SU1471284A1 - Bistable flip-flop retaining data with power off - Google Patents
Bistable flip-flop retaining data with power off Download PDFInfo
- Publication number
- SU1471284A1 SU1471284A1 SU874220829A SU4220829A SU1471284A1 SU 1471284 A1 SU1471284 A1 SU 1471284A1 SU 874220829 A SU874220829 A SU 874220829A SU 4220829 A SU4220829 A SU 4220829A SU 1471284 A1 SU1471284 A1 SU 1471284A1
- Authority
- SU
- USSR - Soviet Union
- Prior art keywords
- transistor
- power
- bus
- memory capacitor
- gate
- Prior art date
Links
Landscapes
- Stand-By Power Supply Arrangements (AREA)
- Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)
Abstract
Изобретение относитс к области автоматики и вычислительной техники и может быть использовано в управл ющих комплексах дл автоматизированных систем управлени . Цель изобретени - увеличение допустимой длительности перерыва питани при сохранении быстродействи . Устройство содержит бистабильную чейку на входном и выходном транзисторах 1 и 2, конденсатор пам ти 3, разр дный транзистор 4, запорный транзистор 6, шины сброса 7, записи информации 8, питани 9 и общую 10. За счет введени дополнительных полевого транзистора 5 и бипол рного транзистора 14, управл емого сигналом записи информации, перезар д конденсатора пам ти производитс входным сигналом параллельно переключению триггера, что позвол ет повысить быстродействие при том же допустимом перерыве питани или увеличить допустимую длительность перерыва питани . 1 ил.The invention relates to the field of automation and computer technology and can be used in control complexes for automated control systems. The purpose of the invention is to increase the permissible duration of power interruption while maintaining speed. The device contains a bistable cell on the input and output transistors 1 and 2, the memory capacitor 3, the discharge transistor 4, the gate transistor 6, the reset bus 7, the information recording 8, the power 9 and the total 10. By introducing additional field-effect transistor 5 and bipolar The transistor 14, controlled by the information recording signal, is recharged by the memory capacitor by an input signal parallel to the trigger switching, which improves the speed at the same allowable power interruption or increases the allowed duration of reryva power. 1 il.
Description
Изобретение относится к автоматике и вычислительной технике и может быть использовано в управляющих комплексах для автоматизированных систем управления.The invention relates to automation and computer technology and can be used in control systems for automated control systems.
Целью изобретения является расширение области применения за счет увеличения допустимой длительности перерыва питания при сохранении быстродействия и повышение быстродействия при той же допустимой длительности перерыва питания.The aim of the invention is to expand the scope by increasing the allowable duration of a power outage while maintaining performance and increase performance with the same allowable duration of a power outage.
На чертеже приведена электрическая принципиальная схема устройства.The drawing shows an electrical schematic diagram of a device.
Двустабильный триггер, сохраняющий информацию при отключении питания, содержит бистабильную ячейку на входном транзисторе 1 и выходном транзисторе 2, конденсатор 3 памяти, разрядный транзистор 4, дополнительный полевой транзистор 5 в цепи связи, запорный транзистор 6, шины сброса 7, записи информации 8, питания 9 и общую 10; первый 11, второй 12, третий 13 резисторы и дополнительный биполярный транзистор 14.The two-stable trigger, which stores information when the power is turned off, contains a bistable cell on the input transistor 1 and the output transistor 2, a memory capacitor 3, a bit transistor 4, an additional field-effect transistor 5 in the communication circuit, a shutdown transistor 6, a reset bus 7, write information 8, power 9 and total 10; the first 11, second 12, third 13 resistors and an additional bipolar transistor 14.
Двустабильный триггер, сохраняющий информацию при отключении питания, работает следующим образом.A two-stable trigger that stores information when a power is turned off works as follows.
После включения напряжения питания дополнительный полевой транзистор 5 открыт, обеспечивая гальваническую связь конденсатора 3 памяти с затвором входного транзистора 1 триггера. При подаче импульса на шину 7 сброса выходной транзистор 2 триггера и разрядный транзистор 4 отпираются, благодаря чему триггер переводится в состояние логического 0, а конденсатор 3 памяти разряжается. После окончания импульса сброса разрядный транзистор 4 запирается, а выходной транзистор 2 остается открытым.After turning on the supply voltage, the additional field-effect transistor 5 is open, providing a galvanic connection of the memory capacitor 3 with the gate of the input transistor 1 of the trigger. When a pulse is applied to the reset bus 7, the output transistor 2 of the trigger and the discharge transistor 4 are unlocked, so that the trigger is put into a state of logical 0, and the memory capacitor 3 is discharged. After the end of the reset pulse, the discharge transistor 4 is turned off, and the output transistor 2 remains open.
