JPH02135318A - Active matrix type display device - Google Patents

Active matrix type display device

Info

Publication number
JPH02135318A
JPH02135318A JP63290554A JP29055488A JPH02135318A JP H02135318 A JPH02135318 A JP H02135318A JP 63290554 A JP63290554 A JP 63290554A JP 29055488 A JP29055488 A JP 29055488A JP H02135318 A JPH02135318 A JP H02135318A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
display
bus line
scan
electrode
data bus
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP63290554A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Kenichi Oki
沖 賢一
Yasuhiro Nasu
安宏 那須
Yoshikazu Toyama
嘉一 遠山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujitsu Ltd filed Critical Fujitsu Ltd
Priority to JP63290554A priority Critical patent/JPH02135318A/en
Publication of JPH02135318A publication Critical patent/JPH02135318A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE:To make a large-capacity display and a high-definition display by providing scan bus lines or data bus lines a half as many as display rows or display columns. CONSTITUTION:A 1st switching element Tn which turns on when a positive scan voltage is applied and a display electrode En which is driven by it, and a 2nd switching element Tp which turns on when a negative scan voltage is applied and a display electrode Ep which is driven by it are connected to each intersection of a scan but line SB and a data bus line DB. Further, two display cells Lcn and Lcp provided at a bus line intersection part are driven alternately with positive and negative scan voltages which are applied on a time-division basis to the scan bus line SB. Therefore, the number of the data bus lines can be reduced to a half as large as that of the display columns. Further, the number of the scan bus lines is reduced to a half as large as that of the display rows. Consequently, the large-capacity display and high-definition display are realized.

Description

【発明の詳細な説明】 〔概 要〕 対向マトリクス方式のアクティブマトリクス型表示装置
に関し、 対向マトリクス型のアクティブマトリクスのバスライン
数を、画素の行数または列数より少なくすることを目的
とし、 表示媒体を挾んで対向する一対の絶縁基板を有し、その
一方の基板には表示セルを構成する共通電極を兼ねたデ
ータバスラインが複数本配列され、他方の基板には該デ
ータバスラインに直交する複数本のスキャンバスライン
と、そのバスラインのデータバスラインとの交点部にセ
ル駆動用のスイッチング素子を介して接続された前記表
示セルを構成する表示電極とが配設されたマトリクス型
表示措成において、前記各スキャンバスラインのデータ
バスラインと直交する交点部に、正の走査電圧が印加さ
れたとき導通する第1のスイッチング素子およびそれに
より駆動される前記表示電極と、負の走査電圧が印加さ
れたとき導通する第2のスイッチング素子およびそれに
より駆動される前記表示電極とを接続してなり、前記ス
キャンバスラインに時分割で印加する正および負の走査
電圧によって前記バスライン交点部に設けた2つの表示
セルを交互に駆動するようにした構成とする。
[Detailed Description of the Invention] [Summary] Regarding an active matrix type display device using a facing matrix method, an object of the present invention is to reduce the number of bus lines of the facing matrix type active matrix to be smaller than the number of rows or columns of pixels. It has a pair of insulating substrates that face each other with a medium in between, one of which has a plurality of data bus lines arranged thereon that also serve as common electrodes constituting display cells, and the other substrate which is orthogonal to the data bus lines. A matrix type display in which a plurality of scan canvas lines and display electrodes constituting the display cells are connected to the intersections of the scan bus lines and data bus lines via switching elements for driving the cells. In the configuration, a first switching element that becomes conductive when a positive scanning voltage is applied to an intersection of each of the scan canvas lines orthogonal to a data bus line, and a first switching element that is driven thereby, and a negative scanning A second switching element that becomes conductive when a voltage is applied and the display electrode driven by the second switching element are connected, and the intersection of the bus lines is controlled by positive and negative scanning voltages that are applied to the scan bus lines in a time-division manner. The structure is such that two display cells provided in the section are driven alternately.

〔産業上の利用分野〕[Industrial application field]

本発明はデータ入力用のバスラインとラインアドレス用
のスキャンバスラインとを、対向する一対のガラス基板
に別々に設けた、対向マトリクス方式のアクティブマト
リクス型表示装置に関する。
The present invention relates to an active matrix display device of a facing matrix type in which bus lines for data input and scan lines for line addresses are separately provided on a pair of opposing glass substrates.

この種のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、単純
マトリクス型液晶表示装置と共に、薄形の情報端末用表
示装置として使用されており、表示媒体としては液晶が
用いられている。
This type of active matrix type liquid crystal display device is used as a thin display device for information terminals, along with a simple matrix type liquid crystal display device, and liquid crystal is used as the display medium.

両者の特性を比較すると、ライン数の増加に伴い表示容
量が増大した場合、単純マトリクス型では駆動のデユー
ティ比が低下し、コントラストの低下や視野角の減少を
きたすが、アクティブマトリクス型では多数の画素をそ
れぞれ独立に駆動することができるので、このような問
題は生じないという利点がある。
Comparing the characteristics of the two, when the display capacity increases with the increase in the number of lines, the simple matrix type lowers the driving duty ratio, resulting in a decrease in contrast and viewing angle, but the active matrix type has a large number of Since each pixel can be driven independently, there is an advantage that such a problem does not occur.

