KR101434196B1 - 사파이어 잉곳 제조장치 - Google Patents

사파이어 잉곳 제조장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101434196B1
KR101434196B1 KR1020110134007A KR20110134007A KR101434196B1 KR 101434196 B1 KR101434196 B1 KR 101434196B1 KR 1020110134007 A KR1020110134007 A KR 1020110134007A KR 20110134007 A KR20110134007 A KR 20110134007A KR 101434196 B1 KR101434196 B1 KR 101434196B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
stand
chamber
crucible
rotation shaft
coupled
Prior art date
Application number
KR1020110134007A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130067141A (ko
Inventor
박석환
Original Assignee
(주) 다애테크
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by (주) 다애테크 filed Critical (주) 다애테크
Priority to KR1020110134007A priority Critical patent/KR101434196B1/ko
Publication of KR20130067141A publication Critical patent/KR20130067141A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101434196B1 publication Critical patent/KR101434196B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/16—Oxides
    • C30B29/20—Aluminium oxides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B35/00—Apparatus not otherwise provided for, specially adapted for the growth, production or after-treatment of single crystals or of a homogeneous polycrystalline material with defined structure
    • C30B35/002—Crucibles or containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

본 발명은 사파이어 잉곳의 성장 조건을 변경할 수 있는 사파이어 잉곳 제조장치를 위하여, 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되고, 사파이어 잉곳이 성장되는 도가니와, 상기 챔버 내부에 배치되고 상기 도가니의 상부에 배치되는 복수개의 쉴드 플레이트와, 상기 도가니를 지지하며 일부가 상기 챔버 외부에 배치되는 스탠드와, 상기 챔버 외부에 배치되며 상기 스탠드와 결합되어, 상기 스탠드를 이동시키는 위치조절 어셈블리를 포함하는 사파이어 잉곳 제조장치를 제공한다.

