JPS62164688A - オレフィン系シランおよびシロキサンの製造方法 - Google Patents
オレフィン系シランおよびシロキサンの製造方法Info
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- KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N disiloxane Chemical class [SiH3]O[SiH3] KPUWHANPEXNPJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims description 7
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 3
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 title description 11
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 title description 11
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims description 53
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 claims description 45
- -1 aminosilyl groups Chemical group 0.000 claims description 38
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 34
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 27
- 150000001336 alkenes Chemical class 0.000 claims description 24
- JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N olefin Natural products CCCCCCCC=C JRZJOMJEPLMPRA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N rhodium atom Chemical compound [Rh] MHOVAHRLVXNVSD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000010948 rhodium Substances 0.000 claims description 14
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 claims description 13
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims description 13
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 claims description 13
- 239000008096 xylene Substances 0.000 claims description 13
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 11
- GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N tris(dimethylamino)silicon Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)N(C)C GIRKRMUMWJFNRI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 7
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 101100030361 Neurospora crassa (strain ATCC 24698 / 74-OR23-1A / CBS 708.71 / DSM 1257 / FGSC 987) pph-3 gene Proteins 0.000 claims description 6
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 125000003545 alkoxy group Chemical group 0.000 claims description 3
- MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N chlorobenzene Chemical compound ClC1=CC=CC=C1 MVPPADPHJFYWMZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 claims description 3
- 239000004721 Polyphenylene oxide Substances 0.000 claims description 2
- 125000003342 alkenyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000005103 alkyl silyl group Chemical group 0.000 claims description 2
- 125000004104 aryloxy group Chemical group 0.000 claims description 2
- LZDPMWPKENASIX-UHFFFAOYSA-N bis(trimethylsilyloxy)methylsilicon Chemical compound C[Si](C)(C)OC([Si])O[Si](C)(C)C LZDPMWPKENASIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N octane Chemical compound CCCCCCCC TVMXDCGIABBOFY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920000570 polyether Polymers 0.000 claims description 2
- VUMCUSHVMYIRMB-UHFFFAOYSA-N 1,3,5-tri(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC(C(C)C)=CC(C(C)C)=C1 VUMCUSHVMYIRMB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 125000005370 alkoxysilyl group Chemical group 0.000 claims 1
- PXURRFCLQDNZOY-UHFFFAOYSA-L carbon monoxide;dichlororuthenium;triphenylphosphane Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ru+2].[O+]#[C-].[O+]#[C-].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 PXURRFCLQDNZOY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims 1
- 125000001449 isopropyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000002914 sec-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])(*)C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 125000000999 tert-butyl group Chemical group [H]C([H])([H])C(*)(C([H])([H])[H])C([H])([H])[H] 0.000 claims 1
- 239000000047 product Substances 0.000 description 40
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- 238000006356 dehydrogenation reaction Methods 0.000 description 14
- 238000009833 condensation Methods 0.000 description 12
- 230000005494 condensation Effects 0.000 description 12
- 239000004576 sand Substances 0.000 description 8
- FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N silanamine Chemical class [SiH3]N FZHAPNGMFPVSLP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N triphenylphosphine Chemical compound C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 RIOQSEWOXXDEQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[SiH](OC(C)(C)C)OC(C)(C)C QCKKBOHAYRLMQP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 6
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 6
- KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N Butadiene Chemical compound C=CC=C KAKZBPTYRLMSJV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 5
- FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethoxy)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)C=C FWDBOZPQNFPOLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N Dimethylamine Chemical compound CNC ROSDSFDQCJNGOL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000006482 condensation reaction Methods 0.000 description 4
- MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C MABAWBWRUSBLKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WBVXRXLWILVPMX-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-ethenylsilyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](C=C)(N(C)C)N(C)C WBVXRXLWILVPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000011541 reaction mixture Substances 0.000 description 4
- QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N triethoxysilane Chemical compound CCO[SiH](OCC)OCC QQQSFSZALRVCSZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N triethylsilane Chemical compound CC[SiH](CC)CC AQRLNPVMDITEJU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- GGQQNYXPYWCUHG-RMTFUQJTSA-N (3e,6e)-deca-3,6-diene Chemical compound CCC\C=C\C\C=C\CC GGQQNYXPYWCUHG-RMTFUQJTSA-N 0.000 description 3
- WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 10H-phenothiazine Chemical compound C1=CC=C2NC3=CC=CC=C3SC2=C1 WJFKNYWRSNBZNX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- SNYNNFDVNITLRQ-UHFFFAOYSA-N 2,2,4,4,6,6,8-heptamethyl-1,3,5,7,2,4,6,8$l^{3}-tetraoxatetrasilocane Chemical compound C[Si]1O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O[Si](C)(C)O1 SNYNNFDVNITLRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 3
- 238000010542 dehydrogenative silylation reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 3
- 125000002524 organometallic group Chemical group 0.000 description 3
- 150000003961 organosilicon compounds Chemical class 0.000 description 3
- 229950000688 phenothiazine Drugs 0.000 description 3
- QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N propylene Natural products CC=C QQONPFPTGQHPMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000376 reactant Substances 0.000 description 3