一方、アクティブマトリクス型の構造の複雑さから生じ
る製造歩留りの低下やコストが高くなるといった問題に
対しては、スキャンバスラインとデータバスラインの交
叉を無くした対向7トリクス方式が開発されている。
On the other hand, in order to address the problems of reduced manufacturing yield and increased costs caused by the complexity of the active matrix type structure, an opposed 7-trix method has been developed that eliminates the intersection of scan bus lines and data bus lines.

本発明はかかる対向マトリクス方式アクティブマトリク
ス型液晶表示装置について、その駆動回路を筒車化しよ
うとするものである。
The present invention attempts to convert the driving circuit of such a facing matrix type active matrix liquid crystal display device into an hour wheel.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

第5図は特願昭60−274011号により提案された
従来の対向マトリクス方式アクティブマトリクス型液晶
表示装置を示し、(a)は等価回路図、(b)は分解斜
視図である。
FIG. 5 shows a conventional facing matrix type active matrix liquid crystal display device proposed in Japanese Patent Application No. 60-274011, in which (a) is an equivalent circuit diagram and (b) is an exploded perspective view.

同図(a)、 (b)に見られる如く、対向マトリクス
方式のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、第1の
ガラス基板1上に、液晶セルLCの表示電極Eとこれに
対応付けられそのソース電極を接続した薄膜トランジス
タ(TPT)2がマトリクス状に配列され、その各行に
対応して行方向配列のTFT群のゲート電極を共通接続
するスキャンバスラインSBが配設されている。このよ
うにして形成された片側の基板をTPT基板基板対して
いる。
As can be seen in FIGS. 12(a) and (b), the active matrix liquid crystal display device of the opposing matrix type has a display electrode E of a liquid crystal cell LC and its source on a first glass substrate 1. Thin film transistors (TPT) 2 with electrodes connected are arranged in a matrix, and a scan canvas line SB is provided corresponding to each row to commonly connect the gate electrodes of the TFTs arranged in the row direction. One side of the substrate formed in this manner is placed against a TPT substrate.

一方、これに対向して配置された第2のガラス基板1”
上には、上記表示電極Eに対向する共通電極を兼ねるデ
ータバスラインDBが、上記液晶セルLCの各列に対応
して配列されており、この基板を対向基板P゛と称して
いる。そして、このTPT基板基板対向基板P°との間
に液晶を挟持して、液晶表示パネルを構成する。
On the other hand, a second glass substrate 1'' placed opposite to this
On the top, data bus lines DB, which also serve as common electrodes facing the display electrodes E, are arranged corresponding to each column of the liquid crystal cells LC, and this substrate is referred to as a counter substrate P'. Then, a liquid crystal is sandwiched between the TPT substrate and the counter substrate P° to form a liquid crystal display panel.

また、第5図(b)のTsはスキャンバスラインSBの
端末電極、Tcは各TPTのドレイン電極を共通に接地
接続する接地バスライン(共通バスライン)の端末電極
である。
Further, Ts in FIG. 5(b) is a terminal electrode of the scan canvas line SB, and Tc is a terminal electrode of a ground bus line (common bus line) that commonly connects the drain electrodes of each TPT to ground.

上記スキャンバスラインSBとデータバスラインDBと
は直交配置となるように形成されるが、これらは対向配
置した第1および第2のガラス基板1.1“に別々に形
成されるので、汎用の従来パネルのようにTFTi板P
上で・それら両バスラインが交叉するおそれがなく、製
造歩留りが向上する。
The scan bus line SB and the data bus line DB are formed so as to be orthogonal to each other, but since they are formed separately on the first and second glass substrates 1.1" which are arranged opposite to each other, a general-purpose TFTi board P like the conventional panel
There is no risk that these two bus lines will cross each other, improving manufacturing yield.

〔発明が解決しようとする!![8) 対向マトリクス型ではこのように製造歩留り上の問題は
解決されるが、CRTのようなビームアドレス方式の表
示装置と異なり、マトリクス配列した画素群の各行およ
び列対窓に設けられた複数のスキャンバスラインSBお
よびデータバスラインDBの1本ごとに端末電極を配設
し、この多数の端末電極をそれぞれ外部駆動回路と接続
する必要がある。
[Invention tries to solve! ! [8] The facing matrix type solves the manufacturing yield problem in this way, but unlike a beam-addressed display device such as a CRT, multiple It is necessary to provide a terminal electrode for each scan bus line SB and data bus line DB, and to connect each of these many terminal electrodes to an external drive circuit.

端末電極は駆動回路より導出されたリード線との接続を
行うものであるため、その幅はバスラインの幅よりかな
り大きくせざるを得ない。また、駆動回路もバスライン
の数に応じて必要となる。
Since the terminal electrode is connected to a lead wire led out from the drive circuit, its width must be considerably larger than the width of the bus line. Furthermore, drive circuits are also required depending on the number of bus lines.

そのため、対向マトリクス型液晶表示装置の大容量化と
高精細化には限界があるとともに、非常にコスト高とな
る問題があった。
Therefore, there is a limit to increasing the capacity and high definition of the facing matrix type liquid crystal display device, and there is a problem that the cost becomes extremely high.

