５）と石英
管（３）の内壁面とのｌに！ｔａによって発生ずる異物
が石英管（３）内部に付着する。そのため石英管（３）
の洗２％を定期的に行う必要があるという問題があった
。この発明は、上記の問題点を解決するためになされた
もので、石英管洗浄を行わなくてもよい拡散炉装置を提
供することを目的とする。
へた石英ボート（５）を石英管（３）内にその内壁面に
接触させた状態で収納しているので、熱拡１秋処理のサ
イクルを繰り返すと、石英管（３）の内壁面に反応７レ
ークが付着し、かつ挿入の際石英ボー）・（５）と石英
管（３）の内壁面とのｌに！ｔａによって発生ずる異物
が石英管（３）内部に付着する。そのため石英管（３）
の洗２％を定期的に行う必要があるという問題があった
。この発明は、上記の問題点を解決するためになされた
もので、石英管洗浄を行わなくてもよい拡散炉装置を提
供することを目的とする。
この発明に係る拡散炉装置は、半導体ウェハを整列した
石英ボートを収納した石英管を加熱し、この石英管内に
導入した反応ガスで上記半導体ウェハを熱拡散処理する
拡１牧炉装置において、石英管内に石英管と同し曲率の
石英側を設けたことを特徴とするものである。
石英ボートを収納した石英管を加熱し、この石英管内に
導入した反応ガスで上記半導体ウェハを熱拡散処理する
拡１牧炉装置において、石英管内に石英管と同し曲率の
石英側を設けたことを特徴とするものである。
この発明においては、石英管内の下部は石英側上１！わ
れているのて、熱拡散処理により生ずる反応フレークは
全て石英側上に付着し、石英管内壁面に付着することが
ない。また石英ボートは石英管内に収納された石英側上
に挿入されるので、挿入時の摩擦により生ずる異物も全
て石英もΦ上に付着する。
れているのて、熱拡散処理により生ずる反応フレークは
全て石英側上に付着し、石英管内壁面に付着することが
ない。また石英ボートは石英管内に収納された石英側上
に挿入されるので、挿入時の摩擦により生ずる異物も全
て石英もΦ上に付着する。
第１図（Ａ）；よこの発明の一実施例の側断面図、第１
図（Ｂ）はその縦断面図である。図において、（１）〜
（７）は従来の拡散炉装置と同様のものである。
図（Ｂ）はその縦断面図である。図において、（１）〜
（７）は従来の拡散炉装置と同様のものである。
（２０）は断面が石英管（３）と同じ曲率の円弧状で、
長さが石英ボート（５）より長く、かつ石英で形成され
た石英側であり、ウェハ（６）を整然と並べた石英ボー
ｌ−ｆ５１は石英側（２０）上に載置した状態で石英
管（３）内に収納されている。
長さが石英ボート（５）より長く、かつ石英で形成され
た石英側であり、ウェハ（６）を整然と並べた石英ボー
ｌ−ｆ５１は石英側（２０）上に載置した状態で石英
管（３）内に収納されている。
この発明に係る拡散炉装置は以上のように構成され、従
来の装置と同様の動作で熱拡散によりウェハ（６）に薄
膜を形成する処理が連続的に行われる。
来の装置と同様の動作で熱拡散によりウェハ（６）に薄
膜を形成する処理が連続的に行われる。
しかし、この発明に係る拡散炉装置では、石英ボー１−
（５１は石英側（２０）に載置され、かつ石英管（３
）内の下部、は石英４＋！！（２０）によって覆われた
状態になるので、熱拡散処理によって生ずる反応フレー
クは石英側（２０）の表面に付着する。また熱拡散処理
を連続して行うので石英ボー１− （５１をオートロー
グ等で石英管（３）内にｌｉｅ人するが、その場合、石
英ボート（５）と接触するのは石英−（２０）であるた
め、１″Ｊ′２脇により生ずる異物１よ石英側（２０）
に付着する。
（５１は石英側（２０）に載置され、かつ石英管（３
）内の下部、は石英４＋！！（２０）によって覆われた
状態になるので、熱拡散処理によって生ずる反応フレー
クは石英側（２０）の表面に付着する。また熱拡散処理
を連続して行うので石英ボー１− （５１をオートロー
グ等で石英管（３）内にｌｉｅ人するが、その場合、石
英ボート（５）と接触するのは石英−（２０）であるた
め、１″Ｊ′２脇により生ずる異物１よ石英側（２０）
に付着する。
したがって、汚染した石英（１＋ｆｉ（２０）のみを洗
浄すると、石英管（３）内部の洗浄度が確保されて精密
な熱拡散処理を行うことができろ。
浄すると、石英管（３）内部の洗浄度が確保されて精密
な熱拡散処理を行うことができろ。
この発明に係る拡散炉装置では、石英ボートは石英−に
載置した状態で石英管内に収納されているので、石英側
のみを洗浄ずろだけで石英管内のＣＶ度等が十分維持て
きると共に、装置の休止時間が大幅に短縮でき、かつ石
英管自体の洗浄が不用となるから作業の労力がシしく
ＩＰ！減される等の種々の効果がある。
載置した状態で石英管内に収納されているので、石英側
のみを洗浄ずろだけで石英管内のＣＶ度等が十分維持て
きると共に、装置の休止時間が大幅に短縮でき、かつ石
英管自体の洗浄が不用となるから作業の労力がシしく
ＩＰ！減される等の種々の効果がある。
第１図（Ａ、 ＋はこの発明の一実施例の側断面図、第
１図（Ｂ）はその縦断面図、第２図（Δ）（よ従来の拡
散炉装置の側障１ｉＩｉｌｉ図、第２図（Ｂ）はその縦
断面図である。 図において、（１）は加熱ピーク、（２）は磁性管、（
３）は石英管、（４）はエンドキャップ、（５）は石英
ボート、（６）１よウェハ、（２０）は石英側である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
１図（Ｂ）はその縦断面図、第２図（Δ）（よ従来の拡
散炉装置の側障１ｉＩｉｌｉ図、第２図（Ｂ）はその縦
断面図である。 図において、（１）は加熱ピーク、（２）は磁性管、（
３）は石英管、（４）はエンドキャップ、（５）は石英
ボート、（６）１よウェハ、（２０）は石英側である。 なお、各図中同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体ウェハを整列した石英ボートを収納した石英管
を加熱し、この石英管内に導入した反応ガスで上記半導
体ウェハを熱拡散処理する拡散炉装置において、 上記石英管内に石英管と同じ曲率の石英樋を設けたこと
を特徴とする拡散炉装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP650686A JPS62165914A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 拡散炉装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP650686A JPS62165914A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 拡散炉装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62165914A true JPS62165914A (ja) | 1987-07-22 |
Family
ID=11640315
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP650686A Pending JPS62165914A (ja) | 1986-01-17 | 1986-01-17 | 拡散炉装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62165914A (ja) |
-
1986
- 1986-01-17 JP JP650686A patent/JPS62165914A/ja active Pending
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