JPS62140506A - 高速型ｃｍｏｓ圧電発振器 - Google Patents
高速型ｃｍｏｓ圧電発振器Info
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- JPS62140506A JPS62140506A JP28165485A JP28165485A JPS62140506A JP S62140506 A JPS62140506 A JP S62140506A JP 28165485 A JP28165485 A JP 28165485A JP 28165485 A JP28165485 A JP 28165485A JP S62140506 A JPS62140506 A JP S62140506A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（発明の利用分野）
本発明は、ＣＭＯＳインバータ集積回路（以下、ＣＭＯ
Ｓ集積回路とする。）を使用したオーバＩ・−ン用のＣ
ＭＯ３圧電発振器を利用分野とし、特に、高速型ＣＭＯ
３集積回路の入出力間に挿入される抵抗を低抵抗値にし
て基本波の発振を抑圧したオーバトーン用の高速型ＣＭ
Ｏ３圧電発振器に関する。
Ｓ集積回路とする。）を使用したオーバＩ・−ン用のＣ
ＭＯ３圧電発振器を利用分野とし、特に、高速型ＣＭＯ
３集積回路の入出力間に挿入される抵抗を低抵抗値にし
て基本波の発振を抑圧したオーバトーン用の高速型ＣＭ
Ｏ３圧電発振器に関する。
（発明の背景）
一般に、ｐｎｐ型とｎｐｎ型のトランジスタを組み合わ
せて相補型とし、低電力で駆動するようにしたＣ Ｍ
ＯＳ ％、積回路が知られている。このＣＭＯ３集積回
路は、動作周波数を略２０ＭＨｚ以下として使用され、
例えば水晶振動子を発振子として、小型で消費電力が少
ない０Ｍ０３発振器を構成する。そして、この０Ｍ０３
発振器は、例えば電子腕時計等のデジタル制御機器の基
準時間源として有用されてきた。しかし、近年では、Ｃ
ＭＯ３集積回路の高速化が進み、動作周波数を２０ＭＨ
２以上とした高速型ＣＭＯ３集積回路が開発され、この
高速型ＣＭＯ３集積回路を利用した高周波数の水晶発振
器が模索されている。
せて相補型とし、低電力で駆動するようにしたＣ Ｍ
ＯＳ ％、積回路が知られている。このＣＭＯ３集積回
路は、動作周波数を略２０ＭＨｚ以下として使用され、
例えば水晶振動子を発振子として、小型で消費電力が少
ない０Ｍ０３発振器を構成する。そして、この０Ｍ０３
発振器は、例えば電子腕時計等のデジタル制御機器の基
準時間源として有用されてきた。しかし、近年では、Ｃ
ＭＯ３集積回路の高速化が進み、動作周波数を２０ＭＨ
２以上とした高速型ＣＭＯ３集積回路が開発され、この
高速型ＣＭＯ３集積回路を利用した高周波数の水晶発振
器が模索されている。
（従来技術）
第９図は、従来の０Ｍ０３発振器の一例を示す基本回路
図で、同図は水晶振動子を例えば４ＭＨｚの基本波で発
振させる場合の回路図である。
図で、同図は水晶振動子を例えば４ＭＨｚの基本波で発
振させる場合の回路図である。
即ち、この０Ｍ０８発振器は、動作周波数を２０ ＭＨ
２以下としたＣＭＯＳｇＡ積回路２０の入出力間にバイ
アス用の抵抗２１と水晶振動子２２を並列に接続し、こ
の水晶振動子の両端側にそれぞれコンデンサ２３．２４
を接続してアース電位に接地している。そして、抵抗２
１の値は消費電力の増加を抑えろため通常ＩＭΩから１
０ＭΩに設定され、コンデンサ２３．２４の値は略１０
〜２０ｐＦ Ｍ後に選定きれていた。
２以下としたＣＭＯＳｇＡ積回路２０の入出力間にバイ
