CN108070901A - 浮区法生长晶体的设备及方法 - Google Patents

浮区法生长晶体的设备及方法 Download PDF

Info

Publication number
CN108070901A
CN108070901A CN201611022589.0A CN201611022589A CN108070901A CN 108070901 A CN108070901 A CN 108070901A CN 201611022589 A CN201611022589 A CN 201611022589A CN 108070901 A CN108070901 A CN 108070901A
Authority
CN
China
Prior art keywords
crystal
float
laser
reflection
tore
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201611022589.0A
Other languages
English (en)
Inventor
三重野文健
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zing Semiconductor Corp
Original Assignee
Zing Semiconductor Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zing Semiconductor Corp filed Critical Zing Semiconductor Corp
Priority to CN201611022589.0A priority Critical patent/CN108070901A/zh
Priority to TW106120429A priority patent/TWI616562B/zh
Publication of CN108070901A publication Critical patent/CN108070901A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B13/00—Single-crystal growth by zone-melting; Refining by zone-melting
    • C30B13/16—Heating of the molten zone
    • C30B13/20—Heating of the molten zone by induction, e.g. hot wire technique
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/06—Silicon

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明提供一种浮区法生长晶体的设备及方法，所述浮区法生长晶体的设备包括：射频线圈；辅助加热系统，包括反射环及激光器，所述反射环位于所述射频线圈上下两侧，所述激光器与所述反射环适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环内侧的原料硅锭加热以形成熔区。本发明的浮区法生长晶体的设备中的激光器与射频线圈具有一定的间距，不会与射频线圈相互干扰影响；使用激光器作为加热源，加热效率更高；同时，通过在原料硅锭外围设置反射环，激光器发出的激光经反射换多次反射为所述原料硅锭加热，进一步提高了加热效率。