Description

사파이어 잉곳 제조장치{Manufacturing equipment for sapphire ingot}
본 발명은 사파이어 잉곳 제조장치에 관한 것으로서, 더 상세하게는 도가니의 위치가 조절 가능한 사파이어 잉곳 제조장치에 관한 것이다.
일반적으로 사파이어는 질화 갈륨(GaN)의 대리 기판으로서 청색 및 녹색 발광 다이오드(LED), 청색 레이져 다이오드(LD), DVD 등의 데이터 저장장치, 백색 발광장치, 광 탐지기(PD) 등의 각종 광소자 등의 기초 소자로서 사용되며, 또한 α-알루미나 단결정인 사파이어 단결정은 인체에 해가 없어 인공 관절용, 인공 치아용 등의 생체 재료로서도 사용되고 있다.
이러한 사파이어 단결정은 사파이어 제조장치를 이용하여 베르누이법, Bridgman법, EFG(Edge-Defined Film-Feed Growth)법, 쵸크랄스키법(Czochralski Method), 키로플로스법, 열교환법(HEM, Heat Exchange Method) 등의 제조방법으로 제조되고 있다.
그러나 이러한 종래의 사파이어 잉곳 제조장치에는 사파이어 잉곳의 성장 조건을 변경하기 어려운 문제점이 있었다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 포함하여 여러 문제점들을 해결하기 위한 것으로써, 사파이어 잉곳의 성장 조건을 변경할 수 있는 사파이어 잉곳 제조장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 그러나 이러한 과제는 예시적인 것으로, 이에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 일 관점에 따르면, 챔버와, 상기 챔버 내부에 배치되고, 사파이어 잉곳이 성장되는 도가니와, 상기 챔버 내부에 배치되고 상기 도가니의 상부에 배치되는 복수개의 쉴드 플레이트와, 상기 도가니를 지지하며 일부가 상기 챔버 외부에 배치되는 스탠드와, 상기 챔버 외부에 배치되며 상기 스탠드와 결합되어, 상기 스탠드를 이동시키는 위치조절 어셈블리를 포함하는 사파이어 잉곳 제조장치가 제공된다.
상기 위치조절 어셈블리는 상기 챔버 외부에 설치된 모터와, 상기 모터의 동력으로 상기 스탠드를 이동시키는 동력 전달부를 포함할 수 있다.
상기 동력 전달부는, 상기 모터의 회전축과 연결되며 몸체에 나사산이 형성되는 메인 회전축과, 상기 스탠드가 결합되고, 상기 메인 회전축이 관통되며 상기 메인 회전축의 나사산에 대응되는 나사산을 갖는 프레임을 포함할 수 있다.
여기서, 상기 동력 전달부는 상기 모터의 회전축에 결합되는 제1풀리와, 메인 회전축에 결합되는 제2풀리와, 상기 제1풀리와 상기 제2풀리를 연결하는 타이밍 벨트를 더 포함할 수 있다.
한편, 상기 스탠드를 감싸며, 일단이 상기 챔버에 고정되고 타단이 상기 스탠드 또는 상기 동력 전달부 중 어느 한 곳에 고정되는 벨로우즈관을 더 포함할 수 있다. 이때, 상기 벨로우즈관는 일단과 타단이 실링되어 내부가 밀폐될 수 있다.
본 발명의 다른 관점에 따르면, 상기 스탠드 내에 냉각수가 투입 및 배출되는 유로가 형성되는 사파이어 잉곳 제조장치가 제공된다.
상기한 바와 같이 이루어진 본 발명의 일 실시예에 따르면, 사파이어 잉곳의 성장 조건을 변경할 수 있는 사파이어 잉곳 제조장치를 구현할 수 있다. 물론 이러한 효과에 의해 본 발명의 범위가 한정되는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치를 개략적으로 도시하는 측단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치를 개략적으로 도시하는 부분 확대도이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치의 작동을 개략적으로 나타내는 측단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예에 다른 사파이어 잉곳 제조장치의 스탠드를 개략적으로 나타내는 단면 사시도이다.
이하, 첨부된 도면들을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있는 것으로, 이하의 실시예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 또한 설명의 편의를 위하여 도면에서는 구성 요소들이 그 크기가 과장 또는 축소될 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치의 측단면도이고 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치의 부분 확대도이다. 또한, 도 3은 본 발명의 일실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치 중 도가니(20)의 위치를 도시하는 측단면도이다.