アス用の抵抗２１と水晶振動子２２を並列に接続し、こ
の水晶振動子の両端側にそれぞれコンデンサ２３．２４
を接続してアース電位に接地している。そして、抵抗２
１の値は消費電力の増加を抑えろため通常ＩＭΩから１
０ＭΩに設定され、コンデンサ２３．２４の値は略１０
〜２０ｐＦ Ｍ後に選定きれていた。
（従来技術の問題点）
ところで、高速型０Ｍ０３発振器を使用して高周波数の
水晶発振器を製作する場合には、ＡＴカット型の水晶振
動子の基本波での動作周波数範囲は２〜２０ＭＨｚであ
るため、基本波のオーバトーン周波数を利用して２０Ｍ
Ｈｚ以上での発振周波数を得るようにしている。しかし
、実際には、上述したＣＭＯ５発振器の回路構成を高速
型ＣＭＯＳ発振器に単に適用して、即ち、抵抗２１の値
を１〜１０１＋４Ω、コンデンサ２３．２４の値を１０
〜２０ｐＦとしても、水晶振動子は基本波で発振してし
まう。このため、例えば第１０図の回路図に示したよう
に、出力側に同調コイル２５を設けてオーバトーン周波
数を出力することが一般に考えられる。しかし、実用上
でのコイルの使用は、低価格化、小型化、無￥Ａ整化を
阻害するので、極力同調コイルの使用を避けろ必要があ
った。
水晶発振器を製作する場合には、ＡＴカット型の水晶振
動子の基本波での動作周波数範囲は２〜２０ＭＨｚであ
るため、基本波のオーバトーン周波数を利用して２０Ｍ
Ｈｚ以上での発振周波数を得るようにしている。しかし
、実際には、上述したＣＭＯ５発振器の回路構成を高速
型ＣＭＯＳ発振器に単に適用して、即ち、抵抗２１の値
を１〜１０１＋４Ω、コンデンサ２３．２４の値を１０
〜２０ｐＦとしても、水晶振動子は基本波で発振してし
まう。このため、例えば第１０図の回路図に示したよう
に、出力側に同調コイル２５を設けてオーバトーン周波
数を出力することが一般に考えられる。しかし、実用上
でのコイルの使用は、低価格化、小型化、無￥Ａ整化を
阻害するので、極力同調コイルの使用を避けろ必要があ
った。
（発明の目的）
本発明は、圧電振動子の基本波を抑圧しオーバトーン周
波数にて発振するオーバトーン用の高速型ＣＭＯ３圧電
発振器を提供することを目的とする。
波数にて発振するオーバトーン用の高速型ＣＭＯ３圧電
発振器を提供することを目的とする。
（発明の特徴）
本発明は、ＣＭＯＳ集積回路の入出力間に１０にΩ息下
の抵抗を接続して、圧電振動子の基本波を抑圧しオーバ
ト−ン周波数にて発振させたことを特徴とする。
の抵抗を接続して、圧電振動子の基本波を抑圧しオーバ
ト−ン周波数にて発振させたことを特徴とする。
（発明の参考技術及び説明）
第８図は、本発明を達成するに参考になったトランジス
タ水晶発振器の回路図である。即ち、このトランジスタ
水晶発振器は、通称コルピッツ型と称される無調整発振
回路で、トランジスタ１５のベースのバイアス抵抗１６
．１７の値や、ペース・エミッタ間及びエミッタ・アー
ス間のコンデンサ１８．１９容量値を適当に設定するこ
とにより、オーバトーン周波数での安定な発振を可能と
している。そして、このトランジスタ水晶発振器にあっ
ては、コンデンサ１８．１９の値を一定にしてバイアス
抵抗値１６．１７を高くすると、発振周波数領域が低い
方向に移動することが知られている。そこで、本発明者
は、トランジスタ水晶発振器におけるバイアス抵抗値１
６．１７が発振条件に寄与していることに着目して０Ｍ
０３発振器に適用し、バイアス抵抗の値を小さくして発
振周波数領域を高周波数発振領域に移動させ、水晶振動
子の基本波領域での発振を抑圧してオーバトーン周波数
での発振をせしめたものである。
タ水晶発振器の回路図である。即ち、このトランジスタ
