JPS62153186A - 結晶製造方法 - Google Patents
結晶製造方法Info
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- JPS62153186A JPS62153186A JP29089585A JP29089585A JPS62153186A JP S62153186 A JPS62153186 A JP S62153186A JP 29089585 A JP29089585 A JP 29089585A JP 29089585 A JP29089585 A JP 29089585A JP S62153186 A JPS62153186 A JP S62153186A
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- Japan
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- heating device
- infrared
- crystal manufacturing
- frequency induction
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Liquid Deposition Of Substances Of Which Semiconductor Devices Are Composed (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
[産業上の利用分野]
本発明は、??M帯域1溶融法によりシリコン結晶を製
造する装置ならびに方i去に関する。
造する装置ならびに方i去に関する。
[従来の技術]
シリコン単結晶を製造する目的で、あるいはシリコン結
晶を′ll製する目的で、高周波誘導加熱コイル内にシ
リコン素材を挿入し、高周波誘導加熱することにより浮
遊帯を生ゼしめるようにした結晶製造装置および方法は
既に知られている。
晶を′ll製する目的で、高周波誘導加熱コイル内にシ
リコン素材を挿入し、高周波誘導加熱することにより浮
遊帯を生ゼしめるようにした結晶製造装置および方法は
既に知られている。
[発明が解決しようとする間厘点コ
高周波#導加熱を利用した浮遊帯域溶融法によりシリコ
ン結晶を製造する場合、常温におけるシリコンは、高岡
a誘導加熱により直接加熱するには抵抗が高すぎる。
ン結晶を製造する場合、常温におけるシリコンは、高岡
a誘導加熱により直接加熱するには抵抗が高すぎる。
このため、もし常温より直接高周波誘導加熱を実施しよ
うとするならば、多大なパワーを必要とする。
うとするならば、多大なパワーを必要とする。
しかしまた、一旦加熱されるとその瞬間シリコンの抵抗
は下がり、同時に高周波誘導加熱され易くはなるが、こ
のため却って、シリコン素材が急激に加熱されて該シリ
コン素材にクラックを発生させたり、又該シリコン素材
の溶融が激しくなる結果溶融物が落下し、浮遊帯を形成
しなくなる。
は下がり、同時に高周波誘導加熱され易くはなるが、こ
のため却って、シリコン素材が急激に加熱されて該シリ
コン素材にクラックを発生させたり、又該シリコン素材
の溶融が激しくなる結果溶融物が落下し、浮遊帯を形成
しなくなる。
そればかりか、ワークコイルとシリコン素材間で放電を
起こし、プロセスの中断さらには結晶製造装置を破損さ
せる。原因となる。
起こし、プロセスの中断さらには結晶製造装置を破損さ
せる。原因となる。
二のため、一般にはカーボンリング等を高周波誘導加熱
により赤熱ごせ、この赤熱されたカーボンリング等の中
にシリコン素材を挿入し、間接的に加熱、抵抗を十分低
くして高周波誘導を生じ易くした後、直接高周波誘導加
熱を行なっている。
により赤熱ごせ、この赤熱されたカーボンリング等の中
にシリコン素材を挿入し、間接的に加熱、抵抗を十分低
くして高周波誘導を生じ易くした後、直接高周波誘導加
熱を行なっている。
二の場合、たとえば、カーボンリングは約+000°C
まで加熱されることから、カーホン内に含まれる不純物
、あるいは炉内残留酸素と結びついたカーボンにより、
炉内やシリコシがCθ染され、その結果としてシリコン
17品か汚染されるり(点を有する。
まで加熱されることから、カーホン内に含まれる不純物
