JPS62133478A - Active matrix type display unit - Google Patents

Active matrix type display unit

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Publication number
JPS62133478A
JPS62133478A JP60274011A JP27401185A JPS62133478A JP S62133478 A JPS62133478 A JP S62133478A JP 60274011 A JP60274011 A JP 60274011A JP 27401185 A JP27401185 A JP 27401185A JP S62133478 A JPS62133478 A JP S62133478A
Authority
JP
Japan
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line
display
data bus
scan
active matrix
Prior art date
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Pending
Application number
JP60274011A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
沖 賢一
泰史 大川
善郎 小池
淳 井上
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Publication of JPS62133478A publication Critical patent/JPS62133478A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
(57) [Summary] This bulletin contains application data before electronic filing, so abstract data is not recorded.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概要〕 スキャンバスライン、データバスライン、表示電極、ス
イッチング素子などが、二枚のガラス基板上にパターン
形成されており、その間に表示媒体を保持する表示装置
において、スキャンバスラインとデータバスラインとを
別個のガラ、ス基板上に設けることより製造歩留りと駆
動面積率を向上した表示装置。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] In a display device in which scan canvas lines, data bus lines, display electrodes, switching elements, etc. are patterned on two glass substrates, and a display medium is held between them, A display device that improves manufacturing yield and drive area ratio by providing scan bus lines and data bus lines on separate glass substrates.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はデータ入力用のパスラインとラインアドレス用
のスキャンバスラインとを対向する二枚のガラス基板に
別々に設けた構造をとるアクティブマトリックス形表示
装置に関する。
The present invention relates to an active matrix display device having a structure in which path lines for data input and scan lines for line addresses are separately provided on two opposing glass substrates.

アクティブマトリックス形表示装置は単純マド。リック
ス形表示装置と共に情報処理装置の端末として使用され
ており、表示媒体としては液晶が使用されている。
The active matrix type display device is a simple matrix. It is used as a terminal of an information processing device together with a RX-type display device, and liquid crystal is used as the display medium.

ここで両者の特性を比較するとアクティブマトリックス
形は多数ある画素をそれぞれ独立に駆動させることがで
き、そのため表示容量の増大に伴ってライン数が増加し
ても単純マトリックスのように駆動のデユーティ比が低
下し、コントラストの低下や視野角の減少をきたすなど
の問題が生じない。
Comparing the characteristics of the two, the active matrix type can drive a large number of pixels independently, so even if the number of lines increases with the increase in display capacity, the driving duty ratio is lower than that of the simple matrix type. There are no problems such as a decrease in contrast or a decrease in viewing angle.

然し、各画素ごとにスイッチング素子を備えるためにコ
ストが高くなり易く、また総てのスイッチング素子が良
品でなければならぬことから製造歩留りに問題があり、
パネルの大きさがこの点から製材されると云う問題があ
る。
However, since a switching element is provided for each pixel, the cost tends to be high, and since all switching elements must be of good quality, there is a problem with manufacturing yield.
There is a problem with the size of the panels being sawn from this point.

本発明はか\るアクティブマトリックス形表示装置につ
いて製造歩留りを向上する回路構成に関するものである
The present invention relates to a circuit configuration for improving the manufacturing yield of such active matrix display devices.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第2図はアクティブマトリックス形表示装置を構成する
パネルについて従来の等価回路を示すもので、各画素1
ごとにスイッチング素子(薄膜トランジスタ以下略して
TPT) 2が設けられており、その一端は画素1を構
成する液晶素子3に回路接続されている。
Figure 2 shows a conventional equivalent circuit for a panel constituting an active matrix display device.
A switching element (thin film transistor, hereinafter abbreviated as TPT) 2 is provided for each, and one end of the switching element 2 is connected to a liquid crystal element 3 constituting the pixel 1 .

すなわち、スキャンバスライン4とデータバスライン5
とは直角に交叉するように同一基板上に形成されており
、スキャンバスライン4は各画素1のTNT 2のゲー
ト電極6に、またデータバスライン5は各TFT 2の
ドレイン電極7に回路接続されている。
That is, scan bus line 4 and data bus line 5
The scan line 4 is connected to the gate electrode 6 of the TNT 2 of each pixel 1, and the data bus line 5 is connected to the drain electrode 7 of each TFT 2. has been done.