水晶発振器は、通称コルピッツ型と称される無調整発振
回路で、トランジスタ１５のベースのバイアス抵抗１６
．１７の値や、ペース・エミッタ間及びエミッタ・アー
ス間のコンデンサ１８．１９容量値を適当に設定するこ
とにより、オーバトーン周波数での安定な発振を可能と
している。そして、このトランジスタ水晶発振器にあっ
ては、コンデンサ１８．１９の値を一定にしてバイアス
抵抗値１６．１７を高くすると、発振周波数領域が低い
方向に移動することが知られている。そこで、本発明者
は、トランジスタ水晶発振器におけるバイアス抵抗値１
６．１７が発振条件に寄与していることに着目して０Ｍ
０３発振器に適用し、バイアス抵抗の値を小さくして発
振周波数領域を高周波数発振領域に移動させ、水晶振動
子の基本波領域での発振を抑圧してオーバトーン周波数
での発振をせしめたものである。
（発明の実施例）
以下、本発明の実施例を実験データを参照して説明する
。
。
第１図は、本発明におけろ高速型ＣＭ ＯＳ発振器の回
路図である。尚、高速型のＣＭＯ３集積回路１として（
ま例又は日本プレシジョンサーキッッ（株）！！！のイ
ンパーク２に１．２ＭΩの内部抵抗３ｒ！接続した型名
ＳＭ５６０３が使用されている。即ち、この高速型０Ｍ
０３発振器の回路構成は、前述した０Ｍ０８発振器と形
式的には略同様で、ＣＭＯ３ｌｉ積回路１の入出力間に
バイアス用の抵抗４と三次オーバトーンで励振される水
晶振動子５とを並列に接続し、水晶振動子５の両端子側
にコンデンサ６．７を接続してアース電位に接地してい
る。
路図である。尚、高速型のＣＭＯ３集積回路１として（
ま例又は日本プレシジョンサーキッッ（株）！！！のイ
ンパーク２に１．２ＭΩの内部抵抗３ｒ！接続した型名
ＳＭ５６０３が使用されている。即ち、この高速型０Ｍ
０３発振器の回路構成は、前述した０Ｍ０８発振器と形
式的には略同様で、ＣＭＯ３ｌｉ積回路１の入出力間に
バイアス用の抵抗４と三次オーバトーンで励振される水
晶振動子５とを並列に接続し、水晶振動子５の両端子側
にコンデンサ６．７を接続してアース電位に接地してい
る。
第２図（ａ）は、横軸をバイアス用の抵抗４の抵抗値（
ＫΩ）、縦軸を発振周波数（ＭＨｚ）とした抵抗発振領
域図で、コンデンサ６．７の容土値を一定にし、抵抗４
の抵抗値を１〜８にΩの範囲で可変して発振周波数が異
なる複数個の水晶振動子を三次オーバトーン周波数にて
発振させたとき、発振が安定になるときの発振領域を示
す図である。尚、第２図（ａ）中、曲線イ、口、ハはコ
ンデンサ６．７の値をそれぞれ８．１５．２７ｐＦの一
定値としたときの抵抗発振領域図である。
ＫΩ）、縦軸を発振周波数（ＭＨｚ）とした抵抗発振領
域図で、コンデンサ６．７の容土値を一定にし、抵抗４
の抵抗値を１〜８にΩの範囲で可変して発振周波数が異
なる複数個の水晶振動子を三次オーバトーン周波数にて
発振させたとき、発振が安定になるときの発振領域を示
す図である。尚、第２図（ａ）中、曲線イ、口、ハはコ
ンデンサ６．７の値をそれぞれ８．１５．２７ｐＦの一
定値としたときの抵抗発振領域図である。
即ち、各抵抗発振領域図から明らかなように、コンデン
サ６．７を８ｐＦの一定値として抵抗４を可変したとき
には、抵抗値を１．６にΩとしたとき７０ＭＨｚの発振
が安定し始め、発振安定ｖＡ見を３．３にΩで４４〜７
０ ＭＨｚ、 ４ 、７ ＫΩで４０〜６６ＭＩＴｚと
し、６．８にΩ以上で発振安定領域が無くなる。以下同
様に、コンデンサ６．７を１５ｐＦの一定値としたとき
には、発振安定領域を抵抗値がＩＫΩで４４〜７０ Ｍ
Ｈｚ、 １ 、８ ＫΩで３８〜７０ＭＨｚ、２．７に