この問題は画素の行ごとにスキャンバスラインを、列ご
とにデータバスラインを必要とすることに起因する。
This problem arises from the fact that a scan bus line is required for each pixel row and a data bus line is required for each column.

そこで本発明は、上記従来の状況から、対向マトリクス
型のアクティブマトリクス表示’Jrllにおいてバス
ラインの数を、画素の行数または列数よりも少な(し、
もって、大容量化と低コスト化を実現可能とした、新し
いマトリクス表示装置を提供することを目的とする。
Therefore, in view of the above-mentioned conventional situation, the present invention aims to reduce the number of bus lines in the opposing matrix type active matrix display 'Jrll to a number smaller than the number of rows or columns of pixels.
Therefore, it is an object of the present invention to provide a new matrix display device that can realize large capacity and low cost.

〔課題を解決するための手段〕[Means to solve the problem]

本発明は表示媒体を挟んで対向する一対の絶縁基板を有
し、その一方の基板には表示セルを構成する共通電極を
兼ねたデータバスラインが複数本配列され、他方の基板
には該データバスラインに直交する複数本のスキャンバ
スラインと、そのバスラインのデータバスラインとの交
点部にセル駆動用のスイッチング素子を介して接続され
た前記表示セルを構成する表示電極とが配設されたマト
リクス型表示構成において、前記各スキャンバスライン
のデータバスラインと直交する交点部に、正の走査電圧
が印加されたとき導通する第1のスイッチング素子およ
びそれにより駆動される前記表示電極と、負の走査電圧
が印加されたとき導通する第2のスイッチング素子およ
びそ、れにより駆動される前記表示電極とを接続してな
り、前記スキャンバスラインに時分割で印加する正およ
び負の走査電圧によって前記バスライン交点部に設けた
2つの表示セルを交互に駆動するように構成した。
The present invention has a pair of insulating substrates facing each other with a display medium in between, one of which has a plurality of data bus lines arranged thereon that also serve as common electrodes constituting a display cell, and the other substrate with which the data is stored. A plurality of scan canvas lines orthogonal to the bus line and a display electrode constituting the display cell connected to the intersection of the bus line and the data bus line via a switching element for driving the cell are arranged. In the matrix type display configuration, a first switching element that becomes conductive when a positive scanning voltage is applied to an intersection of each of the scan canvas lines orthogonal to a data bus line, and the display electrode that is driven by the first switching element; A second switching element that becomes conductive when a negative scanning voltage is applied and the display electrode driven by the second switching element are connected, and positive and negative scanning voltages are applied to the scan canvas lines in a time-division manner. Accordingly, the two display cells provided at the intersection of the bus lines are alternately driven.

〔作 用〕[For production]

一つのスキャンバスラインSB上に印加した走査電圧が
正の時には、このスキャンバスラインに接続する第1の
スイッチング素子Tnがオンとなるので、この素子を介
して一つの表示セルLCnに表示データが入力され、次
いで上記走査電圧が負の電圧に変わると、これに接続す
る第2のスイッチング素子TPがオンとなり、この素子
を介してもう一つの表示セルLCpに表示データが入力
される。
When the scanning voltage applied to one scan canvas line SB is positive, the first switching element Tn connected to this scan canvas line is turned on, so display data is transmitted to one display cell LCn via this element. When the scanning voltage is input and then changed to a negative voltage, the second switching element TP connected thereto is turned on, and display data is input to another display cell LCp through this element.

従って、このような性質の異なる2つのスイッチング素
子Tn、Tpによりそれぞれ駆動される2つの表示電極
En、Epを当該同一スキャンバスラインSHの伸長方
向に隣接して並べて共通のデータバスラインDBに対向
させた表示装置においては、データバスライン数を表示
桁数の1/2に減らすことができる。
Therefore, the two display electrodes En and Ep driven by the two switching elements Tn and Tp with different properties are arranged adjacently in the extending direction of the same scan canvas line SH and face the common data bus line DB. In such a display device, the number of data bus lines can be reduced to 1/2 of the number of display digits.

また、前記2つの表示電極En、Epを同一のスキャン
バスラインSBの両側に並べて同一のデータバスライン
DBに対向させた表示装置においては、スキャンバスラ
イン数を表示行数の1/2に減らすことができる。
In addition, in a display device in which the two display electrodes En and Ep are arranged on both sides of the same scan canvas line SB and faced the same data bus line DB, the number of scan canvas lines is reduced to 1/2 of the number of display lines. be able to.

〔実 施 例〕〔Example〕

以下本発明の実施例を図面により説明する。 Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

第1図の各部の位置関係を模式的に示す配置図および第
2図の駆動波形図は、本発明の第1の実施例の説明図で
ある。
The layout diagram schematically showing the positional relationship of each part in FIG. 1 and the drive waveform diagram in FIG. 2 are explanatory diagrams of the first embodiment of the present invention.

