JPS62142772A - マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 - Google Patents
マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置Info
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- JPS62142772A JPS62142772A JP28312885A JP28312885A JPS62142772A JP S62142772 A JPS62142772 A JP S62142772A JP 28312885 A JP28312885 A JP 28312885A JP 28312885 A JP28312885 A JP 28312885A JP S62142772 A JPS62142772 A JP S62142772A
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- G03G5/02—Charge-receiving layers
- G03G5/04—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor
- G03G5/08—Photoconductive layers; Charge-generation layers or charge-transporting layers; Additives therefor; Binders therefor characterised by the photoconductive material being inorganic
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の属する技術分野〕
本発明は、基体上に堆積膜、とりわけ機能性膜、殊に半
導体ディバイス、電子写真用の感光ディバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力素子
などに用いられるアモルファス状あるいは多結晶状等の
非単、結晶状の堆積膜を形成するのに至適なＯＶＤ 、
去による装置に関する。
導体ディバイス、電子写真用の感光ディバイス、画像入
力用のラインセンサー、撮像ディバイス、光起電力素子
などに用いられるアモルファス状あるいは多結晶状等の
非単、結晶状の堆積膜を形成するのに至適なＯＶＤ 、
去による装置に関する。
従来、半導体ディバイス、電子写真用の感光１本ディバ
イス、画１象入力用ラインセンサー、撮像管ディバイス
、光起電力素子等（で使用する素子部材としては、アモ
ルファスシリコン例えば水素原子又は／及び・・ロゲ／
原子を含有するアモルファスシリコン（以後、「ａ−８
ｉ （Ｈ，Ｘ）と表記する。）膜等が提案され、その中
のいくつかは実用に付されている。そして、そうしたａ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜とともに、それ等ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ
）膜等の形成法およびそれを実施する装置についてもい
くつか提案されていて、例えば、真空蒸着法、イオンブ
レーティング法、熱エネルギーを用いた熱ＣＶＤ法、放
電エネルギーを用いたプラズマＣＶＤ法、光エネルギー
を用いた光ＣＶＤ法等があり、中でも各種エネルギーを
用いだＣＶＤ法は至適なものとして実用に付され、一般
に広く用いられてい、乙。
イス、画１象入力用ラインセンサー、撮像管ディバイス
、光起電力素子等（で使用する素子部材としては、アモ
ルファスシリコン例えば水素原子又は／及び・・ロゲ／
原子を含有するアモルファスシリコン（以後、「ａ−８
ｉ （Ｈ，Ｘ）と表記する。）膜等が提案され、その中
のいくつかは実用に付されている。そして、そうしたａ
−３ｉ（Ｈ，Ｘ）膜とともに、それ等ａ−３ｉ（Ｈ，Ｘ
）膜等の形成法およびそれを実施する装置についてもい
くつか提案されていて、例えば、真空蒸着法、イオンブ
レーティング法、熱エネルギーを用いた熱ＣＶＤ法、放
電エネルギーを用いたプラズマＣＶＤ法、光エネルギー
を用いた光ＣＶＤ法等があり、中でも各種エネルギーを
用いだＣＶＤ法は至適なものとして実用に付され、一般
に広く用いられてい、乙。
ところで前記ＣＶＤ法とは、熱エネルギー、高周波また