- LGXAANYJEHLUEM-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-tri(propan-2-yl)benzene Chemical compound CC(C)C1=CC=CC(C(C)C)=C1C(C)C LGXAANYJEHLUEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N Allylamine Chemical compound NCC=C VVJKKWFAADXIJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N Ethylbenzene Chemical compound CCC1=CC=CC=C1 YNQLUTRBYVCPMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002621 H2PtCl6 Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005481 NMR spectroscopy Methods 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 238000007259 addition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 239000007859 condensation product Substances 0.000 description 2
- HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N cyclohexene Chemical compound C1CCC=CC1 HGCIXCUEYOPUTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000002147 dimethylamino group Chemical group [H]C([H])([H])N(*)C([H])([H])[H] 0.000 description 2
- BQRPSOKLSZSNAR-UHFFFAOYSA-N ethenyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C=C BQRPSOKLSZSNAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 2
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 2
- PFSMVBWDIRXMFP-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-(2-phenylethenyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical group CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)C=CC1=CC=CC=C1 PFSMVBWDIRXMFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FHBURLBCXNMPJX-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-ethylsilyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CC[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C FHBURLBCXNMPJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AHJCYBLQMDWLOC-UHFFFAOYSA-N n-methyl-n-silylmethanamine Chemical compound CN(C)[SiH3] AHJCYBLQMDWLOC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002908 osmium compounds Chemical class 0.000 description 2
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000004805 propylene group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 2
- YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N trimethoxysilane Chemical compound CO[SiH](OC)OC YUYCVXFAYWRXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PDJQCHVMABBNQW-MIXQCLKLSA-L (1z,5z)-cycloocta-1,5-diene;rhodium;dichloride Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Rh].[Rh].C\1C\C=C/CC\C=C/1.C\1C\C=C/CC\C=C/1 PDJQCHVMABBNQW-MIXQCLKLSA-L 0.000 description 1
- LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 1-hexene Chemical compound CCCCC=C LIKMAJRDDDTEIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001644 13C nuclear magnetic resonance spectroscopy Methods 0.000 description 1
- YINAIHVTJAHJGU-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethenyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical group CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=CC1=CC=CC=C1 YINAIHVTJAHJGU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BPVLGDGUKDAVDB-UHFFFAOYSA-N 2-phenylethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)CCC1=CC=CC=C1 BPVLGDGUKDAVDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XBRVPWBNRAPVCC-UHFFFAOYSA-N 4,6,11-trioxa-1-aza-5$l^{3}-silabicyclo[3.3.3]undecane Chemical compound C1CO[Si]2OCCN1CCO2 XBRVPWBNRAPVCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M Acrylate Chemical compound [O-]C(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UPCHQOGVQKXCNM-UHFFFAOYSA-N C=1C=CC=CC=1N([SiH](C)C)C1=CC=CC=C1 Chemical compound C=1C=CC=CC=1N([SiH](C)C)C1=CC=CC=C1 UPCHQOGVQKXCNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHMBVEPLSQTWNQ-UHFFFAOYSA-N CCC[SiH2]CCN(CC)CC Chemical compound CCC[SiH2]CCN(CC)CC QHMBVEPLSQTWNQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XXEVQQQTHDJAFN-UHFFFAOYSA-N CCN(CC)C(C[SiH3])N(CC)CC Chemical compound CCN(CC)C(C[SiH3])N(CC)CC XXEVQQQTHDJAFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DBTKGGFFVHEJDB-UHFFFAOYSA-N CN(C)C(C[SiH3])N(C)C Chemical compound CN(C)C(C[SiH3])N(C)C DBTKGGFFVHEJDB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M Chloride anion Chemical compound [Cl-] VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 101100285402 Danio rerio eng1a gene Proteins 0.000 description 1
- 241000255925 Diptera Species 0.000 description 1
- TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L Magnesium chloride Chemical compound [Mg+2].[Cl-].[Cl-] TWRXJAOTZQYOKJ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- XTFPBSFUWLNVLV-UHFFFAOYSA-N N,N,N',N'-tetrabenzyl-1-silylmethanediamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1CN(CC=1C=CC=CC=1)C([SiH3])N(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 XTFPBSFUWLNVLV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLWCZVQPQGWJMD-UHFFFAOYSA-N N,N-dibenzyl-2-phenylsilylethanamine Chemical compound C=1C=CC=CC=1[SiH2]CCN(CC=1C=CC=CC=1)CC1=CC=CC=C1 VLWCZVQPQGWJMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BIWZQQBGGVIAMG-UHFFFAOYSA-N N-(ethylsilylmethyl)-N-phenylaniline Chemical compound C=1C=CC=CC=1N(C[SiH2]CC)C1=CC=CC=C1 BIWZQQBGGVIAMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KRQLONYHYWKOHL-UHFFFAOYSA-N N-bis(dicyclohexylamino)silyl-N-cyclohexylcyclohexanamine Chemical compound C1CCCCC1N([SiH](N(C1CCCCC1)C1CCCCC1)N(C1CCCCC1)C1CCCCC1)C1CCCCC1 KRQLONYHYWKOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWNSQELROAOVLF-UHFFFAOYSA-N N-ethyl-N-(ethylsilylmethyl)ethanamine Chemical compound CC[SiH2]CN(CC)CC OWNSQELROAOVLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JTVHIRUDQBMPCB-UHFFFAOYSA-M O=C=[Rh](Cl)=C=O Chemical compound O=C=[Rh](Cl)=C=O JTVHIRUDQBMPCB-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N Tetraethyl orthosilicate Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)OCC BOTDANWDWHJENH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JGVYKIHQSYPOOJ-UHFFFAOYSA-N [ethenylsilyl(trimethylsilyloxy)methoxy]-trimethylsilane Chemical compound C[Si](C)(C)OC(O[Si](C)(C)C)[SiH2]C=C JGVYKIHQSYPOOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MJQJSELFHGBUKS-UHFFFAOYSA-N [ethylsilyl(trimethylsilyloxy)methoxy]-trimethylsilane Chemical compound CC[SiH2]C(O[Si](C)(C)C)O[Si](C)(C)C MJQJSELFHGBUKS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N acrylic acid methyl ester Natural products COC(=O)C=C BAPJBEWLBFYGME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005376 alkyl siloxane group Chemical group 0.000 description 1
- HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N alpha-acetylene Natural products C#C HSFWRNGVRCDJHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000006229 carbon black Substances 0.000 description 1
- GGRQQHADVSXBQN-FGSKAQBVSA-N carbon monoxide;(z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;rhodium Chemical compound [Rh].[O+]#[C-].[O+]#[C-].C\C(O)=C\C(C)=O GGRQQHADVSXBQN-FGSKAQBVSA-N 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 1
- 150000001768 cations Chemical class 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 239000003431 cross linking reagent Substances 0.000 description 1