도 1을 참조하면, 사파이어 잉곳 제조장치는 챔버(10), 도가니(20), 복수개의 쉴드 플레이트(40), 스탠드(30) 및 위치조절 어셈블리(100)를 포함할 수 있다.
챔버(10)는 사파이어 잉곳 제조장치의 외형을 이루며, 내부에 사파이어 잉곳을 제조하기 위한 구성요소가 구비될 수 있다. 또한, 챔버(10)는 사파이어 잉곳을 제조하는 동안에 진공으로 유지될 수 있다. 챔버(10)는 제조공정이 고온에서 진행되기 때문에 내벽에 단열재가 구비될 수 있다.
도가니(20)는 챔버(10) 내부에 구비되며, 그 내부에 사파이어 잉곳이 성장된다. 한편, 도가니(20)를 감싸며 가열시키는 히터 전극(60), 히터 컨텍터(63) 및 히터 로드(65가 더 구비될 수 있다.
스탠드(30)는 도가니(20)를 지지하며, 일부가 챔버(10) 외부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 스탠드(30)는 도가니(20)의 하부에 결합되어 도가니(20)를 지지할 수 있다. 또한, 스탠드(30)는 도가니(20)에서 하방으로 연장되어 일부가 챔버(10)를 관통하며 챔버(10) 외부에 배치될 수 있다. 즉, 스탠드(30)의 일단에는 도가니(20)가 결합되고 타단에는 위치조절 어셈블리(100), 보다 상세히 프레임(123)이 결합될 수 있다.
한편, 도가니(20)의 상방에는 도가니(20)에서 방출되는 열을 차단하기 위한, 어퍼 쉴드 어셈블리가 구비될 수 있다. 여기서 어퍼 쉴드 어셈블리는 고정 플레이트(50), 쉴드 플레이트(40) 및 로드들(45)을 포함할 수 있다.
고정 플레레이트는 챔버(10) 내 상부에 구비되며, 도가니(20)의 상부를 단열시키는 구성요소(예컨대 쉴드 플레이트(40))가 결합될 수 있다. 이를 위하여 고정 플레이트(50)는 챔버(10) 내 상부에 고정될 수 있다. 고정 플레이트(50)의 형상은 예컨대 원판 형태로 이루어질 수 있고, 사파이어 시드(seed)가 투입되는 중공부가 중앙에 형성될 수 있다. 또한, 고정 플레이트(50)에 상술한 히터 전극(60), 히터 컨텍터(63) 및 히터 로드(65)가 결합 고정될 수 있다.
로드들(45)은 상기 고정 플레이트(50)에서 하방으로 길게 연장되도록 결합될 수 있다. 로드들(45)은 그 하부에 쉴드 플레이트(40)가 결합되며, 쉴드 플레이트(40)를 도가니(20)에서 소정 간격 이격시킬 수 있다.
쉴드 플레이트(40)는 로드들(45)의 하부에 결합되며, 복수개로 이루어질 수 있다. 여기서 복수개의 쉴드 플레이트(40)는 로드들(45)에 고정 결합될 수 있다. 한편, 복수개의 쉴드 플레이트(40) 사이에는 스페이서(미도시)가 삽입되어, 쉴드 플레이트(40) 상호 간에 이격될 수 있다.
또한, 쉴드 플레이트(40)는 도가니(20)의 상방에 위치되며, 도가니(20)에서 방출되는 열을 차단하여 제조공정 동안 도가니(20)의 온도를 유지시키며 열손실을 줄이는 역할을 할 수 있다. 예컨대, 쉴드 플레이트(40)는 상술한 고정 플레이트(50)와 마찬가지로 사파이어 시드가 투입되는 중공부를 가질 수 있고, 원판 형태로 이루어질 수 있다.
한편, 사파이어 잉곳의 성장조건 중에 쉴드 플레이트(40)와 도가니(20)의 간격이 하나의 요소가 될 수 있다. 즉, 쉴드 플레이트(40)의 최하부와 도가니(20) 간의 간격에 따라 사파이어 잉곳의 성장 속도, 결정 크기 등이 다를 수 있다. 그런데, 종래에는 고정 플레이트(50), 로드들(45) 및 쉴드 플레이트(40)가 고정되어, 이로 인해 쉴드 플레이트(40)의 최하부와 도가니(20) 간의 간격을 변경하지 못하는 문제가 있었다.
그러나 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치는 도가니(20)를 상하로 이동시켜, 쉴드 플레이트(40)의 최하부와 도가니(20)간의 간격을 가변시킬 수 있다. 이하에서 도 2 를 참조하여 위치조절 어셈블리(100)를 상세히 설명한다.
위치조절 어셈블리(100)는 챔버(10) 외부에 배치되며, 모터(110) 및 동력 전달부(120)를 포함할 수 있다. 즉, 위치조절 어셈블리(100)는 모터(110)의 동력을 이용하여 스탠드(30)와 도가니(20)를 상하로 이동시켜, 쉴드 플레이트(40)의 최하부와 도가니(20) 간의 간격을 가변시킬 수 있다.
모터(110)는 챔버(10)의 외부에 배치될 수 있다. 예를 들어, 모터(110)는 도시된 바와 같이 챔버(10)에 하면에 배치될 수 있고, 또는 챔버(10)의 측면 하부에 배치될 수 있다.
동력 전달부(120)는 모터(110)의 동력으로 스탠드(30)를 이동시킬 수 있다. 즉, 동력 전달부(120)는 모터(110)의 회전운동을 직선운동으로 변환하여 스탠드(30)를 상하로 이동시킬 수 있다. 그리고 스탠드(30)가 상하로 이동됨에 따라 스탠드(30)에 결합된 도가니(20)도 상하로 이동될 수 있다. 이러한 동력 전달부(120)는 메인 회전축(121) 및 프레임(123)을 포함할 수 있다.