はマイクロ波エネルギーあるいは光エネルギーを利用し
て堆積膜形成用原料ガスを基体表面の近傍で励起種化（
ラジカル化〕して化学的相互作用を生起させ、該基体表
面に膜を堆積せしめるというものであり、そのための装
置として例えば第２図に図示の装置が提案されている。
はマイクロ波エネルギーあるいは光エネルギーを利用し
て堆積膜形成用原料ガスを基体表面の近傍で励起種化（
ラジカル化〕して化学的相互作用を生起させ、該基体表
面に膜を堆積せしめるというものであり、そのための装
置として例えば第２図に図示の装置が提案されている。
第２図に示す例は、高周波またはマイクロ波エネルギー
を利用するプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置であ
って、第２図において、２０１は反応容器全体を示し、
２０２は側壁、２０３は底壁を夫々示している。２０４
は多穿孔内壁、２０５は排気管、２０６は排気、２ルブ
、２０７はガス導入管、２０８はガス導入管上に設けた
バルブ、２０９は円筒状基体、２１０は基体ホルダー、
２１１はヒーター、２１２は支持脚、２１３は高周波ま
だはマイクロ波発生源、２１４は高周波またはマイクロ
波、２１５は導波部、２１６は誘電体窓をそれぞれ示し
、Ａは反応室、Ｂは原料ガス室を示している。
を利用するプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置であ
って、第２図において、２０１は反応容器全体を示し、
２０２は側壁、２０３は底壁を夫々示している。２０４
は多穿孔内壁、２０５は排気管、２０６は排気、２ルブ
、２０７はガス導入管、２０８はガス導入管上に設けた
バルブ、２０９は円筒状基体、２１０は基体ホルダー、
２１１はヒーター、２１２は支持脚、２１３は高周波ま
だはマイクロ波発生源、２１４は高周波またはマイクロ
波、２１５は導波部、２１６は誘電体窓をそれぞれ示し
、Ａは反応室、Ｂは原料ガス室を示している。
こうした従来の堆積膜形成装置による堆積膜形成は次の
ようＫして行なわれる。即ち、反応容器２０１の反応室
Ａ内のガスを、排気管２０５を介して真空排気するとと
もに、円筒状基体２０９をヒーター２１１により所定温
度に加熱、保持する。次に、原料ガス供給管２０７を介
して、例えばａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ） 、Ｆ＠積膜と形成す
る場合であれば、シラン等の原料ガスをガス室Ｂに導入
し、該原料ガスは、ガス室Ｂの多穿孔内壁２０４の多数
の孔から反応室Ａ内（で放出される。これと同時併行的
に、発生源２１３から、例えばマイクロ波２１４を発生
し、該マイクロ波２１４は、導波部２１５を通り、誘電
体窓２１６を介して反応室Ａ内に導入される。かくして
反応室Ａ内の原料ガス（ｄ 、マイクロ波のエネルギー
により励起されて活性化（励起種化）し、Ｓｌ“、Ｓｉ
Ｈ”等（斧は励起状態を表わす。）の、ラジカル粒子、
電子、イオン粒子等が生起され、それ等が相互に反応し
て基（＊ ２０９の表面に堆積膜が形成される。
ようＫして行なわれる。即ち、反応容器２０１の反応室
Ａ内のガスを、排気管２０５を介して真空排気するとと
もに、円筒状基体２０９をヒーター２１１により所定温
度に加熱、保持する。次に、原料ガス供給管２０７を介
して、例えばａ−８ｉ（Ｈ，Ｘ） 、Ｆ＠積膜と形成す
る場合であれば、シラン等の原料ガスをガス室Ｂに導入
し、該原料ガスは、ガス室Ｂの多穿孔内壁２０４の多数
の孔から反応室Ａ内（で放出される。これと同時併行的
に、発生源２１３から、例えばマイクロ波２１４を発生
し、該マイクロ波２１４は、導波部２１５を通り、誘電
体窓２１６を介して反応室Ａ内に導入される。かくして
反応室Ａ内の原料ガス（ｄ 、マイクロ波のエネルギー
により励起されて活性化（励起種化）し、Ｓｌ“、Ｓｉ
Ｈ”等（斧は励起状態を表わす。）の、ラジカル粒子、
電子、イオン粒子等が生起され、それ等が相互に反応し
て基（＊ ２０９の表面に堆積膜が形成される。
こうした従来のＣＶＤ法による堆積膜の形成疾！ｔ”ｄ
、至適なものとして一般て広く採用されてはいるものの
、いくつかの問題がある。
、至適なものとして一般て広く採用されてはいるものの
、いくつかの問題がある。
即ち、従来）つＣＶＤ法による１ト漬膜形成袈置１・て
おいては、円筒状基体を反応容器の中央に配置４し、側
壁より原料ガスを導入し、反応容器の底壁に排気手段を
