JP2597034B2 - Active matrix display device and control method thereof - Google Patents
Active matrix display device and control method thereofInfo
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Description
対向マトリクス方式のアクティブマトリクス型表示装
置及びその制御方法に関し、 クロストークの発生を減少させて表示品質の向上を図
ることを目的とし、 対向する絶縁基板の一方に設けられた複数のスキャン
バスライン及び他方に設けられた複数のデータバスライ
ンと、マトリクス状に配置された画素電極及び電気光学
素子によって形成される複数の表示セルと、前記各表示
セルを制御するために当該表示セル毎に設けられたスイ
ッチング素子とを有してなるアクティブマトリクス型表
示装置であって、前記スイッチング素子は、制御電極に
正方向の電圧を印加することによって導通状態となるス
イッチング素子と、制御電極に負方向の電圧を印加する
ことによって導通状態となるスイッチング素子との2種
類からなり、互いに異なる基準電圧を前記各表示セルに
印加するための2種類の基準電圧バスラインを有し、前
記各表示セルにおいて、前記2種類のスイッチング素子
のそれぞれの一方の被制御電極が前記画素電極に接続さ
れ、それぞれの他方の被制御電極が前記2種類の基準電
圧バスラインの一方と他方とに振り分けて接続され、且
つそれぞれの制御電極が対応する前記スキャンバスライ
ンに接続されており、前記各基準電圧バスラインに前記
基準電圧を印加した状態で、前記データバスラインに対
する電圧印加と同期させて前記各スキャンバスラインに
選択的に電圧を印加して1フレームの表示データを各表
示セルに書き込み、各スキャンバスラインに印加する電
圧を1フレーム毎に正方向の電圧と負方向の電圧とに交
互に切り換えることによって、前記各表示セルにおいて
前記2種類のスイッチング素子を1フレーム毎に交互に
導通させるように構成される。An opposing matrix type active matrix type display device and a control method thereof are provided, in order to reduce the occurrence of crosstalk and improve the display quality, and to provide a plurality of scan bus lines provided on one of the opposing insulating substrates. A plurality of data bus lines provided on the other side, a plurality of display cells formed by pixel electrodes and electro-optical elements arranged in a matrix, and a plurality of display cells provided for each display cell in order to control each display cell. An active matrix display device, comprising: a switching element that is turned on by applying a positive voltage to a control electrode; and a negative voltage that is applied to the control electrode. And a switching element that is brought into a conductive state by applying The display device has two types of reference voltage bus lines for applying a voltage to each of the display cells, and in each of the display cells, one controlled electrode of each of the two types of switching elements is connected to the pixel electrode; Each of the other controlled electrodes is distributed and connected to one and the other of the two types of reference voltage bus lines, and each control electrode is connected to the corresponding scan bus line. In a state where the reference voltage is applied to the line, a voltage is selectively applied to each of the scan bus lines in synchronization with the application of the voltage to the data bus line, and display data of one frame is written to each display cell. By alternately switching the voltage applied to the bus line between a positive direction voltage and a negative direction voltage for each frame, The two types of switching elements are configured to be turned on alternately for each frame.
