JPS62133860A - 画像読取装置 - Google Patents
画像読取装置Info
- Publication number
- JPS62133860A JPS62133860A JP60273635A JP27363585A JPS62133860A JP S62133860 A JPS62133860 A JP S62133860A JP 60273635 A JP60273635 A JP 60273635A JP 27363585 A JP27363585 A JP 27363585A JP S62133860 A JPS62133860 A JP S62133860A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〈産業上の利用分野〉
本発明は、ファクシミリ、スキャナ等の電気機器におけ
る原稿に記された書画情報の入力装置に用いられる画像
読取装置に関するものである。
る原稿に記された書画情報の入力装置に用いられる画像
読取装置に関するものである。
〈従来の技術〉
従来のファクシミリ、スキャナ等における原稿の書画情
報の入力装置には、ＣＣＤ型センサやＭＯ３型センサ、
が主に用いられていたが、これらのセンサは、ＩＣ技術
を用いて作製するので数値以上の長さのものを作るのは
困難である。従って、これらのセンサを用いて原稿の書
画情報を読み取る場合には、光学レンズを用いて書画情
報の像をセンサ上に縮小結像させた後に読み取る必要が
あり、このようないわゆる縮小型イメージセンサにおい
ては、縮小結像させるためのレンズの光路長が必要であ
り、装置の小型軽量化を計れない欠点がある。また、レ
ンズの収差等の影響を受けるためにシェーブイブ補正が
必要となる問題もある。
報の入力装置には、ＣＣＤ型センサやＭＯ３型センサ、
が主に用いられていたが、これらのセンサは、ＩＣ技術
を用いて作製するので数値以上の長さのものを作るのは
困難である。従って、これらのセンサを用いて原稿の書
画情報を読み取る場合には、光学レンズを用いて書画情
報の像をセンサ上に縮小結像させた後に読み取る必要が
あり、このようないわゆる縮小型イメージセンサにおい
ては、縮小結像させるためのレンズの光路長が必要であ
り、装置の小型軽量化を計れない欠点がある。また、レ
ンズの収差等の影響を受けるためにシェーブイブ補正が
必要となる問題もある。
そこで、前述のいわゆる縮小型イメージセンサの問題点
を解消するものとして密着型イメージセンサが案出され
ている。この密着型イメージセンサは、複数個の受光素
子が原稿と同程度幅にアレー状に配された一次元のイメ
ージセンサで、原稿の書画情報をファイバーオプテック
レンズを通して投影結像させるものである。この装置で
はファイバーオプテックレンズの光路長が２０〜８０１
重と非常に短い為、装置の小型化を容易に達成できると
共にレンズの収差を全く考慮する必要がない。
を解消するものとして密着型イメージセンサが案出され
ている。この密着型イメージセンサは、複数個の受光素
子が原稿と同程度幅にアレー状に配された一次元のイメ
ージセンサで、原稿の書画情報をファイバーオプテック
レンズを通して投影結像させるものである。この装置で
はファイバーオプテックレンズの光路長が２０〜８０１
重と非常に短い為、装置の小型化を容易に達成できると
共にレンズの収差を全く考慮する必要がない。
〈発明が解決しようとする問題点〉
ところで、前述の密着型イメージセンサは、一般にａ
Ｓ ｂ ＋ Ｃｄ Ｓ ＋ Ｃｄ Ｓ ｘ Ｓ
ｅ １ ｘ 。
Ｓ ｂ ＋ Ｃｄ Ｓ ＋ Ｃｄ Ｓ ｘ Ｓ
ｅ １ ｘ 。
ＣｄＳｅ等の光電変換膜を用いて形成されるのであるが
、ａ−８Ｌ膜はＣｄ５Ｓｅ系膜に比し材料コストが高く
つき、叉、Ｃｄ５Ｓｅ系膜は光応答速度が遅い欠点があ
る。このＣｄ５Ｓｅ系膜において光応答速度を速くする
にはＳｅ（セレン）の含有比を増大すればよいが、この
Ｓｅの含有比が大きくなると、第４図にａで示す曲線の
ように、光電変換膜から出力される明電流の温度変化に