Description

浮区法生长晶体的设备及方法
技术领域
本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及浮区法生长晶体的设备及方法。
背景技术
在现有技术中，浮区法(Floating Zone)生长晶体的装置1及其原理如图1所示，由图1可知，浮区法生长晶体的装置100包括：单晶生长腔室112、位于所述单晶生长腔室112内部上端的上连接轴104、位于所述单晶生长腔室112内部且固定于所述上连接轴104底部的上部夹具105、位于所述单晶生长腔室112内部底端的下连接轴106、位于所述单晶生长腔室112内且固定于所述下连接轴106顶部的下部夹具107、位于所述单晶生长腔室112内且位于所述上部夹具105与所述下部夹具107之间的射频线圈108、与所述射频线圈108相连接的高频振荡器113。在使用上述浮区法生长晶体的装置100进行晶体生长时，首先，籽晶109固定于所述下部夹具107上，原料硅锭102固定于上部夹具105上，且所述原料硅锭102上下贯穿所述射频线圈108，即所述射频线圈108位于所述原料硅锭102外围，且优选的，在起始时，所述射频线圈108位于所述原料硅锭102底部；然后，所述高频振荡器113驱使所述射频线圈108加热所述原料硅锭102，首先使得所述原料硅锭102的底部(即与所述籽晶109连接的部分附件)被加热融化，在对应于所述射频线圈108的位置形成浮动带111，与所述籽晶109熔融连接，形成缩颈部110；同时，所述上部夹具105及所述上连接轴104带动所述原料硅锭102自上向下运动即可形成所需直径的单晶硅棒103。
近几年，随着技术的发展，所需生长的单晶硅棒的直径越来越大，譬如，目前所需生长的单晶硅棒的直径已经达到200mm。在采用浮区法生长大直径单晶硅棒时，需要更大的射频功率。现有改进的一种浮区法生长晶体的装置100如图2所示，该装置在图1的装置的基础上，在所述射频线圈108上部及下部分别设置上卤素灯114及下卤素灯115，所述上卤素灯114及所述下卤素灯115均与电源116相连接。但该装置存在如下问题：所述上卤素灯114及所述下卤素灯115会与所述射频线圈108相互干扰影响，且加热效率较低。
发明内容
本发明的目的是克服现有技术中的缺陷，提供一种浮区法生长晶体的设备及方法，用于解决现有技术中的浮区法生长晶体的设备存在的卤素灯与射频线圈相互干扰影响，且加热效率较低的问题。
为了实现上述目的及其他相关目标，本发明提供一种浮区法生长晶体的设备，所述浮区法生长晶体的设备包括：
射频线圈；
辅助加热系统，包括反射环及激光器，所述反射环位于所述射频线圈上下两侧，所述激光器与所述反射环适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环内侧的原料硅锭加热以形成熔区。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述反射环上设有若干个开口，所述激光器位于所述反射环外侧，且所述激光器的发射端与所述开口对应设置，以确保所述激光器发射的激光可以经由所述开口射入所述反射环内。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述激光器的数量与所述开口的数量相同。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述激光器与所述反射环位于同一平面内。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述激光器包括IR激光器。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述激光器包括UV激光器。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述激光器包括IR激光器及UV激光器。
作为本发明的浮区法生长晶体的设备的一种优选方案，所述浮区法生长晶体的设备还包括：
单晶生长室，所述射频线圈及所述反射环均位于所述单晶生长室内；
高频振荡器，与所述射频线圈相连接，适于驱动所述射频线圈工作；
上连接轴，部分位于所述单晶生长室内；
上部夹具，位于所述单晶生长室内，与所述上连接轴相连接，适于固定原料硅锭；
下连接轴，部分位于所述单晶生长室内；
下部夹具，位于所述单晶生长室内，与所述下连接轴相连接，适于固定籽晶；
所述上连接轴及所述下连接轴适于带动所述原料硅锭及所述籽晶旋转并沿竖直方向运动。
本发明还提供一种浮区法生长晶体的方法，在晶体生长过程中，使用如上述任一方案中所述的辅助加热系统为原料硅锭加热以形成熔区。
作为本发明的浮区法生长晶体的方法的一种优选方案，在晶体生长过程中，所述原料硅锭自上至下运动。
作为本发明的浮区法生长晶体的方法的一种优选方案，在晶体生长过程中，所述原料硅锭自上至下运动的同时，以所述原料硅锭的中心轴为旋转轴速度旋转。
本发明的浮区法生长晶体的设备及方法具有如下有益效果：本发明的浮区法生长晶体的设备中的激光器与射频线圈具有一定的间距，不会与射频线圈相互干扰影响；使用激光器作为加热源，加热效率更高；同时，通过在原料硅锭外围设置反射环，激光器发出的激光经反射换多次反射为所述原料硅锭加热，进一步提高了加热效率。
附图说明
图1及图2显示为现有技术中红的浮区法生长晶体的设备的结构示意图。
图3显示为本发明实施例一中提供的浮区法生长晶体的设备中的辅助加热系统的俯视结构示意图。
图4显示为本发明实施例一中提供的浮区法生长晶体的设备的结构示意图。
元件标号说明
100 浮区法生长晶体的装置
102 原料硅锭
103 单晶硅棒
104 上连接轴
105 上部夹具
106 下连接轴
107 下部夹具
108 射频线圈
109 籽晶
110 缩颈部
111 浮动带
112 单晶生长室
113 高频振荡器
114 上卤素灯
115 下卤素灯
116 电源
200 射频线圈
201 辅助加热系统