設けているため、堆積膜の形成に用いられる原料ガスは
水平方向と垂直下向方向の２つの速度ベクトルを合わせ
た運動をしており、円筒状基体の上方と下方とでは原料
ガスの分布が異なるため、円筒状基体表面に堆積される
膜の膜厚はおのずと上方と下方とで異なったものとなる
。
おいては、円筒状基体を反応容器の中央に配置４し、側
壁より原料ガスを導入し、反応容器の底壁に排気手段を
設けているため、堆積膜の形成に用いられる原料ガスは
水平方向と垂直下向方向の２つの速度ベクトルを合わせ
た運動をしており、円筒状基体の上方と下方とでは原料
ガスの分布が異なるため、円筒状基体表面に堆積される
膜の膜厚はおのずと上方と下方とで異なったものとなる
。
こうした膜厚の不均一さを調整するため、多穿孔内壁に
設けるガス放出孔の位置を不均一とし、その結果として
円筒状基体の上方と下方とでの膜厚を均一にさせること
も提案されてはいるものの、ガス流量、ガス圧、円筒状
基体の長さ等の種々の粂件下においても円筒状基体表面
（（形成される膜厚が均一となるようにガス放出孔の位
置を決定することは、かなりの手間を要するものである
。
設けるガス放出孔の位置を不均一とし、その結果として
円筒状基体の上方と下方とでの膜厚を均一にさせること
も提案されてはいるものの、ガス流量、ガス圧、円筒状
基体の長さ等の種々の粂件下においても円筒状基体表面
（（形成される膜厚が均一となるようにガス放出孔の位
置を決定することは、かなりの手間を要するものである
。
また、円筒状基体を反応容器中央に配「、ｔし反応年”
＋：’ｆ Ｉｌｌ’ｌ璧から原、ＵＦガスを４人する場
合、大半の原料ガスが有効に使用されないまま排気され
てしまったり、反応容器の壁にも堆積膜が形成されてし
まったりして、原料ガスの利用効率が２０条以下である
という問題もある。
＋：’ｆ Ｉｌｌ’ｌ璧から原、ＵＦガスを４人する場
合、大半の原料ガスが有効に使用されないまま排気され
てしまったり、反応容器の壁にも堆積膜が形成されてし
まったりして、原料ガスの利用効率が２０条以下である
という問題もある。
また別に、前述の各種ディバイスが多様化してきており
、そのだめの素子部材、即ち、各種特注等の要件を総じ
て満足するとともに適用対象、用途に相応し、そして場
合によっては大面積化された、安定な堆積膜製品を低コ
ストで定常的に供給することが、社会的要求となってき
ており、この要求を満たす装置の開発が切望されている
。
、そのだめの素子部材、即ち、各種特注等の要件を総じ
て満足するとともに適用対象、用途に相応し、そして場
合によっては大面積化された、安定な堆積膜製品を低コ
ストで定常的に供給することが、社会的要求となってき
ており、この要求を満たす装置の開発が切望されている
。
本発明は、光起電力素子、半導体ディバイス、画像入力
用ラインセンサー、撮像ディバイス、電子写真用感光体
ディバイス等に使用する堆積膜を形成する従来装置につ
いて、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすよう
にすることを目的とするものである。
用ラインセンサー、撮像ディバイス、電子写真用感光体
ディバイス等に使用する堆積膜を形成する従来装置につ
いて、上述の諸問題を解決し、上述の要求を満たすよう
にすることを目的とするものである。
すなわち、本発明の主たる目的は、形成される模の膜厚
及び膜質が均一で、優れた電気的、光学的、光導電的％
ｌ’４Ｅを有する堆積膜を定常的に生産するためのＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成用；１りを提供することにある。
及び膜質が均一で、優れた電気的、光学的、光導電的％
ｌ’４Ｅを有する堆積膜を定常的に生産するためのＣＶ
Ｄ法による堆積膜形成用；１りを提供することにある。
本発明の他の目的は、原料ガスの利用効率を向上させて
堆積膜の生産性の向上及び量産化を可能にするＣＶＤ法
による堆積膜形成−ｉｔ、ｔを提供することにある。
堆積膜の生産性の向上及び量産化を可能にするＣＶＤ法
による堆積膜形成−ｉｔ、ｔを提供することにある。
本発明者らは、従来のＣＶＤ法による堆積膜形成装置に
ついての前述の諸問題を克服して、上述の目的を達成す
べく鋭意研究を重ねた結果、原料ガス導入管の周囲に基
体を設け、さらにその周囲に排気手段を設け、反応容器
の中心から反応容器の側壁【向かつて、ガス導入管、基
体、排気手段が一直線状て並ぶようだしたところ、前述
