JPS62141745A - プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置とその製造方法 - Google Patents
プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置とその製造方法Info
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- JPS62141745A JPS62141745A JP28413685A JP28413685A JPS62141745A JP S62141745 A JPS62141745 A JP S62141745A JP 28413685 A JP28413685 A JP 28413685A JP 28413685 A JP28413685 A JP 28413685A JP S62141745 A JPS62141745 A JP S62141745A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/4805—Shape
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- H01L2224/48091—Arched
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- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
Ｐ ＧＡ （Ｐｉｎ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体
装置は、パッケージの裏面に多数のリードピン端子を取
り出すことが可能であり高集積度の半導体装置に適して
いる。従来セラミック・パッケージ構造が多く用いられ
ているが、本発明ではガラス・エポキシ板に植設せるリ
ードピンを用い、全体をプラスチックにモールドして簡
易化を図った。
装置は、パッケージの裏面に多数のリードピン端子を取
り出すことが可能であり高集積度の半導体装置に適して
いる。従来セラミック・パッケージ構造が多く用いられ
ているが、本発明ではガラス・エポキシ板に植設せるリ
ードピンを用い、全体をプラスチックにモールドして簡
易化を図った。
本発明は、ＰＧＡ型プラプラスチックッケージ半導体装
置の構造とその製造方法に関する。
置の構造とその製造方法に関する。
半導体集積回路のパッケージの形状としては、ＤＩＰ型
プラプラスチックッケージ構造が最も量産に適している
ので広く用いられている。
プラプラスチックッケージ構造が最も量産に適している
ので広く用いられている。
然し、ＤＩＰ型では取り出し得る端子数は最大８０端子
程度と制約があり、集積度の向上に伴って更に多端子の
取り出し可能なるＰＧＡ型が求められている。
程度と制約があり、集積度の向上に伴って更に多端子の
取り出し可能なるＰＧＡ型が求められている。
ＰＧＡ型はリードフレームを用いたＤＩＰ型のごとくト
ランスファ・モールド技術が使用出来ないので、セラミ
ック・パンケージ構造を取らざるを得ない。そのためコ
スト高となり改善が要望されている。
ランスファ・モールド技術が使用出来ないので、セラミ
ック・パンケージ構造を取らざるを得ない。そのためコ
スト高となり改善が要望されている。
ＰＧＡ型パッケージは、端子ピンを面状に２．５４ｍｍ
ピッチでレイアウトすることが可能であり、多端子でプ
リント板の実装も簡単で高集積回路のパッケージ方法と
しては好適である。
ピッチでレイアウトすることが可能であり、多端子でプ
リント板の実装も簡単で高集積回路のパッケージ方法と
しては好適である。
然し、従来リードピンはセラミック板に植設され、全体
のパッケージとしてはセラミック型構造とならざるを得
なかった。
のパッケージとしてはセラミック型構造とならざるを得
なかった。
最近リードピンをガラス・エポキシ板に植設せる基板の
入手が可能となり、これによるＰＧＡ型パッケージも開
発されている。
入手が可能となり、これによるＰＧＡ型パッケージも開
発されている。
これを第２図によりその構造を説明する。多数のピンよ
りなるリードピン１がガラス・エポキシ板２に植設され
、ガラス・エポキシ板２には必要に応じピンと接続した
配線パターンが形成されている。
りなるリードピン１がガラス・エポキシ板２に植設され
、ガラス・エポキシ板２には必要に応じピンと接続した
配線パターンが形成されている。