本発明は、対向マトリクス方式のアクティブマトリク
ス型表示装置及びその制御方法に関する。 アクティブマトリクス型表示装置は、単純マトリクス
型表示装置とともに薄形の情報端末用表示装置として使
用されており、その表示媒体として多くの場合に液晶が
用いられている。 アクティブマトリクス型液晶表示装置は、多数の画素
をそれぞれ独立に駆動することできるため、表示容量の
増大にともなってライン数が増加した場合であっても、
単純マトリクス型のように駆動のデューティ比やコント
ラストが低下したり視野角の減少をきたすなどの問題が
生じない。 また、アクティブマトリクス型表示装置の構造の複雑
さから生じる製造歩留りの低下やコスト高などに対処す
るために、スキャンバスラインとデータバスラインとを
別々の基板上に形成して同一基板上でのバスラインの交
差を無くした対向マトリクス方式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置(以下「対向マトリクス型液晶パネ
ル」ということがある)がしばしば用いられており、こ
の対向マトリクス型液晶パネルの表示品質の一層の向上
が期待されている。The present invention relates to a facing matrix type active matrix display device and a control method thereof. An active matrix display device is used as a thin display device for an information terminal together with a simple matrix display device, and liquid crystal is often used as a display medium. Since the active matrix type liquid crystal display device can independently drive a large number of pixels, even if the number of lines increases with an increase in display capacity,
Unlike the simple matrix type, problems such as a decrease in driving duty ratio and contrast and a decrease in viewing angle do not occur. In addition, in order to cope with a reduction in manufacturing yield and an increase in cost due to the complexity of the structure of the active matrix display device, the scan bus lines and the data bus lines are formed on separate substrates, and are formed on the same substrate. Active matrix type liquid crystal display devices of the opposite matrix type (hereinafter, sometimes referred to as “opposite matrix type liquid crystal panels”) in which intersections of bus lines are eliminated are often used, and the display quality of the opposite matrix type liquid crystal panels is further improved. Improvement is expected.
従来より、対向マトリクス型液晶パネルとして、例え
ば特開昭61−235815号公報に記載のものがある。 この従来の対向マトリクス型液晶パネルについて、第
9図に示す等価回路図を参照して説明する。 第9図において、対向マトリクス型液晶パネル50は、
対向配置した図示しないガラス基板の一方に、複数のス
キャンバスライン11、各画素毎に設けられた液晶セル17
の画素電極21、及び画素電極21を制御するTFT(薄膜ト
ランジスタ)51が形成され、他方のガラス基板に、スキ
ャンバスライン11と直交する方向に延びるデータバスラ
イン13が液晶セル17の対向電極として形成されて構成さ
れている。 つまり、対向マトリクス型液晶パネル50においては、
液晶セル17の一方の電極である画素電極21がTFT51の一
方の被制御電極であるソース電極63に接続され、他方の
電極がデータバスライン13に接続されており(兼用され
ており)、液晶セル17がTFT51とデータバスライン13と
の間に接続された構造となっている。そして、TFT51の
他方の被制御電極であるドレン電極62は、スキャンバス
ライン11と平行に形成された図示しないアースバスライ
ンに共通に接続されている。 このような対向マトリクス型液晶パネル50の制御方法
として、30〜60μs程度のパルス幅のアドレス信号S11
が、スキャンバスライン11を通じて一定の周期でTFT51
のゲート電極61に印加され、そのタイミングで、データ
信号S12がデータバスライン13を通じて液晶セル17に印
加され、これによって液晶セル17に表示データが書き込
まれる。2. Description of the Related Art Conventionally, as an opposed matrix type liquid crystal panel, for example, there is one described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 61-235815. This conventional opposed matrix type liquid crystal panel will be described with reference to an equivalent circuit diagram shown in FIG. In FIG. 9, the opposed matrix type liquid crystal panel 50
A plurality of scan bus lines 11, a liquid crystal cell 17 provided for each pixel,
A pixel electrode 21 and a TFT (thin film transistor) 51 for controlling the pixel electrode 21 are formed. On the other glass substrate, a data bus line 13 extending in a direction orthogonal to the scan bus line 11 is formed as a counter electrode of the liquid crystal cell 17. It is configured. That is, in the opposed matrix type liquid crystal panel 50,
The pixel electrode 21 which is one electrode of the liquid crystal cell 17 is connected to the source electrode 63 which is one of the controlled electrodes of the TFT 51, and the other electrode is connected to the data bus line 13 (which is also used). The cell 17 has a structure in which the cell 17 is connected between the TFT 51 and the data bus line 13. The drain electrode 62, which is the other controlled electrode of the TFT 51, is commonly connected to a ground bus line (not shown) formed in parallel with the scan bus line 11. As a method for controlling the opposed matrix type liquid crystal panel 50, an address signal S11 having a pulse width of about 30 to 60 μs is used.
However, the TFT 51
The data signal S12 is applied to the liquid crystal cell 17 through the data bus line 13 at that timing, whereby the display data is written to the liquid crystal cell 17.