の諸問題が解決され、上述の目的が達成しうる知見を得
、本発明を完成するに至ったものである。
ついての前述の諸問題を克服して、上述の目的を達成す
べく鋭意研究を重ねた結果、原料ガス導入管の周囲に基
体を設け、さらにその周囲に排気手段を設け、反応容器
の中心から反応容器の側壁【向かつて、ガス導入管、基
体、排気手段が一直線状て並ぶようだしたところ、前述
の諸問題が解決され、上述の目的が達成しうる知見を得
、本発明を完成するに至ったものである。
即ち、本発明は、中に堆積膜形成用Ｏ基体を配置した成
膜室を有する反応容器と、該反応容器内に堆積膜形成用
の原料ガスを導入する手段と、該原料ガスを励起種化せ
しめる手段と、該反応容器内を真空排気する手段とから
なる、熱エネルギー、放電エネルギーまたは光エネルギ
ーを利用したＣＶＤ法による堆積膜形成装置であって、
多孔性排気壁を成膜室の周囲に設けるとともＫ、円筒状
の基体支持手段を該排気壁と原料ガス導入管との間に配
置したことを骨子とするＣＶＤ法による堆積膜形成装置
に関する。
膜室を有する反応容器と、該反応容器内に堆積膜形成用
の原料ガスを導入する手段と、該原料ガスを励起種化せ
しめる手段と、該反応容器内を真空排気する手段とから
なる、熱エネルギー、放電エネルギーまたは光エネルギ
ーを利用したＣＶＤ法による堆積膜形成装置であって、
多孔性排気壁を成膜室の周囲に設けるとともＫ、円筒状
の基体支持手段を該排気壁と原料ガス導入管との間に配
置したことを骨子とするＣＶＤ法による堆積膜形成装置
に関する。
かくなる本発明の装置は、堆積膜形成用、原料ガスの分
布を基体の近傍において一様とすることができるため、
製品たる膜の品質、膜厚、及び電気的、光学的、光導電
的特性の安定した堆積膜を効率的に量産することを可能
とし、原料ガスの利用効率を高めることができるもので
ある。
布を基体の近傍において一様とすることができるため、
製品たる膜の品質、膜厚、及び電気的、光学的、光導電
的特性の安定した堆積膜を効率的に量産することを可能
とし、原料ガスの利用効率を高めることができるもので
ある。
本発明の装置により堆積膜を形成するについて使用され
る原料ガスｉｄ、高周波またはマイクロ波のエネルギー
により励起揮化し、化学的相互作用して基体表面上に所
期の堆積膜を形成する類のものであれば何れのものであ
っても採用することができるが、例えば、ａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）、膜を形成する場合であれば、具体的には、ケイ
素に水素、ハロゲン、あるい（ｒｉ炭化水素等が結合し
たフラン類及び・・ロゲ／化ンラン類等のガス状態のも
の、または容易にガス比しうるものをガス化したものを
用いることができる。これらの原料ガスは１種を使用し
てもよく、あるいは２種以上を併用してもよい。また、
これ等の原料ガスは、Ｈｅ、Ａｒ等の不活１牛ガス（（
より［６釈して用いることもある。さらに、ａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）膜はｐ型不純１吻元素又はｎ型不純′吻元素を
ドーピングすることが可能であり、これ等の不純゛吻元
素を構成成分として含有する原料ガスを、単独で、ある
いは前述の原料ガスまだは／および稀釈用ガスと混合し
て反応室内に導入することができ・る。
る原料ガスｉｄ、高周波またはマイクロ波のエネルギー
により励起揮化し、化学的相互作用して基体表面上に所
期の堆積膜を形成する類のものであれば何れのものであ
っても採用することができるが、例えば、ａ−８ｉ（Ｈ
，Ｘ）、膜を形成する場合であれば、具体的には、ケイ
素に水素、ハロゲン、あるい（ｒｉ炭化水素等が結合し
たフラン類及び・・ロゲ／化ンラン類等のガス状態のも
の、または容易にガス比しうるものをガス化したものを
用いることができる。これらの原料ガスは１種を使用し
てもよく、あるいは２種以上を併用してもよい。また、
これ等の原料ガスは、Ｈｅ、Ａｒ等の不活１牛ガス（（
より［６釈して用いることもある。さらに、ａ−８ｉ（
Ｈ，Ｘ）膜はｐ型不純１吻元素又はｎ型不純′吻元素を
ドーピングすることが可能であり、これ等の不純゛吻元
素を構成成分として含有する原料ガスを、単独で、ある
いは前述の原料ガスまだは／および稀釈用ガスと混合し
て反応室内に導入することができ・る。
また基体については、導電性の・ものであっても、半導
電性のものであっても、あるいは［ｉＬ気絶縁性のもの