本実施例は前述したように、各スキャバスラインSB+
  (1=1〜N)とデータバスラインD B J(J
=1−M)との各交点に当たる位置に、それぞれ2個の
画素を配設する。そのためTPT基板にはゲート電極(
制御電極)Gnに正の電圧を印加した時導通状態となる
第1の素子としてのN型トランジスタTnと、これのソ
ース電極Snが接続する表示電極Enからなる画素と、
ゲート電極cpに負の電圧を印加した時導通状態となる
第2の素子としてのP型トランジスタ′「pと、これの
ソースSpが接続する表示電極EPとからなる画素を、
上記スキャンバスラインSB、に沿って交互に複数配設
する。そして、それらトランジスタTnとTpの各ゲー
ト電極Gn、Gpを同一スキャンバスラインS B +
 に接続し、ドレイン電JIDn、Dpを、同一の共通
バスラインCBIに接続する。上記行方向に隣接する2
つの表示電極EnおよびEpに共通に対向するデータバ
スラインDB、が複数本配設されている。
As described above, in this embodiment, each scan bus line SB+
(1=1~N) and data bus line D B J (J
=1-M), two pixels are arranged at each intersection. Therefore, the gate electrode (
a pixel consisting of an N-type transistor Tn as a first element that becomes conductive when a positive voltage is applied to the control electrode) Gn, and a display electrode En connected to the source electrode Sn of the N-type transistor Tn;
A pixel consisting of a P-type transistor 'p as a second element that becomes conductive when a negative voltage is applied to the gate electrode cp and a display electrode EP connected to its source Sp is
A plurality of them are arranged alternately along the scan canvas line SB. The gate electrodes Gn and Gp of these transistors Tn and Tp are connected to the same scan line S B +
and connect the drain voltages JIDn and Dp to the same common bus line CBI. 2 adjacent in the above row direction
A plurality of data bus lines DB are arranged to commonly face the two display electrodes En and Ep.

上記N型およびP型トランジスタTn、Tpは、非晶質
シリコン(a−3i)あるいは多結晶シリコン(pol
y  St)を動作半導体層とし、そのソース・ドレイ
ン電極のコンタクト層を、P型トランジスタTpの場合
は、ボロン(B)等のP型の不純物をドープした半導体
層とし、N型トランジスタT、nの場合には、燐(P)
や砒素(八S)等のN型の不純物をドープしたN型半導
体層とした構成とする。
The N-type and P-type transistors Tn and Tp are made of amorphous silicon (a-3i) or polycrystalline silicon (pol).
In the case of a P-type transistor Tp, the contact layer of the source/drain electrode is a semiconductor layer doped with a P-type impurity such as boron (B), and in the case of an N-type transistor T, n In the case of phosphorus (P)
The structure is an N-type semiconductor layer doped with an N-type impurity such as or arsenic (8S).

このような構成を実現するには、レジスト膜などをマス
クとして、ソース・ドレイン部の半導体層にボロンある
いは砒素を別々にイオン注入することによって、両タイ
プのトランジスタを形成する。
To realize such a structure, both types of transistors are formed by separately implanting ions of boron or arsenic into the semiconductor layer of the source and drain portions using a resist film or the like as a mask.

次に上述の如く構成した本実施例の動作を、第2図(a
)〜(d)の駆動波形により説明する。
Next, the operation of this embodiment configured as described above is illustrated in FIG.
) to (d) will be explained using the drive waveforms.

なお、この動作は1行目のスキャンバスラインS B 
+ とJ列目のデータバスラインDBJに着目して説明
することとする。
Note that this operation is performed on the scan canvas line S B of the first line.
The following description will focus on the data bus line DBJ and the data bus line DBJ in the J-th column.

スキャンバスラインSB、にはまず+vA1次いで−v
Aの波高値をもつ正負のパルス状の走査信号V311が
加えられ〔第2図(a)参照〕、これに同期してデータ
バスラインDB、に、まず+■o。
Scan canvas line SB, first +vA1 then -v
A positive and negative pulse-like scanning signal V311 having a peak value of A is applied (see FIG. 2(a)), and in synchronization with this, first +■o is applied to the data bus line DB.

次いで−vDの波高値をもつ正負のパルス状のデータ電
圧V DATAが印加され、また各共通バスラインCB
 +に基準電圧(Ov)が印加される〔同図(b)参照
〕。
Next, a positive and negative pulsed data voltage VDATA having a peak value of -vD is applied, and each common bus line CB
A reference voltage (Ov) is applied to + (see (b) in the same figure).

正(VA ”)の走査信号■、3が加えられると表示電
極Enに接続されたN型トランジスタTnがオン状態と
なり、データバスラインD B J と表示電極Enで
構成される液晶セルLCnは、データバスラインDB、
の電圧+VDと、共通バスラインCB +の電圧(Ov
)との差の電圧に充電される〔同図(C)に示す液晶セ
ル電圧VLCM)。
When positive (VA'') scanning signals ■ and 3 are applied, the N-type transistor Tn connected to the display electrode En turns on, and the liquid crystal cell LCn composed of the data bus line DB J and the display electrode En becomes data bus line DB,
voltage +VD and common bus line CB + voltage (Ov
) [liquid crystal cell voltage VLCM shown in (C) of the same figure].