2011 反射环
2012 激光器
202 单晶生长室
203 高频振荡器
204 上连接轴
205 上部夹具
206 下连接轴
207 下部夹具
208 原料硅锭
209 单晶硅棒
210 籽晶
211 缩颈部
212 浮动带
具体实施方式
以下通过特定的具体实例说明本发明的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点与功效。本发明还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本发明的精神下进行各种修饰或改变。
请参阅图3～图4。需要说明的是，本实施例中所提供的图示仅以示意方式说明本发明的基本构想，虽图示中仅显示与本发明中有关的组件而非按照实际实施时的组件数目、形状及尺寸绘制，其实际实施时各组件的型态、数量及比例可为一种随意的改变，且其组件布局形态也可能更为复杂。
实施例一
请参阅图3及图4，本发明提供一种浮区法生长晶体的设备，所述浮区法生长晶体的设备包括：射频线圈200；辅助加热系统201，所述辅助加热系统201包括反射环2011及激光器2012，所述反射环2011位于所述射频线圈200上下两侧，所述激光器2012与所述反射环2011适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环2011内侧的原料硅锭208加热以形成熔区(即图4中的浮动带212)。
作为示例，所述反射环2011上设有若干个开口20111，所述激光器2012位于所述反射环2011外侧，且所述激光器2012的发射端与所述开口20111对应设置，以确保所述激光器2012发射的激光可以经由所述开口20111射入所述反射环2011内。需要说明的是，所述反射环2011的材料对激光具有较高的反射率，以确保所述反射环2011能够有效地反射激光。当然，也可以在所述反射环2011的内侧设置强反射膜以增强反射效果。
作为示例，所述激光器2012及所述开口20111的数量可以根据实际需要进行设定，优选地，所述激光器2012的数量与所述开口20111的数量相同。在图3中，以所述激光器2012及所述开口20111的数量均为三个作为示例，但在其他实际示例中并不以此为限。
作为示例，所述激光器2012与所述反射环2011位于同一平面内，以确保所述激光器2012发射的激光能够在所述反射环2011内多次反射。
在一示例中，所述激光器2012可以为IR(红外)激光器。
在另一示例中，所述激光器2012可以为UV(紫外)激光器。
在又一示例中，所述激光器2012还可以为IR激光器与UV激光器的组合。
作为示例，请参阅图4，所述浮区法生长晶体的设备还包括：单晶生长室202，所述射频线圈200及所述反射环2011均位于所述单晶生长室202内；高频振荡器203，所述高频振荡器203与所述射频线圈200相连接，适于驱动所述射频线圈200工作；上连接轴204，所述上连接轴204部分位于所述单晶生长室202内；上部夹具205，所述上部夹具205位于所述单晶生长室202内，且与所述上连接轴204的底部相连接，适于固定原料硅锭208；下连接轴206，所述下连接轴206部分位于所述单晶生长室202内；下部夹具207，所述下部夹具207位于所述单晶生长室202内，且与所述下连接轴206的底部相连接，适于固定籽晶210；所述上连接轴204及所述下连接轴206适于带动所述原料硅锭208及所述籽晶210旋转并沿竖直方向运动。
本发明的浮区法生长晶体的设备中的所述激光器2012与所述射频线圈200具有一定的间距，不会与所述射频线圈200相互干扰影响；使用所述激光器2012作为加热源，加热效率更高；同时，通过在所述原料硅锭208外围设置所述反射环2011，所述激光器2012发出的激光经反射换多次反射为所述原料硅锭208加热，进一步提高了加热效率。
实施例二
本发明还提供一种浮区法生长晶体的方法，在晶体生长过程中，使用如实施例一中所述的辅助加热系统201为原料硅锭208加热以形成熔区(即图4中所述的浮动带212)。更为具体的，采用实施例一中所述的浮区法生长晶体的设备生长晶体，所述浮区法生长晶体的设备的具体结构请参阅实施例一，此处不再累述。
作为示例，所述浮区法生长晶体的方法的具体步骤为：在起始时，所述原料硅锭208的底部与所述籽晶210接触，且位于与所述射频线圈200对应的位置；然后，所述高频振荡器203驱使所述射频线圈200加热所述原料硅锭208的同时，所述激光器2012为所述原料硅锭208加热，首先使得所述原料硅锭208的底部(即与所述籽晶210连接的部分附件)被加热融化，在对应于所述射频线圈200的位置形成浮动带212，与所述籽晶210熔融连接，形成缩颈部211；同时，所述上部夹具205及所述上连接轴204带动所述原料硅锭208自上向下运动即可形成所需直径的单晶硅棒209。
作为示例，在晶体生长过程中，所述原料硅锭208自上至下运动的同时，以所述原料硅锭208的中心轴为旋转轴速度旋转。
综上所述，本发明提供一种浮区法生长晶体的设备及方法，所述浮区法生长晶体的设备包括：射频线圈；辅助加热系统，包括反射环及激光器，所述反射环位于所述射频线圈上下两侧，所述激光器与所述反射环适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环内侧的原料硅锭加热以形成熔区。本发明的浮区法生长晶体的设备中的激光器与射频线圈具有一定的间距，不会与射频线圈相互干扰影响；使用激光器作为加热源，加热效率更高；同时，通过在原料硅锭外围设置反射环，激光器发出的激光经反射换多次反射为所述原料硅锭加热，进一步提高了加热效率。
上述实施例仅例示性说明本发明的原理及其功效，而非用于限制本发明。任何熟悉此技术的人士皆可在不违背本发明的精神及范畴下，对上述实施例进行修饰或改变。因此，举凡所属技术领域中具有通常知识者在未脱离本发明所揭示的精神与技术思想下所完成的一切等效修饰或改变，仍应由本发明的权利要求所涵盖。