しかし、対向マトリクス型液晶パネル50においては、
液晶セル17の一方の電極がデータバスライン13と直結さ
れている(兼用されている)ために、アドレス後の保持
時間の間において、画素電極21の電位がデータ信号S12
の信号波形に追随して常に変動する。 そのため、対向マトリクス方式でない通常のアクティ
ブマトリクス型表示装置においてTFTのソース・ドレン
間の寄生容量のみを通じて混入していたデータ信号S12
が、対向マトリクス型液晶パネル50においては、TFT51
のソース・ドレン間の寄生容量に加えて、ソース・ゲー
ト間の寄生容量をも通じて混入することとなり、いわゆ
るクロストークの面で不利となっていた。 そのため、表示画像の内容によっては画面に濃淡の模
様が生じることがあり、表示品質を向上させるという点
で問題となっていた。 また、TFT51のソース・ゲート間の寄生容量の存在に
よって、アドレス信号S11の立ち下がり時の電圧変化が
この寄生容量を通じて画素電極21に現れ、これによって
画素電極21の電圧(液晶セル電圧)Vlcが負の方向へシ
フトする。 このシフト電圧ΔVlcによって、データ信号S12として
1フレーム毎に極性が正負対称となる交流電圧を用いた
場合であっても、液晶セル17に印加される実効電圧が正
負対称とならず、直流成分が発生することとなる。 このような直流成分は、フリッカーや静止画の残像現
象を発生させるなど表示品質を低下させ、また対向マト
リクス型液晶パネル50の寿命を低下させてしまう。 本発明は、上述の問題に鑑み、対向マトリクス方式の
アクティブマトリクス型表示装置において、クロストー
クの発生を減少させて表示品質の向上を図ることを目的
としている。However, in the opposed matrix type liquid crystal panel 50,
Since one electrode of the liquid crystal cell 17 is directly connected to the data bus line 13 (and is also used), the potential of the pixel electrode 21 changes to the data signal S12 during the holding time after addressing.
And always fluctuates following the signal waveform. Therefore, the data signal S12 mixed through only the parasitic capacitance between the source and drain of the TFT in the normal active matrix type display device which is not the opposed matrix type is used.
However, in the opposed matrix type liquid crystal panel 50, the TFT 51
In addition to the parasitic capacitance between the source and the drain as well as the parasitic capacitance between the source and the gate, it is mixed, which is disadvantageous in terms of so-called crosstalk. For this reason, depending on the content of the display image, a shaded pattern may appear on the screen, which has been a problem in improving the display quality. Further, due to the existence of the parasitic capacitance between the source and the gate of the TFT 51, a voltage change at the time of the fall of the address signal S11 appears on the pixel electrode 21 through the parasitic capacitance, whereby the voltage (liquid crystal cell voltage) Vlc of the pixel electrode 21 is increased. Shift in the negative direction. Due to this shift voltage ΔVlc, even when an AC voltage having a polarity symmetrical for each frame is used as the data signal S12, the effective voltage applied to the liquid crystal cell 17 does not become symmetrical and the DC component is reduced. Will occur. Such a DC component reduces display quality such as generation of flicker and an afterimage of a still image, and also reduces the life of the opposed matrix type liquid crystal panel 50. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to reduce the occurrence of crosstalk in a facing matrix type active matrix display device and improve display quality.