ガラス・エポキシ板には半導体チップ３が搭載されて、
ボンディング・ワイヤ４によりチップのパッド部とピン
端子、あるいはガラス・エポキシ板の配線端子部とが接
続されている。
ボンディング・ワイヤ４によりチップのパッド部とピン
端子、あるいはガラス・エポキシ板の配線端子部とが接
続されている。
全面をエポキシ樹脂５等で埋込み、その後キャップ６に
よりカバーをしてパッケージとして完成する。
よりカバーをしてパッケージとして完成する。
上記に述べた、従来の技術によるガラス・エポキシ板に
よるＰＧＡ型半導体装置では、信頼性に劣る問題がある
。
よるＰＧＡ型半導体装置では、信頼性に劣る問題がある
。
特にエポキシ樹脂等の埋込みによる耐湿性に問題が多い
。量産技術の確立したプラスチック・モールド技術を適
用することが出来れば品質の向上に寄与する所大である
。
。量産技術の確立したプラスチック・モールド技術を適
用することが出来れば品質の向上に寄与する所大である
。
上記問題点は、その構造としてリードピンを植設せるガ
ラス・エポキシ板上に、該リードピンとを結ぶワイヤボ
ンディングされた半導体チップが搭載され、前記リード
ピンの各ピンの突出部を除き、全面をプラスチック・モ
ールドに埋込まれた本発明のＰＧＡ型プラプラスチック
ッケージ半導体装置によって解決される。
ラス・エポキシ板上に、該リードピンとを結ぶワイヤボ
ンディングされた半導体チップが搭載され、前記リード
ピンの各ピンの突出部を除き、全面をプラスチック・モ
ールドに埋込まれた本発明のＰＧＡ型プラプラスチック
ッケージ半導体装置によって解決される。
また、その製造方法としてはリードピンを植設せるガラ
ス・エポキシ板上に半導体チップを搭載して、該リード
ピンの各ピンを結んでワイヤボンディングを行う。
ス・エポキシ板上に半導体チップを搭載して、該リード
ピンの各ピンを結んでワイヤボンディングを行う。
次いで、該リードピンの各ピンの前記ガラス・エポキシ
板より突出せる領域に半田ディツプを行った後、前記ピ
ンの突出せる領域を挿嵌可能とせるピンカバーを嵌装す
る。
板より突出せる領域に半田ディツプを行った後、前記ピ
ンの突出せる領域を挿嵌可能とせるピンカバーを嵌装す
る。
全面にプラスチック・モールドを行った後、前記ピンカ
バーを除去することによりＰＧＡ型プラプラスチックッ
ケージ半導体装置が完成する。
バーを除去することによりＰＧＡ型プラプラスチックッ
ケージ半導体装置が完成する。
本発明はプラスチック・モールド工程における加熱され
た流動状態の高圧のモールド材がリードピンの端子を埋
め込むのを防止してパッケージ形成を容易としたもので
ある。
た流動状態の高圧のモールド材がリードピンの端子を埋
め込むのを防止してパッケージ形成を容易としたもので
ある。
モールド工程でピン端子部をピンカバーで覆い、モール
ド材が端子部に進′入するのを防止する共に、前記ピン
カバーとピン端子との抜脱が困難なるときは、ピン端子
の半田の溶融により容易に除去出来る。
ド材が端子部に進′入するのを防止する共に、前記ピン
カバーとピン端子との抜脱が困難なるときは、ピン端子
の半田の溶融により容易に除去出来る。
本発明による一実施例を図面により詳細説明する。第１
図（ａｌ〜（Ｃ）は本発明の半導体装置の製造方法を模
式的に示す。
図（ａｌ〜（Ｃ）は本発明の半導体装置の製造方法を模
式的に示す。
第１図（ａ）は、従来の技術の項で説明せるリートピン
１を植設せるガラス・エポキシ板２に半導体チップ３が
搭載され、ワイヤ・ボンディングの終わった後、リード
ピン端子が半田７がディップにより被覆された状態を示
す。
１を植設せるガラス・エポキシ板２に半導体チップ３が
搭載され、ワイヤ・ボンディングの終わった後、リード
ピン端子が半田７がディップにより被覆された状態を示
す。
第１図（ｂ）は上記の構造がトランスファ・モールド装
置の型の内に装着された状態を示す。８．９はそれぞれ
モールド用の金型、１０はモールド材の圧入を防止する
ためのピンカバーを表す。
置の型の内に装着された状態を示す。８．９はそれぞれ
モールド用の金型、１０はモールド材の圧入を防止する
ためのピンカバーを表す。
ピンカバー１０は金属、セラミック、エポキシ等の材料
よりなり、リードピンの各ピン端子に嵌合するように穴
１１が形成されている。穴には後の工程でのパッケージ
との離脱を容易にするため、離型剤、例えばシリコンオ
イル等を前取て塗布しておくのも良い。
よりなり、リードピンの各ピン端子に嵌合するように穴
１１が形成されている。穴には後の工程でのパッケージ