であってもよく、具体的冗は金属、セラミックス、ガラ
ス等が挙げられる。そして成膜操作時の基体温度は、特
に制限されないが、３０〜４５０’Ｃの範囲とするのが
一般的であり、好ましくは５０〜３５０℃である。
電性のものであっても、あるいは［ｉＬ気絶縁性のもの
であってもよく、具体的冗は金属、セラミックス、ガラ
ス等が挙げられる。そして成膜操作時の基体温度は、特
に制限されないが、３０〜４５０’Ｃの範囲とするのが
一般的であり、好ましくは５０〜３５０℃である。
また、堆積膜を形成するにあたっては、原料ガスを導入
する前に反応室内の圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下、好ましくはＩ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ以下とし、
原料ガスを導入した時には反応室内の圧力を１ｘ １０
−２〜Ｉ Ｔｏｒｒ、好ましくは５ Ｘ １０−２〜Ｉ
Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
する前に反応室内の圧力を５ Ｘ １０−’Ｔｏｒｒ以
下、好ましくはＩ Ｘ １０”” Ｔｏｒｒ以下とし、
原料ガスを導入した時には反応室内の圧力を１ｘ １０
−２〜Ｉ Ｔｏｒｒ、好ましくは５ Ｘ １０−２〜Ｉ
Ｔｏｒｒとするのが望ましい。
なお、本発明の装置による堆積膜形成は、通常は、前述
したように原料ガスを事前処理（励起種化）することな
く反応室に導入し、そこで高周波またはマイクロ波のエ
ネルギーにより励起種化し、化学的相互作用を生起せし
めることにより行われるが、二種以上の原料ガスを使用
する場合、その中の一種を事前に励起種化し、次いで反
応室に導入するようＫすることも可能である。
したように原料ガスを事前処理（励起種化）することな
く反応室に導入し、そこで高周波またはマイクロ波のエ
ネルギーにより励起種化し、化学的相互作用を生起せし
めることにより行われるが、二種以上の原料ガスを使用
する場合、その中の一種を事前に励起種化し、次いで反
応室に導入するようＫすることも可能である。
以下、本発明のＣＶＤ法による堆積膜形成装置を第１図
に示す実施例により更に詳しく説明するが、本発明の装
置はこれによって何ら限定されるものではない。
に示す実施例により更に詳しく説明するが、本発明の装
置はこれによって何ら限定されるものではない。
第１図の実施例装置は高周波、またはマイクロ波エネル
ギーを利用したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
の典型例であり、第１（Ａ）図は装置全体を模式的に示
す透視図であり、第１（Ｂ）図はその縦断面略図、第１
（Ｃ）図はその横断面略図である。
ギーを利用したプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
の典型例であり、第１（Ａ）図は装置全体を模式的に示
す透視図であり、第１（Ｂ）図はその縦断面略図、第１
（Ｃ）図はその横断面略図である。
図において、１旧は成膜室Ａを有する反応容器全体を示
しており、１０２は堆積室Ａ内に配置された円筒状基体
支持手段である。円筒状基体支持手段１０２はその表面
に円筒状基体を装着するか、または１乃至２以上の平板
状基体を載置する。円筒状基体支持手段の内部には加熱
ヒーター１０３を設け、成膜前に基体を所定温度に加熱
したり、成膜中基体を所定温度に保持したり、または成
膜後アニール処理したりするのに用いられる。該円筒状
基体支持手段１０２は回転を与える駆動手段（図示せず
）に機械的に連結しており、成膜中日筒状基体支持手段
１０２を該駆動手段により回転さする。１０４は反応容
器内を真空排気するために反応容器の側壁に設けられた
排気管であり、一端は反応容器内に開口し、他端は排気
バルブ１０５を介して排気装置（図示せず）に連通して
いる。成膜室Ａの周囲には多孔性排気壁１０６が設けら
れており、前記排気・ζシブ１０５を開放して排気装置
（図示せず）により真空排気すると、成Ｊ嘆室Ａ内のガ
スは、該多孔性排気壁に設けられた多数の排気孔１０７
を介して排気され、所定の真空Ｉ更に調整される。排気
ｌｉ＆１０６に設けられた排気孔１０７は、堆積に寄与
しないガスが分解して生じた粉体（（よりふさが、れ、
成、膜室の内圧が上昇することを切土するため、０．０
２〜１ＣＴＬの大きさの孔を、０．１〜８個／Ｃ７ｎ２