対する出力レベルの変化が大きくなり、正確な読み取り
が行なえない問題がある。
、ａ−８Ｌ膜はＣｄ５Ｓｅ系膜に比し材料コストが高く
つき、叉、Ｃｄ５Ｓｅ系膜は光応答速度が遅い欠点があ
る。このＣｄ５Ｓｅ系膜において光応答速度を速くする
にはＳｅ（セレン）の含有比を増大すればよいが、この
Ｓｅの含有比が大きくなると、第４図にａで示す曲線の
ように、光電変換膜から出力される明電流の温度変化に
対する出力レベルの変化が大きくなり、正確な読み取り
が行なえない問題がある。
〈発明の目的〉
本発明は、このような問題点に鑑みなされたもので、安
価で且つ光応答速度が速く、しかも明電流の出力レベル
が温度変化に対し常に一定な画像読取装置を提供するこ
とを目的とするものである。
価で且つ光応答速度が速く、しかも明電流の出力レベル
が温度変化に対し常に一定な画像読取装置を提供するこ
とを目的とするものである。
く問題点を解決する為の手段〉
本発明の画像読取装置は、前記目的を達成するために、
読み取るべき原稿に光源から光を照射してその反射光を
受光する複数個の受光素子が原稿と同程度幅にアレイ状
に配された密着型の一次元イメージセンサで光電変換す
る画像読取装置において、前記光源への供給電流の増減
により光量を可変する光量可変回路と、この光量可変回
路を駆動制御して前記一次元イメージセンサの出力レベ
ルが一定となるように前記光源の光量を可変させる光量
制御回路とを備えた構成としたことを要旨とするもので
ある。
読み取るべき原稿に光源から光を照射してその反射光を
受光する複数個の受光素子が原稿と同程度幅にアレイ状
に配された密着型の一次元イメージセンサで光電変換す
る画像読取装置において、前記光源への供給電流の増減
により光量を可変する光量可変回路と、この光量可変回
路を駆動制御して前記一次元イメージセンサの出力レベ
ルが一定となるように前記光源の光量を可変させる光量
制御回路とを備えた構成としたことを要旨とするもので
ある。
く作用〉
前記構成としたことにより、一次元イメージセンサを、
例えば安価で高速読み取りが可能なＣｄＳｅ膜を用いた
光電変換膜により構成した場合、温度変化によって明電
流の出力レベルが変化するが、この出力レベルの変化に
対応して光電制御回路が光量可変回路を制御し、それに
より光量可変回路から光源への供給電流が増減制御され
、光源の光量が可変されて一次元イメージセンサの明電
流の出力レベルが一定になるよう補正される。
例えば安価で高速読み取りが可能なＣｄＳｅ膜を用いた
光電変換膜により構成した場合、温度変化によって明電
流の出力レベルが変化するが、この出力レベルの変化に
対応して光電制御回路が光量可変回路を制御し、それに
より光量可変回路から光源への供給電流が増減制御され
、光源の光量が可変されて一次元イメージセンサの明電
流の出力レベルが一定になるよう補正される。
〈実施例〉
以下、本発明の一実施例を図面に基づいて詳細に説明す
る。
る。
第１図および第２図において、一次元イメージセンサ１
は、読み取るべき原稿２よりも僅かに長いガラス基板等
の絶縁性基板ｌａ上に、ＣｄＳｅを用いた光電変換膜１
ｂが短手方向の中央部において長手方向に沿って形成さ
れた構成になっていて、第１図にＡで示す部分が原稿２
と略同−長さの原稿読取部１ａで、Ｂで示す部分が参照
信号読取部１ｂとなっている。前記光電変換膜１ｂによ
って複数個の受光素子がアレイ状に配して形成されてお
り、この作製に際しては、スクリーン印刷により絶縁性
基板ｌａ上にＣｄＳｅを塗布した後に熱処理を施して活
性化させる手順で行なわれる。
は、読み取るべき原稿２よりも僅かに長いガラス基板等
の絶縁性基板ｌａ上に、ＣｄＳｅを用いた光電変換膜１
ｂが短手方向の中央部において長手方向に沿って形成さ
れた構成になっていて、第１図にＡで示す部分が原稿２
と略同−長さの原稿読取部１ａで、Ｂで示す部分が参照
信号読取部１ｂとなっている。前記光電変換膜１ｂによ
って複数個の受光素子がアレイ状に配して形成されてお
り、この作製に際しては、スクリーン印刷により絶縁性