次いで、負(−VA)の走査信号V!lが加えられると
、表示型FiEpに接続されたP型トランジスタTpが
オン状態となり、データバスラインDBJと表示電極E
pで構成される液晶セルLCpが、データバスラインD
B、の電圧=VIlと共通バスラインCBlの電圧(0
■)との差の電圧に充電される〔同図(d)に示す液晶
セル電圧VLCP)。
Then, a negative (-VA) scanning signal V! When l is added, the P-type transistor Tp connected to the display type FiEp turns on, and the data bus line DBJ and the display electrode E
A liquid crystal cell LCp composed of data bus line D
B, voltage = VIl and common bus line CBl voltage (0
(2)) [liquid crystal cell voltage VLCP shown in (d) of the same figure].

上記液晶セルLCnとf、 Cpに書き込まれた電圧は
次の走査信号が印加されるまで、即ちlフレームの間保
持される。なお、液晶セルの駆動は同図(ロ)〜(d)
に見られるように、lフレームごとにデータ電圧の極性
を反転し、交流駆動を行うようになっている。
The voltages written in the liquid crystal cells LCn, f, and Cp are held until the next scanning signal is applied, that is, for one frame. The driving of the liquid crystal cell is shown in (b) to (d) in the same figure.
As shown in the figure, the polarity of the data voltage is reversed every frame to perform AC driving.

以上説明した如(第1実施例では、2画素分のデータ電
圧を時分割で供給し、それが1本のデータバスラインを
介して隣接する2つの画素列に印加されるように構成し
ている。従って、データバスライン数を表示桁数の半分
に減らすことができる。
As explained above (in the first embodiment, the data voltage for two pixels is supplied in a time-division manner and is applied to two adjacent pixel columns via one data bus line. Therefore, the number of data bus lines can be reduced to half the number of display digits.

なお、第1実施例は時分割で供給するデータ電圧の極性
を画素ごとに逆極性にした例を説明したが、これは同一
極性であってもよい、即ちあるフレーム内では、正負の
走査信号に対応してV IIATAはいずれも正とし、
次のフレームではV IIATAはいずれも負というよ
うにすることもできる。
In the first embodiment, an example was explained in which the polarity of the data voltage supplied in a time-division manner is reversed for each pixel, but the polarity may be the same, that is, within a certain frame, positive and negative scanning signals Correspondingly, V IIATA is both positive,
In the next frame, both VIIATAs can be negative.

また、同一スキャンバスラインを用いたアドレス期間は
同一極性にして、アドレスするスキャンバスラインが変
わるごとに極性を反転させることも可能である。
It is also possible to make the address period using the same scan canvas line the same polarity, and to reverse the polarity each time the scan canvas line to be addressed changes.

次に第2の実施例を第3図および第4図(a)〜(d)
により説明する。
Next, the second embodiment is shown in FIGS. 3 and 4 (a) to (d).
This is explained by:

この第2実施例は1本のスキャンバスラインSB、で列
方向に隣接する2つの画素を選択的に駆動可能とした例
である。その構成は、TPT基板においては、スキャン
バスラインSB、の上下両側に、N型とP型のトランジ
スタTn、Tpを1個づつ設けている。これらN型とP
型のトランジスタのソース電極Sn、Spはそれぞれ表
示電極En、Epに接続され、ドレイン電極Dn、Dp
は当該スキャンバスラインの両側に隣接するスキャンバ
スラインとの間に平行に設けた別々の共通バスラインC
BNIとCB r +に接続されている。この共通バス
ラインCB N lとCBP+は、それぞれ十V、、 
−V、のように極性が異なった電圧源に接続し、異なる
電位により制御することができる。
This second embodiment is an example in which two pixels adjacent in the column direction can be selectively driven by one scan canvas line SB. In the TPT substrate, one N-type transistor and one P-type transistor Tn and one P-type transistor Tp are provided on both sides of the scan canvas line SB. These N type and P type
Source electrodes Sn and Sp of the type transistor are connected to display electrodes En and Ep, respectively, and drain electrodes Dn and Dp are connected to display electrodes En and Ep, respectively.
is a separate common bus line C provided in parallel between the scan canvas line and adjacent scan canvas lines on both sides of the relevant scan canvas line.
Connected to BNI and CB r +. The common bus lines CB N l and CBP+ each have a voltage of 10 V.
It can be connected to voltage sources with different polarities, such as -V, and controlled by different potentials.

また、対向基板においては、上記列方向に交互に配列さ
れたN型及びP型のトランジスタTn。
Further, on the counter substrate, N-type and P-type transistors Tn are alternately arranged in the column direction.

Tp関連の表示電極En、Epと共通に対向するデータ
バスラインD B Jが、複数本配設されている。
A plurality of data bus lines DBJ are provided which commonly face the Tp-related display electrodes En and Ep.

この場合はスキャンバスラインSB、の両側に隣接して
配置されたN型とP型のトランジスタTn、Tpによっ
て駆動される二つの液晶セルLCn、LCpが、その1
本のスキャンバスラインSB、によって独立に走査でき
ることとなり、従ってスキャンバスラインの本数を表示
行数の半分に減らすことが出来る。
In this case, two liquid crystal cells LCn and LCp are driven by N-type and P-type transistors Tn and Tp arranged adjacently on both sides of the scan canvas line SB.
The book can be scanned independently using the scan canvas lines SB, and therefore the number of scan canvas lines can be reduced to half the number of display lines.