메인 회전축(121)은 모터(110)의 회전축과 연결되며 몸체에 나사산이 형성될 수 있다. 이러한 메인 회전축(121)은 지지 부재(122)에 회전 가능하게 결합되고, 지지 부재(122)는 챔버(10)에 결합될 수 있다.
여기서, 메인 회전축(121)은 모터(110)의 회전축과 그 중심이 일치할 수 있다. 즉, 메인 회전축(121)은 모터(110)의 회전축과 그 중심이 일치하도록 직접 결합될 수 있다. 그러나 위치조절 어셈블리(100)가 차지하는 공간을 최소화하기 위하여 풀리들과 타이밍 벨트(129)에 의해 연결될 수 있다. 보다 상세히 설명하면, 동력 전달부(120)는 모터(110)의 회전축이 결합되는 제1풀리(125)와, 메인 회전축(121)에 결합되는 제2풀리(127)와, 제1풀리(125)와 제2풀리(127)를 연결하는 타이밍 벨트(129)를 더 포함할 수 있다.
한편, 프레임(123)은 메인 회전축(121)이 관통되며 메인 회전축(121)의 나사산에 대응되는 나사산을 가질 수 있다. 또한, 프레임(123)은 전술한 바와 같이 스탠드(30)가 결합될 수 있다. 예컨대, 프레임(123)은 긴 블록 형상으로, 일부가 메인 회전축(121)과 결합되고, 다른 일부가 스탠드(30)에 결합될 수 있다.
따라서, 도 3에 도시된 바와 같이 메인 회전축(121)이 모터(110)에 의해 회전됨에 따라 스탠드(30)는 상하로 이동될 수 있고, 프레임(123)에 결합된 스탠드(30)도 상하로 이동될 수 있다. 또한, 스탠드(30)에 의해 지지되는 도가니(20)도 상하로 이동될 수 있다.
한편, 도 2를 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 사파이어 잉곳 제조장치는 스탠드(30)를 감싸는 벨로우즈관(130)을 더 포함할 수 있다. 벨로우즈관(130)은 스탠드(30)를 감싸며 일단과 타단이 실링(140)되어 내부가 밀폐될 수 있다. 이러한 것은 사파이어 잉곳 제조공정 동안 챔버(10)는 진공으로 유지되어야 하는데, 스탠드(30)가 챔버(10)를 관통하는 곳으로 공기가 유입될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 실링(140)에 의해 외부와 차단되는 벨로우즈관(130)이 구비될 수 있다.
여기서, 벨로우즈관(130)은 스탠드(30)를 감사며 일단이 챔버(10)에 고정되고 타단이 스탠드(30) 또는 동력 전달부(120) 중 어느 한 곳에 고정될 수 있다. 이때, 벨로우즈관(130)의 타단이 스탠드(30)에 고정될 경우 스탠드(30)의 이동에 의해 꺾일 위험이 있으므로, 벨로우즈관(130)의 타단은 동력 전달부(120), 그중에서도 프레임(123)에 고정되는 것이 바람직하다.
한편, 사파이어 잉곳의 성장조건 중에서 쉴드 플레이트(40)와 도가니(20)의 간격뿐만 아니라 도가니(20) 하부에서 온도에 따른 성장조건도 중요한 요소이다. 따라서, 본 발명의 다른 일 실시예에서는 스탠드(30) 내에 냉각수를 투입하여 도가니(20) 하부의 온도를 제어할 수 있다. 이를 위하여, 스탠드(30) 내에 냉각수가 투입 및 배출되는 유로가 형성될 수 있다.
도 2와 도 4를 참조하여 설명하면, 스탠드(30) 내에 형성되는 냉각 유로는 이중 파이프(200)에 의해 형성될 수 있다. 먼저 스탠드(30) 내에 이중 파이프(200)가 삽입되는 홀이 형성되고, 여기에 이중파이프가 삽입될 수 있다. 이때, 이중 파이프(200)와 스탠드(30)의 내벽 사이에 도시된 바와 같이 유격이 발생할 수 있지만, 매우 작아 무시할 수 있다.
이중 파이프(200)는 큰 직경의 파이프 내에 작은 직경의 파이프가 위치하는 구조로 이루어질 수 있다. 그리고 작은 직경의 파이프로 냉각수가 유입되고, 큰 직경의 파이프로 냉각수가 배출될 수 있다. 물론 그 반대도 가능하다. 여기서, 냉각수가 스탠드(30)와 프레임(123)의 틈 사이로 유출되어 벨로우즈관(130) 내로 유입될 수 있다. 이를 방지하기 위하여 프레임(123)과 스탠드(30) 사이는 실링(210)될 수 있다.
전술한 실시예들에 의해 쉴드 플레이트(40) 최하부와 도가니(20) 간의 간격을 조절하거나 도가니(20)의 하부의 온도를 조절하여 사파이어 잉곳의 성장 조건을 간편하게 변경시킬 수 있으며, 이로 인해 사파이어 잉곳의 불량을 감소시킬 수 있다.
본 발명은 도면에 도시된 실시예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 다른 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 특허청구범위의 기술적 사상에 의하여 정해져야 할 것이다.
10: 챔버 20: 도가니
30: 스탠드 40: 쉴드 플레이트
50: 고정 플레이트 100: 위치조절 어셈블리
110: 모터 120: 동력 전달부
130: 벨로우즈관 200: 이중 파이프