基板ｌａ上にＣｄＳｅを塗布した後に熱処理を施して活
性化させる手順で行なわれる。
ＣｄＳｅ膜による光電変換膜１ｂは、適当なドーパント
を用いてアクセプタレベルを作ったこととこの膜ｌｂ自
体の移動度が大きいこととにより、高速読み取り可能な
ものになっている。この一次元イメージセンサ１と原稿
載置台３との間に、一次元イメージセンサ１と略同−長
さのアレイ状のファイバオプテソクレンズ４が光電変換
膜１ｂに対向して設けられているとともに、一次元イメ
ージセンサ１と略同−長さの光源５がファイバオプテソ
クレンズ４に対応して配置されている。叉、一次元イメ
ージセンサ１の参照信号読取部ＩＢの下方位置の原稿載
置台３には白紙原稿６が常に載置されている。
を用いてアクセプタレベルを作ったこととこの膜ｌｂ自
体の移動度が大きいこととにより、高速読み取り可能な
ものになっている。この一次元イメージセンサ１と原稿
載置台３との間に、一次元イメージセンサ１と略同−長
さのアレイ状のファイバオプテソクレンズ４が光電変換
膜１ｂに対向して設けられているとともに、一次元イメ
ージセンサ１と略同−長さの光源５がファイバオプテソ
クレンズ４に対応して配置されている。叉、一次元イメ
ージセンサ１の参照信号読取部ＩＢの下方位置の原稿載
置台３には白紙原稿６が常に載置されている。
叉、第３図に示すように、一次元イメージセンサｌの参
照信号読取部ＩＢは基準信号発生部７とともに比較回路
からなる光量制御回路８の各入力端子に接続されている
とともに、光量制御回路８の制御信号は、光源４への供
給電流を制御する光量可変回路９に対し出力される。
照信号読取部ＩＢは基準信号発生部７とともに比較回路
からなる光量制御回路８の各入力端子に接続されている
とともに、光量制御回路８の制御信号は、光源４への供
給電流を制御する光量可変回路９に対し出力される。
次に、前記実施例装置の作用について説明すると、光源
５により原稿２を照射し、原稿２の書画情報に応じた反
射光がファイバオプテックレンズ４を通して光電変換膜
１の原稿読取部ｌＡに結像され、書画情報に応じた電気
信号に光電変換される。
５により原稿２を照射し、原稿２の書画情報に応じた反
射光がファイバオプテックレンズ４を通して光電変換膜
１の原稿読取部ｌＡに結像され、書画情報に応じた電気
信号に光電変換される。
一方、白紙原稿６からの反射光が光電変換膜１の参照信
号読取部ＩＢに入射し、この読取部ＩＢからは、光源５
の光量に対応する参照信号が出力される。この参照信号
が光量制御回路８において基準信号発生部７からの基準
信号と比較され、その差に応じた制御信号が出力されて
光量可変回路９が制御され、光量可変回路９から光源５
への供給電流が増減されて光量が調整させ、光量制御回
路８の制御信号が零となるよう光量が可変制御され、参
照信号の信号レベルが常に基準信号と同一になるよう制
御される。ここで、参照信号読取部ＩＢは原稿読取部Ｉ
Ａと同一の光電変換膜１ｂであるから、参照信号の信号
レベルを一定に調整することで、原稿２の書画情報を読
み取って出力される明電流の信号レベルも常に一定に補
正される。
号読取部ＩＢに入射し、この読取部ＩＢからは、光源５
の光量に対応する参照信号が出力される。この参照信号
が光量制御回路８において基準信号発生部７からの基準
信号と比較され、その差に応じた制御信号が出力されて
光量可変回路９が制御され、光量可変回路９から光源５
への供給電流が増減されて光量が調整させ、光量制御回
路８の制御信号が零となるよう光量が可変制御され、参
照信号の信号レベルが常に基準信号と同一になるよう制
御される。ここで、参照信号読取部ＩＢは原稿読取部Ｉ
Ａと同一の光電変換膜１ｂであるから、参照信号の信号
レベルを一定に調整することで、原稿２の書画情報を読
み取って出力される明電流の信号レベルも常に一定に補
正される。
次に、光電変換膜１ｂの出力信号レベルの変動について
説明すると、光電変換膜１ｂはＣｄＳｅ膜により形成し
ていて高速読み取りが可能である反面、移動度の温度依
存性とアクセプタレベルが室温付近で活性になることと