Ωで３４〜５４ＭＨ＋、３．９にΩで３２〜４４Ｍ［（
ｚ、５，６にΩで３２〜３７ＭＨｚとし、６．８にΩ近
傍で発振安定領域が無くなる。そして、コンデンサ６．
７を２７ｐＦとしたときには、発振安定領域をＩＫΩで
３４〜６０ ＭＨｚ、 １ 、５ ＫΩで２８〜５３
ＭＨｚ、 ２．２にΩで２４〜４４Ｍ［（ｚ、３，３に
Ωで２１〜３６ＭＨｚ、４，７にΩで１７〜２７ ＭＨ
ｚ、 ６ 、８にΩで１５〜２２ＭＨｚとしている。従
って、この抵抗発振領域図から、抵抗４の値を小さくす
る程高い周波数を発振領域とし、２０ Ｍ Ｈｚ以上の
三次オーバトーン周波数にて発振させるためには、コン
デンサの容量を一定にして抵抗値を略７にΩ以下にして
やればよいことが理解される。
サ６．７を８ｐＦの一定値として抵抗４を可変したとき
には、抵抗値を１．６にΩとしたとき７０ＭＨｚの発振
が安定し始め、発振安定ｖＡ見を３．３にΩで４４〜７
０ ＭＨｚ、 ４ 、７ ＫΩで４０〜６６ＭＩＴｚと
し、６．８にΩ以上で発振安定領域が無くなる。以下同
様に、コンデンサ６．７を１５ｐＦの一定値としたとき
には、発振安定領域を抵抗値がＩＫΩで４４〜７０ Ｍ
Ｈｚ、 １ 、８ ＫΩで３８〜７０ＭＨｚ、２．７に
Ωで３４〜５４ＭＨ＋、３．９にΩで３２〜４４Ｍ［（
ｚ、５，６にΩで３２〜３７ＭＨｚとし、６．８にΩ近
傍で発振安定領域が無くなる。そして、コンデンサ６．
７を２７ｐＦとしたときには、発振安定領域をＩＫΩで
３４〜６０ ＭＨｚ、 １ 、５ ＫΩで２８〜５３
ＭＨｚ、 ２．２にΩで２４〜４４Ｍ［（ｚ、３，３に
Ωで２１〜３６ＭＨｚ、４，７にΩで１７〜２７ ＭＨ
ｚ、 ６ 、８にΩで１５〜２２ＭＨｚとしている。従
って、この抵抗発振領域図から、抵抗４の値を小さくす
る程高い周波数を発振領域とし、２０ Ｍ Ｈｚ以上の
三次オーバトーン周波数にて発振させるためには、コン
デンサの容量を一定にして抵抗値を略７にΩ以下にして
やればよいことが理解される。
第２図（ｂ）は、横軸をコンデンサ６．７の容量値（ｐ
Ｆ）、縦軸を発振周波数（ＭＨｚ）とした容量発振領域
図で、同図中、曲線二、ボ、へは抵抗４の抵抗値を６８
０Ω、１，８にΩ、４．７にΩの一定値にして、コンデ
ンサ４．５の容量値を８〜６２ｐＦに変化させたときの
安定な発振領域： を示す図である。
Ｆ）、縦軸を発振周波数（ＭＨｚ）とした容量発振領域
図で、同図中、曲線二、ボ、へは抵抗４の抵抗値を６８
０Ω、１，８にΩ、４．７にΩの一定値にして、コンデ
ンサ４．５の容量値を８〜６２ｐＦに変化させたときの
安定な発振領域： を示す図である。
即ち、この容量発振領域図では、抵抗値を６８０Ωの一
定値にしたときには、容量値が１５ｐＦで発振が安定し
、発振安定領域を２２９Ｆで４゛８〜６３ＭＨｚ、 ３
３ ｐ Ｆで３３〜４６ ＭＨｚ、 ４７ ｐＦで２５
〜３６ Ｍ［ｈ、 ６２ ｐ Ｆで２１〜３０ ＭＨｚ
の範囲としている。以下、同様に、抵抗値を１゜８にΩ
の一定値としたときには、発振安定領域を１０ｐＦで５
２〜７０．１８ｐＦで３５〜５７ＭＨｚ、２４ｐＦで２
９〜４９ＭＨ２，３３ｐＦで２３〜３９ ＭＨｚ、 ４
７ ｐ Ｆで１８〜３１ＭＨｚの範囲とし、抵抗値を４
．７にΩの一定値としたときには、発振安定領域を８
ｐ Ｆ ’ｔ’ ３７〜７０ ＭＨｚ、１゜ｐＦで３４
〜５４ ＭＨｚとし、１５ｐＦで３２〜４０ＭＨｚとし
て２０９Ｆ近傍で発振安定領域が無くなる。従って、こ
の容量発振領域図から、抵抗４の抵抗値を一定にしてコ
ンデンサ６．７の容量値を小さくすれば発振領域は高い
方に変化し、２０ＭＨｚ以上の三次オーバトーン周波数
で発振させるためには、例えば抵抗値を６８０！Ｑ以下