の謀り合で設けるのが望′ましい。１０７は戎１漢室Ａ
でグロー放電を引き起こすだめの導・皮？’１？ １０
８であり成Ｊ戻室の上方及び下方から導入されている。
しており、１０２は堆積室Ａ内に配置された円筒状基体
支持手段である。円筒状基体支持手段１０２はその表面
に円筒状基体を装着するか、または１乃至２以上の平板
状基体を載置する。円筒状基体支持手段の内部には加熱
ヒーター１０３を設け、成膜前に基体を所定温度に加熱
したり、成膜中基体を所定温度に保持したり、または成
膜後アニール処理したりするのに用いられる。該円筒状
基体支持手段１０２は回転を与える駆動手段（図示せず
）に機械的に連結しており、成膜中日筒状基体支持手段
１０２を該駆動手段により回転さする。１０４は反応容
器内を真空排気するために反応容器の側壁に設けられた
排気管であり、一端は反応容器内に開口し、他端は排気
バルブ１０５を介して排気装置（図示せず）に連通して
いる。成膜室Ａの周囲には多孔性排気壁１０６が設けら
れており、前記排気・ζシブ１０５を開放して排気装置
（図示せず）により真空排気すると、成Ｊ嘆室Ａ内のガ
スは、該多孔性排気壁に設けられた多数の排気孔１０７
を介して排気され、所定の真空Ｉ更に調整される。排気
ｌｉ＆１０６に設けられた排気孔１０７は、堆積に寄与
しないガスが分解して生じた粉体（（よりふさが、れ、
成、膜室の内圧が上昇することを切土するため、０．０
２〜１ＣＴＬの大きさの孔を、０．１〜８個／Ｃ７ｎ２
の謀り合で設けるのが望′ましい。１０７は戎１漢室Ａ
でグロー放電を引き起こすだめの導・皮？’１？ １０
８であり成Ｊ戻室の上方及び下方から導入されている。
・Ｈ波ａ１０８は曲端は、高周波まだはマイクロ波発生
源（図示せず）に接続されている。
源（図示せず）に接続されている。
１０９は反応容器１旧の底壁から成膜室Ａの中央に挿入
された堆積膜形成用原料ガス導入管であり、該原料ガス
導入管１０９の一端はパルプ１１０を介して原料ガス供
給装置（図示せず）に連通している。原料ガス導入管１
０９には、原料ガスが主として成膜室中心に向かって放
出されるように、内側に多数のガス放出孔１１１．１１
１．・・・更に必要によりその外側（（少数のガス放出
孔１１１’。
された堆積膜形成用原料ガス導入管であり、該原料ガス
導入管１０９の一端はパルプ１１０を介して原料ガス供
給装置（図示せず）に連通している。原料ガス導入管１
０９には、原料ガスが主として成膜室中心に向かって放
出されるように、内側に多数のガス放出孔１１１．１１
１．・・・更に必要によりその外側（（少数のガス放出
孔１１１’。
１１１′・・・が設けられている。
以上のように構成してなる本発明の装置においては、ガ
ス放出孔１１１．１１１．・・・（及びｌ １１’ 。
ス放出孔１１１．１１１．・・・（及びｌ １１’ 。
１１１’、・・・）から放出された原料ガスは、成膜室
Ａ中でマイクロ波に分解されながら円筒状基体１０２の
表面に到達し、基体表面に堆積膜を形成する。堆積膜の
形成に寄与しない残りの原料ガスは、多孔性排気壁１０
６の排気孔１０７を通じて排気される。なお図中の矢印
はこうしたガスの流れを示しているものである。
Ａ中でマイクロ波に分解されながら円筒状基体１０２の
表面に到達し、基体表面に堆積膜を形成する。堆積膜の
形成に寄与しない残りの原料ガスは、多孔性排気壁１０
６の排気孔１０７を通じて排気される。なお図中の矢印
はこうしたガスの流れを示しているものである。
本発明の装置は、ａ−８ｉ （Ｈ，Ｘ）からなるｉ模の
みならず、酸素原子、炭素原子又は窒素原子を含有する
ａ−３ｉ （Ｈ，Ｘ）からなる膜、第１■族原子（例え
ばＰ）又は第Ｖ族原子（例えばＢ）を含有するａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）からなる膜や、Ｓｉ３Ｎ４ＳｉＣ、ＳｉＯ
２、ＳｉＯ等の絶縁性膜の製造にも適用できる。
みならず、酸素原子、炭素原子又は窒素原子を含有する
ａ−３ｉ （Ｈ，Ｘ）からなる膜、第１■族原子（例え
ばＰ）又は第Ｖ族原子（例えばＢ）を含有するａ−８ｉ
（Ｈ，Ｘ）からなる膜や、Ｓｉ３Ｎ４ＳｉＣ、ＳｉＯ
２、ＳｉＯ等の絶縁性膜の製造にも適用できる。
次に本発明のＣＶＤ法による堆積膜形成装置の操作と、
実施例をあげて説明するが、以下の例は該装置の操作に
限定的意味をもつものではない０ 実施例１ 第１図に図示の装置により、円筒状Ａｌ基体上にａ −
Ｓｉ ：Ｈで構成される膜を形成した。また本例（Ｃお