Claims (11)

1.一种浮区法生长晶体的设备，其特征在于，所述浮区法生长晶体的设备包括：
射频线圈；
辅助加热系统，包括反射环及激光器，所述反射环位于所述射频线圈上下两侧，所述激光器与所述反射环适于在晶体生长过程中配合为位于所述反射环内侧的原料硅锭加热以形成熔区。
2.根据权利要求1所述的浮区法生长晶体的设备，其特征在于：所述反射环上设有若干个开口，所述激光器位于所述反射环外侧，且所述激光器的发射端与所述开口对应设置，以确保所述激光器发射的激光可以经由所述开口射入所述反射环内。
3.根据权利要求2所述的浮区法生长晶体的设备，其特征在于：所述激光器的数量与所述开口的数量相同。
4.根据权利要求1所述的浮区法生长晶体的设备，其特征在于：所述激光器与所述反射环位于同一平面内。
5.根据权利要求1所述的浮区法生长晶体的设备，其特征在于：所述激光器包括IR激光器。
6.根据权利要求1所述的浮区法生长晶体的设备，其特征在于：所述激光器包括UV激光器。
7.根据权利要求1所述的浮区法生长晶体的设备，其特征在于：所述激光器包括IR激光器及UV激光器。
8.根据权利要求1至7中任一项所述浮区法生长晶体的设备，其特征在于，所述浮区法生长晶体的设备还包括：
单晶生长室，所述射频线圈及所述反射环均位于所述单晶生长室内；
高频振荡器，与所述射频线圈相连接，适于驱动所述射频线圈工作；
上连接轴，部分位于所述单晶生长室内；
上部夹具，位于所述单晶生长室内，与所述上连接轴相连接，适于固定原料硅锭；
下连接轴，部分位于所述单晶生长室内；
下部夹具，位于所述单晶生长室内，与所述下连接轴相连接，适于固定籽晶；
所述上连接轴及所述下连接轴适于带动所述原料硅锭及所述籽晶旋转并沿竖直方向运动。
9.一种浮区法生长晶体的方法，其特征在于，在晶体生长过程中，使用如权利要求1至7中任一项所述的辅助加热系统为原料硅锭加热以形成熔区。
10.根据权利要求9所述的浮区法生长晶体的方法，其特征在于：在晶体生长过程中，所述原料硅锭自上至下运动。
11.根据权利要求10所述的浮区法生长晶体的方法，其特征在于：在晶体生长过程中，所述原料硅锭自上至下运动的同时，以所述原料硅锭的中心轴为旋转轴速度旋转。
CN201611022589.0A 2016-11-17 2016-11-17 浮区法生长晶体的设备及方法 Pending CN108070901A (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611022589.0A CN108070901A (zh) 2016-11-17 2016-11-17 浮区法生长晶体的设备及方法
TW106120429A TWI616562B (zh) 2016-11-17 2017-06-19 浮熔帶法生長晶體的設備及方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201611022589.0A CN108070901A (zh) 2016-11-17 2016-11-17 浮区法生长晶体的设备及方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN108070901A true CN108070901A (zh) 2018-05-25

Family

ID=62160371

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201611022589.0A Pending CN108070901A (zh) 2016-11-17 2016-11-17 浮区法生长晶体的设备及方法

Country Status (2)

Country Link
CN (1) CN108070901A (zh)
TW (1) TWI616562B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112665519A (zh) * 2021-01-20 2021-04-16 安徽理工大学 一种激光测径向变形的装置和方法
EP3957774A1 (de) 2020-08-19 2022-02-23 Siltronic AG Verfahren und anlage zum ziehen eines einkristalls nach dem fz-verfahren
CN114086244A (zh) * 2021-10-12 2022-02-25 杭州富加镓业科技有限公司 一种导模法生长氧化镓晶体的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623423A (en) * 1982-05-04 1986-11-18 Commissariat A L'energie Atomique Process for producing a strain-free monocrystal of a crystalline ferroelectric compound
JPS62153186A (ja) * 1985-12-25 1987-07-08 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 結晶製造方法
JPH0543378A (ja) * 1991-08-02 1993-02-23 Nisshin Steel Co Ltd 単結晶製造装置
JP2003334677A (ja) * 2002-03-14 2003-11-25 Onizuka Glass:Kk レーザ加工装置およびこれを用いた加工方法
CN1847468A (zh) * 2004-12-03 2006-10-18 肖特股份有限公司 大直径单晶的制备方法和装置
CN1900385A (zh) * 2005-07-19 2007-01-24 株式会社水晶系统 单晶制造方法及其装置
CN103451727A (zh) * 2013-08-19 2013-12-18 浙江晶盛机电股份有限公司 区熔炉多晶棒保温装置及其保温方法

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3873173T2 (de) * 1987-05-25 1993-03-04 Shinetsu Handotai Kk Vorrichtung fuer hf-induktionsheizung.