により、第４図にａで示す曲線のように、温度変化に対
して明電流の出力レベルの変化が大きく、−２０°Ｃ〜
６０°Ｃの範囲で明電流は１桁近く変化する。そこで、
前記明電流の変化を参照信号により検出し、光量制御回
路８の制御信号により光量可変回路９からの光源５への
供給電流を増減させ、光源５の光量を同図にｂで示す曲
線のように調整し、結果として原稿読取部ＩＡからの明
電流を、同図Ｃで示す曲線で示すように温度変化に対し
常に同一信号レベルに保持する。これによって２ｍ ｓ
ｅ ｃ以下の光応答速度での読み取りが可能となる。
説明すると、光電変換膜１ｂはＣｄＳｅ膜により形成し
ていて高速読み取りが可能である反面、移動度の温度依
存性とアクセプタレベルが室温付近で活性になることと
により、第４図にａで示す曲線のように、温度変化に対
して明電流の出力レベルの変化が大きく、−２０°Ｃ〜
６０°Ｃの範囲で明電流は１桁近く変化する。そこで、
前記明電流の変化を参照信号により検出し、光量制御回
路８の制御信号により光量可変回路９からの光源５への
供給電流を増減させ、光源５の光量を同図にｂで示す曲
線のように調整し、結果として原稿読取部ＩＡからの明
電流を、同図Ｃで示す曲線で示すように温度変化に対し
常に同一信号レベルに保持する。これによって２ｍ ｓ
ｅ ｃ以下の光応答速度での読み取りが可能となる。
又、この実施例では、参照信号読取部ＩＢを原稿読取部
ＩＡと同一の膜で検出しているので、明電流の信号レベ
ルの変化を正確に検出することができる。又、回路によ
り明電流の信号レベルの補正を行なった場合には自ずか
ら限界があるが、実施例のように光量の可変による場合
には光源５の使用範囲内において制御可能となる。
ＩＡと同一の膜で検出しているので、明電流の信号レベ
ルの変化を正確に検出することができる。又、回路によ
り明電流の信号レベルの補正を行なった場合には自ずか
ら限界があるが、実施例のように光量の可変による場合
には光源５の使用範囲内において制御可能となる。
尚、前記実施例では、温度変化による明電流の信号レベ
ルの補正について説明したが、経年劣化等による明電流
の信号レベルの変化に対する補正にも同様に対処できる
のは勿論である。叉、光電変換膜１ｂとしては実施例で
述べたＣｄＳｅ膜以外の膜を用いてもよいのは言うまで
もない。
ルの補正について説明したが、経年劣化等による明電流
の信号レベルの変化に対する補正にも同様に対処できる
のは勿論である。叉、光電変換膜１ｂとしては実施例で
述べたＣｄＳｅ膜以外の膜を用いてもよいのは言うまで
もない。
〈発明の効果〉
以上説明したように本発明の画像読取装置によると、高
速読み取りが可能で安価な光電変換膜を有する密着型の
一次元イメージセンサを用いた場合にも、この光電変換
膜の欠点である温度変化や経年劣化による信号レベルの
変化に対し補正して常に一定レベルに保持する構成とし
たので、正確に読み取ることができ、安価で光応答速度
が速く、しかも外部条件に拘らず常に正確に読み取りで
きる画像読取装置を提供できるものである。
速読み取りが可能で安価な光電変換膜を有する密着型の
一次元イメージセンサを用いた場合にも、この光電変換
膜の欠点である温度変化や経年劣化による信号レベルの
変化に対し補正して常に一定レベルに保持する構成とし
たので、正確に読み取ることができ、安価で光応答速度
が速く、しかも外部条件に拘らず常に正確に読み取りで
きる画像読取装置を提供できるものである。
第１図乃至第３図は本発明の画像読取装置の一実施例を
示し、第１図は読み取り部の斜視図、第２図は第１図の
Ｃ−Ｃ線断面図、第３図は光源光量の可変制御部のブロ
ック構成図、第４図は温度変化に対する一次元イメージ
センサの明電流の信号レベルの変化、この信号レベルに
対する光源光量の可変制御、この光量の可変制御による
一次元イメージセンサの明電流の信号レベルをそれぞれ
示す温度と明電流および光量との関係図である。 １・・−一次元イメージセンサ １ｂ−光電変換膜
示し、第１図は読み取り部の斜視図、第２図は第１図の
Ｃ−Ｃ線断面図、第３図は光源光量の可変制御部のブロ