このように構成した第2実施例の動作を、第4図(a)
〜(d)の駆動波形により説明する。
The operation of the second embodiment configured in this way is shown in FIG. 4(a).
This will be explained using the drive waveforms in ~(d).

スキャンバスラインSB、には、前述の第1の実施例と
同様の正負のパルス状の走査信号VSaが印加され〔同
図(a)参照〕、これに同期してデータハスライフDB
J に+Vs+ +Vo 、 −Vm −V。
A positive and negative pulse-like scanning signal VSa similar to that of the first embodiment described above is applied to the scan line SB [see figure (a)], and in synchronization with this, the data hash life DB
J to +Vs+ +Vo, -Vm -V.

なる正負のパルス状データ電圧を印加し、また−方の共
通バスラインCB□に基準電圧(+v、)。
Positive and negative pulsed data voltages are applied, and a reference voltage (+v, ) is applied to the negative common bus line CB□.

他方の共通バスラインCBPIに基準電圧(−■I)を
それぞれ印加する〔同図(b)参照〕゛。
A reference voltage (-■I) is applied to the other common bus line CBPI (see FIG. 3(b)).

走査信号v!llが+vAの時にはN型トランジスタT
nがオン状態となり、表示電極Enとデータバスライン
DB、とで構成される液晶セルLCnは、データバスラ
インDB、の電圧+Vm+V。
Scanning signal v! When ll is +vA, the N-type transistor T
n is turned on, and the liquid crystal cell LCn composed of the display electrode En and the data bus line DB is at the voltage +Vm+V of the data bus line DB.

と共通バスラインCB Hlの電圧十■8との差の電圧
に充電される〔同図(C)の液晶セル電圧VLCN)。
and the voltage of the common bus line CB Hl (liquid crystal cell voltage VLCN in FIG. 3(C)).

走査信号V!IIが−vAの時にはP型トランジスタT
pがオン状態となり、表示電極Epとデータバスライン
DB、とで構成される液晶セルLCpは、データバスラ
インDB、の電圧−V、−V。
Scanning signal V! When II is -vA, the P-type transistor T
p is turned on, and the liquid crystal cell LCp constituted by the display electrode Ep and the data bus line DB has the voltages -V and -V of the data bus line DB.

と共通バスラインCB□の電圧=■、との差の電圧に充
電される(同図(d)の液晶セル電圧VLCF )。
and the voltage of the common bus line CB□=■ (liquid crystal cell voltage VLCF in FIG. 3(d)).

上記液晶セルLCnとLCpに書き込まれた電圧は次の
走査信号が印加されるまで、即ちlフレームの間保持さ
れること等は、前述の第1の実施例と同様である。
The voltages written in the liquid crystal cells LCn and LCp are held until the next scanning signal is applied, that is, for one frame, as in the first embodiment.

このようにして第2の実施例では、1本のスキャンバス
ラインで行方向に隣接する2つの画素を時分割的に順次
走査するので、スキャンバスライン数を表示行数の半分
とすることができる。
In this way, in the second embodiment, since two pixels adjacent in the row direction are sequentially scanned in a time-division manner using one scan canvas line, the number of scan canvas lines can be reduced to half the number of display lines. can.

更に、この第2実施例では、N型とP型のトランジスタ
Tn、Tpを、それぞれ別々の共通バスラインCB□と
CB□に接続して、それぞれ異なる基準電位を与えるよ
うにしているため、両方のタイプのトランジスタの動作
点をそれぞれの特性に合った動作点とすることができ、
駆動マージンなどの駆動特性の改善も可能となる。
Furthermore, in this second embodiment, the N-type and P-type transistors Tn and Tp are connected to separate common bus lines CB□ and CB□, respectively, so that different reference potentials are applied to both. The operating point of the type of transistor can be set to the operating point that matches the characteristics of each type,
It is also possible to improve drive characteristics such as drive margin.

以上2つの実施例につき、液晶表示装置を対象として説
明したが、本発明はこれに限らすEL表示装置などにも
適用可能である。
Although the above two embodiments have been described with reference to liquid crystal display devices, the present invention is not limited to this, but can also be applied to EL display devices and the like.

〔発明の効果゛〕[Effects of the invention]

以上説明した如く本発明によれば、対向マトリクス型表
示装置において、スキャンバスラインまたはデータバス
ラインの本数を、表示行数または表示桁数の半分にでき
るので、基板製造及び実装が容易になるとともに、大容
量表示および高精細表示が実現できるという、実用上存
益な効果が得られる。
As explained above, according to the present invention, in a facing matrix display device, the number of scan canvas lines or data bus lines can be reduced to half the number of display lines or display digits, which facilitates board manufacturing and mounting. , it is possible to achieve a large-capacity display and a high-definition display, which is a practically beneficial effect.