Claims (7)

  1. 챔버;
    상기 챔버 내부에 배치되고, 사파이어 잉곳이 성장되는 도가니;
    상기 챔버 내부에 배치되고, 상기 도가니의 상부에 배치되는 복수개의 쉴드 플레이트;
    상기 도가니를 지지하도록 상기 도가니의 하부에 결합되는 일단부와, 상기 도가니의 하방으로 연장되어 상기 챔버를 관통하여 상기 챔버 외부에 배치되는 타단부를 포함하는 스탠드; 및
    상기 챔버 외부에 배치되며 상기 스탠드의 타단부와 결합되어, 상기 스탠드를 이동시켜 상기 복수개의 쉴드 플레이트의 최하부와 상기 도가니 간의 간격을 가변하는 위치조절 어셈블리;
    를 포함하는 사파이어 잉곳 제조장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 위치조절 어셈블리는,
    상기 챔버 외부에 설치된 모터와, 상기 모터의 동력으로 상기 스탠드를 이동시키는 동력 전달부를 포함하는, 사파이어 잉곳 제조장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 동력 전달부는,
    상기 모터의 회전축과 연결되며 몸체에 나사산이 형성되는 메인 회전축과,
    상기 스탠드가 결합되고, 상기 메인 회전축이 관통되며 상기 메인 회전축의 나사산에 대응되는 나사산을 갖는 프레임을 포함하는, 사파이어 잉곳 제조장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 동력 전달부는, 상기 모터의 회전축에 결합되는 제1풀리와, 메인 회전축에 결합되는 제2풀리와, 상기 제1풀리와 상기 제2풀리를 연결하는 타이밍 벨트를 더 포함하는, 사파이어 잉곳 제조장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 스탠드를 감싸며, 일단이 상기 챔버에 고정되고 타단이 상기 스탠드 또는 상기 동력 전달부 중 어느 한 곳에 고정되는 벨로우즈관을 더 포함하는, 사파이어 잉곳 제조장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 벨로우즈관는 일단과 타단이 실링되어 내부가 밀폐되는, 사파이어 잉곳 제조장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 스탠드 내에 냉각수가 투입 및 배출되는 유로가 형성되는, 사파이어 잉곳 제조장치.
KR1020110134007A 2011-12-13 2011-12-13 사파이어 잉곳 제조장치 KR101434196B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110134007A KR101434196B1 (ko) 2011-12-13 2011-12-13 사파이어 잉곳 제조장치

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020110134007A KR101434196B1 (ko) 2011-12-13 2011-12-13 사파이어 잉곳 제조장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130067141A KR20130067141A (ko) 2013-06-21
KR101434196B1 true KR101434196B1 (ko) 2014-08-28