、あるいは炉内残留酸素と結びついたカーボンにより、
炉内やシリコシがCθ染され、その結果としてシリコン
17品か汚染されるり(点を有する。
また、島周1,12誘・、1加熱方法の欠点の一つとし
て、高岡j皮あるいはワークコイルとシリコン素材形状
との結合7度の間項が生ずる、 たとえば、直径30m+n以上のシリコン素材を溶融す
る二とができるワークコイルを用いシリコン素材を溶融
していく過程で、シリコン素材溶融部分に針状の固体状
突起が発生することがある。この針状突起は主としてシ
リコン素材表面形状の凹凸およびシリコン素材に潜在す
るクラック等が誘引となり発生する。
て、高岡j皮あるいはワークコイルとシリコン素材形状
との結合7度の間項が生ずる、 たとえば、直径30m+n以上のシリコン素材を溶融す
る二とができるワークコイルを用いシリコン素材を溶融
していく過程で、シリコン素材溶融部分に針状の固体状
突起が発生することがある。この針状突起は主としてシ
リコン素材表面形状の凹凸およびシリコン素材に潜在す
るクラック等が誘引となり発生する。
この針状の突起部分に対する高周波の結合度は低く、さ
らには針状突起部分の体積当りの熱放出量が他の部分に
比較し大きくなるため、溶融する二となく、逆に成長し
最終的にはワークコイルと接触して放電を併発させ、製
造プロセスを中断させるのみならず、装置の一部を破損
せしめ、且つチャンバー内汚染を引起こす。
らには針状突起部分の体積当りの熱放出量が他の部分に
比較し大きくなるため、溶融する二となく、逆に成長し
最終的にはワークコイルと接触して放電を併発させ、製
造プロセスを中断させるのみならず、装置の一部を破損
せしめ、且つチャンバー内汚染を引起こす。
これらの事故を防止するために通常、たとえばシリコン
素材表面を研削して滑らかにしたものが使用されている
。
素材表面を研削して滑らかにしたものが使用されている
。
しかるになお、この針状突起の発生を完全に防止てきな
いのが現状である。
いのが現状である。
次に、i″Z遊帯域溶融を発生させる加熱方法として赤
外線加熱の公知例がある。
外線加熱の公知例がある。
たとえば、特公昭47−36604号、特開昭55−9
0496号、特開昭60−71589号、特開昭60−
71592号等があるが、いずれも赤外線加熱のみによ
り浮遊帯域溶融を行なうか、又は同時に直径を制御する
方法に関するものであり、高周波誘導加熱と併用する技
術は開示されていない。
0496号、特開昭60−71589号、特開昭60−
71592号等があるが、いずれも赤外線加熱のみによ
り浮遊帯域溶融を行なうか、又は同時に直径を制御する
方法に関するものであり、高周波誘導加熱と併用する技
術は開示されていない。
[間雇点を解決するための手段]
本発明の目的は二のような従来の欠点を改善するために
なされたものであり、従来の高周波誘導加熱とともに、
高周波誘導加熱とは独立した赤外線加熱を併用すること
により、使用素材表面の凹凸に影響されにくく、且つ不
純物の少ない結晶を得る浮遊帯域溶融法による結晶製造
装置および方法を提供することにある。
なされたものであり、従来の高周波誘導加熱とともに、
高周波誘導加熱とは独立した赤外線加熱を併用すること
により、使用素材表面の凹凸に影響されにくく、且つ不
純物の少ない結晶を得る浮遊帯域溶融法による結晶製造
装置および方法を提供することにある。
本発明は、浮遊帯域溶融法による結晶製造装置において
、被加熱物の加熱溶融用装置として高周波誘導加熱装置
ならびに赤外線加熱装置を併設したこと、 ならびに浮遊帯域溶融法による結晶製造装置において、
被加熱物の加熱溶融のため、高周波加熱方法と集光性赤
外線加熱方法を併用することを要旨とする。
、被加熱物の加熱溶融用装置として高周波誘導加熱装置
ならびに赤外線加熱装置を併設したこと、 ならびに浮遊帯域溶融法による結晶製造装置において、
被加熱物の加熱溶融のため、高周波加熱方法と集光性赤
外線加熱方法を併用することを要旨とする。
以下、本発明の実施例を図面を用いて詳細に1悦明する
。
。
[実施例1]
第1図は本発明の一実施例に係る結晶′!A造装置、特
に本発明に係わる部分の縦断面図を示したものである。
に本発明に係わる部分の縦断面図を示したものである。
第1図において、1は結晶を外気と分離するためのチャ
ンバーであり、チャンバー内は真空であるか、あるいは