【図面の簡単な説明】[Brief explanation of drawings]

第1図は本発明の第1の実施例の構成説明図、第2図(
a)〜(d)は上記第1の実施例の駆動波形図、第3図
は本発明の第2の実施例の構成説明図、第4図(a)〜
(d)は上記第2の実施例の駆動波形図、第5図(a)
、(ロ)は従来の対向マトリクス型液晶表示装置の説明
図である。 図において、 1.1°は第1および第2の絶縁基板(ガラス基板)、 2はTPT。 SBおよびSB、はスキャンバスラインDBおよびDI
3.はデータバスラインCB、CB+ 、CBN+、お
よびCB P +は共通バスライン TnはN型トランジスタ TpはP型トランジスタ Gn、Gpは制御電極(ゲート電極) Sn、Spは一方の被制御電極(ソース電極)Dn、D
pは他方の被制御電極(ドレイン電極〕En、Epは表
示電極 LC,LC,および LCpは液晶セルを示す。 DBJう・−タバヌうイン ン4≦く3で巳eTQarうilごつ字こ内−杷イ々竜
3の4th弓)もも供−日rjLン〕第 1 図 ti2 ス 図 5帖、電極 −Mの交廿めマトソクスPL−f9j4表示にピ1−已
之υ目面第 5 図
FIG. 1 is an explanatory diagram of the configuration of the first embodiment of the present invention, and FIG. 2 (
a) to (d) are drive waveform diagrams of the first embodiment, FIG. 3 is a configuration explanatory diagram of the second embodiment of the present invention, and FIGS.
(d) is a drive waveform diagram of the second embodiment, and FIG. 5(a)
, (b) are explanatory diagrams of a conventional facing matrix type liquid crystal display device. In the figure, 1.1° indicates the first and second insulating substrates (glass substrates), and 2 indicates TPT. SB and SB are scan canvas lines DB and DI
3. are the data bus lines CB, CB+, CBN+, and CB ) Dn, D
p is the other controlled electrode (drain electrode) En, Ep is the display electrode LC, LC, and LCp is the liquid crystal cell. - Loquat Ichiryu 3's 4th bow) Momo Ku - Sun rjLn] 1st Figure ti2 Sc Figure 5 Chapter 5, Intersection of electrode-M Matsoksu PL-f9j4 display Pi 1-Whisino υ face No. 5 figure

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] (1)表示媒体を挟んで対向する一対の絶縁基板(1、
1′)を有し、その一方の基板には表示セルを構成する
共通電極を兼ねたデータバスライン(DB_J)が複数
本配列され、他方の基板には該データバスラインに直交
する複数本のスキャンバスライン(SB_I)と、その
バスラインのデータバスラインとの交点部にセル駆動用
のスイッチング素子を介して接続された前記表示セルを
構成する表示電極とが配設されたマトリクス型表示構成
において、 前記各スキャンバスライン(SB_I)のデータバスラ
イン(DB_J)と直交する交点部に、正の走査電圧が
印加されたとき導通する第1のスイッチング素子(Tn
)およびそれにより駆動される前記表示電極(En)と
、負の走査電圧が印加されたとき導通する第2のスイッ
チング素子(Tp)およびそれにより駆動される前記表
示電極(Ep)とを接続してなり、 前記スキャンバスライン(SB_I)に時分割で印加す
る正および負の走査電圧によって前記バスライン交点部
に設けた2つの表示セル(LCn、LCp)を交互に駆
動するようにした ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。
(1) A pair of insulating substrates (1,
1'), on one substrate there are arranged a plurality of data bus lines (DB_J) which also serve as common electrodes constituting display cells, and on the other substrate there are arranged a plurality of data bus lines (DB_J) which are orthogonal to the data bus lines. A matrix type display configuration in which a scan bus line (SB_I) and a display electrode constituting the display cell connected to the intersection of the scan bus line (SB_I) and the data bus line through a switching element for driving the cell are arranged. , a first switching element (Tn
) and the display electrode (En) driven thereby, and a second switching element (Tp) that becomes conductive when a negative scanning voltage is applied and the display electrode (Ep) driven thereby. Therefore, the two display cells (LCn, LCp) provided at the intersection of the bus lines are alternately driven by positive and negative scanning voltages applied to the scan bus line (SB_I) in a time-division manner. Features an active matrix type display device.
(2)前記第1のスイッチング素子(Tn)およびそれ
の一方の被制御電極に接続する表示電極(En)と、前
記第2のスイッチング素子(Tp)およびそれの一方の
被制御電極に接続する表示電極(Ep)とが、同一のス
キャンバスライン(SB_I)の伸長方向に隣接する関
係で配置されるとともに、それら両表示電極(En、E
p)を共通のデータバスライン(DB_J)に対向し、
且つそれら両スイッチング素子(Tn、Tp)の制御電
極を前記スキャンバスライン(SB_I)に共通に接続
するとともに、それの他方の被制御電極を前記スキャン
バスラインの隣に平行に配置された基準電位接続用の共
通バスライン(CB_I)に接続してなることを特徴と
する請求項1記載のアクティブマトリクス型表示装置。
(2) A display electrode (En) connected to the first switching element (Tn) and one controlled electrode thereof, and a display electrode (En) connected to the second switching element (Tp) and one controlled electrode thereof The display electrodes (Ep) are arranged adjacent to each other in the extending direction of the same scan canvas line (SB_I), and both display electrodes (En, E
p) facing a common data bus line (DB_J),
In addition, the control electrodes of both switching elements (Tn, Tp) are commonly connected to the scan canvas line (SB_I), and the other controlled electrode thereof is connected to a reference potential parallel to the scan canvas line. 2. The active matrix display device according to claim 1, wherein the active matrix display device is connected to a common bus line (CB_I) for connection.
(3)前記第1のスイッチング素子(Tn)およびそれ
の一方の被制御電極に接続する表示電極(En)と、前
記第2のスイッチング素子(Tp)およびそれの一方の
被制御電極に接続する表示電極(Ep)とが、同一のデ
ータバスライン(DB_J)の伸長方向に隣接する関係
で配置され、且つそれら両スイッチング素子(Tn、T
p)の制御電極を該データバスライン(DB_J)に対
しその両側から挟むような関係で共通に接続するととも
に、それぞれの他方の被制御電極を前記スキャンバスラ
イン(SB_I)の両側に隣接して平行に配置された別
々の基準電位接続用の共通バスライン(CB_N_I、
CB_P_J)に接続してなることを特徴とする請求項
1記載のアクティブマトリクス型表示装置。
(3) A display electrode (En) connected to the first switching element (Tn) and one controlled electrode thereof, and a display electrode (En) connected to the second switching element (Tp) and one controlled electrode thereof The display electrodes (Ep) are arranged adjacent to each other in the extending direction of the same data bus line (DB_J), and both switching elements (Tn, T
The control electrodes of p) are commonly connected to the data bus line (DB_J) in a sandwiching relationship from both sides thereof, and the other controlled electrodes are connected adjacently to both sides of the scan bus line (SB_I). A common bus line (CB_N_I,
2. The active matrix type display device according to claim 1, wherein the active matrix display device is connected to CB_P_J).
JP63290554A 1988-11-16 1988-11-16 Active matrix type display device Pending JPH02135318A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63290554A JPH02135318A (en) 1988-11-16 1988-11-16 Active matrix type display device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63290554A JPH02135318A (en) 1988-11-16 1988-11-16 Active matrix type display device