またTI?T 2のソース電極8は液晶素子3の表示電
極に回路接続されており、表示電極に対向する透明電極
は共通に接続されて接地されている。
TI again? The source electrode 8 of T2 is circuit-connected to the display electrode of the liquid crystal element 3, and the transparent electrodes facing the display electrode are commonly connected and grounded.

か\る従来のパネルの駆動方法としてはパネルに多数設
けられているスキャンバスライン4をパルス幅が30〜
60μSeCの短いパルスで順次ラインアドレスを行っ
ている状態で、データバスライン5より信号パルスを加
え、アドレスパルスに同期した表示信号を各液晶セルに
印加することによって液晶表示が行われている。
The conventional method for driving a panel is to drive the scan canvas lines 4, which are provided in large numbers on the panel, with a pulse width of 30 to
A liquid crystal display is performed by applying a signal pulse from the data bus line 5 and applying a display signal synchronized with the address pulse to each liquid crystal cell while sequentially performing line addressing using short pulses of 60 μSeC.

すなわちTFT 2がONとなることにより液晶素子3
の表示電極と透明電極との間に充電が行われ、これによ
り生じた電位差により液晶素子3はON状態となり、T
FT 2がOFFになった後も、充電電荷がそのまま維
持されるために液晶素子3はON状態が続き、次に再び
ラインアドレスされてTFT 2がONになった際にリ
フレッシュが行われる。
That is, by turning on TFT 2, liquid crystal element 3
Charging is performed between the display electrode and the transparent electrode, and the resulting potential difference turns the liquid crystal element 3 into an ON state, and T
Even after the FT 2 is turned off, the liquid crystal element 3 continues to be in the ON state because the charged charge is maintained as it is, and refreshment is performed when the next line address is performed again and the TFT 2 is turned on.

このようにして液晶表示が行われているが、スキャンバ
スライン4とデータバスライン5は同一のガラス基板上
に形成されており、互いに交叉する構造となっているた
めに製造に当たってどちらかのパスラインに断線の発生
する確率が高く、また両者の間に短絡或いは絶縁不良が
起こり易く、更に表示電極面積の画素面積に対する比率
を表す駆動面積率が高くとれないことなどが問題となっ
ている。
Although a liquid crystal display is performed in this way, the scan canvas line 4 and the data bus line 5 are formed on the same glass substrate, and have a structure in which they intersect with each other. Problems include a high probability of line breakage, a high probability of short circuits or poor insulation between the lines, and an inability to maintain a high drive area ratio, which represents the ratio of the display electrode area to the pixel area.

〔発明が解決しようとする問題点〕[Problem that the invention seeks to solve]

以上記したように表示装置においてマトリックス状に形
成されているスキャンバスラインとデータバスラインが
同一のガラス基板上に形成されているためにどちらかの
パスラインに断線が発生する確率が高く、また交叉位置
で絶縁不良が発生し易く、更に二種類のパスラインがパ
ターン形成されているために駆動面積率が高くできない
ことが問題である。
As described above, since the scan canvas lines and data bus lines, which are formed in a matrix in a display device, are formed on the same glass substrate, there is a high probability that one of the pass lines will be disconnected. Another problem is that poor insulation is likely to occur at the crossing position, and furthermore, since two types of pass lines are patterned, the driving area ratio cannot be increased.

〔問題点を解決するための手段〕[Means for solving problems]

上記の問題は第1のガラス基板上にスキャンバスライン
と画素の表示電極に繋がるスイッチング素子と接地パス
ラインとがあり、ストライプ状の透明導電膜からなるデ
ータバスラインを備えた第2のガラス基板とにより表示
媒体が挟持される構造をとることを特徴とするアクティ
ブマトリックス形表示装置により解決することができる
The above problem is that the first glass substrate has a scan canvas line, a switching element connected to the display electrode of the pixel, and a ground path line, and the second glass substrate has a data bus line made of a striped transparent conductive film. This problem can be solved by an active matrix display device characterized by having a structure in which the display medium is sandwiched between the two.

〔作用〕[Effect]

本発明は画素を構成するTFT 2と液晶素子3の配列
を変えることにより、スキャンバスライン4とデータバ
スライン5とを別々の基板上にパターン形成するように
したものである。
In the present invention, scan canvas lines 4 and data bus lines 5 are patterned on separate substrates by changing the arrangement of TFTs 2 and liquid crystal elements 3 constituting pixels.