Family

ID=48863109

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020110134007A KR101434196B1 (ko) 2011-12-13 2011-12-13 사파이어 잉곳 제조장치

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101434196B1 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200043688A (ko) * 2018-10-18 2020-04-28 한국기초과학지원연구원 화합물 반도체용 금속소재의 고순도화 장치

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160123536A (ko) * 2015-04-16 2016-10-26 포토멕 주식회사 사파이어 잉곳 제조장치
KR102475322B1 (ko) * 2018-03-30 2022-12-06 주식회사 엘지화학 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법
KR102466502B1 (ko) * 2018-03-30 2022-11-10 주식회사 엘지화학 단결정 성장 장치 및 이를 이용한 단결정 성장 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000169290A (ja) * 1998-12-08 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置
JP2002020194A (ja) * 2000-06-29 2002-01-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd ルツボ支持装置および原料充填装置並びに充填方法
KR100502987B1 (ko) * 1997-03-17 2005-11-16 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 결정보지장치
JP2008007353A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶育成装置およびそれを用いた育成方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100502987B1 (ko) * 1997-03-17 2005-11-16 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤 결정보지장치
JP2000169290A (ja) * 1998-12-08 2000-06-20 Toshiba Ceramics Co Ltd 単結晶引上装置
JP2002020194A (ja) * 2000-06-29 2002-01-23 Shin Etsu Handotai Co Ltd ルツボ支持装置および原料充填装置並びに充填方法
JP2008007353A (ja) * 2006-06-28 2008-01-17 Sumitomo Metal Mining Co Ltd サファイア単結晶育成装置およびそれを用いた育成方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200043688A (ko) * 2018-10-18 2020-04-28 한국기초과학지원연구원 화합물 반도체용 금속소재의 고순도화 장치
KR102136250B1 (ko) * 2018-10-18 2020-07-21 한국기초과학지원연구원 화합물 반도체용 금속소재의 고순도화 장치

Also Published As

Publication number Publication date
KR20130067141A (ko) 2013-06-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101434196B1 (ko) 사파이어 잉곳 제조장치
KR20140044544A (ko) 단결정 성장장치 및 성장방법
KR20110094025A (ko) 단결정 제조용 상부히터, 단결정 제조장치 및 단결정 제조방법
JP4119439B2 (ja) 急速変調成長分子線エピタキシー装置とその運転方法
US7323053B2 (en) Pulling-down apparatus and container therefor
US20120000416A1 (en) Single crystal cooling apparatus and single crystal grower including the same
JP4844127B2 (ja) 単結晶製造装置および製造方法
KR101339147B1 (ko) 잉곳 제조 장치
KR20130072770A (ko) 단결정 잉곳 성장장치
KR101402840B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 성장 장치 및 방법
KR101348737B1 (ko) 어퍼 쉴드 어셈블리 및 이를 구비한 사파이어 잉곳 제조장치
KR101532266B1 (ko) 단결정 성장 장치
KR20020045765A (ko) 단결정 잉곳의 제조장치
KR101203969B1 (ko) 실리콘 단결정 잉곳 형성장치
CN110904510A (zh) InSb晶体生长的单晶炉
KR101303130B1 (ko) ＧａＡｓ 잉곳 제조장치
JP2020040846A (ja) 結晶成長装置
KR101544059B1 (ko) 대류구조를 갖는 사파이어 단결정 제조장치
KR20120116133A (ko) 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치
KR20140080222A (ko) 사파이어 단결정 성장장치
RU2534103C1 (ru) Устройство для выращивания монокристаллов из расплава методом чохральского
KR101934474B1 (ko) 반도체용 실리콘 단결정 잉곳 성장 제조장치 및 그 제조방법
KR101193083B1 (ko) 단열 부재 및 이를 포함하는 실리콘 단결정 잉곳의 제조장치
KR101293706B1 (ko) 사파이어 단결정의 제조장치
KR20120097992A (ko) 반도체 단결정 성장장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee