JP2003221246A - 部分的にまたは完全にガラス化したＳｉＯ２成形体の製造方法および該成形体 - Google Patents

部分的にまたは完全にガラス化したＳｉＯ２成形体の製造方法および該成形体

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JP2003221246A JP2002345989A JP2002345989A JP2003221246A JP 2003221246 A JP2003221246 A JP 2003221246A JP 2002345989 A JP2002345989 A JP 2002345989A JP 2002345989 A JP2002345989 A JP 2002345989A JP 2003221246 A JP2003221246 A JP 2003221246A
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Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 非晶質で多孔質のＳｉＯ２未焼結成形体を放
射線により無接触加熱により焼結もしくはガラス化し、
かつその際、異物原子によるＳｉＯ２成形体の汚染を回
避する、部分的にまたは完全にガラス化したＳｉＯ２成
形体の製造方法および該成形体を提供する。 【解決手段】 放射線としてレーザーの光線を使用し
て、加熱し焼結もしくはガラス化する。レーザーの照射
は外側もしくは内側の部分限定として部分ガラス化し、
それ以外に開口部を有する構造となし得る。本石英成形
体はルツボ用となし得る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、部分的にまたは完
全にガラス化したＳｉＯ２成形体、その製造方法ならび
にその使用に関する。
【０００２】
【従来の技術】多孔質の非晶質ＳｉＯ２成形体は多くの
技術分野で利用される。例としてフィルター材料、断熱
材または熱シールドが挙げられる。
【０００３】さらに非晶質の多孔質ＳｉＯ２成形体から
焼結および／または溶融によりあらゆる種類の石英製品
を製造することができる。この場合、高純度の多孔質Ｓ
ｉＯ ２成形体はたとえばガラス繊維もしくは光伝送繊維
のための「プレフォーム」として使用することができ
る。さらにこの方法で単結晶、特にシリコン単結晶の育
成のための坩堝を製造することができる。
【０００４】石英製品の焼結および／または溶融のため
に従来技術から公知の方法、たとえば加熱炉中での焼
結、帯域焼結、アーク中での焼結、接触焼結、高温ガス
による焼結またはプラズマによる焼結の場合、熱エネル
ギーおよび／または熱線の伝達により焼結および／また
は溶融すべき石英製品を加熱する。この方法で製造すべ
き石英製品が異物原子のそれぞれの種類に関して極めて
高い純度を有すべき場合、高温ガスまたは高温の接触面
の使用は、異物原子による焼結および／または溶融すべ
き石英製品の不所望の汚染につながる。
【０００５】従って異物原子による汚染の低減または回
避は原則として放射線による非熱的な無接触の加熱によ
って可能であるのみである。
【０００６】従来技術から公知の方法は、マイクロ波焼
結である。しかし高純度のＳｉＯ２石英製品中でのマイ
クロ波放射の入力結合は極めてわずかである。従ってそ
のような方法は極めて非効率的であり、極めて高いコス
トと結びついている。さらにこの方法では、部分的な、
位置的に限定され、かつ正確に定義された石英製品のガ
ラス化は不可能であることが不利であり、というのも、
マイクロ波放射線は集束して使用することがほとんどで
きないからである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、非晶
質の多孔質ＳｉＯ２未焼結成形体を、放射線を用いた無
接触の加熱により焼結もしくはガラス化し、かつその
際、異物原子によるＳｉＯ ２成形体の汚染を回避する、
部分的に、または完全にガラス化したＳｉＯ２成形体を
製造する方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題は本発明によ
り、放射線としてレーザーの光線を使用することにより
解決される。
【０００９】有利には４．２μｍで石英ガラスの吸収端
よりも大きい波長の光線を有するレーザーである。
【００１０】特に有利には１０．６μｍの波長の光線を
有するＣＯ２レーザーである。
【００１１】従ってレーザーとして特に全ての市販のＣ
Ｏ２レーザーが適切である。
【００１２】本発明の範囲でＳｉＯ２未焼結成形体とは
非晶質のＳｉＯ２粒子（石英ガラス）から成形工程によ
り製造される多孔質の非晶質成形体であると理解する。
【００１３】ＳｉＯ２未焼結成形体として基本的に、従
来技術から公知のもの全てが適切である。その製造はた
とえば特許ＥＰ７０５７９７、ＥＰ３１８１００、ＥＰ
６５３３８１、ＤＥ−ＯＳ２２１８７６６、ＧＢ−Ｂ−
２３２９８９３、ＪＰ５２９４６１０、ＵＳ−Ａ−４，
９２９，５７９に記載されている。特に、その製造が、
ＤＥ−Ａ１−１９９４３１０３に記載されているＳｉＯ
２未焼結成形体が好適である。ＳｉＯ２未焼結成形体は
有利には坩堝型である。
【００１４】有利にはＳｉＯ２未焼結成形体の内側およ
び外側を、少なくとも２ｃｍの焦点直径を有するレーザ
ー光線により照射し、かつこのことによって焼結もしく
はガラス化する。
【００１５】照射は有利には１平方センチメートルあた
り５０Ｗ〜５００Ｗ、特に有利には１００〜２００およ
び殊に有利には１３０〜１８０Ｗ／ｃｍ２の放射線出力
密度で行う。
【００１６】照射は有利にはＳｉＯ２未焼結成形体の内
側および外側で均一かつ連続的に行う。
【００１７】焼結もしくはガラス化のためのＳｉＯ２未
焼結成形体の内側および外側の均一で連続的な照射は、
原則的に可動のレーザー光学系および／または相応する
可動の坩堝によりレーザーの光線中で実施することがで
きる。
【００１８】レーザー光線の移動は、当業者に公知の全
ての方法により、たとえば全ての方向へのレーザーの焦
点の移動が可能な光線ガイドシステムを用いて実施する
ことができる。レーザー光線中での未焼結成形体の移動
は同様に、当業者に公知の全ての方法により、たとえば
ロボットを用いて実施することができる。さらに両方の
移動を組合せることが可能である。
【００１９】本発明によれば未焼結成形体の焼結もしく
はガラス化の際に、閉じられた、気孔、気泡および亀裂
のない非晶質ＳｉＯ２表面が得られる。このことを達成
するために非晶質ＳｉＯ２をレーザー放射線の吸収によ
り焼結もしくは溶融する。この場合、ガラス化した内側
もしくは外側の厚さは、それぞれの位置でレーザー出力
の入力により制御する。
【００２０】それぞれの側をできる限り均一な厚さでガ
ラス化することが有利である。
【００２１】ＳｉＯ２未焼結成形体の形状により条件付
けられて、未焼結成形体を照射している間のレーザーの
光線は、必ずしも一定の角度で未焼結成形体表面にあた
るわけではないことが考えられる。レーザー放射線の吸
収は角度に依存するので、このことにより不均一な厚さ
のガラス化が生じる。有利にはこのような場合、できる
限り均一なガラス化を保証するために、レーザー出力、
運転法、プロセス速度およびレーザー焦点の１つ以上の
プロセスパラメータを未焼結成形体のレーザー照射の間
に相応して適合させる。
【００２２】ＳｉＯ２未焼結成形体の表面のガラス化も
しくは焼結は、１０００〜２５００℃、有利には１３０
０〜１８００℃、特に有利には１４００〜１５００℃の
温度で行う。
【００２３】高温の未焼結成形体表面から成形体中への
熱の伝達により、１０００℃を越える温度でガラス化し
た内側の層もしくは外側の層を介したＳｉＯ２成形体の
部分的ないし完全な焼結を達成することができる。
【００２４】本発明のもう１つの課題は、ＳｉＯ２未焼
結成形体の、位置的に限定された、定義されたガラス化
もしくは焼結を可能にする方法を提供することである。
【００２５】この課題は多孔質の非晶質ＳｉＯ２未焼結
成形体の内側の面のみ、もしくは外側の面のみをレーザ
ーにより照射し、かつこのことにより焼結もしくはガラ
ス化することにより解決する。
【００２６】この場合、パラメータおよび方法は有利に
はすでに記載した方法に相応するが、ただし、成形体の
１面のみを照射するという限定がある。本発明によりこ
の方法で成形体の１面をガラス化することができる。
【００２７】石英ガラスの極めてわずかな熱伝導率に基
づいて、本発明による方法により極めて明瞭な、かつ定
義された境界を、ＳｉＯ２未焼結成形体のガラス化した
領域とガラス化していない領域との間に作製することが
できる。このことは定義された焼結勾配を有するＳｉＯ
２成形体につながる。
【００２８】従って本発明は、内側が完全にガラス化
し、外側が開気孔を有するＳｉＯ２成形体ならびに外側
が完全にガラス化し、内側が開気孔を有するＳｉＯ２成
形体に関する。
【００２９】内側が完全にガラス化し、外側が開気孔を
有するＳｉＯ２成形体は有利にはＣＺ法によりシリコン
単結晶を引き上げるための石英ガラス坩堝である。
【００３０】本発明による方法のもう１つの利点は、定
義された放射線方向である。レーザー放射線の際だった
平行性に基づいて光線源と試験体との間の間隔をほぼ任
意の大きさにすることができる。このことにより汚染の
危険のない焼結体の照射が可能になる。さらにレーザー
は良好な焦点合わせ能力により極めて高い局所的なエネ
ルギー密度を達成することができる。
【００３１】さらに製造中のＳｉＯ２未焼結成形体中の
極端な温度の推移により石英ガラスの結晶化が抑制され
る。
【００３２】坩堝型の未焼結成形体の内側をガラス化す