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- QJSMKCFAQMZCLF-UHFFFAOYSA-N di(butan-2-yloxy)-methylsilane Chemical compound CCC(C)O[SiH](C)OC(C)CC QJSMKCFAQMZCLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WIWBLJMBLGWSIN-UHFFFAOYSA-L dichlorotris(triphenylphosphine)ruthenium(ii) Chemical compound [Cl-].[Cl-].[Ru+2].C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1.C1=CC=CC=C1P(C=1C=CC=CC=1)C1=CC=CC=C1 WIWBLJMBLGWSIN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- BFFJBAVNIXLGLQ-UHFFFAOYSA-N dimethyl-[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound C[SiH](C)OC(C)(C)C BFFJBAVNIXLGLQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- HBWGDHDXAMFADB-UHFFFAOYSA-N ethenyl(triethyl)silane Chemical compound CC[Si](CC)(CC)C=C HBWGDHDXAMFADB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N ethenyl(trimethoxy)silane Chemical compound CO[Si](OC)(OC)C=C NKSJNEHGWDZZQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N ethenyl-dimethoxy-methylsilane Chemical compound CO[Si](C)(OC)C=C ZLNAFSPCNATQPQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N ethenyl-ethoxy-dimethylsilane Chemical compound CCO[Si](C)(C)C=C JEWCZPTVOYXPGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N ethenyl-methoxy-dimethylsilane Chemical compound CO[Si](C)(C)C=C NUFVQEIPPHHQCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N ethyl(trimethoxy)silane Chemical compound CC[Si](OC)(OC)OC SBRXLTRZCJVAPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N ethyl-tri(propan-2-yloxy)silane Chemical compound CC(C)O[Si](CC)(OC(C)C)OC(C)C MYEJNNDSIXAGNK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N ethyl-tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]silane Chemical compound CC(C)(C)O[Si](CC)(OC(C)(C)C)OC(C)(C)C ZVQNVYMTWXEMSF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000816 ethylene group Chemical group [H]C([H])([*:1])C([H])([H])[*:2] 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- VMDTXBZDEOAFQF-UHFFFAOYSA-N formaldehyde;ruthenium Chemical compound [Ru].O=C VMDTXBZDEOAFQF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000499 gel Substances 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 1
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 1
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001819 mass spectrum Methods 0.000 description 1
- 150000002734 metacrylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- SWGZAKPJNWCPRY-UHFFFAOYSA-N methyl-bis(trimethylsilyloxy)silicon Chemical compound C[Si](C)(C)O[Si](C)O[Si](C)(C)C SWGZAKPJNWCPRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QABJMCUIZVKWCF-UHFFFAOYSA-N methyl-di(propan-2-yloxy)silicon Chemical compound CC(C)O[Si](C)OC(C)C QABJMCUIZVKWCF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N methylsilane Chemical compound [SiH3]C UIUXUFNYAYAMOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NCWQJOGVLLNWEO-UHFFFAOYSA-N methylsilicon Chemical group [Si]C NCWQJOGVLLNWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- NCAKWMZPHTZJOT-UHFFFAOYSA-N n-[bis(diethylamino)silyl]-n-ethylethanamine Chemical compound CCN(CC)[SiH](N(CC)CC)N(CC)CC NCAKWMZPHTZJOT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SLQLQPWQTFDYNJ-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-(2-triethoxysilylethenyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)C=C[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C SLQLQPWQTFDYNJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZABHNYXUMKANSN-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-(2-triethoxysilylethyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CC[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C ZABHNYXUMKANSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RBPLDVQBUBDXSV-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-(3-methylbuta-1,3-dienyl)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)C=CC(C)=C RBPLDVQBUBDXSV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ICADMJLDJIBIQY-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-[2-[tris(dimethylamino)silyl]ethenyl]silyl]-n-methylmethanamine Chemical group CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)C=C[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C ICADMJLDJIBIQY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NQYXALRANHLJAO-UHFFFAOYSA-N n-[bis(dimethylamino)-propylsilyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CCC[Si](N(C)C)(N(C)C)N(C)C NQYXALRANHLJAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KIIQKDJWIKHGMH-UHFFFAOYSA-N n-[buta-1,3-dienyl-bis(dimethylamino)silyl]-n-methylmethanamine Chemical compound CN(C)[Si](N(C)C)(N(C)C)C=CC=C KIIQKDJWIKHGMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N n-decene Natural products CCCCCCCCC=C AFFLGGQVNFXPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 210000000056 organ Anatomy 0.000 description 1
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000001282 organosilanes Chemical class 0.000 description 1
- XJWOWXZSFTXJEX-UHFFFAOYSA-N phenylsilicon Chemical compound [Si]C1=CC=CC=C1 XJWOWXZSFTXJEX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GTBPUYSGSDIIMM-UHFFFAOYSA-N phosphane;ruthenium Chemical class P.[Ru] GTBPUYSGSDIIMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000006116 polymerization reaction Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 125000006238 prop-1-en-1-yl group Chemical group [H]\C(*)=C(/[H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000011514 reflex Effects 0.000 description 1
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 1
- 238000012552 review Methods 0.000 description 1
- 150000003333 secondary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 125000001424 substituent group Chemical group 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 description 1
- 150000003509 tertiary alcohols Chemical class 0.000 description 1
- LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N tetramethyl orthosilicate Chemical compound CO[Si](OC)(OC)OC LFQCEHFDDXELDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N tetrapropan-2-yl silicate Chemical compound CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C ZUEKXCXHTXJYAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 1
- COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N tri(butan-2-yloxy)silane Chemical compound CCC(C)O[SiH](OC(C)CC)OC(C)CC COKLPZSYWJNYBJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CQDJUAPLVNTUHG-UHFFFAOYSA-N tri(piperidin-1-yl)silane Chemical compound C1CCCCN1[SiH](N1CCCCC1)N1CCCCC1 CQDJUAPLVNTUHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GBBZJPBKJSSIDA-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)-[2-tri(propan-2-yloxy)silylethenyl]silane Chemical group CC(C)O[Si](OC(C)C)(OC(C)C)C=C[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C GBBZJPBKJSSIDA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N tri(propan-2-yloxy)-propylsilane Chemical compound CCC[Si](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C MQVCTPXBBSKLFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UUVZTKMMRCCGHN-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-phenylethenyl)silane Chemical group CCO[Si](OCC)(OCC)C=CC1=CC=CC=C1 UUVZTKMMRCCGHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VBSUMMHIJNZMRM-UHFFFAOYSA-N triethoxy(2-phenylethyl)silane Chemical compound CCO[Si](OCC)(OCC)CCC1=CC=CC=C1 VBSUMMHIJNZMRM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N triethoxy(ethyl)silane Chemical compound CCO[Si](CC)(OCC)OCC DENFJSAFJTVPJR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GWKMGHOXURAZKI-UHFFFAOYSA-N tris[(2-methylpropan-2-yl)oxy]-(2-phenylethenyl)silane Chemical group CC(C)(C)O[Si](OC(C)(C)C)(OC(C)(C)C)C=CC1=CC=CC=C1 GWKMGHOXURAZKI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
- UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N vinylsilane Chemical class [SiH3]C=C UKRDPEFKFJNXQM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07F—ACYCLIC, CARBOCYCLIC OR HETEROCYCLIC COMPOUNDS CONTAINING ELEMENTS OTHER THAN CARBON, HYDROGEN, HALOGEN, OXYGEN, NITROGEN, SULFUR, SELENIUM OR TELLURIUM
- C07F7/00—Compounds containing elements of Groups 4 or 14 of the Periodic Table
- C07F7/02—Silicon compounds
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- C07F7/1876—Preparation; Treatments not provided for in C07F7/20 by reactions involving the formation of Si-C linkages
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- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は一般的にはオレフィン系シラン類および/また
はシロキサン類の新規な合成方法に関するものである。
はシロキサン類の新規な合成方法に関するものである。
特に、該方法は一段階方法によりロジウムまたはルテニ
ウム触媒の存在下での珪素−含有化合物とオレフィンと
の脱水素縮合を与えるものである。
ウム触媒の存在下での珪素−含有化合物とオレフィンと
の脱水素縮合を与えるものである。
ヒドロシラン化反応は1947年に発見されており、長
年にわたり有機珪素化学における最も良く知られており
そして最も広〈実施されている反応の一つになっており
、多種の大規模な商業的用途において使用されている。
年にわたり有機珪素化学における最も良く知られており
そして最も広〈実施されている反応の一つになっており
、多種の大規模な商業的用途において使用されている。
それはいくつかの広範囲にわたる研究の主題ともなって
おり、例えば「■族元素類の有機添加反応(Organ
icサルタンツφビューロー、ニューヨーク、1966
; 「■族元素類の有機金属化合物類(Or g a互
)」、デツカ−、ニューヨーク、1068、■環; 「
添加反応による炭素官能性有機シラン類のction)
J、モスクワ、1971;ロシアン・ケミカル・レビュ
ース(Russ、Chem。
おり、例えば「■族元素類の有機添加反応(Organ
icサルタンツφビューロー、ニューヨーク、1966
; 「■族元素類の有機金属化合物類(Or g a互
)」、デツカ−、ニューヨーク、1068、■環; 「
添加反応による炭素官能性有機シラン類のction)
J、モスクワ、1971;ロシアン・ケミカル・レビュ
ース(Russ、Chem。
Rev、)、46.264 (1977);およびザ・
ジャーナルφオブ・オルガノメタリック・ケミストリイ
(J、Organometa1、Chem、)、 ライ
ブラリー5.1977.1−179頁を参照のこと。
ジャーナルφオブ・オルガノメタリック・ケミストリイ
(J、Organometa1、Chem、)、 ライ
ブラリー5.1977.1−179頁を参照のこと。
シランおよびオレフィンの間のヒドロシラン化反応は一
般的には以下のように記される:練−製 =SiH+ GH2= CHRΔ = S 1cH2c
)I2Rヒドロシラン化反応の実施においては、種々の
遷移金属類が有効な触媒であることが知られている。米
国特許番号2,823,218は、白金の可溶性形であ
るクロロ白金酸を特に有効なヒドロシラン触媒として教
示している。
般的には以下のように記される:練−製 =SiH+ GH2= CHRΔ = S 1cH2c
)I2Rヒドロシラン化反応の実施においては、種々の
遷移金属類が有効な触媒であることが知られている。米
国特許番号2,823,218は、白金の可溶性形であ
るクロロ白金酸を特に有効なヒドロシラン触媒として教
示している。
該文献はシラン類およびオレフィン類の間の脱水素縮合
(脱水素的シリル化としても知られている)も開示され
ている。この反応は以下のように記される: 米国特許番号3,595,733には、例えばクロロオ
スミウム酸の如きオスミウム化合物類がこの脱水素縮合
反応に触媒作用を与えると教示されている。しかしなが
ら、オスミウム化合物類は非常に高価であり、従って他
の方法が探究されており、例えば英国特許1,365,
431中にはオレフィン系不飽和を有する有機珪素化合
物類を与えるためのミSiH化合物類とオレフィン類と
の反応にニッケル錯体類が触媒作用を有すると開示され
ている。
(脱水素的シリル化としても知られている)も開示され
ている。この反応は以下のように記される: 米国特許番号3,595,733には、例えばクロロオ
スミウム酸の如きオスミウム化合物類がこの脱水素縮合
反応に触媒作用を与えると教示されている。しかしなが
ら、オスミウム化合物類は非常に高価であり、従って他
の方法が探究されており、例えば英国特許1,365,
431中にはオレフィン系不飽和を有する有機珪素化合
物類を与えるためのミSiH化合物類とオレフィン類と
の反応にニッケル錯体類が触媒作用を有すると開示され
ている。
それより最近では、可能性のある脱水素縮合触媒として
ロジウムおよびルテニウムが示唆されている。
ロジウムおよびルテニウムが示唆されている。
日本特許57.140.788中では、ロジウムまたは
ルテニウム触媒錯体類の存在下における=SiHとパー
フルオロヒドロカルビル含有オレフィン類との反応によ
り2−(パーフルオロヒドロカルビル)ビニルシラン類
が製造されている。
ルテニウム触媒錯体類の存在下における=SiHとパー
フルオロヒドロカルビル含有オレフィン類との反応によ
り2−(パーフルオロヒドロカルビル)ビニルシラン類
が製造されている。
トリエチルシランが、ヒドロシラン化の代わりに、Rh
CI (PPh3)3またはRu3(Co)12を触
媒として使用する例えばスチレンまたはl−デセンの如
きオレフィン類との脱水素縮合反応を受けるということ
は文献中に示唆されている。
CI (PPh3)3またはRu3(Co)12を触
媒として使用する例えばスチレンまたはl−デセンの如
きオレフィン類との脱水素縮合反応を受けるということ
は文献中に示唆されている。
ザ・ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリイ(
J 、Org、Chem、)、1984、至9.338
9−3392゜ 簡単なシラン類とオレフィン類との間の脱水素縮合反応
に対してRu3 (Co)+ 2が触媒作用を有する
ことはアンゲヴアンテ・ヘミイ・インターナショナル・
エディジョン・イン・イングリッシュ(、Angew、
Chem、I nt 、Ed 、Eng1、)、19
(1980)、928中に報告されている。
J 、Org、Chem、)、1984、至9.338
9−3392゜ 簡単なシラン類とオレフィン類との間の脱水素縮合反応
に対してRu3 (Co)+ 2が触媒作用を有する
ことはアンゲヴアンテ・ヘミイ・インターナショナル・
エディジョン・イン・イングリッシュ(、Angew、
Chem、I nt 、Ed 、Eng1、)、19
(1980)、928中に報告されている。
ジャーナルφオブ・モレキュラー〇キャタリシス(Jo
urnal of Mo1ecularCatal
ysis)、26 (1984)、89−104中では
、トリエチルシランおよびヘキセーンを一緒に反応させ
る時には予期せぬことにロジウム触媒類がE−ヘキセ−
1−ノー1−イル(トリエチル)シランおよびE−ヘキ
セ−2−ソーl−イル(トリエチル)シランを生成する
ということが見出されている。
urnal of Mo1ecularCatal
ysis)、26 (1984)、89−104中では
、トリエチルシランおよびヘキセーンを一緒に反応させ
る時には予期せぬことにロジウム触媒類がE−ヘキセ−
1−ノー1−イル(トリエチル)シランおよびE−ヘキ
セ−2−ソーl−イル(トリエチル)シランを生成する
ということが見出されている。
ロジウム触媒の存在下におけるトリエトキシシランなど
の簡単なシラン類とオレフィンとの反応がβ−シリル−
置換されたトランス−スチレンを生成することも見出さ
れている。この反応では、過剰のスチレンが使用されそ
してシラン上に大きな置換基を置くことにより選択性が
強化されると報告されていた。ザ拳ジャーナル・オブ拳
オルガノメタリック・ケミストリイ(J、Organ。
の簡単なシラン類とオレフィンとの反応がβ−シリル−
置換されたトランス−スチレンを生成することも見出さ
れている。この反応では、過剰のスチレンが使用されそ
してシラン上に大きな置換基を置くことにより選択性が
強化されると報告されていた。ザ拳ジャーナル・オブ拳
オルガノメタリック・ケミストリイ(J、Organ。
met 、Chem、)、1983.48.5101−
5105゜ 最後に、反応物がアルコキシシラン類およびオレフィン
類である時にはルテニウムホスフィン錯体類が痕跡量の
不飽和生成物を生成するということも報告されている。
5105゜ 最後に、反応物がアルコキシシラン類およびオレフィン
類である時にはルテニウムホスフィン錯体類が痕跡量の
不飽和生成物を生成するということも報告されている。
ザ争ジャーナル・オブ・オルガノメタリック・ケミスト
リイ(J、Organomet 、Chem、)、25
3 (1983)、349−362゜ これらの文献類は一般的にロジウムまたはルテニウム触
媒の存在下における簡単なシラン類とオレフィン類の間
の脱水素縮合を教示しているが、より複雑な第二級アミ
ノシラン類、シロキサン類、アルコキシシラン類および
アルキルアルコキシシラン類とでもこの反応が生じると
いうことば予期されていなかった。
リイ(J、Organomet 、Chem、)、25
3 (1983)、349−362゜ これらの文献類は一般的にロジウムまたはルテニウム触
媒の存在下における簡単なシラン類とオレフィン類の間
の脱水素縮合を教示しているが、より複雑な第二級アミ
ノシラン類、シロキサン類、アルコキシシラン類および
アルキルアルコキシシラン類とでもこの反応が生じると
いうことば予期されていなかった。
本発明の目的は、オレフィン系シラン類および/または
シロキサン類を合成する一段階方法を提供することであ
る。
シロキサン類を合成する一段階方法を提供することであ
る。
本発明の他の目的は、商業上魅力的な充分高い収率を有
する方法を達成することである。
する方法を達成することである。
本発明の他の目的は、副生物類、特に水素化およびヒド
ロシラン化生成物類、を最少にする方法を得ることであ
る。
ロシラン化生成物類、を最少にする方法を得ることであ
る。
本発明のさらに他の目的は、これまで合成できなかった
新規なシラン類およびシロキサン類を提供することであ
る。
新規なシラン類およびシロキサン類を提供することであ
る。
本発明の別の目的は下記の詳細な説明および実施例を参
照にすることによりさらに明白になるであろう。
照にすることによりさらに明白になるであろう。
本発明は、新規な種類のオレフィン系シラン類およびシ
ロキサン類並びに該生成物類を製造するための一段階方
法を提供するものである。新規なオレフィン系シラン類
およびシロキサン類は、口ジウムまたはルテニウム触媒
の存在下において第二級アミノシラン類、シロキサン類
、アルコキシシラン類およびアルキルアルコキシシラン
類から選択された複雑な珪素組成物をオレフィンと脱水
素縮合させることにより製造されるものである。
ロキサン類並びに該生成物類を製造するための一段階方
法を提供するものである。新規なオレフィン系シラン類
およびシロキサン類は、口ジウムまたはルテニウム触媒
の存在下において第二級アミノシラン類、シロキサン類
、アルコキシシラン類およびアルキルアルコキシシラン
類から選択された複雑な珪素組成物をオレフィンと脱水
素縮合させることにより製造されるものである。
予期せぬことに、オレフィン類のヒドロシラン化に関し
てはほとんど反応性を示さない第二級アミノシラン類(
ザ・ジャーナルφオブ・オーガニック・ケミストリイ(
J、Org、Chem、)、35.3879 (197
0))が適度な温度において種々のすレフイン類と脱水
素縮合により反応するということを見出した。
てはほとんど反応性を示さない第二級アミノシラン類(
ザ・ジャーナルφオブ・オーガニック・ケミストリイ(
J、Org、Chem、)、35.3879 (197
0))が適度な温度において種々のすレフイン類と脱水
素縮合により反応するということを見出した。
例えばトリターシャリ−ブトキシシランおよびトリイソ
プロポキシルラフの如き遮蔽されたアルコキシシラン類
は予期しなかったことだが脱水素縮合を受けることも示
されているが、例えばトリメトキシシランおよびトリエ
トキシシランの如き遮蔽されたアルコキシシラン類は同
一条件下でヒドロシラン化する傾向があり、但し上記で
報告されているようにある種の脱水素縮合生成物類は観
察されていた。
プロポキシルラフの如き遮蔽されたアルコキシシラン類
は予期しなかったことだが脱水素縮合を受けることも示
されているが、例えばトリメトキシシランおよびトリエ
トキシシランの如き遮蔽されたアルコキシシラン類は同
一条件下でヒドロシラン化する傾向があり、但し上記で
報告されているようにある種の脱水素縮合生成物類は観
察されていた。
例えばビス(トリメトキシロギシ)メチルシランおよび
ヘプタメチルシクロテトラシロキサンの如き簡単なシロ
キサン類および5i−H流体類も脱水素縮合を受ける。
ヘプタメチルシクロテトラシロキサンの如き簡単なシロ
キサン類および5i−H流体類も脱水素縮合を受ける。
このことは、シロキサン類が急速なヒドロシラン化を受
けると良く知られていることからすると、予期せぬこと
である。
けると良く知られていることからすると、予期せぬこと
である。
本発明に従うと、オレフィン系シラン類およびシロキサ