の小さい値にしても、容量値を５０ｐＦ以上の大きな値
にすればよく、特に容量値の制限を受けないことを示し
ている。
定値にしたときには、容量値が１５ｐＦで発振が安定し
、発振安定領域を２２９Ｆで４゛８〜６３ＭＨｚ、 ３
３ ｐ Ｆで３３〜４６ ＭＨｚ、 ４７ ｐＦで２５
〜３６ Ｍ［ｈ、 ６２ ｐ Ｆで２１〜３０ ＭＨｚ
の範囲としている。以下、同様に、抵抗値を１゜８にΩ
の一定値としたときには、発振安定領域を１０ｐＦで５
２〜７０．１８ｐＦで３５〜５７ＭＨｚ、２４ｐＦで２
９〜４９ＭＨ２，３３ｐＦで２３〜３９ ＭＨｚ、 ４
７ ｐ Ｆで１８〜３１ＭＨｚの範囲とし、抵抗値を４
．７にΩの一定値としたときには、発振安定領域を８
ｐ Ｆ ’ｔ’ ３７〜７０ ＭＨｚ、１゜ｐＦで３４
〜５４ ＭＨｚとし、１５ｐＦで３２〜４０ＭＨｚとし
て２０９Ｆ近傍で発振安定領域が無くなる。従って、こ
の容量発振領域図から、抵抗４の抵抗値を一定にしてコ
ンデンサ６．７の容量値を小さくすれば発振領域は高い
方に変化し、２０ＭＨｚ以上の三次オーバトーン周波数
で発振させるためには、例えば抵抗値を６８０！Ｑ以下
の小さい値にしても、容量値を５０ｐＦ以上の大きな値
にすればよく、特に容量値の制限を受けないことを示し
ている。
以上のことから、本実施例の高速型ＣＭ ＯＳ発振器に
あっては、抵抗４の抵抗値を７にΩ以下とし、コンデン
サ６．７の容量値を適宜選定することにより、同調コイ
ルを使用することなく水晶振動子の基本波を抑圧し三次
オーバトーン周波数にて安定な発振をせしめることがで
きる。
あっては、抵抗４の抵抗値を７にΩ以下とし、コンデン
サ６．７の容量値を適宜選定することにより、同調コイ
ルを使用することなく水晶振動子の基本波を抑圧し三次
オーバトーン周波数にて安定な発振をせしめることがで
きる。
（他の実施例）
第３図は、本発明の他の実施例を示す回路図である。即
ち、この高速型０Ｍ０３発振器は、高速型のＣＭＯ３集
積回路８としてインバータ９からなる東芝（株）製の型
名ＴＣ７４ＨＣＵＯ４Ｐを使用し、前記実施例同様にＣ
ＭＯ３ｆｉ積回路８の入出力間にバイアス用の抵抗４と
三次オーバトーン用の水晶振動子５を並列に接続してい
る。
ち、この高速型０Ｍ０３発振器は、高速型のＣＭＯ３集
積回路８としてインバータ９からなる東芝（株）製の型
名ＴＣ７４ＨＣＵＯ４Ｐを使用し、前記実施例同様にＣ
ＭＯ３ｆｉ積回路８の入出力間にバイアス用の抵抗４と
三次オーバトーン用の水晶振動子５を並列に接続してい
る。
第４図は、この高速型０Ｍ０８発振器の抵抗発振領域図
で、コンデンサの容量値を１５ｐＦの一定値として、抵
抗値を１〜ＩＩＫΩの範囲で変化させたときの安定な発
振領域を示した図である。
で、コンデンサの容量値を１５ｐＦの一定値として、抵
抗値を１〜ＩＩＫΩの範囲で変化させたときの安定な発
振領域を示した図である。
即ち、この抵抗発振領域図では、抵抗値がＩＫΩで発振
安定領域を４０〜６６ Ｍ Ｈｚとし、以下同様に、３
．３にΩで２４〜４０ＭＨｚ、１０にΩで１５〜２４
Ｍ Ｈｚの範囲としている。
安定領域を４０〜６６ Ｍ Ｈｚとし、以下同様に、３
．３にΩで２４〜４０ＭＨｚ、１０にΩで１５〜２４
Ｍ Ｈｚの範囲としている。
従って、この抵抗発振領域図から理解されろように、本
実施例の高速型０Ｍ０３発振器では、抵抗値を１０ＫΩ
以下にして容量値を適宜選定することにより、水晶振動
子の基本波を抑圧し三次オーバトーン周波数にて発振さ
せることができる。
実施例の高速型０Ｍ０３発振器では、抵抗値を１０ＫΩ
以下にして容量値を適宜選定することにより、水晶振動
子の基本波を抑圧し三次オーバトーン周波数にて発振さ