すなわち、本発明は第1図に等価回路を、また第3図に
斜視図を示すように、スキャンバスライン4が形成され
る第1のガラス基板上にTFT 2と液晶素子3の表示
電極lOを設けると共にTPT 2のソース電極8に繋
がる共通接地9を接地パスライン11として形成してい
る。
That is, as shown in FIG. 1 and a perspective view of the equivalent circuit and FIG. A common ground 9 connected to the source electrode 8 of the TPT 2 is formed as a ground pass line 11.

また、対向する第2のガラス基板にはストライプ状の透
明電極12をパターン形成し、データバスライン5に回
路接続する構成をとる。
Further, a stripe-shaped transparent electrode 12 is patterned on the opposing second glass substrate, and a circuit is connected to the data bus line 5.

このようにするとスキャンバスライン4とデータバスラ
イン5とは別のガラス基板上に形成されるので絶縁不良
や短絡のような不良発生は無くなり、また駆動面積率を
向上させることができ、更にそれぞれのパスラインにつ
いて断線検査を行い断線のない基板だけを組み合わせる
ことにより製造歩留りを向上させることができる。
In this way, the scan canvas line 4 and the data bus line 5 are formed on separate glass substrates, which eliminates defects such as poor insulation and short circuits, and improves the driving area ratio. The manufacturing yield can be improved by inspecting the path lines for disconnection and combining only the substrates with no disconnections.

一方、本発明に係るパネルにおいては接地パスライン1
1を設ける必要があり、この際に場合によっては接地パ
スライン11とスキャンバスライン4との交叉が生じる
On the other hand, in the panel according to the present invention, the ground path line 1
1, and in this case, the ground path line 11 and the scan canvas line 4 may intersect depending on the case.

第4図はかかる場合の接地パスライン11を模式的に示
すもので、共通端子13から取ら出される構成をとる。
FIG. 4 schematically shows the ground path line 11 in such a case, and has a configuration in which it is taken out from the common terminal 13.

ここで接地パスライン11は各画素1を形成するTPT
 2のゲート電極6に回路接続するスキャンバスライン
4と交叉するが、この交叉個所は従来構造においてスキ
ャンバスライン4とデータバスライン5の交叉数と較べ
ると蟲かに少なく、また板金短絡あるいは絶縁不良が発
生してもその個所の接地パスライン11を不良個所の前
後で切断し、隔離することにより修復することができる
Here, the ground path line 11 is a TPT that forms each pixel 1.
However, compared to the number of intersections between the scan canvas line 4 and the data bus line 5 in the conventional structure, the number of intersections is extremely small, and the number of intersections is very small compared to the number of intersections between the scan canvas line 4 and the data bus line 5 in the conventional structure. Even if a defect occurs, it can be repaired by cutting the ground path line 11 at that location before and after the defective location and isolating it.

また接地パスライン11とスキャンバスライン4とを交
叉することなく形成するには第5図に示すようにスキャ
ンバスライン4を迂回して蛇行状に形成すればよい。
Further, in order to form the ground pass line 11 and the scan canvas line 4 without crossing each other, it is sufficient to form them in a meandering shape, bypassing the scan canvas line 4, as shown in FIG.

更に付は加えれば、スイッチング素子を形成する基板と
してシリコンウェハ等の半導体基板を用いる場合には基
板自体を接地用電極として用いることができるため接地
パスライン11を設ける必要はない。
Furthermore, if a semiconductor substrate such as a silicon wafer is used as a substrate for forming a switching element, the substrate itself can be used as a grounding electrode, so there is no need to provide the grounding pass line 11.

次に第7図は本発明に係る駆動回路の波形図であって、
第1図の等価回路に対応している。
Next, FIG. 7 is a waveform diagram of the drive circuit according to the present invention,
This corresponds to the equivalent circuit shown in FIG.

すなわち共通接地9を繋ぐ接地パスライン11の電位は
0■に保たれており、一方データパスライン5にはアド
レスのタイミングで+Vaと−Vaのデータ電圧Vda
taが極性を交互に変えて印加される。
That is, the potential of the ground path line 11 connecting the common ground 9 is kept at 0■, while the data voltage Vda of +Va and -Va is applied to the data path line 5 at the address timing.
ta is applied with alternating polarity.

またスキャンバスラインには負のデータ時にもOFF状
態が保たれるように非アドレス時にはVg−の負電圧に
保たれ、アドレス時にはVg+が印加される。
Further, the scan canvas line is maintained at a negative voltage of Vg- during non-addressing so that it remains OFF even during negative data, and Vg+ is applied during addressing.