ン類の新規な製造方法が提供される。該方法は第二級ア
ミノシラン類、シロキサン類、アルコキシシラン類およ
びアルキルアルコキシシラン類から選択される複雑な珪
素組成物とオレフィンとの脱水素縮合からなっている。
ン類の新規な製造方法が提供される。該方法は第二級ア
ミノシラン類、シロキサン類、アルコキシシラン類およ
びアルキルアルコキシシラン類から選択される複雑な珪
素組成物とオレフィンとの脱水素縮合からなっている。
脱水素縮合において使用される第二級アミノシラン類に
は、一般式 %式%) [式中、 R,R1およびR2はそれぞれ炭素数がl〜8のアルキ
ルまたはアリール基であり、そして Xは1、2または3の値を有する] により表わされるものが包含される。これらの第二級ア
ミノシラン類は、商業的に購入できるかまたは例えばイ
ヤポーン(Eaborn)の「有機珪素化合物類(Or
ganosi 1 iconCompounds)J
、アカデミツク・プレス・インコーボレーテット、ニュ
ーヨーク、1960.339頁中に記されている如き種
々の公知の技術のいずれかにより製造できる。
は、一般式 %式%) [式中、 R,R1およびR2はそれぞれ炭素数がl〜8のアルキ
ルまたはアリール基であり、そして Xは1、2または3の値を有する] により表わされるものが包含される。これらの第二級ア
ミノシラン類は、商業的に購入できるかまたは例えばイ
ヤポーン(Eaborn)の「有機珪素化合物類(Or
ganosi 1 iconCompounds)J
、アカデミツク・プレス・インコーボレーテット、ニュ
ーヨーク、1960.339頁中に記されている如き種
々の公知の技術のいずれかにより製造できる。
適当な第二級アミノシラン類には下記のものが包含され
るが、それらに限定されるものではな1、Xニ ジメチルアミノジメチルシラン、 ビス(ジメチルアミノ)メチルシラン、トリス(ジメチ
ルアミノ)シラン、 ジメチルアミノメチルエチルシラン、 ジエチルアミノエチルプロピルシラン、ジエチルアミノ
メチルエチルシラン、 ジフェニルアミノメチルエチルシラン、ジフェニルアミ
ンメチルフェニルシラン、ジベンジルアミノエチルフェ
ニルシラン、ジフェニルアミノジメチルシラン、 ビス(ジエチルアミノ)エチルシラン、ビス(ジメチル
アミノ)エチルシラン、ビス(ジベンジルアミノ)メチ
ルシラン。
るが、それらに限定されるものではな1、Xニ ジメチルアミノジメチルシラン、 ビス(ジメチルアミノ)メチルシラン、トリス(ジメチ
ルアミノ)シラン、 ジメチルアミノメチルエチルシラン、 ジエチルアミノエチルプロピルシラン、ジエチルアミノ
メチルエチルシラン、 ジフェニルアミノメチルエチルシラン、ジフェニルアミ
ンメチルフェニルシラン、ジベンジルアミノエチルフェ
ニルシラン、ジフェニルアミノジメチルシラン、 ビス(ジエチルアミノ)エチルシラン、ビス(ジメチル
アミノ)エチルシラン、ビス(ジベンジルアミノ)メチ
ルシラン。
トリス(ジエチルアミノ)シラン、
トリス(ピペリジノ)シラン、および
トリス(ジシクロへキシルアミノ)シラン。
脱水素的シリル化で使用できるシロキサン類には、一般
式 %式% [式中、 1(3,1li4、R5およびR6はそれぞれ炭素数が
1〜8のアルキルまたはアリール基であり、そして aは0またはlの値を有し、 bは0またはlの値を有し、 yはO〜500の値を有し、 2はO〜500の値を有し、そして y+zの合計はθ〜500であり、 但し条件として、2が0の値を有する場合には、a+b
は少なくともlに等しくなければならない] により表わされるものが包含される。好適には。
式 %式% [式中、 1(3,1li4、R5およびR6はそれぞれ炭素数が
1〜8のアルキルまたはアリール基であり、そして aは0またはlの値を有し、 bは0またはlの値を有し、 yはO〜500の値を有し、 2はO〜500の値を有し、そして y+zの合計はθ〜500であり、 但し条件として、2が0の値を有する場合には、a+b
は少なくともlに等しくなければならない] により表わされるものが包含される。好適には。
アルキル基はメチルであり、そしてアリール基はフェニ
ルである。これらのシロキサン類は商業的に購入できる
かまたは例えばイヤボーン(Eaborn)の「有機珪
素化合物類(Organosilicon Comp
ounds)J、アカデミツク・ブレス・インコーボレ
ーテッド、ニューヨーク、1960.228頁中に記さ
れている如き種々の公知の技術のいずれかにより製造で
きる。
ルである。これらのシロキサン類は商業的に購入できる
かまたは例えばイヤボーン(Eaborn)の「有機珪
素化合物類(Organosilicon Comp
ounds)J、アカデミツク・ブレス・インコーボレ
ーテッド、ニューヨーク、1960.228頁中に記さ
れている如き種々の公知の技術のいずれかにより製造で
きる。
適当なシロキサン類には下記のものが包含されるが、そ
れらに限定されるものではない:ビス(トリメチルシリ
ルオキシ)メチルシラン、l。
れらに限定されるものではない:ビス(トリメチルシリ
ルオキシ)メチルシラン、l。
1.3.3−テトラメチルジシロキサンおよびヘプタメ
チルシクロテトラシロキサン、他の多くのシロキサン類
は一般的には種々のシロキサン類の混合物類である。好
適なシロキサンはR3、R4,R5およびR6が全てメ
チル基であるものである。
チルシクロテトラシロキサン、他の多くのシロキサン類
は一般的には種々のシロキサン類の混合物類である。好
適なシロキサンはR3、R4,R5およびR6が全てメ
チル基であるものである。
脱水素的シリル化で使用されるアルコキシシラン類およ
びアルキルアルコキシシラン類には、一般式 %式% [式中、 R7は炭素数が3〜lOのアルキルまたはアリール基で
あり、 RIOは炭素数が1〜8のアルキルまたはアリール基で
あり、そして Vは0、lまたは2の値を有する] により表わされるものが包含される。アルコキシシラン
類およびアルキルアルコキシシラン類は商業的に購入で
きるかまたは例えば米国特許番号4.395,564中
に記されている如き種々の公知の技術のいずれかにより
製造できる。アルコキシシラン類およびアルキルアルコ
キシシラン類は第二級または第三級アルコール類から製
造される。好適にはVは0の値を有する。
びアルキルアルコキシシラン類には、一般式 %式% [式中、 R7は炭素数が3〜lOのアルキルまたはアリール基で
あり、 RIOは炭素数が1〜8のアルキルまたはアリール基で
あり、そして Vは0、lまたは2の値を有する] により表わされるものが包含される。アルコキシシラン
類およびアルキルアルコキシシラン類は商業的に購入で
きるかまたは例えば米国特許番号4.395,564中
に記されている如き種々の公知の技術のいずれかにより
製造できる。アルコキシシラン類およびアルキルアルコ
キシシラン類は第二級または第三級アルコール類から製
造される。好適にはVは0の値を有する。
適当なアルコキシシラン類およびアルキルアルコキシシ
ラン類には下記のものが包含されるが、それらに限定さ
れるものではないニトリイソプロポキシシラン、トリセ
カンダリ−ブトキシシラン、トリターシャリ−ブトキシ
シラン、メチルジイソプロポキシシラン、ジメチルター
シャリ−ブトキシシランおよびメチルジセカンダリーブ
トキシシラン。
ラン類には下記のものが包含されるが、それらに限定さ
れるものではないニトリイソプロポキシシラン、トリセ
カンダリ−ブトキシシラン、トリターシャリ−ブトキシ
シラン、メチルジイソプロポキシシラン、ジメチルター
シャリ−ブトキシシランおよびメチルジセカンダリーブ
トキシシラン。
脱水素縮合で使用されるオレフィン系中址体類は一般式
[式中、
R8およびR9はそれぞれ炭素数が1〜50のアルキル
、アルケニル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ
、ポリエーテル、アルキルシリル、アルコキシシリル、
およびアミノシリル基であり、そしてR8およびR9は
水素であることもできる] により表わされる。好適には R11およびR9は水素
または炭素数が1〜10の上記の基である。
、アルケニル、アリール、アルコキシ、アリールオキシ
、ポリエーテル、アルキルシリル、アルコキシシリル、
およびアミノシリル基であり、そしてR8およびR9は
水素であることもできる] により表わされる。好適には R11およびR9は水素
または炭素数が1〜10の上記の基である。
該オレフィン類は商業的に購入できる。
本発明の実施において使用するのに適しているオレフィ
ン系単量体類は一般的に公知の化合物類であり、そして
それらには下記のものが包含されるがそれらに限定され
るものではない:エチレン、プロピレン、インブチレン
、スチレン、イソプレン、ブタジェン、アリルメトキシ
トリグリコ−ル、並びにビニルシラン類、例えばビニル
トリエチルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニル
トリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン
、ビニルトリターシャリ−ブトキシシラン、ビニルトリ
ス(ジメチルアミノ)シラン、ビニルメチルジェトキシ
シラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチ
ルメトキシシラン。
ン系単量体類は一般的に公知の化合物類であり、そして
それらには下記のものが包含されるがそれらに限定され
るものではない:エチレン、プロピレン、インブチレン
、スチレン、イソプレン、ブタジェン、アリルメトキシ
トリグリコ−ル、並びにビニルシラン類、例えばビニル
トリエチルシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニル
トリエトキシシラン、ビニルトリイソプロポキシシラン
、ビニルトリターシャリ−ブトキシシラン、ビニルトリ
ス(ジメチルアミノ)シラン、ビニルメチルジェトキシ
シラン、ビニルメチルジメトキシシラン、ビニルジメチ
ルメトキシシラン。
およびビニルジメチルエトキシシラン。
さらに、他の適当なオレフィン系単量体類には官能性オ
レフィン類、例えばアリルアミン、アクリレートおよび
メタクリレートエステル類、並びに不飽和ケトン類が包
含される。
レフィン類、例えばアリルアミン、アクリレートおよび
メタクリレートエステル類、並びに不飽和ケトン類が包
含される。
シクロヘキセン、内部オレフィン類、すなわち内部不飽
和(CH3−CH=CH−CH3)を有するオレフィン
類、並びに内部オレフィンを容易に異性化させるある種
のシロキサン類は脱水素縮合を受けない点に注意するこ
とが重要である。内部オレフィン類へ異性化しない末端
オレフィン類を使用することが好適である。
和(CH3−CH=CH−CH3)を有するオレフィン
類、並びに内部オレフィンを容易に異性化させるある種
のシロキサン類は脱水素縮合を受けない点に注意するこ
とが重要である。内部オレフィン類へ異性化しない末端
オレフィン類を使用することが好適である。
主として(50%以上そして一般的には75%以上の)
脱水素縮合生成物を得るために、反応をロジウムまたは
ルテニウム触媒の存在下で実施する。ロジウムまたはル
テニウム触媒はそのまま使用することもでき、または例
えばカーボンブラックもしくはアルミナの如き担体上で
使用することもでき、または溶媒中でロジウムもしくは
ルテニウムの可溶性化合物状で、すなわちクロロジカル
ボニルロジウムCI)二量体、ドデカルポニルテトラロ
ジウム(0)、アセチルアセトナトジカルボニルロジウ
ム(I)、クロロ(1,5−シクロオクタジエン)ロジ
ウム(I)二量体、ドデカカルボニルトリルテニウム(
0)、)リス(アセチルアセトナト)ルテニウム(■)
、並びにロジウムおよびルテニウムとホスフロン類との
錯体類、例えばトリストリフェニルホスフィンロジウム
(■)クロライド、トリストリフェニルホスフィンロジ
ウム(I)カルボニルハイドライドおよびジクロロトリ
ス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II )状
で、使用することもできる。該触媒類は例えばジョンソ
ン・マセー社から商業的に入手できる。触媒の濃度は一
般的に珪素組成物に関して0.000010−0.05
モル%の間であるが、この型の触媒に伴なう相当な費用
のために必要な反応を達成するのに要するもの以上の触
媒を使用しないことが好ましい、しかしながら、多くの
シロキサン中で一般的な不純物類のためにそれより高い
濃度が必要になることがある。
脱水素縮合生成物を得るために、反応をロジウムまたは
ルテニウム触媒の存在下で実施する。ロジウムまたはル
テニウム触媒はそのまま使用することもでき、または例
えばカーボンブラックもしくはアルミナの如き担体上で
使用することもでき、または溶媒中でロジウムもしくは
ルテニウムの可溶性化合物状で、すなわちクロロジカル
ボニルロジウムCI)二量体、ドデカルポニルテトラロ
ジウム(0)、アセチルアセトナトジカルボニルロジウ
ム(I)、クロロ(1,5−シクロオクタジエン)ロジ
ウム(I)二量体、ドデカカルボニルトリルテニウム(
0)、)リス(アセチルアセトナト)ルテニウム(■)
、並びにロジウムおよびルテニウムとホスフロン類との
錯体類、例えばトリストリフェニルホスフィンロジウム
(■)クロライド、トリストリフェニルホスフィンロジ
ウム(I)カルボニルハイドライドおよびジクロロトリ
ス(トリフェニルホスフィン)ルテニウム(II )状
で、使用することもできる。該触媒類は例えばジョンソ
ン・マセー社から商業的に入手できる。触媒の濃度は一
般的に珪素組成物に関して0.000010−0.05
モル%の間であるが、この型の触媒に伴なう相当な費用
のために必要な反応を達成するのに要するもの以上の触
媒を使用しないことが好ましい、しかしながら、多くの
シロキサン中で一般的な不純物類のためにそれより高い
濃度が必要になることがある。
脱水素縮合は40℃以上の温度において実施すべきであ
り、最適温度は100−200℃の間である。温度の上
限は臨界的なものではないが、反応は出発物質または生
成物の分解点以下で実施すべきである。反応は大気圧に
おいて実施できる。
り、最適温度は100−200℃の間である。温度の上
限は臨界的なものではないが、反応は出発物質または生
成物の分解点以下で実施すべきである。反応は大気圧に
おいて実施できる。
圧力の増減すると当技術の専門家が予期するような反応
速度の変更だけを生じるであろう0反応は溶媒を用いて
または用いずに実施できる。溶媒が溶解性または温度調
節の如き理由のために望ましい時には、溶媒を使用でき
る。適当な溶媒類は、炭化水素類、例えばオクタン、ト
ルエン、キシレンまたはトリイソプロピルベンゼン、で
ある。
速度の変更だけを生じるであろう0反応は溶媒を用いて
または用いずに実施できる。溶媒が溶解性または温度調
節の如き理由のために望ましい時には、溶媒を使用でき
る。適当な溶媒類は、炭化水素類、例えばオクタン、ト
ルエン、キシレンまたはトリイソプロピルベンゼン、で
ある。
反応物類の添加順序は重要でないが、一般的にロジウム
またはルテニウム触媒を珪素組成物およびオレフィンに
加え、そして次に熱を適用する。
またはルテニウム触媒を珪素組成物およびオレフィンに
加え、そして次に熱を適用する。
l:2〜1:5の珪素組成物対すレフインの比が好適で
ある。これにより、反応で発生する水素とオレフィン系
シランまたはシロキサンとの反応が最少になる。
ある。これにより、反応で発生する水素とオレフィン系
シランまたはシロキサンとの反応が最少になる。
脱水素縮合で生成するオレフィン系シラン類またはシロ
キサン類は下記の一般式により表わされる: A、珪素組成物が第二級アミノシランである時二B、珪
素組成物がシロキサンである時:C0珪素組成物がアル
キルシロキサンシランまたはアルコキシシランである時
: これらのシラン類およびシロキサン類は例えば鉱物充填
