JPS6216469B2 - - Google Patents
Info
- Publication number
- JPS6216469B2 JPS6216469B2 JP57035083A JP3508382A JPS6216469B2 JP S6216469 B2 JPS6216469 B2 JP S6216469B2 JP 57035083 A JP57035083 A JP 57035083A JP 3508382 A JP3508382 A JP 3508382A JP S6216469 B2 JPS6216469 B2 JP S6216469B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- power
- reset
- magnetic bubble
- clock
- bubble memory
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 230000007257 malfunction Effects 0.000 claims description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 239000002223 garnet Substances 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C19/00—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers
- G11C19/02—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements
- G11C19/08—Digital stores in which the information is moved stepwise, e.g. shift registers using magnetic elements using thin films in plane structure
- G11C19/0875—Organisation of a plurality of magnetic shift registers
Description
【発明の詳細な説明】
(1) 発明の技術分野
本発明は電子計算装置等の記憶装置として用い
られる磁気バブルメモリの制御方式に関するもの
である。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION (1) Technical Field of the Invention The present invention relates to a control method for a magnetic bubble memory used as a storage device for electronic computing devices and the like.
(2) 技術の背景
磁気バブルを利用して情報の蓄積、論理演算等
を行なう磁気バブル利用装置は不揮発性、高記憶
密度、及び低消費電力であり、さらには機械的要
素を全く含まない固体素子であることから非常に
高い信頼性を有している等種々の特徴をもつてい
るため大容量メモリとして将来が期待されてい
る。(2) Background of the technology Magnetic bubble utilization devices that use magnetic bubbles to store information, perform logical operations, etc. are nonvolatile, have high storage density, and low power consumption, and are solid-state devices that do not contain any mechanical elements. Because it is an element, it has various characteristics such as extremely high reliability, and is therefore expected to have a promising future as a large-capacity memory.
この磁気バブルメモリ素子は例えばガドリニウ
ム・ガリウム・ガーネツトの単結晶基板の上に液
相エピタキシヤル成長法により磁性ガーネツトの
薄膜を形成し、その上にパーマロイ薄膜によりテ
イーバーあるいはハーフデイスク等のパターンを
行列させたバブル伝播路を形成させたものであ
り、バブル発生器により発生させたバブルを伝播
路に導き、そのパターンにバブルがある場合を
“1”、ない場合を“0”として情報を記憶するよ
うになつている。そしてその素子への情報の書き
込み及び読み出しは磁気バブルメモリ制御回路に
よつて制御される。 In this magnetic bubble memory element, a thin film of magnetic garnet is formed by liquid phase epitaxial growth on a single crystal substrate of gadolinium, gallium, and garnet, and patterns such as Taber or half-disk are formed in matrix on top of the thin film of permalloy. A bubble propagation path is formed, and the bubbles generated by a bubble generator are guided to the propagation path, and information is stored as "1" if there are bubbles in the pattern, and "0" if there are no bubbles. It's getting old. The writing and reading of information into the element is controlled by a magnetic bubble memory control circuit.
(3) 従来技術と問題点
第1図は従来の磁気バブルメモリ制御回路を説
明するための図である。同図において1は制御回
路、2はパワーオンリセツト回路、3はクロツク
ジエネレータ、4はシーケンサ、5はコントロー
ラ、6はタインングジエネレータをそれぞれ示し
ている。(3) Prior Art and Problems FIG. 1 is a diagram for explaining a conventional magnetic bubble memory control circuit. In the figure, 1 is a control circuit, 2 is a power-on reset circuit, 3 is a clock generator, 4 is a sequencer, 5 is a controller, and 6 is a timing generator.
第1図に示す従来の制御回路においては、クロ
ツクとは関係なくパワーオンリセツトが解除され
る。そのためクロツクが出ていないのにパワーオ
ンリセツトが解除されたり、あるいは正常なクロ
ツク波形でない時からクロツクが出力されること
などにより制御回路が誤動作するという欠点があ
つた。 In the conventional control circuit shown in FIG. 1, power-on reset is canceled regardless of the clock. This has resulted in the drawback that the control circuit may malfunction due to the power-on reset being canceled even though the clock is not output, or the clock being output when the clock waveform is not normal.
(4) 発明の目的
本発明は上記従来の欠点に鑑み、磁気バブルメ
モリ制御回路のパワーオンリセツト解除時の誤動
作を防止した制御方式を提供することを目的とす
るものである。(4) Object of the Invention In view of the above-mentioned drawbacks of the conventional art, it is an object of the present invention to provide a control system that prevents malfunctions of a magnetic bubble memory control circuit when power-on reset is released.