せることができる。
尚、本実施例では、容量発振領域図を省略したが、第１
の実施例と同様に容量値が小さくなる程発振領域が高い
方へ移行することは言うまでもない。
の実施例と同様に容量値が小さくなる程発振領域が高い
方へ移行することは言うまでもない。
（他の実施例）
第５図、第６図、第７図は本発明の実用上に適した使用
例を示す高速型０Ｍ０３発振器の回路図である。
例を示す高速型０Ｍ０３発振器の回路図である。
即ち、□第５図の実施例では、ＣＭＯＳ集積回路１０の
後段に緩衝増幅用のＣＭＯ３ｇＳ積回路１１を接続し、
第６図の実施例では、はＣＭＯ３ｆｉ積回路１０のバイ
アス用の抵抗４との間に、第７図の実施例ではけバイア
ス用の抵抗４と水晶振動子５との間に約１００の抵抗１
２を押入し、高速型０Ｍ０３発振器の電源電圧の変動に
よる発振周波数の変化を低減したものである。
後段に緩衝増幅用のＣＭＯ３ｇＳ積回路１１を接続し、
第６図の実施例では、はＣＭＯ３ｆｉ積回路１０のバイ
アス用の抵抗４との間に、第７図の実施例ではけバイア
ス用の抵抗４と水晶振動子５との間に約１００の抵抗１
２を押入し、高速型０Ｍ０３発振器の電源電圧の変動に
よる発振周波数の変化を低減したものである。
（他の事項）
尚、上記実施例では、発振周波数を水晶振動子の三次オ
ーバトーン周波数として説明したが、伊えば単結晶から
なる他の圧電振動子の三次オーバトーン以上でも２０
Ｍ Ｈｚ以上であれば、使用オーバトーン息下の周波数
を抑圧して発振せしめることを期待できる。
ーバトーン周波数として説明したが、伊えば単結晶から
なる他の圧電振動子の三次オーバトーン以上でも２０
Ｍ Ｈｚ以上であれば、使用オーバトーン息下の周波数
を抑圧して発振せしめることを期待できる。
また、本発明では高速型のＣＭＯ３集積回路を使用した
発振器を高速型０Ｍ０５発振器としたが、高速型ＣＭＯ
３集積回路とは、ＬＳＴＴＬと比較しこれと同等以上の
速度をもったＣ Ｍ ＯＳ集積回路を指し、実施例にて
使用した型名ＴＣ７４ＨＣＵＯ４Ｐ及び３Ｍ５６０３に
限定されることはない。
発振器を高速型０Ｍ０５発振器としたが、高速型ＣＭＯ
３集積回路とは、ＬＳＴＴＬと比較しこれと同等以上の
速度をもったＣ Ｍ ＯＳ集積回路を指し、実施例にて
使用した型名ＴＣ７４ＨＣＵＯ４Ｐ及び３Ｍ５６０３に
限定されることはない。
（発明の効果）
本発明は、高速型のＣＭＯ３集積回路の入出力間に１０
ＫΩ以下の抵抗を接続した回路構成としたので、圧電振
動子の基本波を抑圧しオーバト−ン周波数にて発振する
オーバトーン用ＣＭＯ３圧電発振器を提供できる。
ＫΩ以下の抵抗を接続した回路構成としたので、圧電振
動子の基本波を抑圧しオーバト−ン周波数にて発振する
オーバトーン用ＣＭＯ３圧電発振器を提供できる。
第１図は、本発明の高速型ＣＭ ＯＳ発振器の回路図、
第２図（ａ）は同発振器の抵抗発振領域図、同図（ｂ）
は同容量発振領域図である。 第３図は、本発明の他の実施例を示す高速型０Ｍ０３発
振器の回路図、第４図は同発振器の抵抗発振領域図であ
る。 第５図、第６図、第７図は、本発明の実用上に適した高
速型０Ｍ０３発振器の回路図である。 第８図は、本発明の参考となったトランジスタ水晶発振
器の回路図である。 第９図は、従来の０Ｍ０３発振器の回路図、第１０図は
従来のオーバトーン用の０Ｍ０３発振器の回路図である
。 第１閃 第５ｆｆ 第２図 （Ｑ） 夷２図（ｂ） 第４ｐ
第２図（ａ）は同発振器の抵抗発振領域図、同図（ｂ）
は同容量発振領域図である。 第３図は、本発明の他の実施例を示す高速型０Ｍ０３発
振器の回路図、第４図は同発振器の抵抗発振領域図であ