複合体類およびガラス繊維適用、重合体用の交叉結合剤
、歯科充填用の混和剤、およびカプセル化ゲルなどの種
々の適用における用途が見出されている。
キサン類は下記の一般式により表わされる: A、珪素組成物が第二級アミノシランである時二B、珪
素組成物がシロキサンである時:C0珪素組成物がアル
キルシロキサンシランまたはアルコキシシランである時
: これらのシラン類およびシロキサン類は例えば鉱物充填
複合体類およびガラス繊維適用、重合体用の交叉結合剤
、歯科充填用の混和剤、およびカプセル化ゲルなどの種
々の適用における用途が見出されている。
本発明の正確な範囲は特許請求の範囲中に示されている
が、下記の個々の実施例が本発明の詳細な説明しており
、そしてそれらはより特に本発明の評価方法を示してい
る。しかしながら、これらの実施例は説明用だけに示さ
れており本発明を特許請求の範囲中に示されていること
以外に限定しようとするものではない、全ての部数およ
び百分率は断わらない限り重量によるものである。
が、下記の個々の実施例が本発明の詳細な説明しており
、そしてそれらはより特に本発明の評価方法を示してい
る。しかしながら、これらの実施例は説明用だけに示さ
れており本発明を特許請求の範囲中に示されていること
以外に限定しようとするものではない、全ての部数およ
び百分率は断わらない限り重量によるものである。
主通
珪素A −M63SjQSiHMeO8iMe3Me=
メチル 珪素B −(Me2SiO)3MesjH(0))珪素
C−Me3SiO(SiMezO)xa、5(SiHN
e20)a、5siMe3珪素D −Me3SiO(S
iMezO)72(SiHMe20)7.ssiMe3
珪素E −CaHt3NO3Sf (シラトラン)珪素
F−)リス(ジメチルアミノ )シラン珪素G −H8
1(OCR(CH3)2)3珪素H−H81(QC(C
:H3)3h珪素I −Me3SiO(SiMe20)
13.5(SiHMe20)5.ssiMe3珪素J
−H9i (CH2CH3)3珪素K −H8i (O
CR2GH3)3珪素L −H5i(OCH3)3 珪素M−H8iC13 珪素N −HSiPh3Ph=フェニル珪素0−CIS
i(OCH3)3 オレフィンA−エチレン オレフィンB−プロピレン オレフィンC−イソブチレン オレフィンローアセチレン オレフィンE−ターシャリーブチルアセチレンオレフィ
ンF−ターシャリ−ブチルエチレンオレフィンG−ブタ
ジェン オレフィンビースチレン オレフィンI−メチルアクリレート オレフインコーエチルアクリレート オレフィンに一7リルアミン オレフインL−ビニルトリスジメチルアミノシラン オレフィンM、−アリルメトキシトリグリコールオレフ
ィンN−ビニルエチルエーテル オレフィン0−1−ヘキシン 溶媒A−キシレン 溶媒B−クロロベンゼン 溶媒C−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン溶媒り
一トルエン 触媒A −Ru3 (GO)12 触媒B−[RhCI(GO) 2 ] 2触媒C−Rb
4 (GO)t 2 触媒D −RuC12(GO)2 (PPb3) 2触
媒E−Ru(06Hy 02 ) 3触媒F −RuC
1z (PPh3) 3触媒G −Rh/C 触媒H−RhCI(PPh3) a GC−ガスクロマトグラフィ GC/MS−ガスクロマトグラフィ/質量スペクトル NMR−核磁気共鳴 psi−平方インチ当たりのポンド数 ppm−百万部当たりの部数 g−グラム mg−ミリグラム モル−モル ℃−摂氏温度 %−百分率 衷施倒ユ 3005cの高圧ボンベに25g(0.16モル)のト
リス(ジメチルアミノ)シラン、50gのキシレンおよ
び10ppm(0.95mg)の触媒としてのRh2C
12 COaを加えた.ボンベを振動器/加熱器中で
安全確保後に、エチレン供給管を接続し,そしてボンベ
を50℃に加熱し、その時点でボンベにエチレンを12
00psi(0.69モル)まで充填した.振動を開始
した後に、反応混合物中へのエチレン溶解のために圧力
は900psiに下がった。加熱を続けると、圧力は1
48℃において1450psiに上昇し、そこで発熱が
生じて温度が225℃にそして圧力が1900psiに
上昇した。直ちに加熱器を除去し、そして反応物を冷却
した.GCおよびGC/MS分析によると、生成物混合
物が87、4%のビニルトリス(ジメチルアミノ)シラ
ンおよ(710.6%のエチルトリス(ジメチルアミノ
)シランを含有していることが示された。
メチル 珪素B −(Me2SiO)3MesjH(0))珪素
C−Me3SiO(SiMezO)xa、5(SiHN
e20)a、5siMe3珪素D −Me3SiO(S
iMezO)72(SiHMe20)7.ssiMe3
珪素E −CaHt3NO3Sf (シラトラン)珪素
F−)リス(ジメチルアミノ )シラン珪素G −H8
1(OCR(CH3)2)3珪素H−H81(QC(C
:H3)3h珪素I −Me3SiO(SiMe20)
13.5(SiHMe20)5.ssiMe3珪素J
−H9i (CH2CH3)3珪素K −H8i (O
CR2GH3)3珪素L −H5i(OCH3)3 珪素M−H8iC13 珪素N −HSiPh3Ph=フェニル珪素0−CIS
i(OCH3)3 オレフィンA−エチレン オレフィンB−プロピレン オレフィンC−イソブチレン オレフィンローアセチレン オレフィンE−ターシャリーブチルアセチレンオレフィ
ンF−ターシャリ−ブチルエチレンオレフィンG−ブタ
ジェン オレフィンビースチレン オレフィンI−メチルアクリレート オレフインコーエチルアクリレート オレフィンに一7リルアミン オレフインL−ビニルトリスジメチルアミノシラン オレフィンM、−アリルメトキシトリグリコールオレフ
ィンN−ビニルエチルエーテル オレフィン0−1−ヘキシン 溶媒A−キシレン 溶媒B−クロロベンゼン 溶媒C−1,3,5−トリイソプロピルベンゼン溶媒り
一トルエン 触媒A −Ru3 (GO)12 触媒B−[RhCI(GO) 2 ] 2触媒C−Rb
4 (GO)t 2 触媒D −RuC12(GO)2 (PPb3) 2触
媒E−Ru(06Hy 02 ) 3触媒F −RuC
1z (PPh3) 3触媒G −Rh/C 触媒H−RhCI(PPh3) a GC−ガスクロマトグラフィ GC/MS−ガスクロマトグラフィ/質量スペクトル NMR−核磁気共鳴 psi−平方インチ当たりのポンド数 ppm−百万部当たりの部数 g−グラム mg−ミリグラム モル−モル ℃−摂氏温度 %−百分率 衷施倒ユ 3005cの高圧ボンベに25g(0.16モル)のト
リス(ジメチルアミノ)シラン、50gのキシレンおよ
び10ppm(0.95mg)の触媒としてのRh2C
12 COaを加えた.ボンベを振動器/加熱器中で
安全確保後に、エチレン供給管を接続し,そしてボンベ
を50℃に加熱し、その時点でボンベにエチレンを12
00psi(0.69モル)まで充填した.振動を開始
した後に、反応混合物中へのエチレン溶解のために圧力
は900psiに下がった。加熱を続けると、圧力は1
48℃において1450psiに上昇し、そこで発熱が
生じて温度が225℃にそして圧力が1900psiに
上昇した。直ちに加熱器を除去し、そして反応物を冷却
した.GCおよびGC/MS分析によると、生成物混合
物が87、4%のビニルトリス(ジメチルアミノ)シラ
ンおよ(710.6%のエチルトリス(ジメチルアミノ
)シランを含有していることが示された。
丈ム鍔l
l対1モル比のトリス(ジメチルアミノ)シランおよび
エチレンを使用したこと以外は実施例1中に記されてい
る如く反応を実施した。反応が完了した後に、生成物混
合物は20.3%のトリス(ジメチルアミノ)シラン、
23.6%のビニルトリス(ジメチルアミン)シランお
よび51.7%のエチルトリス(ジメチルアミノ)シラ
ンを含有していることが示された。
エチレンを使用したこと以外は実施例1中に記されてい
る如く反応を実施した。反応が完了した後に、生成物混
合物は20.3%のトリス(ジメチルアミノ)シラン、
23.6%のビニルトリス(ジメチルアミン)シランお
よび51.7%のエチルトリス(ジメチルアミノ)シラ
ンを含有していることが示された。
火急例ニ
トリイソプロポキシシランを出発珪素組成物として使用
したこと以外は実施例1中に記されている如く反応を実
施した.反応が完了した後に、生成物混合物は約85%
のビニルトリイソプロポキシシラン、7%のエチルトリ
イソプロポキシシランおよび3%のテトライソプロポキ
シシランを含有していることが示された。
したこと以外は実施例1中に記されている如く反応を実
施した.反応が完了した後に、生成物混合物は約85%
のビニルトリイソプロポキシシラン、7%のエチルトリ
イソプロポキシシランおよび3%のテトライソプロポキ
シシランを含有していることが示された。
実施例4
トリターシャリ−ブトキシシランを出発珪素組成物とし
て使用したこと以外は実施例1中に記されている如く反
応を実施した.生成物混合物は96%のビニルトリター
シャリ−ブトキシシランおよび2%のエチルトリターシ
ャリ−ブトキシシランを含有していることが示された。
て使用したこと以外は実施例1中に記されている如く反
応を実施した.生成物混合物は96%のビニルトリター
シャリ−ブトキシシランおよび2%のエチルトリターシ
ャリ−ブトキシシランを含有していることが示された。
実施例5
トリエトキシシランを出発珪素組成物として使用したこ
と以外は実施例1中に記されている如く反応を実施した
.生成物混合物は62%のビニルトリエトキシシラン、
28%のエチルトリエトキシシランおよび6%のテトラ
エトキシシランを含有していることが示された。
と以外は実施例1中に記されている如く反応を実施した
.生成物混合物は62%のビニルトリエトキシシラン、
28%のエチルトリエトキシシランおよび6%のテトラ
エトキシシランを含有していることが示された。
実施例6
トリメトキシシランを出発珪素組成物として使用したこ
と以外は実施例1中に記されている如く反応を実施した
.生成物混合物は12%のビニルトリエトキシシラン、
78%のエチルトリメトキシシランおよび4%のテトラ
メトキシシランを含有していることが示された。
と以外は実施例1中に記されている如く反応を実施した
.生成物混合物は12%のビニルトリエトキシシラン、
78%のエチルトリメトキシシランおよび4%のテトラ
メトキシシランを含有していることが示された。
実施例7
ビス(トリメチルシロキシ)メチルシランを出発珪素組
成物として使用したこと以外は実施例1中に記されてい
る如く反応を実施した.生成物混合物は72%のビニル
ビス(トリメチルシロキシ)メチルシランおよび25%
のエチルビス(トリメチルシロキシ)メチルシランを含
有していることが示された。
成物として使用したこと以外は実施例1中に記されてい
る如く反応を実施した.生成物混合物は72%のビニル
ビス(トリメチルシロキシ)メチルシランおよび25%
のエチルビス(トリメチルシロキシ)メチルシランを含
有していることが示された。
衷施撚港
ヘプタメチルシクロテトラシロキサンを出発珪素組成物
として使用したこと以外は実施例1中に記されている如
く反応を実施した。生成物混合物は62%のビニルへブ
タメチルシクロテトラシロキサンおよび36%のエチル
へブタメチルシクロテトラシロキサンを含有しているこ
とが示された。
として使用したこと以外は実施例1中に記されている如
く反応を実施した。生成物混合物は62%のビニルへブ
タメチルシクロテトラシロキサンおよび36%のエチル
へブタメチルシクロテトラシロキサンを含有しているこ
とが示された。
衷厘輿旦
Me3 S io (Me2 S io) 13.5
(MeS i HO) 5 、5 S i Me3を
出発珪素組成物として使用したこと以外は実施例1中に
記されている如く反応を実施した。
(MeS i HO) 5 、5 S i Me3を
出発珪素組成物として使用したこと以外は実施例1中に
記されている如く反応を実施した。
IHNMHによる分析は、生成物が
Ne3S 40 (Ne2S iO) s 3.5 (
Was 1o)3.5 (MeS 1O)2.□5iN
e3であることを示していた。
Was 1o)3.5 (MeS 1O)2.□5iN
e3であることを示していた。
害ム桝1l
l1000ppのRu3 C0I2を触媒として使用し
たこと以外は実施例1中に記されている如く反応を実施
した。生成物混合物は57.5%のビニルトリス(ジメ
チルアミノ)シランおよび40.2%のエチルトリス(
ジメチルアミノ)シランを含有していることが示された
。
たこと以外は実施例1中に記されている如く反応を実施
した。生成物混合物は57.5%のビニルトリス(ジメ
チルアミノ)シランおよび40.2%のエチルトリス(
ジメチルアミノ)シランを含有していることが示された
。
犬施鍔11
10ppmのRh/Cを触媒として使用したこと以外は
実施例1中に記されている如く反応を実施した。生成物
混合物は80.1%のビニルトリス(ジメチルアミノ)
シランおよび9.9%のエチルトリス(ジメチルアミン
)シランを含有していることが示された。
実施例1中に記されている如く反応を実施した。生成物
混合物は80.1%のビニルトリス(ジメチルアミノ)
シランおよび9.9%のエチルトリス(ジメチルアミン
)シランを含有していることが示された。
1ム輿11
45ccパルポンベ中に、1.5g(0,0093モル
)のトリス(ジメチルアミノ)シラン、8.5gのキシ
レンおよび8ml (0,1143モル)のプロピレン
、並びに触媒としての1001000pp、1mg)の
Ru3CO12を加えた0次にボンベを流動化砂浴中で
235℃に5時間加熱した0反応混合物を次に室温に冷
却した。
)のトリス(ジメチルアミノ)シラン、8.5gのキシ
レンおよび8ml (0,1143モル)のプロピレン
、並びに触媒としての1001000pp、1mg)の
Ru3CO12を加えた0次にボンベを流動化砂浴中で
235℃に5時間加熱した0反応混合物を次に室温に冷
却した。
IHおよび13CNMRによると、生成物が73%の1
−)リス(ジメチルアミノ)シリルプロペ−1−ン、9
%のアリルトリス(ジメチルアミノ)シランおよび8%
のプロピルトリス(ジメチルアミノ)シランを含有して
いることが示された。
−)リス(ジメチルアミノ)シリルプロペ−1−ン、9
%のアリルトリス(ジメチルアミノ)シランおよび8%
のプロピルトリス(ジメチルアミノ)シランを含有して
いることが示された。
実施例14
1リツトルのオートクレーブ中に、250g(1,5モ
ル)のトリス(ジメチルアミノ)シラン、100gのキ
シレン、168g(3,1モ0)の1.3−ブタジェン
および触媒としての200ppm (0,45g)のR
hCI(PPh3)3を加えた。オートクレーブの安全
確保後に、反応物を125℃に5時間加熱した0反応器
を次に室温に冷却した。GCおよびGC/MSは、生成
した主要生成物が65%収率の1−トリス(ジメチルア
ミノ)シリルブタ−1,3−ジエンであることを示した
。1−トリス(ジメチルアミノ)シリルブチ−1−ンも
32%の収率で生成した。
ル)のトリス(ジメチルアミノ)シラン、100gのキ
シレン、168g(3,1モ0)の1.3−ブタジェン
および触媒としての200ppm (0,45g)のR
hCI(PPh3)3を加えた。オートクレーブの安全
確保後に、反応物を125℃に5時間加熱した0反応器
を次に室温に冷却した。GCおよびGC/MSは、生成
した主要生成物が65%収率の1−トリス(ジメチルア
ミノ)シリルブタ−1,3−ジエンであることを示した
。1−トリス(ジメチルアミノ)シリルブチ−1−ンも
32%の収率で生成した。
実施例15
45cc高圧ボンベに、3.75g (0,0025モ
ル) (7)Mea S i O(Me2 S i O
) 13.5(Me S f O) 5.5 S i
Me3.5.26g(0,05モル)のスチレン、2.