不活性ガスで満たされている。
ンバーであり、チャンバー内は真空であるか、あるいは
不活性ガスで満たされている。
チャンバー1内にはチャンバー上部シール2を介し、上
軸3が取り付けられ、その先端には結晶用素材、本実施
例では単結晶用シリコン素材4が吊り下げられている。
軸3が取り付けられ、その先端には結晶用素材、本実施
例では単結晶用シリコン素材4が吊り下げられている。
チャンバー1の下部には、チャンバー下部シール5を介
し、下軸6が取り付けられ、その上部先端には種結晶7
が取り付けられている。
し、下軸6が取り付けられ、その上部先端には種結晶7
が取り付けられている。
第1図では種結晶7の上部に単結晶8が成長している状
態が示されている。
態が示されている。
シリコン素材4は、高周波誘導加熱装置の一部であるワ
ークコイル9により高周波誘導加熱される。
ークコイル9により高周波誘導加熱される。
高周波は通常の高周波誘導加熱装置発振部(図示せず)
より同軸lOを通しワークコイル9に送られる。
より同軸lOを通しワークコイル9に送られる。
シリコン素材4は、赤外線加熱装置の一部である熱源1
本実施例ではハロゲンランプ11により加熱される。
本実施例ではハロゲンランプ11により加熱される。
すなわち、赤外線加熱装置の一部である反射鏡、本実施
例では回転楕円面鏡12の第1焦点F1に設置されたハ
ロゲンランプ11から放射された赤外線は、回転楕円面
鏡12で反射され、気密保持用の透明石英ガラス13を
透過後、回転楕円面鏡12の焦点F2に集光されその部
分に位置するシリコン素材を予備加熱又は溶融させる。
例では回転楕円面鏡12の第1焦点F1に設置されたハ
ロゲンランプ11から放射された赤外線は、回転楕円面
鏡12で反射され、気密保持用の透明石英ガラス13を
透過後、回転楕円面鏡12の焦点F2に集光されその部
分に位置するシリコン素材を予備加熱又は溶融させる。
本実施例では、焦点F2の位置が、高周波誘導加熱装置
の一部であるワークコイル9、の上部になるよう回転楕
円面12を調整配置し、シリコン素材4の予熱及び表面
凹凸部の加熱溶融には、専ら赤外線加熱が用いられる。
の一部であるワークコイル9、の上部になるよう回転楕
円面12を調整配置し、シリコン素材4の予熱及び表面
凹凸部の加熱溶融には、専ら赤外線加熱が用いられる。
さらに、本実施例では、赤外線加熱用のハロゲンランプ
II及び回転楕円面鏡12が、高周波誘導加熱装置の一
部である同軸10に対し左右に配置されており、上軸3
の回転によりシリコン素材4が回転することの併用で、
均一な予備加熱、又は溶融ができる。
II及び回転楕円面鏡12が、高周波誘導加熱装置の一
部である同軸10に対し左右に配置されており、上軸3
の回転によりシリコン素材4が回転することの併用で、
均一な予備加熱、又は溶融ができる。
また、回転楕円面[12の焦点F2は、通常の焦点調整
装置14により回転楕円面鏡12を動かす二とで調整で
きる。
装置14により回転楕円面鏡12を動かす二とで調整で
きる。
加熱位置における赤外為−泉照射スポット径は、この焦
点位置F2の調整、及び第1焦点F1に設置されたハロ
ゲンランプを第1焦点F1からずらすことによっても調
整できる。
点位置F2の調整、及び第1焦点F1に設置されたハロ
ゲンランプを第1焦点F1からずらすことによっても調
整できる。
二の結果いかなるシリコン素材直径に対しても、最適な
加熱溶融が可能である。
加熱溶融が可能である。
本実施例では回転楕円面鏡を用いたが、代りに回転放物
面鏡を用い、集光レンズを使用することによっても効果
は同しである。
面鏡を用い、集光レンズを使用することによっても効果
は同しである。
本実施例ではハロゲンランプを用いたが、ハロゲンラン
プの代りにキセノンランプを用いても同様の効果か得ら
れた。
プの代りにキセノンランプを用いても同様の効果か得ら
れた。
[実施例2つ
第2図は本発明の他の実施例に係る結晶製造装置、特に
本発明に係る部分の縦断面図を示したものである。
本発明に係る部分の縦断面図を示したものである。
第2図において、チャンバー4、チャンバー上部シール
2.上軸3、シリコン素材4、チャンバー下部シール5
、下軸6、種結晶7、単結晶8、ワークコイル9、同軸
1oは前記実施例1と同様の形状、溝造であり、その作
用も同様である。
2.上軸3、シリコン素材4、チャンバー下部シール5
、下軸6、種結晶7、単結晶8、ワークコイル9、同軸
1oは前記実施例1と同様の形状、溝造であり、その作
用も同様である。
本実施例では、通常のレーザー発生装置(図示せず)、
たとえばCOIレーザー発生装置からのレーザー光11
2はレーザー光導入窓113を透過後、焦点F2に集光
され、その部分に位置するシリコン素材を予備加熱、又
は溶融させる。
たとえばCOIレーザー発生装置からのレーザー光11
2はレーザー光導入窓113を透過後、焦点F2に集光
され、その部分に位置するシリコン素材を予備加熱、又
は溶融させる。
本実施例では前記実施例1と同様に焦点F2の位1nは
高周波誘導加熱装置の一部であるワークコイル9の上部
になるように、焦点位1n制御用テレビカメラ117、
および;1.j%点位置制御装fi118.および焦点
位1n調整装置11・1を連動させることにより調整さ
れ、シリコン素材4の予備加熱、及び表面の凹凸部の加
熱溶融に用いられる。
高周波誘導加熱装置の一部であるワークコイル9の上部
になるように、焦点位1n制御用テレビカメラ117、
および;1.j%点位置制御装fi118.および焦点
位1n調整装置11・1を連動させることにより調整さ
れ、シリコン素材4の予備加熱、及び表面の凹凸部の加
熱溶融に用いられる。
[実施例3]
次に、本発明による結晶製造装置を用い、表面が凹凸の
シリコン素材から単結晶シリコンを製造する一実施例を
、第3図により説明する。
シリコン素材から単結晶シリコンを製造する一実施例を
、第3図により説明する。
第3図において(a)図はシリコン素材予熱時、(b)
および(c)図はシリコン単結晶製品のテーパー作成時
、(d)図は一定径のシリコン単結晶製造時の加熱溶融
状態を示したものであり、図中、斜線部は浮遊帯域を示
している。
および(c)図はシリコン単結晶製品のテーパー作成時
、(d)図は一定径のシリコン単結晶製造時の加熱溶融
状態を示したものであり、図中、斜線部は浮遊帯域を示
している。
なお、7は種結晶、9はワークコイル、4はシリコン素
材、15の矢印は赤外線、F2は、ハロゲンランプを用
いた場合は回転楕円面鏡の焦点位置を示す。
材、15の矢印は赤外線、F2は、ハロゲンランプを用
いた場合は回転楕円面鏡の焦点位置を示す。
先ず、第3図(a)に示すごとく赤外線による予熱のた
め、焦点F2付近にシリコン素材4のテーパー先端部近
傍が位置するよう上軸3を調整する。
め、焦点F2付近にシリコン素材4のテーパー先端部近
傍が位置するよう上軸3を調整する。
次に 赤外線加熱装置内ハロゲンランプの出力を徐々に
上げ、素材テーパー先端部近傍を赤熱状態にならしめる
。
上げ、素材テーパー先端部近傍を赤熱状態にならしめる
。
次に、第3図(b)に示したごとく、素材テーパー先端
部近傍が赤熱後、徐々にワークコイル内にテーパー先端
部を挿入し高周波による加熱を開始。
部近傍が赤熱後、徐々にワークコイル内にテーパー先端
部を挿入し高周波による加熱を開始。
テーパー先端部が溶融し始めたら通常の単結晶テーパー
作成作業を行なう。二のとき、テーパー上部が適当に予
熱されるようにハロゲンランプ出力を調整する。
作成作業を行なう。二のとき、テーパー上部が適当に予
熱されるようにハロゲンランプ出力を調整する。
次に、第3図(c)に示すごとく、テーパー上部まで浮
遊帯が拡がりだしたらハロゲンランプ出力をさらに調整
し、浮遊帯直上の素材表面凹凸部の外表面が溶融するよ
うにする。
遊帯が拡がりだしたらハロゲンランプ出力をさらに調整
し、浮遊帯直上の素材表面凹凸部の外表面が溶融するよ
うにする。
その後は、第3図(d)に示すごとく、素材表面の凹凸
の状態によりハロゲンランプ出力を若干1凋整しながら
単結晶を製造する。
の状態によりハロゲンランプ出力を若干1凋整しながら
単結晶を製造する。
本実施例において、ハロゲンランプを使用する場合は、
赤外線加熱装置部には楕円の長径2601M4、短径2
00ILIfflの内側が金メッキされた回転楕円面鏡
が用いられ、熱源として定格120V−20001Jの
ハロゲンランプが採用された。
赤外線加熱装置部には楕円の長径2601M4、短径2
00ILIfflの内側が金メッキされた回転楕円面鏡
が用いられ、熱源として定格120V−20001Jの
ハロゲンランプが採用された。
本実施例において使用したシリコン素材はテーパ一部以