る際に坩堝外側の収縮が生じないので、この方法によっ
て最終寸法に近い坩堝を簡単に製造することができる。
【００３３】内側がガラス化した石英ガラス坩堝は有利
にはＣＺ法による単結晶引き上げのために使用する。
【００３４】有利には内側がガラス化し、かつ外側が開
気孔を有する非晶質石英ガラス坩堝の外側の領域を、後
のＣＺ法の間に外側の領域の結晶化を生じる、もしくは
促進する物質でさらに含浸する。このために適切な物質
ならびに含浸のための方法は従来技術で公知であり、か
つたとえばＤＥ１０１５６１３７に記載されている。
【００３５】
【実施例】以下で実施例に基づいて本発明を詳細に説明
する。
【００３６】例１：坩堝型の多孔質の非晶質ＳｉＯ２未
焼結成形体の製造 ＤＥ−Ａ１−１９９４３１０３に記載されてる方法に依
拠して製造を行った。２回蒸留したＨ２Ｏ中で、真空下
にプラスチックで被覆したミキサーを用いて高純度のヒ
ュームドシリカおよび溶融シリカを均一に、気泡および
金属汚染なしで分散させた。こうして製造した分散液は
固体含有率８３．９６質量％（溶融シリカ９５％および
ヒュームドシリカ５％）を有していた。該分散液をセラ
ミック工業で周知のローラー法により、プラスチック被
覆した外型中で１４インチ（約３５．５ｃｍ）の坩堝へ
と成形した。温度８０℃で１時間、部分的に乾燥させた
後、該坩堝を型から取り出し、かつ約２００℃で２４時
間以内に最後まで乾燥させた。乾燥した、開気孔を有す
る坩堝は密度約１．６２ｇ／ｃｍ３および壁厚９ｍｍを
有していた。
【００３７】例２：例１からの未焼結成形体を用いた本
発明による方法の実施 例１からの１４インチの未焼結坩堝１をＡＢＢロボット
２（ＩＲＢ２４００型）を用いて３ｋＷの放射線出力で
ＣＯ２レーザー３（ＴＬＦ３０００Turbo型）の焦点中
で照射した。
【００３８】レーザー３は固定された光線ガイドシステ
ムを備えており、かつ可動部の全ての自由度はロボット
２によりもたらされる。光線ガイドはレーザー共振器か
ら水平に放出される放射線を垂直に偏向する反射鏡４以
外に、一次放射線６を拡げるための光学系５を備えてい
た。一次放射線は直径１６ｍｍを有していた。平行な一
次放射線が拡大光学系５を通過した後で、拡大したビー
ム路７が生じた。１４インチの坩堝上の焦点８は光学系
５と坩堝１との間の間隔が約４５０ｍｍの場合に５０ｍ
ｍの直径を有していた（図１を参照のこと）。ロボット
２は、坩堝の形状に適合したプログラムにより制御し
た。坩堝１の回転対称の形（回転軸Ｒ）により条件付け
られてプロセス動作の自由度は１つの平面と２つの回転
軸とに限定することができた（図２を参照のこと）。回
転する坩堝（角速度０．１５゜／ｓ）で、まず坩堝の上
端を３７５゜の角度範囲でレーザーにより掃引した。次
いでらせん形に坩堝１の内面９の残りを処理する。坩堝
１の回転速度および軸上で坩堝端部から中心へ向かう前
進速度はこの場合、時間あたりに掃引される面積が一定
であるように促進される。照射は１５０Ｗ／ｃｍ２で行
った。同じ方法工程で未焼結成形体表面のガラス化以外
に、成形体の高温の内側表面９から内部へ熱が伝達する
ことによってＳｉＯ２成形体の部分的な焼結（層Ｂ）が
達成された。レーザー照射後にＳｉＯ２坩堝１はその本
来の外形を維持したまま内側の表面全体が厚さ３ｍｍで
ガラス化しており、気孔、気泡および亀裂はない（層
Ａ）（図３を参照のこと）。
【図面の簡単な説明】
【図１】ＣＯ２レーザーによる坩堝の照射を示す図
【図２】坩堝の内側表面の照射を示す図
【図３】ガラス化した層Ａを示す図
【符号の説明】
１ 坩堝、 ２ ロボット、 ３ レーザー、 ４ 反
射鏡、 ５ 光学系、６ 一次放射線、 ７ ビーム
路、 ８ スポット、 ９ 内面、 Ａ ガラス化した
成形体表面、 Ｂ 部分的に焼結した成形体表面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ３０Ｂ 29/06 ５０２ Ｃ３０Ｂ 29/06 ５０２Ｂ (72)発明者 ホルガー スツィラート ドイツ連邦共和国 エマーティング ハイ ドンヴェーク ４ (72)発明者 イェンス ギュンスター ドイツ連邦共和国 クラウスタール−ツェ ラーフェルト シュールシュトラーセ 29 (72)発明者 スヴェン エングラー ドイツ連邦共和国 クラウスタール−ツェ ラーフェルト アム ラートハウス ４ (72)発明者 ユルゲン ハインリヒ ドイツ連邦共和国 クラウスタール−ツェ ラーフェルト ザイラーシュトラーセ 11 Ｆターム(参考） 4G014 AG00 AH00 4G077 AA02 BA04 CF10 EG01 EG02 PD01

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 非晶質で多孔質のＳｉＯ２未焼結成形体
    を放射線により無接触加熱により焼結もしくはガラス化
    し、かつその際、異物原子によるＳｉＯ２成形体の汚染