0gのキシレンおよび1000 ppm (8,1mg
)の触媒としてのRu3CO12を加えた。スチレンの
重合防止補助のためにフェノチアジン(75,6mg)
も加えた0次にボンベを流動化砂浴中で125℃に10
時間加熱し、その時間後に反応物を室温に冷却した。溶
媒および過剰のスチレン並びに反応過程中に生成したエ
チルベンゼンを真空下で除去した。IHNMHによる分
析は、生成物がNe3S iO(Ne2S iO) 1
3.5 (MeS 1O)4 、1 (MeS io)
t 、4MiMe3であることを示した。
ル) (7)Mea S i O(Me2 S i O
) 13.5(Me S f O) 5.5 S i
Me3.5.26g(0,05モル)のスチレン、2.
0gのキシレンおよび1000 ppm (8,1mg
)の触媒としてのRu3CO12を加えた。スチレンの
重合防止補助のためにフェノチアジン(75,6mg)
も加えた0次にボンベを流動化砂浴中で125℃に10
時間加熱し、その時間後に反応物を室温に冷却した。溶
媒および過剰のスチレン並びに反応過程中に生成したエ
チルベンゼンを真空下で除去した。IHNMHによる分
析は、生成物がNe3S iO(Ne2S iO) 1
3.5 (MeS 1O)4 、1 (MeS io)
t 、4MiMe3であることを示した。
実施例16
45cc高圧ポンベに、1.5g(0,007モル)の
トリイソプロポキシシラン、8.5gのトリイソプロピ
ルベンゼン、7g(0,16モル)のプロピL/7およ
び1000pp1000ppの触媒としてのRu3 C
OI 2を加えた。次にボンベを流動化砂浴中で235
℃に3時間加熱した。GCおよびCG/MSによると、
反応混合物は約65%の1−トリイソプロポキシシリル
プロペ−1−ンおよび30%のプロピルトリイソプロポ
キシシランを含有していた。
トリイソプロポキシシラン、8.5gのトリイソプロピ
ルベンゼン、7g(0,16モル)のプロピL/7およ
び1000pp1000ppの触媒としてのRu3 C
OI 2を加えた。次にボンベを流動化砂浴中で235
℃に3時間加熱した。GCおよびCG/MSによると、
反応混合物は約65%の1−トリイソプロポキシシリル
プロペ−1−ンおよび30%のプロピルトリイソプロポ
キシシランを含有していた。
Xム輿↓1
45cc高圧ボンベに、5g(0,03モル)のトリス
(ジメチルアミノ)シラン、Igのキシレン、11.9
g (0,06モル)のビニルトリエトキシシランおよ
び100ppm100ppの触媒としてのRh2C12
CO4を加えた0次にボンベを225℃の流動化砂浴中
で4時装置いた。室温に冷却した後に、GCおよびCG
/MSは3対lの比で生成した二種の生成物類を示した
。多量の方は1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2
−トリエトキシシリルエチレンでありそして少量の方は
1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2−トリエトキ
シシリルエタンであると同定された。
(ジメチルアミノ)シラン、Igのキシレン、11.9
g (0,06モル)のビニルトリエトキシシランおよ
び100ppm100ppの触媒としてのRh2C12
CO4を加えた0次にボンベを225℃の流動化砂浴中
で4時装置いた。室温に冷却した後に、GCおよびCG
/MSは3対lの比で生成した二種の生成物類を示した
。多量の方は1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2
−トリエトキシシリルエチレンでありそして少量の方は
1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2−トリエトキ
シシリルエタンであると同定された。
実施例18
ビニルトリエトキシシランの代わりにビニルトリス(ジ
メチルアミノ)シランを使用したこと以外は実施例1中
に記されている如く反応を実施した。単独生成物である
1、2−ビス(トリス(ジメチルアミノ)シリル)エチ
レンが生成した。
メチルアミノ)シランを使用したこと以外は実施例1中
に記されている如く反応を実施した。単独生成物である
1、2−ビス(トリス(ジメチルアミノ)シリル)エチ
レンが生成した。
実施例19
1リツトルの三筒フラスコには、撹拌棒、温度計、50
0m1の添加ろうとおよび頭部に窒素入口管の付いた還
流冷却器が備えられていた。フラスコに200.0g
(1,21モル)のトリス(ジメチルアミノ)シラン、
2.27gのフェノチアジンおよび200ppmの触媒
としてのRh2C12COa (80mg)を加えた
。溶液を120℃に加熱し、その時228g(2,24
モル)のスチレンを2時間にわたり滴々添加した。
0m1の添加ろうとおよび頭部に窒素入口管の付いた還
流冷却器が備えられていた。フラスコに200.0g
(1,21モル)のトリス(ジメチルアミノ)シラン、
2.27gのフェノチアジンおよび200ppmの触媒
としてのRh2C12COa (80mg)を加えた
。溶液を120℃に加熱し、その時228g(2,24
モル)のスチレンを2時間にわたり滴々添加した。
最初に150℃への発熱があり、温度をその後120−
150℃に保った。添加が完了した後に、反応物を室温
に冷却した。GCおよびGC/MSによると、単独生成
物である1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2−フ
ェニルエチレンが90%以上の収率で生成したことが確
認された。
150℃に保った。添加が完了した後に、反応物を室温
に冷却した。GCおよびGC/MSによると、単独生成
物である1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2−フ
ェニルエチレンが90%以上の収率で生成したことが確
認された。
裏ム例ヱA
トリターシャリ−ブトキシシランを出発珪素組成物とし
て使用したこと以外は実施例19中に記されている如く
反応を実施した。主生成物である1−)リターシャリー
ブトキシシリル−2−フェニルエチレンが80%以上の
収率で生成した。
て使用したこと以外は実施例19中に記されている如く
反応を実施した。主生成物である1−)リターシャリー
ブトキシシリル−2−フェニルエチレンが80%以上の
収率で生成した。
丈厘桝ヱユ
トリイソプロポキシシランを出発珪素組成物として使用
したこと以外は実施例19中に記されている如く反応を
実施した。二種の生成物類が3対1の比で生成した。多
量の方はl−トリイソプロポキシシリル−2−フェニル
エチレンであり、少量の方は1−トリイソプロポキシシ
リル−2−フェニルエタンであった。
したこと以外は実施例19中に記されている如く反応を
実施した。二種の生成物類が3対1の比で生成した。多
量の方はl−トリイソプロポキシシリル−2−フェニル
エチレンであり、少量の方は1−トリイソプロポキシシ
リル−2−フェニルエタンであった。
実施例22
トリエトキシシランを出発珪素組成物として使用したこ
と以外は実施例19中に記されている如く反応を実施し
た。二種の生成物類が2対1の比で生成した。多量の方
はl−トリエトキシシリル−2−フェニルエタンであり
、少量の方は1−トリエトキシシリル−2−フェニルエ
チレンであった。
と以外は実施例19中に記されている如く反応を実施し
た。二種の生成物類が2対1の比で生成した。多量の方
はl−トリエトキシシリル−2−フェニルエタンであり
、少量の方は1−トリエトキシシリル−2−フェニルエ
チレンであった。
実施例23
45ccパルボンベ中に、2.5g(0,010モル)
のトリターシャリ−ブトキシシラン、4.7g(0,0
20モル)のビニルトリイソプロポキシシラン、1.0
gのキシレンおよび2000ppmの触媒としてのRu
3 CO12(29mg)を加えた0反応物を流動化砂
浴中で225℃に3時間加熱した。単独生成物である1
1リターシヤリーブトキシシリル−2−トリイソプロポ
キシシリルエチレンが生成した。
のトリターシャリ−ブトキシシラン、4.7g(0,0
20モル)のビニルトリイソプロポキシシラン、1.0
gのキシレンおよび2000ppmの触媒としてのRu
3 CO12(29mg)を加えた0反応物を流動化砂
浴中で225℃に3時間加熱した。単独生成物である1
1リターシヤリーブトキシシリル−2−トリイソプロポ
キシシリルエチレンが生成した。
実施例24
45ccパルポンベ中に、2.5g(0,012モル)
のトリイソプロポキシシラン、5,7g(0,024モ
ル)のビニルトリイソプロポキシシラン、1.0gのキ
シレンおよび200ppmの触媒とし’t”(7)Ru
3cot 2 (20mg)を加えた。反応物を流動
化砂浴中で225℃に4時間加熱した。単独生成物であ
る1、2−ビス(トリイソプロポキシシリル)エチレン
が生成した。
のトリイソプロポキシシラン、5,7g(0,024モ
ル)のビニルトリイソプロポキシシラン、1.0gのキ
シレンおよび200ppmの触媒とし’t”(7)Ru
3cot 2 (20mg)を加えた。反応物を流動
化砂浴中で225℃に4時間加熱した。単独生成物であ
る1、2−ビス(トリイソプロポキシシリル)エチレン
が生成した。
丈施輿25
45ccパルポンベ中に、2.5g(0,016モル)
のトリス(ジメチルアミノ)シラン、5.28g (0
,078モル)のイソプレン、1.0gのキシレンおよ
び200ppmの触媒としてのRh2 C12COa
(2mg)を加えた。
のトリス(ジメチルアミノ)シラン、5.28g (0
,078モル)のイソプレン、1.0gのキシレンおよ
び200ppmの触媒としてのRh2 C12COa
(2mg)を加えた。
反応物を流動化砂浴中で200℃に5時間加熱した。G
CおよびGC/MSは二種の生成物類が2対lの比で生
成したことを示した。大量の方はl−トリス(ジメチル
アミノ)シリル−3−メチルブタ−1,3−ジエンであ
り、そして少量の方はl−トリス(ジメチルアミノ)シ
リル−3−メチルブチ−1−ンであった。
CおよびGC/MSは二種の生成物類が2対lの比で生
成したことを示した。大量の方はl−トリス(ジメチル
アミノ)シリル−3−メチルブタ−1,3−ジエンであ
り、そして少量の方はl−トリス(ジメチルアミノ)シ
リル−3−メチルブチ−1−ンであった。
実施例26
45ccパルポンベ中に、2.5g(0,02モル)の
トリターシャリ−ブトキシシラン、4゜2g(0,04
モル)のスチレン、1.ogのキシレン、30mgのフ
ェノチアジンおよび2000ppmのRu3 CO+
2 (20mg)を加えた0反応物を流動化砂浴中で
175℃に5時間加熱した。単独生成物である1−トリ
ターシャリ−ブトキシシリル−2−フェニルエチレンが
90%以上の収率で生成した。
トリターシャリ−ブトキシシラン、4゜2g(0,04
モル)のスチレン、1.ogのキシレン、30mgのフ
ェノチアジンおよび2000ppmのRu3 CO+
2 (20mg)を加えた0反応物を流動化砂浴中で
175℃に5時間加熱した。単独生成物である1−トリ
ターシャリ−ブトキシシリル−2−フェニルエチレンが
90%以上の収率で生成した。
蕊10ユ
触媒としてRu3 COl 2を使用したこと以外は実
施例25中に記されている如く反応を実施した。二種の
生成物が2対lの比で生成し、大量の生成物は1−トリ
ス(ジメチルアミノ)シリル−3−メチル−ブタ−1,
3−ジエンでありそして少量は1−トリス(ジメチルア
ミノ)シリル−3−メチル−ブチ−1−ンであった。
施例25中に記されている如く反応を実施した。二種の
生成物が2対lの比で生成し、大量の生成物は1−トリ
ス(ジメチルアミノ)シリル−3−メチル−ブタ−1,
3−ジエンでありそして少量は1−トリス(ジメチルア
ミノ)シリル−3−メチル−ブチ−1−ンであった。
史施鍔又1
触媒としてRhCI (PPhs )aを使用したこと
以外は実施例19中に記されている如く反応を実施した
。単独生成物である1−)リス(ジメチルアミノ)シリ
ル−2−フェニルエチレンが90%以上の収率で生成し
た。
以外は実施例19中に記されている如く反応を実施した
。単独生成物である1−)リス(ジメチルアミノ)シリ
ル−2−フェニルエチレンが90%以上の収率で生成し
た。
衷旌輿ヱ遣
触媒としてRu3CO12を使用したこと以外は実施例