(5) 発明の構成
そしてこの目的は本発明によれば、磁気バブル
メモリを制御するためのシーケンサ、コントロー
ラ、クロツクジエネレータ、タイミングジエネレ
ータ、パワーオンリセツトの各回路を含む磁気バ
ブルメモリ制御回路において、上記クロツクジエ
ネレータにカウンタを接続し、該カウンタにより
パワーオン時に一定のクロツク数をカウントした
後、該カウンタからパワーオンリセツト信号を送
出し、前記シーケンサ、コントローラ、タイミン
グジエネレータ等の回路のリセツトを解除するこ
とにより、パワーオン時の誤動作を防止したこと
を特徴とする磁気バブルメモリ制御方式を提供す
ることによつて達成される。(5) Structure of the Invention According to the present invention, the object is to provide a magnetic bubble memory control circuit including a sequencer, a controller, a clock generator, a timing generator, and a power-on reset circuit for controlling a magnetic bubble memory. A counter is connected to the clock generator, and after counting a certain number of clocks when the power is turned on, the counter sends a power-on reset signal to control the circuits of the sequencer, controller, timing generator, etc. This is achieved by providing a magnetic bubble memory control method characterized in that malfunctions at power-on are prevented by canceling the reset of the magnetic bubble memory.
(6) 発明の実施例 以下本発明実施例を図面によつて詳述する。(6) Examples of the invention Embodiments of the present invention will be described in detail below with reference to the drawings.
第2図は本発明による磁気バブルメモリ制御方
式を説明するための図である。同図において7は
以下の各回路を含む制御回路、8は電源監視を行
ない規定電圧になつたときゲートを開くパワーオ
ンリセツト回路、9はクロツクジエネレータ、1
0はシーケンサ、11はコントローラ、12はタ
イミングジエネレータ、13は電源電圧が規定電
圧以上になつたときクロツクが出るようにする
NAND回路、14はパワーオンリセツト解除に必
要なクロツク数をカウントするためのカウンター
をそれぞれ示している。 FIG. 2 is a diagram for explaining the magnetic bubble memory control method according to the present invention. In the figure, 7 is a control circuit including the following circuits, 8 is a power-on reset circuit that monitors the power supply and opens the gate when the specified voltage is reached, 9 is a clock generator, and 1
0 is a sequencer, 11 is a controller, 12 is a timing generator, and 13 is a clock that outputs when the power supply voltage exceeds a specified voltage.
NAND circuits 14 each indicate a counter for counting the number of clocks required to release the power-on reset.
第3図は第2図の回路におけるタイミングチヤ
ートを示した図である。同図においては入力電
源電圧、はパワーオンリセツト回路から出る電
圧、はクロツクジエネレータより出力されるク
ロツク波形、はカウンターでカウントされるク
ロツク、はカウンターからシーケンサ等へ出力
されるパワーオンリセツト信号をそれぞれ示して
いる。 FIG. 3 is a diagram showing a timing chart in the circuit of FIG. 2. In the figure, the input power supply voltage, the voltage output from the power-on reset circuit, the clock waveform output from the clock generator, the clock counted by the counter, and the power-on reset signal output from the counter to the sequencer, etc. are shown respectively.
第2図及び第3図を用いて本発明の磁気バブル
メモリ制御方式を次に説明する。 Next, the magnetic bubble memory control method of the present invention will be explained using FIGS. 2 and 3.
入力電源が投入され、その電圧が次第に上昇
し、規定の電圧VREFに達すると、パワーオンリ
セツト回路8のゲートが開きの電圧が出力され
る。また電源投入と同時にクロツクジエネレータ
9が作動しクロツクパルスを出力する。このク
ロツクパルスはNANDゲート13により初期の
乱れたパルスをカツトされとなる。このクロツ
クパルスをカウンター14がカウントし、シー
ケンサ10等を初期状態に戻すためのパワーオン
リセツトに必要なクロツク数Nをカウントした後
パワーオンリセツト解除信号を送出する。これ
によりシーケンサ10等の各回路はリセツトが解
除され正常な動作に入ることができる。 When the input power is turned on and the voltage gradually rises and reaches the specified voltage V REF , the gate of the power-on reset circuit 8 is opened and a voltage is output. Further, at the same time as the power is turned on, the clock generator 9 operates and outputs a clock pulse. This clock pulse is filtered out by the NAND gate 13 to remove the initial disturbed pulse. A counter 14 counts these clock pulses, and after counting the number N of clocks necessary for power-on reset to return the sequencer 10 etc. to the initial state, it sends out a power-on reset release signal. As a result, each circuit such as the sequencer 10 is released from reset and can resume normal operation.
(7) 発明の効果
以上、詳細に説明したように、本発明の磁気バ
ブルメモリ制御方式は、電源が正常電位になつた
ことを検出し、それによつてクロツクを出力し、
そのクロツクによつてパワーオンリセツトを解除
するようにしたため、従来の如くクロツクが出て
いない時とか、クロツク波形が正常でない時には
パワーオンリセツトが解除されるようなことはな
く、従つて制御回路の誤動作を防止可能としたも
のであり、磁気バブルメモリ制御回路の信頼性向
上に寄与するといつた効果大なるものである。(7) Effects of the Invention As explained in detail above, the magnetic bubble memory control method of the present invention detects that the power supply has reached a normal potential, and outputs a clock accordingly.