В случае подачи импульса по шине 8 записи информации отпираются входной транзистор 1 и дополнительный биполярный транзистор 14, который, в свою очередь, через второй резистор 12 отпирает запорный' транзистор 6, нормально закрытый благодаря наличию первого резистора 11. При этом конденсатор 3 памяти быстро заряжается через запорный транзистор 6 (и малое сопротивление в цепи коллектора, показанное на чертеже пунк— тиром, величина которого определяется допустимым током через запорный транзистор 6). После окончания им пульса записи информации дополнительный биполярный транзистор 14 и запорный транзистор 6 запираются.In the case of applying a pulse via the information recording bus 8, the input transistor 1 and the additional bipolar transistor 14 are unlocked, which, in turn, unlocks the shut-off transistor 6 through the second resistor 12, which is normally closed due to the presence of the first resistor 11. In this case, the memory capacitor 3 quickly charges through a gate transistor 6 (and a small resistance in the collector circuit, shown in dotted lines with a dash, the value of which is determined by the permissible current through the gate transistor 6). After the pulse of information recording, the additional bipolar transistor 14 and the gate transistor 6 are locked.
В случае отключения напряжения питания дополнительный полевой транзистор 5 запирается и, так как транзисторы 4, 6 и 14 заперты, напряжение на конденсаторе памяти остается равным напряжению на затворе входного транзистора 1 в момент отключения (медленно уменьшаясь по мере разряда конденсатора через сопротивления утечки).In the event of a power failure, the additional field-effect transistor 5 is locked and, since the transistors 4, 6, and 14 are locked, the voltage on the memory capacitor remains equal to the voltage on the gate of the input transistor 1 at the time of shutdown (slowly decreasing as the capacitor discharges through the leakage resistance).
После восстановления напряжения питания (в пределах времени, в течение которого величина напряжения на конденсаторе 3 остается достаточной для отпирания входного транзистора 1) сразу же отпирается дополнительный полевой транзистор 5 и напряжение на конденсаторе 3 памяти по цепи связи через третий резистор 13 прикладывается к затвору входного транзистора 1, устанавливая его (а значит, и весь триггер).в состояние, бывшее до пропадания напряжения питания.After restoration of the supply voltage (within the time during which the voltage across the capacitor 3 remains sufficient to unlock the input transistor 1), an additional field effect transistor 5 is immediately unlocked and the voltage across the memory capacitor 3 is applied to the input transistor gate via a third resistor 13 1, setting it (and, therefore, the entire trigger). In the state that was before the power failure.
Claims (1)
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874220829A SU1471284A1 (en) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | Bistable flip-flop retaining data with power off |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
SU874220829A SU1471284A1 (en) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | Bistable flip-flop retaining data with power off |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
SU1471284A1 true SU1471284A1 (en) | 1989-04-07 |
Family
ID=21294957
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
SU874220829A SU1471284A1 (en) | 1987-04-01 | 1987-04-01 | Bistable flip-flop retaining data with power off |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
SU (1) | SU1471284A1 (en) |
-
1987
- 1987-04-01 SU SU874220829A patent/SU1471284A1/en active
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Авторское свидетельство СССР № 320931, кл. Н 03 К 17/22, 11.12.69. * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR940010419B1 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
US4271487A (en) | Static volatile/non-volatile ram cell | |
US3859638A (en) | Non-volatile memory unit with automatic standby power supply | |
EP0440204B1 (en) | Semiconductor integrated circuit device having main power terminal and backup power terminal independently of each other | |
US3562555A (en) | Memory protecting circuit | |
JPH06103748A (en) | Power control circuit for ic memory card | |
JPH1093423A (en) | Programmable logic array | |
US3564300A (en) | Pulse power data storage cell | |
US5646902A (en) | Static random access memory device with low power dissipation | |
US4339809A (en) | Noise protection circuits | |
GB1516134A (en) | Electrical information store | |
SU1471284A1 (en) | Bistable flip-flop retaining data with power off | |
US3971004A (en) | Memory cell with decoupled supply voltage while writing | |
US3588848A (en) | Input-output control circuit for memory circuit | |
EP0031009B1 (en) | Multiple access memory cell and its use in a memory array | |
KR870004452A (en) | Semiconductor integrated circuit | |
KR900003901A (en) | Programmable Semiconductor Memory Circuits | |
US3703711A (en) | Memory cell with voltage limiting at transistor control terminals | |
US3573756A (en) | Associative memory circuitry | |
KR900005442A (en) | Semiconductor memory | |
US3732440A (en) | Address decoder latch | |
US3686515A (en) | Semiconductor memory | |
JPH088334B2 (en) | Semiconductor integrated circuit | |
SU842975A1 (en) | Storage device with saving information at power supply disconnection | |
KR900009459Y1 (en) | Memory power supply circuit using back-up battery |