ここで電圧V padは表示電極10に掛かる電圧を示
すもので、アドレス時にはON状態のTFT 2を通っ
て充放電が行われてOvに戻るが、スキャンバスライン
4の電位がVg−となりTPT 2がOFF状態となっ
た後、データバスライン5の電位が+VaからOに変化
し、これと共に液晶素子3の容量を介してデータバスラ
イン5と結合しているVpadはOvから−Vaに変化
し、次のアドレス時までこのまま維持され、次のアドレ
ス時に+Vaに変化する。
Here, the voltage V pad indicates the voltage applied to the display electrode 10, and at the time of address, charging and discharging is performed through the TFT 2 in the ON state and returns to Ov, but the potential of the scan canvas line 4 becomes Vg- and the TPT 2 After turning off, the potential of the data bus line 5 changes from +Va to O, and at the same time, Vpad, which is coupled to the data bus line 5 through the capacitance of the liquid crystal element 3, changes from Ov to -Va. , is maintained as it is until the next address, and changes to +Va at the next address.

一方、VLcは液晶素子3に掛かる電圧であってVda
ta −Vpadの値であり、同図(E)に示すように
+Va、−Vaと変化して液晶表示が行われる。
On the other hand, VLc is the voltage applied to the liquid crystal element 3, and Vda
ta is the value of -Vpad, and the liquid crystal display is performed by changing to +Va and -Va as shown in (E) of the figure.

〔実施例〕〔Example〕

本発明の従来の構成と異なるところは第3図と第4図に
示すようにデータバスライン5が透明電極12と共に第
2のガラス基板上に設けられること\、スキャンバスラ
イン4. TPT 2および表示電極10が設けられて
いる第1のガラス基板上に新たに接地パスライン11を
設ける点である。
The difference from the conventional structure of the present invention is that the data bus line 5 is provided on the second glass substrate together with the transparent electrode 12, as shown in FIGS. 3 and 4, and the scan bus line 4. The point is that a ground pass line 11 is newly provided on the first glass substrate on which the TPT 2 and the display electrode 10 are provided.

それ故に大部分の工程は従来と違はない。Therefore, most of the processes are the same as before.

ただ、スキャンバスライン4と接地パスラインとの交叉
が新たに生ずる場合がある。
However, a new intersection between the scan canvas line 4 and the ground path line may occur.

そこで、交叉位置での絶縁法と絶縁不良あるいは短絡が
生じた場合の対策について実施例を示すと次のようにな
る。
The following is an example of an insulation method at the crossover position and measures to be taken in the event of insulation failure or short circuit.

第4図に示す画素1の大きさを200μm角にとり、そ
の間に幅20μmの接地パスライン11を這わせて共通
端子12より外部に取りだす。
The size of the pixel 1 shown in FIG. 4 is 200 .mu.m square, and a ground path line 11 with a width of 20 .mu.m is run between the pixels and taken out from the common terminal 12.

ここでスキャンバスライン4とは複数個所(この図の場
合は6個所)で交叉している。
Here, it intersects with the scan canvas line 4 at multiple locations (six locations in this figure).

この絶縁は第1のガラス基板上に形成されるTFT2の
形成と同時に行われる。
This insulation is performed simultaneously with the formation of the TFT 2 formed on the first glass substrate.

第8図はスキャンバスライン4と交叉する接地パスライ
ン11の形成法を示す断面図である。
FIG. 8 is a sectional view showing a method of forming the ground path line 11 that intersects the scan canvas line 4.

すなわちクローム(Cr)よりなるスキャンバスライン
4の上に化学気相成長法(CVD法)により窒化シリコ
ン(Si3Nm)層14を約3000人の厚さに形成し
て絶縁し、この上に同様にCVD法によりアモルファス
シリコン(略してa −5i)層15を約1000人の
厚さに形成した後、導体層としてn”a−5i層16と
11層17を形成し、これを写真食刻法によりパターン
形成して接地パスライン11がパターン形成される。
That is, on the scan canvas line 4 made of chromium (Cr), a silicon nitride (Si3Nm) layer 14 is formed to a thickness of about 3000 nm by chemical vapor deposition (CVD) for insulation, and on top of this, a layer 14 of silicon nitride (Si3Nm) is formed in the same manner. After forming an amorphous silicon (a-5i for short) layer 15 to a thickness of approximately 1,000 layers by CVD, an n''a-5i layer 16 and an 11 layer 17 are formed as conductor layers, and these are formed by photolithography. The ground pass line 11 is patterned by patterning.