    を回避する、部分的にまたは完全にガラス化したＳｉＯ
    ２成形体の製造方法において、放射線としてレーザーの
    光線を使用することを特徴とする、部分的にまたは完全
    にガラス化したＳｉＯ２成形体の製造方法。
  2. 【請求項２】 ４．２μｍで石英ガラスの吸収端よりも
    大きい波長の光線を有するレーザーである、請求項１記
    載の方法。
  3. 【請求項３】 １０．６μｍの波長の光線を有するＣＯ
    ２レーザーである、請求項１または２記載の方法。
  4. 【請求項４】 多孔質で非晶質のＳｉＯ２未焼結成形体
    が坩堝型を有する、請求項１から３までのいずれか１項
    記載の方法。
  5. 【請求項５】 ＳｉＯ２未焼結成形体の内側および外側
    を、レーザー光線により少なくとも２ｃｍのスポット直
    径で照射し、かつこのことによって焼結もしくはガラス
    化する、請求項１から４までのいずれか１項記載の方
    法。
  6. 【請求項６】 未焼結成形体の内側および外側での照射
    を均一かつ連続的に行う、請求項１から５までのいずれ
    か１項記載の方法。
  7. 【請求項７】 ＳｉＯ２未焼結成形体の表面のガラス化
    もしくは焼結を１０００〜２５００℃、有利には１３０
    ０〜１８００℃、特に有利には１４００〜１５００℃の
    温度で行う、請求項１から６までのいずれか１項記載の
    方法。
  8. 【請求項８】 １平方センチメートルあたり５０Ｗ〜５
    ００Ｗ、有利には１００Ｗ〜２００Ｗ／ｃｍ２のエネル
    ギーでレーザー照射を行う、請求項１から７までのいず
    れか１項記載の方法。
  9. 【請求項９】 内側および外側を有する多孔質の非晶質
    ＳｉＯ２未焼結成形体の位置的に限定され、定義された
    ガラス化もしくは焼結のための方法において、ＳｉＯ２
    未焼結成形体の内側のみ、または外側のみの表面をレー
    ザーで覆って照射し、かつこのことによって焼結もしく
    はガラス化することを特徴とする、内側および外側を有
    する多孔質の非晶質ＳｉＯ２未焼結成形体の位置的に限
    定され、定義されたガラス化もしくは焼結のための方
    法。
  10. 【請求項１０】 内側が完全にガラス化されており、か
    つ外側は開気孔を有することを特徴とする、ＳｉＯ２成
    形体。
  11. 【請求項１１】 ＣＺ法によるシリコン単結晶の引き上
    げのための石英ガラス坩堝である、請求項１０記載のＳ
    ｉＯ２成形体。
  12. 【請求項１２】 外側が完全にガラス化しており、かつ
    内側が開気孔を有することを特徴とする、ＳｉＯ２成形
    体。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005289710A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Ceramics Co Ltd シリカガラス製容器成型体の成型装置及び成型方法並びにシリカガラス製容器の製造方法
WO2010138793A2 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Corning Incorporated Irradiation treatment of glass

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10319300B4 (de) * 2003-04-29 2006-03-30 Wacker Chemie Ag Verfahren zur Herstellung eines Formkörpers aus Kieselglas
DE10324440A1 (de) 2003-05-28 2004-12-16 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung eines innenseitig verglasten SiO2-Tiegels
DE10342042A1 (de) * 2003-09-11 2005-04-07 Wacker-Chemie Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Si3N4 beschichteten SiO2-Formkörpers
WO2006005416A1 (de) * 2004-07-08 2006-01-19 Deutsche Solar Ag Herstellungsverfahren für kokille mit antihaftbeschichtung
US7667157B2 (en) * 2004-09-29 2010-02-23 General Electric Company Portable plenum laser forming
