JPS62163384A - 半導体レ−ザの構造とその製造方法 - Google Patents
半導体レ−ザの構造とその製造方法Info
- Publication number
- JPS62163384A JPS62163384A JP526886A JP526886A JPS62163384A JP S62163384 A JPS62163384 A JP S62163384A JP 526886 A JP526886 A JP 526886A JP 526886 A JP526886 A JP 526886A JP S62163384 A JPS62163384 A JP S62163384A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- cladding layer
- algaas
- conductivity type
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Semiconductor Lasers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの量子井戸を多層設けたＭＱＷ
（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）を活
性層とし、上下にＡｌＧａＡｓクラッド層を形成せるレ
ーザ構造において、Ｚｎ等の不純物を拡散してＭＱＷｉ
ｉを部分的に無秩序化して横方向のモード特性の安定化
を図る構造が開発されている。この構造では不純物の拡
散領域の制御が困難であり、本発明では上部のクラッド
層の組成に分布特性を加えて製作を容易にした。
（Ｍｕｌｔｉ Ｑｕａｎｔｕｍ Ｗｅｌｌ）を活
性層とし、上下にＡｌＧａＡｓクラッド層を形成せるレ
ーザ構造において、Ｚｎ等の不純物を拡散してＭＱＷｉ
ｉを部分的に無秩序化して横方向のモード特性の安定化
を図る構造が開発されている。この構造では不純物の拡
散領域の制御が困難であり、本発明では上部のクラッド
層の組成に分布特性を加えて製作を容易にした。
本発明は、多層量子井戸構造の活性層を含む半導体レー
ザの構造及び製造方法に関する。−分子線エピタキシ成
長法（ＭＢＥ法）の研究が進むにつれて、数１０人の厚
さでバンドギャップ特性の異なる２層の超格子を交互に
積層せるＭＱＷを、半導体のレーザの活性層に適用する
技術が開発されている。
ザの構造及び製造方法に関する。−分子線エピタキシ成
長法（ＭＢＥ法）の研究が進むにつれて、数１０人の厚
さでバンドギャップ特性の異なる２層の超格子を交互に
積層せるＭＱＷを、半導体のレーザの活性層に適用する
技術が開発されている。
ＭＱＷをレーザの活性層とし、光発振に利用する以外の
ＭＱＷは不純物の拡散により無秩序化して、横方向の光
の閉込め層としての機能を持たせている。
ＭＱＷは不純物の拡散により無秩序化して、横方向の光
の閉込め層としての機能を持たせている。
本発明はこの場合の不純物の拡散領域の制御の問題の解
決を図った。
決を図った。
〔従来の技術〕
ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓよりなるＭＱＷ層を活性層とし
、ＡｌＧａＡｓ層をクラッド層とせるレーザ構造の開発
が進んでいる。
、ＡｌＧａＡｓ層をクラッド層とせるレーザ構造の開発
が進んでいる。
その構造断面図を第５図に示す。図面において１はｎ”
−ＧａＡｓ基板、２はｎ” ＧａＡｓハ７ファ層、３
はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、４はＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓのＭＱＷ活性層、５はｐ−ＡｌＣａΔＳクラッド
層、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層を表す。
−ＧａＡｓ基板、２はｎ” ＧａＡｓハ７ファ層、３
はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、４はＧａＡｓ／ＡｌＧ
ａＡｓのＭＱＷ活性層、５はｐ−ＡｌＣａΔＳクラッド
層、６はｐ−ＧａＡｓコンタクト層を表す。
ＡｌｘＧａ、ＸＡｓなる形でＡＩの組成比を表すとＭＱ
ＷのＡｌＧａＡｓ層のＸ値は例えば０．１８、クラッド