外の外表面は研削処理されておらず、モノシランガスか
ら熱分解法によりシリコンを析出させたままの状態であ
り、約0.4mm程度の凹凸が無数に存在する素材が使
用された。
外の外表面は研削処理されておらず、モノシランガスか
ら熱分解法によりシリコンを析出させたままの状態であ
り、約0.4mm程度の凹凸が無数に存在する素材が使
用された。
尚、参考のために外表面を研削したシリコン素材を用い
て本実施例と同様の実験を行なった。
て本実施例と同様の実験を行なった。
使用したシリコン素材の直径は約50mmであった。
本実施例ではハロゲンランプを用いたが、ハロゲンラン
プの代りにキセノンランプもしくはレーザー光を用いて
も同様の効果が得られた。
プの代りにキセノンランプもしくはレーザー光を用いて
も同様の効果が得られた。
[実施例4]
上記実施例4、実施例2、実施例3は連続して赤外線を
シリコン素材に照射しながら単結晶の製造を実施した場
合であるが、間欠的使用によってもその効果は同じであ
ることが確認された。
シリコン素材に照射しながら単結晶の製造を実施した場
合であるが、間欠的使用によってもその効果は同じであ
ることが確認された。
即ち、実施例4、実施例2、実施例3と同様に単結晶製
造中シリコン素材に針状突起が発生した場合、その針状
突起が焦点F2の位置になるように上軸の回転、及びハ
ロゲンランプは回転楕円面鏡に付随する焦点調整装置1
4で合せた後、赤外線を照射しこの針状突i物を溶融さ
iる。その後再び通常の高周波誘導加熱のみ、又は赤外
線照射の併用により製造を続行させることにより、製造
プロセスを何ら中断させることなく単結晶を製造できた
。
造中シリコン素材に針状突起が発生した場合、その針状
突起が焦点F2の位置になるように上軸の回転、及びハ
ロゲンランプは回転楕円面鏡に付随する焦点調整装置1
4で合せた後、赤外線を照射しこの針状突i物を溶融さ
iる。その後再び通常の高周波誘導加熱のみ、又は赤外
線照射の併用により製造を続行させることにより、製造
プロセスを何ら中断させることなく単結晶を製造できた
。
本実施例ではハロゲンランプを用いたが、ハロゲンラン
プの代りにキセノンランプもしくはレーザー光を用いて
も同様の効果が得られた。
プの代りにキセノンランプもしくはレーザー光を用いて
も同様の効果が得られた。
第1表
[発明の効果]
第1表は、従来の高周波誘導加熱のみによる結晶製造装
置を用い単結晶を製造した場合と、本発明に係る結晶製
造装置を用い、前述した製造方法により赤外線を連続的
に照射して単結晶を製造した場合における針状突起発生
に起因する単結晶製造プロセス中断の割合、即ちプロセ
ス中断率を示した。
置を用い単結晶を製造した場合と、本発明に係る結晶製
造装置を用い、前述した製造方法により赤外線を連続的
に照射して単結晶を製造した場合における針状突起発生
に起因する単結晶製造プロセス中断の割合、即ちプロセ
ス中断率を示した。
第1表に示したごとく、シリコン素材外表面を研削した
場合は従来の製造装置では、製造プロセスが中断する割
合が30%であるのに対し、本発明の装置では皆無とな
り、又非研削面においては、従来の装置では100%で
あるのに対し、本発明装置では5%と格段に良好な結果
を得ることができた。
場合は従来の製造装置では、製造プロセスが中断する割
合が30%であるのに対し、本発明の装置では皆無とな
り、又非研削面においては、従来の装置では100%で
あるのに対し、本発明装置では5%と格段に良好な結果
を得ることができた。
この結果、素材表面が凹凸状のシリコン素材を用いた場
合においても、針状突起発生に起因する製造プロセスの
中断を大幅に減少することができた。
合においても、針状突起発生に起因する製造プロセスの
中断を大幅に減少することができた。
さらにシリコン素材表面を研削する必要のない二とから
、研削ロスを無くす二とができ、単結晶製品取得率も大
幅に向上させることができた。
、研削ロスを無くす二とができ、単結晶製品取得率も大
幅に向上させることができた。
また、シリコン素材の予熱に赤外線を利用した二とから
、カーボンリング予熱が不要になり、特に炭素の汚染の
少ない単結晶を製造することができた。
、カーボンリング予熱が不要になり、特に炭素の汚染の
少ない単結晶を製造することができた。
以上、詳述したごとく本発明による高周波誘導加熱とと