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH02135318A true JPH02135318A (en) 1990-05-24

Family

ID=17757533

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP63290554A Pending JPH02135318A (en) 1988-11-16 1988-11-16 Active matrix type display device

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH02135318A (en)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0536964A2 (en) * 1991-10-05 1993-04-14 Fujitsu Limited Active matrix-type display device having a reduced number of data bus lines
JPH08328043A (en) * 1995-02-01 1996-12-13 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
US6587161B1 (en) 1998-04-30 2003-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
WO2011122494A1 (en) * 2010-03-29 2011-10-06 シャープ株式会社 Liquid crystal display device, pixel circuit, and driving method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62133478A (en) * 1985-12-05 1987-06-16 富士通株式会社 Active matrix type display unit
JPS62218987A (en) * 1986-03-20 1987-09-26 富士通株式会社 Matrix panel

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS62133478A (en) * 1985-12-05 1987-06-16 富士通株式会社 Active matrix type display unit
JPS62218987A (en) * 1986-03-20 1987-09-26 富士通株式会社 Matrix panel

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0536964A2 (en) * 1991-10-05 1993-04-14 Fujitsu Limited Active matrix-type display device having a reduced number of data bus lines
US5408252A (en) * 1991-10-05 1995-04-18 Fujitsu Limited Active matrix-type display device having a reduced number of data bus lines and generating no shift voltage
EP0536964A3 (en) * 1991-10-05 1995-07-05 Fujitsu Ltd
JPH08328043A (en) * 1995-02-01 1996-12-13 Seiko Epson Corp Liquid crystal display device
US6587161B1 (en) 1998-04-30 2003-07-01 Sharp Kabushiki Kaisha Liquid crystal display device and method for producing the same
WO2011122494A1 (en) * 2010-03-29 2011-10-06 シャープ株式会社 Liquid crystal display device, pixel circuit, and driving method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US6011532A (en) High quality active matrix-type display device
US5193018A (en) Active matrix liquid crystal display system using complementary thin film transistors
CN100461255C (en) Display device and method of driving the same
JPH05196964A (en) Active matrix substrate and method for driving the same
WO2017088264A1 (en) Array substrate having low switching frequency of data line driving polarities
KR101733150B1 (en) Liquid crsytal display
WO2021227122A1 (en) Array substrate and display panel
US20040119672A1 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
KR960014824B1 (en) Active matrix liquid crystal display apparatus
US5546204A (en) TFT matrix liquid crystal device having data source lines and drain means of etched and doped single crystal silicon
US7116303B2 (en) Apparatus and method of driving liquid crystal display device
JP3054913B2 (en) Active matrix liquid crystal display
US6433765B1 (en) Liquid crystal display
JPH02135318A (en) Active matrix type display device
JPH01291216A (en) Active matrix type liquid crystal display device
JP3057587B2 (en) Active matrix display device
JP2516462B2 (en) Active matrix liquid crystal display device
JP2597034B2 (en) Active matrix display device and control method thereof
JPH0363623A (en) Driving method for liquid crystal display device
US7057592B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
JPH0527218A (en) Liquid crystal display device
WO2023225841A1 (en) Display panel, display apparatus, and virtual reality device
JP2976346B2 (en) Active matrix type liquid crystal display
JP2646588B2 (en) Active matrix array
JPS63172192A (en) Driving of active matrix type liquid crystal panel