Since the power-on reset is canceled by the clock, the power-on reset will not be canceled when the clock is not output or the clock waveform is not normal, unlike in the past, and therefore the control circuit will not be canceled. This makes it possible to prevent malfunctions and is highly effective in contributing to improving the reliability of the magnetic bubble memory control circuit.
第1図は従来の磁気バブルメモリ制御方式を説
明するための図、第2図は本発明による磁気バブ
ルメモリ制御方式を説明するための図、第3図は
第2図におけるタイムチヤートを示した図であ
る。
図面において、7は制御回路、8はパワーオン
リセツト回路、9はクロツクジエネレータ、10
はシーケンサ、11はコントローラ、12はタイ
ミングジエネレータ、13はNAND回路、14は
カウンターをそれぞれ示す。
Fig. 1 is a diagram for explaining the conventional magnetic bubble memory control method, Fig. 2 is a diagram for explaining the magnetic bubble memory control method according to the present invention, and Fig. 3 is a time chart in Fig. 2. It is a diagram. In the drawing, 7 is a control circuit, 8 is a power-on reset circuit, 9 is a clock generator, and 10 is a power-on reset circuit.
11 is a sequencer, 11 is a controller, 12 is a timing generator, 13 is a NAND circuit, and 14 is a counter.
Claims (1)
サ、コントローラ、クロツクジエネレータ、タイ
ミングジエネレータ、パワーオンリセツトの各回
路を含む磁気バブルメモリ制御回路において、 上記クロツクジエネレータにカウンタを接続
し、該カウンタによりパワーオン時に一定のクロ
ツク数をカウントした後、該カウンタからパワー
オンリセツト信号を送出し、前記シーケンサ、コ
ントローラ、タイミングジエネレータ等の回路の
リセツトを解除することにより、パワーオン時の
制御回路の誤動作を防止したことを特徴とする磁
気バブルメモリ制御方式。[Scope of Claims] 1. A magnetic bubble memory control circuit including a sequencer, a controller, a clock generator, a timing generator, and a power-on reset circuit for controlling a magnetic bubble memory, wherein the clock generator is provided with a counter. After the counter counts a certain number of clocks at power-on, the counter sends a power-on reset signal to release the reset of the sequencer, controller, timing generator, and other circuits. A magnetic bubble memory control method that prevents malfunction of the control circuit when it is turned on.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57035083A JPS58153292A (en) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | System for controlling magnetic bubble memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP57035083A JPS58153292A (en) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | System for controlling magnetic bubble memory |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS58153292A JPS58153292A (en) | 1983-09-12 |
JPS6216469B2 true JPS6216469B2 (en) | 1987-04-13 |
Family
ID=12432075
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP57035083A Granted JPS58153292A (en) | 1982-03-08 | 1982-03-08 | System for controlling magnetic bubble memory |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS58153292A (en) |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57176589A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-29 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device |
-
1982
- 1982-03-08 JP JP57035083A patent/JPS58153292A/en active Granted
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS57176589A (en) * | 1981-04-24 | 1982-10-29 | Hitachi Ltd | Magnetic bubble memory device |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS58153292A (en) | 1983-09-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US6128746A (en) | Continuously powered mainstore for large memory subsystems | |
DE69616369T2 (en) | INPUT / OUTPUT DRIVER CIRCUIT TO ISOLATE A CIRCULAR COMPONENT FROM A CORE SECTION WITH MINIMUM POWER CONSUMPTION | |
US20050218952A1 (en) | State retention within a data processing system | |
US5603036A (en) | Power management system for components used in battery powered applications | |
KR20170115581A (en) | Timing control in a quantum memory system | |
US6169687B1 (en) | High density and speed magneto-electronic memory for use in computing system | |
EP1168357A1 (en) | Circuit and method for substantially preventing imprint effects in a ferroelectric memory device | |
US5153854A (en) | EEPROM memory system having selectable programming voltage for low power readability | |
JPS6216469B2 (en) | ||
JPH0318218B2 (en) | ||
CN113205842B (en) | Reading circuit and method for ferroelectric memory debugging area | |
US5254960A (en) | Oscillator circuit capable of removing noise | |
GB1314021A (en) | Digital data carrying component and associable data transfer device | |
US6972988B1 (en) | State save-on-power-down using GMR non-volatile elements | |
JPH0628053A (en) | Electronic apparatus having stand-by mode | |
US3200381A (en) | Memory system utilizing thin magnetic films | |
JPS5927031B2 (en) | magnetic bubble storage device | |
JPH0150926B2 (en) | ||
JP2679093B2 (en) | IC memory card | |
Fedeli et al. | Design and characteristics of 4Mb hybrid bubble memory chips | |
JP2655766B2 (en) | Information card | |
JPS5469928A (en) | Control system of bubble memory unit | |
JPS62260427A (en) | Nonvolatile counter device | |
JPS57117024A (en) | Electronic apparatus having clock circuit | |
JPS6160503B2 (en) |