いて使用した装置における排気壁１０６の排気孔１０７
は、半径０．１ ｃｍの円で、その密度は１ｃＩｒＬ２
あたり３個とした。
実施例をあげて説明するが、以下の例は該装置の操作に
限定的意味をもつものではない０ 実施例１ 第１図に図示の装置により、円筒状Ａｌ基体上にａ −
Ｓｉ ：Ｈで構成される膜を形成した。また本例（Ｃお
いて使用した装置における排気壁１０６の排気孔１０７
は、半径０．１ ｃｍの円で、その密度は１ｃＩｒＬ２
あたり３個とした。
即ち、まず４本の円筒状Ａｌ基体を装着した円筒状基体
支持手段を反応容器１０１内に設置し、排気バルブ１０
５を開いて排気管１０４より反応容器内を真空排気し、
反応容器内をＩＦ５Ｔｏｒｒの真空度とした。同時に１
．駆動手段（図示せず）により６本の円筒状Ａｌ基体を
回転させながら、加、 熱ヒーター１０３により基体温
１ｉを３００℃に保持した。
支持手段を反応容器１０１内に設置し、排気バルブ１０
５を開いて排気管１０４より反応容器内を真空排気し、
反応容器内をＩＦ５Ｔｏｒｒの真空度とした。同時に１
．駆動手段（図示せず）により６本の円筒状Ａｌ基体を
回転させながら、加、 熱ヒーター１０３により基体温
１ｉを３００℃に保持した。
こうしたところへＳｉＨ，ガス５〜４０体積係とＨ２ガ
ス９５〜６０体積％の混合ガスを、ガス流量０．１〜２
Ａ！／ｈｒでガス導入管１０９から成膜室Ａ内ＩＣ導入
し、排気バルブ１０５を調整して反応容器の内圧を０．
０１ Ｔｏｒｒとした後、２ 、４５ Ｇｌ＋ｚのマイ
クロ波を放射し、Ａｌ基体上にａ−８ｉ：Ｈ″′Ｃ′Ｃ
構成堆積膜を形成した。
ス９５〜６０体積％の混合ガスを、ガス流量０．１〜２
Ａ！／ｈｒでガス導入管１０９から成膜室Ａ内ＩＣ導入
し、排気バルブ１０５を調整して反応容器の内圧を０．
０１ Ｔｏｒｒとした後、２ 、４５ Ｇｌ＋ｚのマイ
クロ波を放射し、Ａｌ基体上にａ−８ｉ：Ｈ″′Ｃ′Ｃ
構成堆積膜を形成した。
所定時間経過後、加熱ヒーター１０３及び回転を中止し
、基体を放冷したのち、排気バルブを開いて反応容器内
を大気圧に戻し、堆積膜の形成された６本のＡＡ’基体
を系外にとり出した。堆積された膜厚を測定して堆積機
を求め、ガスの利用効率を測定したところ８０チであっ
た。
、基体を放冷したのち、排気バルブを開いて反応容器内
を大気圧に戻し、堆積膜の形成された６本のＡＡ’基体
を系外にとり出した。堆積された膜厚を測定して堆積機
を求め、ガスの利用効率を測定したところ８０チであっ
た。
本発明の装置においては、成膜室の周囲６で多数の排気
孔を有する排気壁を設け、円筒状基体を該排気壁と原料
ガス導入管の間に配置したことＯてより、堆積膜形成時
、原料ガスの分布を基体の近傍しておいて一様とするこ
とができるだめ、膜厚及び膜質の均一な堆積膜を形成す
ることができるとともに、原料ガスの利用効率を高める
ことができる。
孔を有する排気壁を設け、円筒状基体を該排気壁と原料
ガス導入管の間に配置したことＯてより、堆積膜形成時
、原料ガスの分布を基体の近傍しておいて一様とするこ
とができるだめ、膜厚及び膜質の均一な堆積膜を形成す
ることができるとともに、原料ガスの利用効率を高める
ことができる。
第１（Ａ）図は、本発明の堆積膜形成装置の典型例を示
す模式的透視図であり、第１（Ｂ）図はその、縦１行面
略図、第１（Ｃ）図はその横１所面略図である。 第２図は従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
の１例を模式的に示す縦断面図である。 第１（Ａ）乃至（Ｃ１図について、 １０１・・・反応容器、１０２・・・円筒状基体支持手
段、１０３・・・加熱用ヒーター、１０４・・・排気管
、１０５・・・排気バルブ、１０６・・・多孔性排気壁
、１０７・・・排気孔、１０８・・・導波管、１０９・
・・原料ガス導入管、１１０・・・／ζルプ、１１１．
［１’・・・ガス放出孔、Ａ・・・成膜室 第２図について。
す模式的透視図であり、第１（Ｂ）図はその、縦１行面
略図、第１（Ｃ）図はその横１所面略図である。 第２図は従来のプラズマＣＶＤ法による堆積膜形成装置
の１例を模式的に示す縦断面図である。 第１（Ａ）乃至（Ｃ１図について、 １０１・・・反応容器、１０２・・・円筒状基体支持手
段、１０３・・・加熱用ヒーター、１０４・・・排気管
、１０５・・・排気バルブ、１０６・・・多孔性排気壁
、１０７・・・排気孔、１０８・・・導波管、１０９・
・・原料ガス導入管、１１０・・・／ζルプ、１１１．
［１’・・・ガス放出孔、Ａ・・・成膜室 第２図について。
Claims (5)
- （１）内部に堆積膜形成用の基体を配置するための基体
支持手段を備えた成膜室を有する反応容器と、該反応容
器内に堆積膜形成用の原料ガスを導入する手段と、該原
料ガスを励起種化せしめる手段と、前記反応容器内を真
空排気する手段とからなる、熱エネルギー、放電エネル
ギーまたは光エネルギーを利用するＣＶＤ法による堆積
膜形成装置であって、多孔性排気壁を前記成膜室の周囲
に設け、前記基体支持手段を前記排気壁と原料ガス導入
管との間に設けてなることを特徴とするＣＶＤ法による
堆積膜形成装置。 - （２）原料ガスを励起種化せしめる手段が、高周波また
はマイクロ波である特許請求の範囲第（１）項に記載さ
れたＣＶＤ法による堆積膜形成装置。 - （３）複数の基体支持手段を設けた特許請求の範囲第（
１）項に記載されたＣＶＤ法による堆積膜形成装置。 - （４）基体支持手段が円筒状である特許請求の範囲第（
１）項に記載されたＣＶＤ法による堆積膜形成装置。 - （５）円筒状の基体支持手段を回転させる手段を有する
特許請求の範囲第（４）項に記載されたＣＶＤ法による
堆積膜形成装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28312885A JPS62142772A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28312885A JPS62142772A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62142772A true JPS62142772A (ja) | 1987-06-26 |
| JPS642192B2 JPS642192B2 (ja) | 1989-01-13 |
Family
ID=17661588
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28312885A Granted JPS62142772A (ja) | 1985-12-18 | 1985-12-18 | マイクロ波プラズマｃｖｄ法による堆積膜形成装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62142772A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864447A (en) * | 1995-08-15 | 1999-01-26 | Fujitsu Limited | Disk drive with stopper mechanism including a cushion member seated on a circumferential groove |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029470A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-14 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
-
1985
- 1985-12-18 JP JP28312885A patent/JPS62142772A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6029470A (ja) * | 1983-07-27 | 1985-02-14 | Kyocera Corp | 量産型グロ−放電分解装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5864447A (en) * | 1995-08-15 | 1999-01-26 | Fujitsu Limited | Disk drive with stopper mechanism including a cushion member seated on a circumferential groove |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS642192B2 (ja) | 1989-01-13 |
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