層のＸ値は０．３〜０．４５程度に選ばれる。
ＷのＡｌＧａＡｓ層のＸ値は例えば０．１８、クラッド
層のＸ値は０．３〜０．４５程度に選ばれる。
上記ＭＱＷｊｉは、不純物が拡散されると超格子は無秩
序化され、その領域のエネルギー・ギャップはＭＱＷ層
のＸ値の平均値に近い、ｘ ＝０．０９なるＡｌＧａＡ
ｓ層と等価となる。
序化され、その領域のエネルギー・ギャップはＭＱＷ層
のＸ値の平均値に近い、ｘ ＝０．０９なるＡｌＧａＡ
ｓ層と等価となる。
即ち、ＭＱＷ活性Ｎ４において光の励起発振に必要なる
領域を除いて不純物の拡散を行うと、第５図の不純物拡
散領域において、４１で示す黒く塗りつぶした無秩序化
領域の屈折率は、励起発振層の屈折率より低くなり、活
性層の水平方向に対する光の閉じ込め機能を持つことに
なる。
領域を除いて不純物の拡散を行うと、第５図の不純物拡
散領域において、４１で示す黒く塗りつぶした無秩序化
領域の屈折率は、励起発振層の屈折率より低くなり、活
性層の水平方向に対する光の閉じ込め機能を持つことに
なる。
不純物の拡散にはＺｎを用いたｐ型拡散、Ｓｔを用いた
ｎ型拡散が用いられている。
ｎ型拡散が用いられている。
上記に述べた、従来の技術による方法ではＡＩの組成比
を表すＸ値が大きい程、不純物の拡散係数が大きくなる
。
を表すＸ値が大きい程、不純物の拡散係数が大きくなる
。
Ｚｎを不純物材料として用いた場合、Ｚｎの拡散は封管
法で行われ、ｐ′″−〇ａＡｓコンタクトＮはカバー特
性をもつので、コンタクト層直下では浅く、活性層両側
で徐々に深くなる波打った形状に拡散される。これを第
５図の断面に示す。
法で行われ、ｐ′″−〇ａＡｓコンタクトＮはカバー特
性をもつので、コンタクト層直下では浅く、活性層両側
で徐々に深くなる波打った形状に拡散される。これを第
５図の断面に示す。
そのため活性層幅Ｗ゛は、コンタクト層６の幅Ｗ、拡散
の深さｄ、拡散のプロセス等により大きく影舌を受け、
制御は困難なる問題となっている。
の深さｄ、拡散のプロセス等により大きく影舌を受け、
制御は困難なる問題となっている。
上記問題点は、−導電型でＧａＡｓ基板上にＡｌＧａＡ
ｓよりなる第１のクラッド層までが積層され、該クラッ
ド層上にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓよりなる多層量子井戸
構造の活性層、次いで反対導電型ＡｌＧａＡｓよりなる
第２のクラッド層と、該クラッド層上にレーザの光軸方
向に沿ってストライプ状に反対導電型ＧａＡｓコンタク
ト層が形成され、更に不純物の拡散により光閉込め層領
域を、前記第１のクラッド層にまで達して形成されたレ
ーザ構造において、 前記第２のＡｌＧａＡｓクラッド層の構造としては、Ａ
ｌ組成比を基板表面に向って漸次減少せしめた層構造を
含む本発明の半導体レーザの構造によって解決される。
ｓよりなる第１のクラッド層までが積層され、該クラッ
ド層上にＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓよりなる多層量子井戸
構造の活性層、次いで反対導電型ＡｌＧａＡｓよりなる
第２のクラッド層と、該クラッド層上にレーザの光軸方
向に沿ってストライプ状に反対導電型ＧａＡｓコンタク
ト層が形成され、更に不純物の拡散により光閉込め層領
域を、前記第１のクラッド層にまで達して形成されたレ
ーザ構造において、 前記第２のＡｌＧａＡｓクラッド層の構造としては、Ａ
ｌ組成比を基板表面に向って漸次減少せしめた層構造を
含む本発明の半導体レーザの構造によって解決される。
また、その製造方法としては、−導電型ＧａＡｓ基板上
にＡｌＧａＡｓ第１のクラッド層まで積層した後、ＭＢ
Ｅ法により、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子構造を多
層積層して活性層を形成する工程と、更に反対導電型Ａ
ｌＧａＡｓのＡＩＭｉ成比を成長と共に漸次減少せしめ
つつ成長させる第２のクラッド層の積層工程と、次いで
、ストライプ状の反対導電型ＧａＡｓ層を積層した後、
基板表面より不純物を第１のクラッド層にまで達する拡
散を行う工程を含む製造方法により形成される。
にＡｌＧａＡｓ第１のクラッド層まで積層した後、ＭＢ
Ｅ法により、ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓの超格子構造を多
層積層して活性層を形成する工程と、更に反対導電型Ａ
ｌＧａＡｓのＡＩＭｉ成比を成長と共に漸次減少せしめ
つつ成長させる第２のクラッド層の積層工程と、次いで
、ストライプ状の反対導電型ＧａＡｓ層を積層した後、
基板表面より不純物を第１のクラッド層にまで達する拡
散を行う工程を含む製造方法により形成される。
３元化合物半ぷ体Ａ Ｉ ｘ Ｇ ａ Ｉ−ＲＡ Ｓに
対する不純物の拡散は、そのＡＩの組成比率Ｘにより拡
散係数は著しく影響を受ける。
対する不純物の拡散は、そのＡＩの組成比率Ｘにより拡
散係数は著しく影響を受ける。
Ｘ値の小さい時は拡散係数は小さく、Ｘ値の増大に伴っ
て拡散係数は大きくなる。
て拡散係数は大きくなる。
本発明ではＭＱＷよりなる活性層の上部に形成するクラ
ッド層の組成比率Ｘを、例えばｘ＝０．４５の一定値領
域から徐々に漸減せしめてＯとする領域を接続して構成
する。
ッド層の組成比率Ｘを、例えばｘ＝０．４５の一定値領
域から徐々に漸減せしめてＯとする領域を接続して構成
する。
減少カーブを２次曲線に近く選び、基板表面にストライ
ブ状のＧａＡｓコンタクト層でマスクされた基板に不純
物を拡散させると、その拡散のフロントは基板面に対し
てほぼ垂直な光軸に平行なる壁面をもった形状を示す。
ブ状のＧａＡｓコンタクト層でマスクされた基板に不純
物を拡散させると、その拡散のフロントは基板面に対し
てほぼ垂直な光軸に平行なる壁面をもった形状を示す。
このため活性層形成の幅制御が掻めて容易となる。
本発明による一実施例を第１図により詳細説明する。従
来の技術の項において用いた符号と同一のものは説明を
省略する。
来の技術の項において用いた符号と同一のものは説明を
省略する。
第１図（ａ）に示すｎ”−ＧａＡｓ基板１上にＭＢＥ法
により積層された断面を示す。第５図構造との相違はク
ラッド層５の構造である。
により積層された断面を示す。第５図構造との相違はク
ラッド層５の構造である。
クラッド層５はｐ型ＡｌＧａＡｓ ＮよりなるがそのＡ
ＩのＸ値は第２図（ａ）に示す如く、ＭＱＷ層に接する
領域は、ｘ ＝０．４５にて積層された定常領域５１と
、２乗曲線に沿った漸減領域５２とにより構成されてい
る。
ＩのＸ値は第２図（ａ）に示す如く、ＭＱＷ層に接する
領域は、ｘ ＝０．４５にて積層された定常領域５１と
、２乗曲線に沿った漸減領域５２とにより構成されてい
る。
その他の重要なる成長層も含めて、成長パラメータを下
記に示す。
記に示す。
（１）ｎ−ＡｌＧａＡｓクラツド層３
不純物儂度Ｎ ＝ ５ ＸＩＯ”ｃｍ−’、 ｘ ＝
０．４５一定厚さｔ ＝２．０ μｍ （２１ＧａＡｓ基板１上；ａＡｓ ＭＱＷ層４ＧａＡ
ｓ層 超格子厚さり、＝６０人 ＡｌＧａＡｓ超格子厚さり、＝６０人 Ｌ２を５層、ＬＩ！を４層交互に積層する。
０．４５一定厚さｔ ＝２．０ μｍ （２１ＧａＡｓ基板１上；ａＡｓ ＭＱＷ層４ＧａＡ
ｓ層 超格子厚さり、＝６０人 ＡｌＧａＡｓ超格子厚さり、＝６０人 Ｌ２を５層、ＬＩ！を４層交互に積層する。
ＭＱＷ層のＸ値は第２図（ｂｌの拡大図で示す。
（３） ｐＡ Ｉ Ｇ ａ Ａ ｓクラッド層５定常
領域５１ 不純物濃度Ｐ ＝ ５ Ｘ １０Ｉ１０ｌ
７’Ｘ ＝０．４５一定、ｔ ＝０．５μｍ漸減領域５
２ 不純物濃度Ｐ−Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’Ｘは０．４
５より０まで漸減、 ｔ ＝１．０ μｍ （４） ｐ”−ＧａＡｓコンタクト層６不純物濃度Ｐ
＝ Ｉ Ｘ１０１９ｃｍ−’、 ｔ ＝１．Ｏｔｌ
ｍ上記の積層工程を終わった後、封管法によりＺｎの
拡散を温度６００℃で行う。コンタクトＮ６によりＺｎ
の拡散の防止効果があり、不純物の拡散領域７は第１図
（ｂｌに示す如く形状となる。
領域５１ 不純物濃度Ｐ ＝ ５ Ｘ １０Ｉ１０ｌ
７’Ｘ ＝０．４５一定、ｔ ＝０．５μｍ漸減領域５
２ 不純物濃度Ｐ−Ｉ ＸＩＯ”ｃｍ−’Ｘは０．４
５より０まで漸減、 ｔ ＝１．０ μｍ （４） ｐ”−ＧａＡｓコンタクト層６不純物濃度Ｐ
＝ Ｉ Ｘ１０１９ｃｍ−’、 ｔ ＝１．Ｏｔｌ
ｍ上記の積層工程を終わった後、封管法によりＺｎの
拡散を温度６００℃で行う。コンタクトＮ６によりＺｎ
の拡散の防止効果があり、不純物の拡散領域７は第１図
（ｂｌに示す如く形状となる。
クランド層に漸減領域５２を形成せることにより、不純
物の拡散はＭＱＷ層に近い面で促進され、結果的に垂直
に近い拡散面が得られる。
物の拡散はＭＱＷ層に近い面で促進され、結果的に垂直
に近い拡散面が得られる。
その後ｐ電極８としてＡｕ／Ｔｉを、ｎ電極９としてＡ
ｕ／ＡｕＧｅを薄着、アロイ工程を経てレーザ素子が完
成する。
ｕ／ＡｕＧｅを薄着、アロイ工程を経てレーザ素子が完
成する。
上記の構造ではＺｎはｐ型不純物であるため、光閉込め
層からクラッド層３とのｐｎ接合を通る洩れ電流が流れ
る可能性があるが、レーザ領域の順方向電流立ち上がり
特性と、上記洩れ電流の立ち上がり特性とには差があり
、通常の使用条件では洩れ電流は殆ど問題にならない。
層からクラッド層３とのｐｎ接合を通る洩れ電流が流れ
る可能性があるが、レーザ領域の順方向電流立ち上がり
特性と、上記洩れ電流の立ち上がり特性とには差があり
、通常の使用条件では洩れ電流は殆ど問題にならない。
以上の説明ではｎ型基板を用いて説明したが、ｐ及びｎ
の極性を全て逆転しても勿論、同様の効果が期待出来る
。
の極性を全て逆転しても勿論、同様の効果が期待出来る
。
ｎ型不純物としてはＳｉが用いられる。Ｓｉの拡散はイ
オン注入とアニールにより行われる。この場合、ＭＱＷ
層の無秩序化の温度は８５０℃を必要とし、Ｚｎの場合
に比して高くなる。
オン注入とアニールにより行われる。この場合、ＭＱＷ
層の無秩序化の温度は８５０℃を必要とし、Ｚｎの場合
に比して高くなる。
ｐ型ＧａＡｓ基板１）を用いて、Ｚｎの拡散により同様
の効果を期待出来る構造も実現できる。その概略を第３
間断面図により説明する。
の効果を期待出来る構造も実現できる。その概略を第３
間断面図により説明する。
１２はｐ型バッファ層、１３はｎ型クラッド層、１５は
ｎ型クラッド層でＸ値の定常領域５１と瀬滅領域５２に
より構成され、１６はｎ型コンタクト層を表す。
ｎ型クラッド層でＸ値の定常領域５１と瀬滅領域５２に
より構成され、１６はｎ型コンタクト層を表す。
コンタクト層１６の形成幅を第１図で説明せる場合より
も大きく設定してＺｎの拡散を行う。その後コンタクト
Ｊ’！ｉ１６の幅を、ｐ型不純物領域７の幅よりも狭く
なるごと（エツチングによりパターンニングを行う。上
部のｎ電極９はコンタクト層１６上に形成される。
も大きく設定してＺｎの拡散を行う。その後コンタクト
Ｊ’！ｉ１６の幅を、ｐ型不純物領域７の幅よりも狭く
なるごと（エツチングによりパターンニングを行う。上
部のｎ電極９はコンタクト層１６上に形成される。
上記の構造において、洩れ電流の経路はｎ型クラッド層
１５のｐｎ接合（Ｚｎの拡散によりｐ型化せる領域と非
拡散領域間の接合）を通して流れるのみである。
１５のｐｎ接合（Ｚｎの拡散によりｐ型化せる領域と非
拡散領域間の接合）を通して流れるのみである。
この洩れ電流を小さくするには、第４図に示す如くｎ型
コンタクト層１６に接するｎ型クラッド層１５のＸ値漸
瀘領域５２のＡｌ組成比を０．２で終わるごとくする。
コンタクト層１６に接するｎ型クラッド層１５のＸ値漸
瀘領域５２のＡｌ組成比を０．２で終わるごとくする。
これにより洩れ電流を発生するｐｎ接合の順方向電流の
立上がり電圧と、ＭＱＷ活性層の順方向電流の立上がり
電圧との差を利用することにより解決される。
立上がり電圧と、ＭＱＷ活性層の順方向電流の立上がり
電圧との差を利用することにより解決される。
以上に説明せるごとく本発明を適用することにより、活
性層としてＭＱＷ構造を用い、不純物の導入によってＭ
ＱＷ層を無秩序化して光閉込め層を形成するレーザ構造
において、活性層幅の制御が容易となりレーザの品質の
向上に寄与する所大である。
性層としてＭＱＷ構造を用い、不純物の導入によってＭ
ＱＷ層を無秩序化して光閉込め層を形成するレーザ構造
において、活性層幅の制御が容易となりレーザの品質の
向上に寄与する所大である。
第１図（ａｌ〜（Ｃ１は本発明にかかわる半導体レーザ
の構造を工程順に示す断面図、 第２図（ａｌ、 （ｂ）は本発明の積層構造でＡｌＧａ
Ａｓ層のＡｌ組成比を示す図、 第３図は別の実施例を説明する断面図、第４図は別の実
施例のＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比を示す図、 第５図は従来の技術を説明する断面図、を示す。 図面において、 １はｎ′″−ＧａＡｓ基板、 ２はｎ”−ＧａＡｓ八′ソへァ層、 ３はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、 ４はＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓＭＱＷ層、５はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、 ６はｐ”−ＧａＡｓコンタクｌ一層、 ７は不純物拡散領域、 ８はｐ電極、 ９はｎ電極、 １）はｐ型ＧａＡｓ基板、 １２はｐ型バッファ層、 １３はｐ型クラッド層、 １５はｎ型クラッド層、 １６はｎ型コンタクト層、 ４１はＭＱＷ層の無秩序化領域、 ５１はクラッド層のＸの定常ｇｌ域、 ５２はクラッド層のＸの漸減領域、 をそれぞれ示す。 ６ρ十−（５ａＡ５）〉ｑ７トノ１ 第 １ 図 ＡＩＧｏ、Ａｓ贋、八１（且］１；ｌ’＆、１ＴｌｌＩ
第 ２ 図 四 ４ 図 ７ノｆ：’＋を鼾）ｔ−９’Ｚ％Ｐ’Ｘ’（Ｚｎ）ＰＩ
／ｌ ｆ：ＩｆｌＵｔｅｒ’１ｅＦ４ Ｔｉｌｒ６ｍ
第 ３ 図 ＠ ５ 圀
の構造を工程順に示す断面図、 第２図（ａｌ、 （ｂ）は本発明の積層構造でＡｌＧａ
Ａｓ層のＡｌ組成比を示す図、 第３図は別の実施例を説明する断面図、第４図は別の実
施例のＡｌＧａＡｓ層のＡｌ組成比を示す図、 第５図は従来の技術を説明する断面図、を示す。 図面において、 １はｎ′″−ＧａＡｓ基板、 ２はｎ”−ＧａＡｓ八′ソへァ層、 ３はｎ−ＡｌＧａＡｓクラッド層、 ４はＧａＡｓ／ＡＩＧａＡｓＭＱＷ層、５はｐ−ＡｌＧ
ａＡｓクラッド層、 ６はｐ”−ＧａＡｓコンタクｌ一層、 ７は不純物拡散領域、 ８はｐ電極、 ９はｎ電極、 １）はｐ型ＧａＡｓ基板、 １２はｐ型バッファ層、 １３はｐ型クラッド層、 １５はｎ型クラッド層、 １６はｎ型コンタクト層、 ４１はＭＱＷ層の無秩序化領域、 ５１はクラッド層のＸの定常ｇｌ域、 ５２はクラッド層のＸの漸減領域、 をそれぞれ示す。 ６ρ十−（５ａＡ５）〉ｑ７トノ１ 第 １ 図 ＡＩＧｏ、Ａｓ贋、八１（且］１；ｌ’＆、１ＴｌｌＩ
第 ２ 図 四 ４ 図 ７ノｆ：’＋を鼾）ｔ−９’Ｚ％Ｐ’Ｘ’（Ｚｎ）ＰＩ
／ｌ ｆ：ＩｆｌＵｔｅｒ’１ｅＦ４ Ｔｉｌｒ６ｍ
第 ３ 図 ＠ ５ 圀
Claims (2)
- （１）基板（１）上に一導電型のＡｌＧａＡｓよりなる
第１のクラッド層（３）が積層され、 該クラッド層上にバンドギャップの小／大よりなる多層
量子井戸（４）構造の活性層がＧａＡｓ、ＡｌＡｓある
いはこれらの混晶により形成され、次いで反対導電型Ａ
ｌＧａＡｓよりなる第２のクラッド層（５）と、該クラ
ッド層上にレーザの光軸方向に沿ってストライプ状に反
対導電型コンタクト層（６）が形成され、 更に、不純物の拡散により光閉込め層領域を、前記第１
のクラッド層にまで達して形成されたレーザ構造におい
て、 前記第２のＡｌＧａＡｓクラッド層（５）の構造として
は、Ａｌ組成比を基板表面に向って漸次減少せしめた層
構造（５２）を含むことを特徴とする半導体レーザの構
造。 - （２）基板（１）上に一導電型のＡｌＧａＡｓよりなる
第１のクラッド層（３）まで積層した後、 ＭＢＥ法により、バンドギャップの小／大よりなる多層
量子井戸（４）構造の活性層をＧａＡｓ、ＡｌＡｓある
いはこれらの混晶により形成する工程と、更に反対導電
型ＡｌＧａＡｓのＡｌ組成比を成長と共に漸次減少させ
る第２のクラッド層（５）の積層工程と、 次いで、ストライプ状の反対導電型コンタクト層（６）
を積層した後、基板表面より不純物を第１のクラッド層
にまで達する拡散を行う工程を含むことを特徴とする半
導体レーザの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526886A JPS62163384A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 半導体レ−ザの構造とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP526886A JPS62163384A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 半導体レ−ザの構造とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62163384A true JPS62163384A (ja) | 1987-07-20 |
Family
ID=11606481