次に第6図はスキャンバスライン4と接地パスライン1
1との交叉部で短絡或いは絶縁不良が生じた場合の対策
を示すもので、不良個所の前後の接地パスライン11を
破線で示すようにレーザカットなどの方法で切断すれば
よい。
Next, Figure 6 shows scan canvas line 4 and ground pass line 1.
This shows a countermeasure in case a short circuit or insulation failure occurs at the intersection with 1. The ground path line 11 before and after the defective point can be cut by a method such as laser cutting as shown by the broken line.

このようにして接地パスラインは梯子形に設けられてい
るため、ライン欠陥となることはなく、また近傍のTF
T 2の特性に影響を及ぼすこともない。
In this way, the ground path line is provided in a ladder shape, so there is no possibility of line defects, and
It also does not affect the properties of T2.

〔発明の効果〕〔Effect of the invention〕

本発明は従来のパネル構成においてはスキャンバスライ
ン4とデータバスライン5とが同一基板上に交叉して設
けられているために不良発生率が積の形で効き、そのた
め製造歩留りを低下させていたが、本発明の実施により
解消でき、またスキャンバスラインと接地パスラインと
の間に絶縁不良を生じても容易に回復させることができ
る。
The present invention solves the problem that in the conventional panel configuration, the scan canvas line 4 and the data bus line 5 are provided in an intersecting manner on the same substrate, so that the defect rate is multiplied and the manufacturing yield is reduced. However, this problem can be solved by implementing the present invention, and even if an insulation failure occurs between the scan canvas line and the ground path line, it can be easily recovered.

以上のことから本発明の実施により製造歩留りが大幅に
改良され、コスト低減が可能となる。
As described above, by carrying out the present invention, manufacturing yield can be significantly improved and costs can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明に係るパネルの等価回路、第2図は従来
のパネルの等価回路、 第3図は本発明を適用したパネルの斜視図、第4図は本
発明に係る接地パスラインを示す平面図、 第5図は本発明に係る別の接地パスラインを示す平面図
、 第6図は接地パスラインの不良部切り離しを説明する平
面図、 第7図(A)〜(E)は本発明に係る駆動回路の波形図
、 第8図はスキャンバスラインと交叉する接地パスライン
の形成法を示す断面図、 である。 図において、 lは画素、        2はTPT、3は液晶素子
、 4はスキャンバスライン、 5はデータバスライン、 6はゲート電極、     7はドレイン電極、8はソ
ース電極、    9は共通接地、lOは表示電極、 
    11は接地パスライン、12は透明電極、 である。
FIG. 1 is an equivalent circuit of a panel according to the present invention, FIG. 2 is an equivalent circuit of a conventional panel, FIG. 3 is a perspective view of a panel to which the present invention is applied, and FIG. 4 is a ground path line according to the present invention. FIG. 5 is a plan view showing another ground pass line according to the present invention; FIG. 6 is a plan view illustrating separation of a defective part of the ground pass line; FIGS. 7 (A) to (E) are FIG. 8 is a waveform diagram of the drive circuit according to the present invention. FIG. 8 is a sectional view showing a method of forming a ground path line that intersects with the scan canvas line. In the figure, l is a pixel, 2 is a TPT, 3 is a liquid crystal element, 4 is a scan canvas line, 5 is a data bus line, 6 is a gate electrode, 7 is a drain electrode, 8 is a source electrode, 9 is a common ground, and lO is a display electrode,
11 is a ground pass line, and 12 is a transparent electrode.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 複数のスキャンバスラインとデータバスラインとが直角
に交叉して区画される方形の領域に画素のスイッチング
素子と表示電極とがパターン形成されており、対向する
透明電極との間に表示媒体が挟持される構造をとる表示
装置において、第1のガラス基板上にスキャンバスライ
ンと画素の表示電極に繋がるスイッチング素子があり、
ストライプ状の透明導電膜からなるデータバスラインを
備えた第2のガラス基板とにより表示媒体が挟持される
構造をとることを特徴とするアクティブマトリックス形
表示装置。
Pixel switching elements and display electrodes are patterned in a rectangular area defined by a plurality of scan canvas lines and data bus lines intersecting at right angles, and a display medium is sandwiched between the opposing transparent electrodes. In a display device having a structure in which a switching element is connected to a scan canvas line and a display electrode of a pixel on a first glass substrate,
1. An active matrix display device characterized by having a structure in which a display medium is sandwiched between a second glass substrate having a data bus line made of a striped transparent conductive film.
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