もに、高周波誘導加熱とは独立した赤外線加熱を併用で
きる結晶製造装置と方法を用いることにより、不純物の
少ないシリコン結晶を、使用シリコン素材の外表面の凹
凸にほとんど影響されず、浮遊帯域溶融法により製造す
ることができるようになった。
もに、高周波誘導加熱とは独立した赤外線加熱を併用で
きる結晶製造装置と方法を用いることにより、不純物の
少ないシリコン結晶を、使用シリコン素材の外表面の凹
凸にほとんど影響されず、浮遊帯域溶融法により製造す
ることができるようになった。
第1図、および第2図は本発明の一実施例に係る結晶製
造装置の縦断面を示す図。 ′第3図は本発明の結晶製造装置を用い単結晶を製造す
る方法を′示す図である。 1・・・・・チャンバー 2・・・・・チャンバー上部シール 3・・・・・上軸 4・・・・・シリコン素材 5・・・・・チャンバー下部シール 6・・・・・下軸 7・・・・・種結晶 8・・・・・単結晶 9・・・・・ワークコイル lO・・・・・同軸 11・・・・・ハロゲンランプ l2・・・・・回転楕円面鏡 13・・・・・透明石英ガラス ■、4・・・・・焦点1凋情JA置 15・・・・・赤外線 Fl・・・・・回転楕円面鏡第1焦点 F、・・・・・焦点 Ill・・・・・レーザー発生装置 112・・・・・レーザー光 113・・・・・レーザー光導入窓 +14・・・・・焦点位置調11 ’l m115・・
・・・集光レンズ 116・・・・・ガスノズル 117・・・・・焦点位置制御用テレビカメラ+18・
・・・・焦点位置制御装置 特許出願人 小松電子金属株式会社 第1図 う)シIN−下合やレール
造装置の縦断面を示す図。 ′第3図は本発明の結晶製造装置を用い単結晶を製造す
る方法を′示す図である。 1・・・・・チャンバー 2・・・・・チャンバー上部シール 3・・・・・上軸 4・・・・・シリコン素材 5・・・・・チャンバー下部シール 6・・・・・下軸 7・・・・・種結晶 8・・・・・単結晶 9・・・・・ワークコイル lO・・・・・同軸 11・・・・・ハロゲンランプ l2・・・・・回転楕円面鏡 13・・・・・透明石英ガラス ■、4・・・・・焦点1凋情JA置 15・・・・・赤外線 Fl・・・・・回転楕円面鏡第1焦点 F、・・・・・焦点 Ill・・・・・レーザー発生装置 112・・・・・レーザー光 113・・・・・レーザー光導入窓 +14・・・・・焦点位置調11 ’l m115・・
・・・集光レンズ 116・・・・・ガスノズル 117・・・・・焦点位置制御用テレビカメラ+18・
・・・・焦点位置制御装置 特許出願人 小松電子金属株式会社 第1図 う)シIN−下合やレール
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、浮遊帯域溶融法による結晶製造装置において、被加
熱物の加熱溶融用装置として高周波誘導加熱装置ならび
に赤外線加熱装置を併設したことを特徴とする結晶製造
装置。 2、該赤外線加熱装置内の熱源がハロゲンランプあるい
はキセノンランプであり、これより発せられる赤外線を
、反射鏡を用い被加熱体に集光させるようにした特許請
求の範囲第1項記載の結晶製造装置。 3、該赤外線加熱装置内の反射鏡が回転楕円面鏡より構
成されたものである特許請求の範囲第1項記載の結晶製
造装置。 4、該赤外線加熱装置内の反射鏡は2つ以上の回転楕円
面鏡により構成され、該回転楕円面鏡が高周波誘導加熱
装置内ワークコイル同軸部に対し、左右に配置されたも
のである特許請求の範囲第1項記載の結晶製造装置。 5、該赤外線加熱装置内の反射鏡は回転楕円面鏡により
構成され、その第1焦点にハロゲンランプあるいはキセ
ノンランプを設置せしめ、その焦点が該高周波誘導加熱
装置内のワークコイルの上部となるようにした特許請求
の範囲第1項記載の結晶製造装置。 6、該赤外線加熱装置はレーザー装置より成り、該レー
ザー装置より発するレーザー光を、該高周波誘導加熱装
置内のワークコイルの上部の被加熱体に照射するごとく
にした特許請求の範囲第1項記載の結晶製造装置。 7、浮遊帯域溶融法による結晶製造方法において、被加
熱物の加熱溶融のため、高周波加熱方法と集光性赤外線
加熱方法とを併用することを特徴とするする結晶製造方
法。 8、該集光性赤外線はハロゲンランプもしくはキセノン
ランプより発せられる赤外線、もしくはレーザー光であ
る赤外線よりなる特許請求の範囲第7項記載の結晶製造
方法。 9、該集光性赤外線は高周波加熱コイルの上部の該被加
熱物を加熱することを特徴とする特許請求の範囲第7項
又は第8項記載の結晶製造方法。 10、該集光性赤外線により被加熱物を予熱し、該高周
波加熱により該被加熱物を溶融することを特徴とする特
許請求の範囲第7項又は第8項記載の結晶製造方法。 11、該集光性赤外線により被加熱物表面の凹凸部を溶
解し、その後該高周波加熱により該被加熱物を溶解する
ことを特徴とする特許請求の範囲第7項又は第8項記載
の結晶製造方法。 12、該集光性赤外線により、被加熱物表面に発生した
針状突起を溶解し、しかる後該高周波加熱により該被加
熱物を溶解することを特徴とする特許請求の範囲第7項
又は第8項記載の結晶製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29089585A JPS62153186A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 結晶製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP29089585A JPS62153186A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 結晶製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62153186A true JPS62153186A (ja) | 1987-07-08 |
JPH0419193B2 JPH0419193B2 (ja) | 1992-03-30 |
Family
ID=17761892
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP29089585A Granted JPS62153186A (ja) | 1985-12-25 | 1985-12-25 | 結晶製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62153186A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258254A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Toyota Motor Corp | 熱電変換材料及びその製造方法 |
CN108070901A (zh) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 浮区法生长晶体的设备及方法 |
US10975493B2 (en) * | 2015-10-01 | 2021-04-13 | Shin AKUTSU | Single crystal production apparatus and single crystal producing method |
-
1985
- 1985-12-25 JP JP29089585A patent/JPS62153186A/ja active Granted
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007258254A (ja) * | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Toyota Motor Corp | 熱電変換材料及びその製造方法 |
US10975493B2 (en) * | 2015-10-01 | 2021-04-13 | Shin AKUTSU | Single crystal production apparatus and single crystal producing method |
CN108070901A (zh) * | 2016-11-17 | 2018-05-25 | 上海新昇半导体科技有限公司 | 浮区法生长晶体的设备及方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH0419193B2 (ja) | 1992-03-30 |
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