JP4998265B2 (ja) * 2005-04-15 2012-08-15 旭硝子株式会社 ガラス板の内部に存在する泡の径を縮小する方法
DE102005047112A1 (de) * 2005-09-30 2007-04-05 Wacker Chemie Ag In Teilbereichen oder vollständig verglaster amorpher SiO2-Formkörper, der bei höheren Temperaturen im verglasten Bereich kristallin wird, Verfahren zu seiner Herstellung und Verwendung
DE102010021696A1 (de) * 2010-05-27 2011-12-01 Heraeus Quarzglas Gmbh & Co. Kg Verfahren für die Herstellung eines Quarzglastiegels mit transparenter Innenschicht aus synthetisch erzeugten Quarzglas
US9193620B2 (en) 2011-03-31 2015-11-24 Raytheon Company Fused silica body with vitreous silica inner layer, and method for making same
US9221709B2 (en) * 2011-03-31 2015-12-29 Raytheon Company Apparatus for producing a vitreous inner layer on a fused silica body, and method of operating same
US10450214B2 (en) * 2016-06-10 2019-10-22 Corning Incorporated High optical quality glass tubing and method of making

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1771405B1 (de) * 1968-05-18 1971-01-14 Battelle Institut E V Herstellung von Quarzglas
FR2133840A1 (en) * 1971-04-19 1972-12-01 Mellen Edward Thin quartz glass beakers - consisting of fused slip cast powder
DE3014311C2 (de) * 1980-04-15 1982-06-16 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Herstellung von Quarzglastiegeln und Vorrichtung zur Durchführung dieses Verfahrens
DE3206178A1 (de) * 1982-02-20 1983-08-25 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Verfahren zur herstellung einer vorform, aus der optische fasern ziehbar sind
DE3240355C1 (de) * 1982-11-02 1983-11-17 Heraeus Quarzschmelze Gmbh, 6450 Hanau Verfahren zur Herstellung eines laenglichen Glaskoerpers mit inhomogener Brechungsindexverteilung
US5389582A (en) * 1985-11-06 1995-02-14 Loxley; Ted A. Cristobalite reinforcement of quartz glass
DE3739907A1 (de) * 1987-11-25 1989-06-08 Philips Patentverwaltung Verfahren zur herstellung von glaskoerpern
US4935046A (en) * 1987-12-03 1990-06-19 Shin-Etsu Handotai Company, Limited Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor
US4929579A (en) * 1988-06-29 1990-05-29 Premier Refractories & Chemicals Inc. Method of manufacturing cast fused silica articles
DE4033255C2 (de) * 1990-10-19 1994-02-24 Daimler Benz Ag Verfahren zum kontrastreichen Hervorheben des Frühholzanteiles gegenüber dem Spätholzanteil im Maserungsbild eines im Originalzustand kontrastarmen Holzteiles durch Wärmeeinwirkung
US5196041A (en) * 1991-09-17 1993-03-23 The Charles Stark Draper Laboratory, Inc. Method of forming an optical channel waveguide by gettering
IT1250320B (it) * 1991-10-15 1995-04-07 Sip Procedimento per la fabbricazione di guide ottiche attive a striscia monomodali per telecomunicazioni ottiche
JPH05294610A (ja) * 1992-04-16 1993-11-09 Tokuyama Soda Co Ltd 非晶質シリカ成形体の製造方法
DE4338807C1 (de) * 1993-11-12 1995-01-26 Heraeus Quarzglas Formkörper mit hohem Gehalt an Siliziumdioxid und Verfahren zur Herstellung solcher Formkörper
IT1270628B (it) * 1994-10-06 1997-05-07 Enichem Spa Manufatti in ossido di silicio e/o altri ossidi metallici misti e procedimento per la loro preparazione in dimensioni finali o quasi finali
US6064034A (en) * 1996-11-22 2000-05-16 Anolaze Corporation Laser marking process for vitrification of bricks and other vitrescent objects
DE19719133C2 (de) * 1997-05-07 1999-09-02 Heraeus Quarzglas Glocke aus Quarzglas und Verfahren für ihre Herstellung
KR100230457B1 (ko) * 1997-10-02 1999-11-15 윤종용 실리카 글래스 조성물 및 이를 이용한 실리카 글래스 제조방법
DE19943103A1 (de) * 1999-09-09 2001-03-15 Wacker Chemie Gmbh Hochgefüllte SiO2-Dispersion, Verfahren zu ihrer Herstellung und Verwendung
DE19962449C2 (de) * 1999-12-22 2003-09-25 Heraeus Quarzglas Quarzglastiegel und Verfahren für seine Herstellung

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005289710A (ja) * 2004-03-31 2005-10-20 Toshiba Ceramics Co Ltd シリカガラス製容器成型体の成型装置及び成型方法並びにシリカガラス製容器の製造方法
WO2010138793A2 (en) * 2009-05-29 2010-12-02 Corning Incorporated Irradiation treatment of glass
WO2010138793A3 (en) * 2009-05-29 2011-03-03 Corning Incorporated Irradiation treatment of glass
CN102448899A (zh) * 2009-05-29 2012-05-09 康宁股份有限公司 玻璃的辐射处理
CN102448899B (zh) * 2009-05-29 2014-08-20 康宁股份有限公司 玻璃的辐射处理

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