との離脱を容易にするため、離型剤、例えばシリコンオ
イル等を前取て塗布しておくのも良い。
第１図（ｂｌの状態で、加熱されて流動状態のプラスチ
ック・モールド材１２が高圧で注入される。
ック・モールド材１２が高圧で注入される。
モールド材が固化した後、パッケージをモールド型より
取り出す。この状態でピンカバー１０も取り外すが、モ
ールド材の圧入により容易に除去出来ないときは、これ
を加熱して半田７を流動状態にすることにより容易にピ
ンカバー１０を離脱させることが出来る。
取り出す。この状態でピンカバー１０も取り外すが、モ
ールド材の圧入により容易に除去出来ないときは、これ
を加熱して半田７を流動状態にすることにより容易にピ
ンカバー１０を離脱させることが出来る。
以上に説明せるごとく、本発明のＰＧＡ型プラプラスチ
ックッケージ半導体装置とその製造方法の適用により、
高集積度の多端子半導体パッケージを従来のプラスチッ
ク・モールド技術を利用して低コストで製作可能となり
、信頼性の向上にも寄与する所大である。
ックッケージ半導体装置とその製造方法の適用により、
高集積度の多端子半導体パッケージを従来のプラスチッ
ク・モールド技術を利用して低コストで製作可能となり
、信頼性の向上にも寄与する所大である。
第１図ｆａｔ〜（Ｃ）は本発明にががゎるプラスチック
・パッケージの構造及び製造方法の説明図、第２図は従
来の技術を説明する構造断面図、を示す。 図面において、 ■はり−ドピン、 ２はガラス・エポキシ板、 ３は半導体チップ、 ４はポンディング・ワイヤ、 ５はエポキシ樹脂、 ６はキャップ、 ７は半田、 ８．９はモールド金型、 １０はピンカバー、 １１は穴、 １２はプラスチック・モールド、 をそれぞれ示す。 第 １ 図
・パッケージの構造及び製造方法の説明図、第２図は従
来の技術を説明する構造断面図、を示す。 図面において、 ■はり−ドピン、 ２はガラス・エポキシ板、 ３は半導体チップ、 ４はポンディング・ワイヤ、 ５はエポキシ樹脂、 ６はキャップ、 ７は半田、 ８．９はモールド金型、 １０はピンカバー、 １１は穴、 １２はプラスチック・モールド、 をそれぞれ示す。 第 １ 図
Claims (2)
- （１）、リードピン（１）を植設せるガラス・エポキシ
板（２）上には、該リードピンとを結ぶワイヤボンディ
ングされた半導体チップ（３）が搭載され、前記リード
ピンの各ピンの突出部を除き、全面をプラスチック・モ
ールド（１２）に埋込まれたことを特徴とするプラスチ
ック・パッケージ半導体装置。 - （２）、リードピン（１）を植設せるガラス・エポキシ
板（２）上に半導体チップ（３）を搭載して、該リード
ピンの各ピンとを結ぶワイヤボンディングする工程と、
該リードピンの前記樹脂板より突出せる領域に半田（７
）ディップする工程と、 前記リードピンの突出せる領域を挿嵌可能とせるピンカ
バー（１０）を嵌装する工程と、 全面にプラスチック・モールド（１２）を行った後、前
記ピンカバーを除去する工程よりなることを特徴とする
プラスチック・パッケージ半導体装置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28413685A JPS62141745A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28413685A JPS62141745A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置とその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62141745A true JPS62141745A (ja) | 1987-06-25 |
Family
ID=17674629
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28413685A Pending JPS62141745A (ja) | 1985-12-16 | 1985-12-16 | プラスチツク・パツケ−ジ半導体装置とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62141745A (ja) |
-
1985
- 1985-12-16 JP JP28413685A patent/JPS62141745A/ja active Pending
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