ック構成図、第４図は温度変化に対する一次元イメージ
センサの明電流の信号レベルの変化、この信号レベルに
対する光源光量の可変制御、この光量の可変制御による
一次元イメージセンサの明電流の信号レベルをそれぞれ
示す温度と明電流および光量との関係図である。 １・・−一次元イメージセンサ １ｂ−光電変換膜
Claims (2)
- （１）読み取るべき原稿に光源から光を照射してその反
射光を受光する複数個の受光素子が原稿と同程度幅にア
レイ状に配された密着型の一次元イメージセンサで光電
変換する画像読取装置において、前記光源への供給電流
の増減により光量を可変する光量可変回路と、この光量
可変回路を駆動制御して前記一次元イメージセンサの出
力レベルが一定となるように前記光源の光量を可変させ
る光量制御回路とを備えて成ることを特徴とする画像読
取装置。 - （２）光量制御回路が、イメージセンサの一部から出力
される参照信号と基準信号とを比較してその差信号を出
力する比較回路であることを特徴とする特許請求の範囲
第１項記載の画像読取装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60273635A JPS62133860A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 画像読取装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60273635A JPS62133860A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 画像読取装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62133860A true JPS62133860A (ja) | 1987-06-17 |
Family
ID=17530444
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60273635A Pending JPS62133860A (ja) | 1985-12-05 | 1985-12-05 | 画像読取装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62133860A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314947A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-20 | Hitachi Ltd | 偏光分光光度計 |
| JP2011101114A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Sharp Corp | 画像読取装置及びそれを備えた画像形成装置 |
-
1985
- 1985-12-05 JP JP60273635A patent/JPS62133860A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01314947A (ja) * | 1988-06-16 | 1989-12-20 | Hitachi Ltd | 偏光分光光度計 |
| JP2011101114A (ja) * | 2009-11-04 | 2011-05-19 | Sharp Corp | 画像読取装置及びそれを備えた画像形成装置 |
| US8446648B2 (en) | 2009-11-04 | 2013-05-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image reading apparatus and image forming apparatus including the same |
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