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4623423A (en) * 1982-05-04 1986-11-18 Commissariat A L'energie Atomique Process for producing a strain-free monocrystal of a crystalline ferroelectric compound
JPS62153186A (ja) * 1985-12-25 1987-07-08 Komatsu Denshi Kinzoku Kk 結晶製造方法
JPH0543378A (ja) * 1991-08-02 1993-02-23 Nisshin Steel Co Ltd 単結晶製造装置
JP2003334677A (ja) * 2002-03-14 2003-11-25 Onizuka Glass:Kk レーザ加工装置およびこれを用いた加工方法
CN1847468A (zh) * 2004-12-03 2006-10-18 肖特股份有限公司 大直径单晶的制备方法和装置
CN1900385A (zh) * 2005-07-19 2007-01-24 株式会社水晶系统 单晶制造方法及其装置
CN103451727A (zh) * 2013-08-19 2013-12-18 浙江晶盛机电股份有限公司 区熔炉多晶棒保温装置及其保温方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP3957774A1 (de) 2020-08-19 2022-02-23 Siltronic AG Verfahren und anlage zum ziehen eines einkristalls nach dem fz-verfahren
CN112665519A (zh) * 2021-01-20 2021-04-16 安徽理工大学 一种激光测径向变形的装置和方法
CN112665519B (zh) * 2021-01-20 2022-08-02 安徽理工大学 一种激光测径向变形的装置和方法
CN114086244A (zh) * 2021-10-12 2022-02-25 杭州富加镓业科技有限公司 一种导模法生长氧化镓晶体的方法
CN114086244B (zh) * 2021-10-12 2023-01-03 杭州富加镓业科技有限公司 一种导模法生长氧化镓晶体的方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI616562B (zh) 2018-03-01
TW201819695A (zh) 2018-06-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN108070901A (zh) 浮区法生长晶体的设备及方法
CN111180368A (zh) 一种抗静电的集成电路芯片封装装置
CN101498032A (zh) 用于制造高质量半导体单晶锭的装置及使用该装置的方法
CN104466033B (zh) 一种激光烧结设备及烧结方法
US9797062B2 (en) Zone melting furnace thermal field with dual power heating function and heat preservation method
CN106346143A (zh) 一种激光切割机及其切割方法
CN104532341B (zh) 用于蓝宝石试管生长的坩埚结构及蓝宝石试管的生长方法
CN104213080A (zh) 蒸发源装置和蒸镀设备
CN206635454U (zh) 一种微下拉炉籽晶杆位置调节结构
CN103451718A (zh) 可连续生产的区熔炉装置及其工艺控制方法
CN105648530A (zh) 一种可在线更换籽晶的泡生法蓝宝石晶体生长炉
CN107366017A (zh) 一种单晶硅收尾设备及其使用方法
KR101434196B1 (ko) 사파이어 잉곳 제조장치
CN103590109A (zh) 直拉单晶炉磁场装置及使用该磁场装置的拉晶方法
JPH11255593A (ja) 原料溶解補助装置
CN106255250A (zh) 冷冻食品的微波解冻装置
KR101402839B1 (ko) 실리콘 공급 유닛 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치
CN104088012B (zh) 一种直接生长蓝宝石整流罩的设备
KR20110088689A (ko) 실리콘 단결정 잉곳 형성장치용 가열로 승하강 유닛 및 이를 구비한 실리콘 단결정 잉곳 형성장치
CN204370042U (zh) 用于蓝宝石试管生长的坩埚结构
CN207333766U (zh) 一种远距离精确调控的闸板提升机
CN112676936A (zh) 一种石油管道安装用管道头端打磨设备及使用方法
CN206768185U (zh) 一种带台阶法兰盘高频淬火装置
CN207424297U (zh) 光纤切断装置
CN203498502U (zh) 可连续生产的区熔炉装置

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20180525