19中に記されている如く反応を実施した。単独生成物
である1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2−フェ
ニルエチレンが80%以上の収率で生成した。
19中に記されている如く反応を実施した。単独生成物
である1−トリス(ジメチルアミノ)シリル−2−フェ
ニルエチレンが80%以上の収率で生成した。
実施例30
45ccパルポンベ中に、7.5g(0,03モル)の
トリーターシャリ−ブトキシシラン、7゜3g(0,0
4モル)のアリルメトキシトリグリコール、3.0gの
キシレン、および11000ppのRu3Cot 2
(16mg)を加えた0反応物を175℃に6時間加
熱した。単独生成物である(tBuo)35iCH=C
HCH2(QCH2CH2)30Meが90%以上の収
率で生成した。
トリーターシャリ−ブトキシシラン、7゜3g(0,0
4モル)のアリルメトキシトリグリコール、3.0gの
キシレン、および11000ppのRu3Cot 2
(16mg)を加えた0反応物を175℃に6時間加
熱した。単独生成物である(tBuo)35iCH=C
HCH2(QCH2CH2)30Meが90%以上の収
率で生成した。
実施例31
トリターシャリ−ブトキシシランの代わりにトリス(ジ
メチルアミノ)シランを使用したこと以外は実施例30
中に記されている如く反応を実施した。単独生成物であ
る(Me2 N) 3 S i CH=CHCH2(O
CH2CH2)30Meが90%以上の収率で生成した
。
メチルアミノ)シランを使用したこと以外は実施例30
中に記されている如く反応を実施した。単独生成物であ
る(Me2 N) 3 S i CH=CHCH2(O
CH2CH2)30Meが90%以上の収率で生成した
。
虫蚊実呈±A
触媒としてH2PtCl6を使用したこと以外は実施例
19中に記されている如く反応を実施した。生成物は生
じず、出発物質類だけが単離された。
19中に記されている如く反応を実施した。生成物は生
じず、出発物質類だけが単離された。
比較実施例B
触媒としてH2PtCl6を使用したこと以外は実施例
26中に記されている如く反応を実施した。生成物は生
じず、出発物質類だけが単離された。
26中に記されている如く反応を実施した。生成物は生
じず、出発物質類だけが単離された。
比較実施例C
触媒としてH2PtC1sを使用したこと以外は実施例
1中に記されている如く反応を実施した。生成物は生じ
ず、出発物質類だけが単離された。
1中に記されている如く反応を実施した。生成物は生じ
ず、出発物質類だけが単離された。
ル鬼」9虻廐p
触媒としてH2PtC1sを使用したこと以外は実施例
4中に記されている如く反応を実施した。生成物は生じ
ず、出発物質類だけが単離された。
4中に記されている如く反応を実施した。生成物は生じ
ず、出発物質類だけが単離された。
下表は、種々の出発物質類および反応条件を使用して実
施された脱水素縮合反応を示している。
施された脱水素縮合反応を示している。
生成物類は断わらない限りGC/MSにより分析された
。
。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、(A)(1)一般式 H−Si(NRR^1)x(R^2)_3−x[式中、 R、R^1およびR^2はそれぞれ炭素数が1〜8のア
ルキルまたはアリール基であり、そして Xは1、2または3の値を有する] の第二級アミノシラン類、 (2)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 R^3、R^4、R^5およびR^6はそれぞれ炭素数
が1〜8のアルキルまたはアリール基であり、そして aは0または1の値を有し、 bは0または1の値を有し、 yは0〜500の値を有し、 zは0〜500の値を有し、そして y+zの合計は0〜500であり、 但し条件として、zが0の値を有する場合には、a+b
は少なくとも1に等しくなければならない] のシロキサン類、および (3)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 R^7は炭素数が3〜10のアルキルまたはアリール基
であり、 R^1^0は炭素数が1〜8のアルキルまたはアリール
基であり、そして vは0、1または2の値を有する] の第二級もしくは第三級アルキルアルコキシシラン類ま
たはアルコキシシラン類 からなる群から選択される珪素−含有組成物を、ロジウ
ムまたはルテニウム触媒の存在下で、(B)一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 R^8およびR^9はそれぞれ炭素数が1〜50のアル
キル、アルケニル、アリール、アルコキシ、アリールオ
キシ、ポリエーテル、アルキルシリル、アルコキシシリ
ル、およびアミノシリル基であり、そしてR^8および
R^9は水素であることもできる] のオレフィンと反応させることからなる、少なくとも1
個の一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ を有するオレフィン系シランまたはシロキサンの製造方
法。 2、R、R^1およびR^2がメチルまたはフェニルで
あり、そしてxが3の値を有する、特許請求の範囲第1
項記載の方法。 3、珪素−含有組成物がトリス(ジメチルアミノ)シラ
ンである、特許請求の範囲第1項記載の方法。 4、R^3、R^4、R^5およびR^6がメチルまた
はフェニルである、特許請求の範囲第1項記載の方法。 5、珪素−含有組成物がビス(トリメチルシリルオキシ
)メチルシランである、特許請求の範囲第1項記載の方
法。 6、R^7がイソプロピル、セカンダリーブチルおよび
ターシャリーブチル基からなる群から選択される、特許
請求の範囲第1項記載の方法。 7、vが0である、特許請求の範囲第1項記載の方法。 8、R^8およびR^9が水素である、特許請求の範囲
第1項記載の方法。 9、R^8およびR^9の炭素数が1〜10である、特
許請求の範囲第1項記載の方法。 10、触媒がRu_3(CO)_1_2、 [RhCl(CO)_2]_2、Ru_4(CO)_1
_2、RuCl_2(CO)_2(PPh_3)_2、
Ru(C_5H_7O_2)_3、 RuCl(PPh_3)_3、Rh/C、およびRhC
l(PPh_3)_3からなる群から選択される、特許
請求の範囲第1項記載の方法。 11、触媒が珪素組成物を基にして0.000010〜
0.05モル%の間の濃度で存在している、特許請求の
範囲第1項記載の方法。 12、反応を40℃以上で実施する、特許請求の範囲第
1項記載の方法。 13、反応を100−200℃の間で実施する、特許請
求の範囲第1項記載の方法。 14、溶媒を使用する、特許請求の範囲第1項記載の方
法。 15、溶媒がオクタン、トルエン、キシレン、クロロベ
ンゼンおよび1,3,5−トリイソプロピルベンゼンか
らなる群から選択される、特許請求の範囲第14項記載
の方法。 16、珪素組成物対オレフィンの比が1:2〜1:5で
ある、特許請求の範囲第1項記載の方法。 17、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 R^1^1およびR^1^2はそれぞれ水素または炭素
数が1〜8のアルキルもしくはアリール基であり、そし
てR^1^1およびR^1^2は異なっており、 m、n、rおよびsはそれぞれ0、1、2または3の値
を有し、そして n+r+sの合計は3に等しい] のオレフィン系シランまたはシロキサン。 18、mが3であり、そしてR^1^2がメトキシ、エ
トキシ、イソ−ブトキシおよびt−ブトキシからなる群
から選択される、特許請求の範囲第17項記載のシロキ
サン。 19、mが3であり、rが2または3であり、そしてR
^1^2がメチルである、特許請求の範囲第17項記載
のシロキサン。 20、mおよびsが0であり、rが2または3であり、
そしてR^1^2がメチルである、特許請求の範囲第1
7項記載のシロキサン。 21、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ [式中、 R^1^1は水素または炭素数が1〜8のアルキルもし
くはアリール基であり、 n、rおよびsはそれぞれ0、1、2または3の値を有
し、そして n+r+sの合計は3に等しい] のオレフィン系シランまたはシロキサン。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US815003 | 1985-12-31 | ||
US06/815,003 US4668812A (en) | 1985-12-31 | 1985-12-31 | Process for the preparation of olefinic silanes and siloxanes |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62164688A true JPS62164688A (ja) | 1987-07-21 |
JPH0353317B2 JPH0353317B2 (ja) | 1991-08-14 |
Family
ID=25216588
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61315976A Granted JPS62164688A (ja) | 1985-12-31 | 1986-12-30 | オレフィン系シランおよびシロキサンの製造方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4668812A (ja) |
EP (1) | EP0228095B1 (ja) |
JP (1) | JPS62164688A (ja) |
AU (1) | AU598780B2 (ja) |
BR (1) | BR8606482A (ja) |
CA (1) | CA1290762C (ja) |
DE (1) | DE3683617D1 (ja) |
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- 1985-12-31 US US06/815,003 patent/US4668812A/en not_active Expired - Fee Related
-
1986
- 1986-12-19 CA CA000525896A patent/CA1290762C/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-29 BR BR8606482A patent/BR8606482A/pt unknown
- 1986-12-30 AU AU67047/86A patent/AU598780B2/en not_active Ceased
- 1986-12-30 JP JP61315976A patent/JPS62164688A/ja active Granted
- 1986-12-30 EP EP86118123A patent/EP0228095B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1986-12-30 DE DE8686118123T patent/DE3683617D1/de not_active Expired - Lifetime
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---|---|
EP0228095B1 (en) | 1992-01-22 |
AU6704786A (en) | 1987-07-02 |
DE3683617D1 (de) | 1992-03-05 |
CA1290762C (en) | 1991-10-15 |
AU598780B2 (en) | 1990-07-05 |
BR8606482A (pt) | 1987-10-20 |
US4668812A (en) | 1987-05-26 |
EP0228095A3 (en) | 1988-08-03 |
EP0228095A2 (en) | 1987-07-08 |
JPH0353317B2 (ja) | 1991-08-14 |
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