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP526886A Pending JPS62163384A (ja) | 1986-01-14 | 1986-01-14 | 半導体レ−ザの構造とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62163384A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114825046A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-07-29 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体发光结构及其制备方法 |
-
1986
- 1986-01-14 JP JP526886A patent/JPS62163384A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114825046A (zh) * | 2022-06-27 | 2022-07-29 | 苏州长光华芯光电技术股份有限公司 | 一种半导体发光结构及其制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| DE60129227T2 (de) | Halbleiterlaserbauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
| US5306924A (en) | Semiconductor device with strained-layer superlattice | |
| JP4922036B2 (ja) | 量子ドット半導体デバイス | |
| DE102009054564A1 (de) | Laserdiodenanordnung und Verfahren zum Herstellen einer Laserdiodenanordnung | |
| US4727556A (en) | Semiconductor lasers fabricated from impurity induced disordering | |
| DE69118113T2 (de) | Optische Halbleiteranordnung und ihr Herstellungsverfahren | |
| JPH0243351B2 (ja) | ||
| JP2786276B2 (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JPS62163384A (ja) | 半導体レ−ザの構造とその製造方法 | |
| JPS60145687A (ja) | 半導体レ−ザ− | |
| US5359619A (en) | Multi-beam semiconductor laser and method for producing the same | |
| JPH09148682A (ja) | 半導体光素子 | |
| JPS6356977A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2891756B2 (ja) | 波長可変半導体レーザ | |
| JPH01140790A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS62214687A (ja) | 半導体レ−ザの構造 | |
| JPH05283790A (ja) | 半導体レーザ | |
| JPS6129183A (ja) | 半導体レ−ザ | |
| JP2908124B2 (ja) | 半導体レーザ素子およびその製造方法 | |
| JPS6355878B2 (ja) | ||
| JP3217461B2 (ja) | 半導体レーザ素子の製造方法 | |
| JPS60134489A (ja) | 半導体レ−ザ装置 | |
| JPS62244167A (ja) | 光，電子半導体集積回路 | |
| JPH01220882A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPS6161486A (ja) | 半導体レ−ザ装置 |