る。 第５図、第６図、第７図は、本発明の実用上に適した高
速型０Ｍ０３発振器の回路図である。 第８図は、本発明の参考となったトランジスタ水晶発振
器の回路図である。 第９図は、従来の０Ｍ０３発振器の回路図、第１０図は
従来のオーバトーン用の０Ｍ０３発振器の回路図である
。 第１閃 第５ｆｆ 第２図 （Ｑ） 夷２図（ｂ） 第４ｐ
Claims (1)
- ＣＭＯＳインバータ集積回路の入出力間に抵抗と水晶振
動子とを並列に接続した圧電発振器において、前記抵抗
を１０ＫΩ以下として前記水晶振動子をオーバトーン周
波数にて発振させたことを特徴とするオーバトーン用の
高速型ＣＭＯＳ圧電発振器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28165485A JPS62140506A (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 高速型ｃｍｏｓ圧電発振器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28165485A JPS62140506A (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 高速型ｃｍｏｓ圧電発振器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62140506A true JPS62140506A (ja) | 1987-06-24 |
| JPH0558281B2 JPH0558281B2 (ja) | 1993-08-26 |
Family
ID=17642113
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28165485A Granted JPS62140506A (ja) | 1985-12-14 | 1985-12-14 | 高速型ｃｍｏｓ圧電発振器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62140506A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54123861A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | Crystal oscillation circuit for electronic watch |
| JPS6111379Y2 (ja) * | 1980-03-31 | 1986-04-10 |
-
1985
- 1985-12-14 JP JP28165485A patent/JPS62140506A/ja active Granted
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS54123861A (en) * | 1978-03-17 | 1979-09-26 | Citizen Watch Co Ltd | Crystal oscillation circuit for electronic watch |
| JPS6111379Y2 (ja) * | 1980-03-31 | 1986-04-10 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0558281B2 (ja) | 1993-08-26 |
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