請求項1の発明に係る表示装置は、上述の課題を解決
するため、第1図乃至第5図に示すように、対向する絶
縁基板の一方に設けられた複数のスキャンバスライン及
び他方に設けられた複数のデータバスラインと、マトリ
クス状に配置された画素電極及び電気光学素子によって
形成される複数の表示セルと、前記各表示セルを制御す
るために当該表示セル毎に設けられたスイッチング素子
とを有してなるアクティブマトリクス型表示装置であっ
て、前記スイッチング素子が、制御電極に正方向の電圧
を印加することによって導通状態となるスイッチング素
子と、制御電極に負方向の電圧を印加することによって
導通状態となるスイッチング素子との2種類からなり、
互いに異なる基準電圧を前記各表示セルに印加するため
の2種類の基準電圧バスラインを有し、前記各表示セル
において、前記2種類のスイッチング素子のそれぞれの
一方の被制御電極が前記画素電極に接続され、それぞれ
の他方の被制御電極が前記2種類の基準電圧バスライン
の一方と他方とに振り分けて接続され、且つそれぞれの
制御電極が対応する前記スキャンバスラインに接続され
ており、前記各基準電圧バスラインに前記基準電圧を印
加した状態で、前記データバスラインに対する電圧印加
と同期させて前記各スキャンバスラインに選択的に電圧
を印加して1フレームの表示データを各表示セルに書き
込み、各スキャンバスラインに印加する電圧を1フレー
ム毎に正方向の電圧と負方向の電圧とに交互に切り換え
ることによって、前記各表示セルにおいて前記2種類の
スイッチング素子を1フレーム毎に交互に導通させるよ
うに構成されてなる。 請求項2の発明に係る表示素子は、前記2種類の基準
電圧バスラインが、前記スキャンバスラインと平行に、
且つ前記画素電極の配列の1行毎に交互に設けられたも
のである。 請求項3の発明に係る表示装置では、前記スイッチン
グ素子の各被制御電極には、行方向に配列された1個又
は複数個の前記表示セル毎に、異なる基準電圧が交互に
印加されている。 請求項4の発明に係る表示装置では、前記画素電極の
配列の1行毎に、2本のスキャンバスラインが当該画素
電極の両側に設けられており、 前記2種類のスイッチング素子の各制御電極が、前記
各スキャンバスラインに振り分けて接続されている。 請求項5の発明に係る制御方法は、前記スイッチング
素子の制御電極に、正方向又は負方向の電圧を1フレー
ム毎に交互に印加し、前記各スイッチング素子を1フレ
ーム毎に交互に導通させるものである。In order to solve the above-mentioned problems, the display device according to the first aspect of the present invention includes a plurality of scan bus lines provided on one of the opposed insulating substrates and a plurality of scan bus lines provided on the other, as shown in FIGS. A plurality of data bus lines, a plurality of display cells formed by pixel electrodes and electro-optical elements arranged in a matrix, and a switching element provided for each display cell to control each display cell Wherein the switching element applies a positive voltage to the control electrode, and the switching element becomes conductive by applying a positive voltage to the control electrode, and applies a negative voltage to the control electrode. And a switching element that is brought into a conductive state by the
It has two kinds of reference voltage bus lines for applying different reference voltages to each of the display cells, and in each of the display cells, one controlled electrode of each of the two kinds of switching elements is connected to the pixel electrode. Connected, each other controlled electrode is distributed and connected to one and the other of the two types of reference voltage bus lines, and each control electrode is connected to the corresponding scan bus line. With the reference voltage applied to the reference voltage bus line, a voltage is selectively applied to each of the scan bus lines in synchronization with the application of the voltage to the data bus line, and display data of one frame is written to each display cell. By alternately switching the voltage applied to each scan bus line between a positive voltage and a negative voltage for each frame, Serial made is configured to conduct alternately the two switching elements for each frame in each display cell. The display element according to claim 2, wherein the two types of reference voltage bus lines are arranged in parallel with the scan bus lines.
In addition, they are provided alternately for each row of the array of the pixel electrodes. In the display device according to the third aspect of the invention, a different reference voltage is alternately applied to each controlled electrode of the switching element for each of one or a plurality of display cells arranged in a row direction. . 5. The display device according to claim 4, wherein two scan bus lines are provided on both sides of the pixel electrode for each row of the array of the pixel electrodes, and each control electrode of the two types of switching elements is provided. Are distributed and connected to the respective scan bus lines. The control method according to claim 5, wherein a positive or negative voltage is alternately applied to a control electrode of the switching element for each frame, and the switching elements are alternately turned on for each frame. It is.
次に、スイッチング素子14,15としてTFTを、電気光学
素子として液晶を用いた場合について、特に第1図を参
照して作用を説明する。 画素電極21に接続されたNチャネル型のTFT14及びP
チャネル型のTFT15の各ゲート電極31には、正の電圧+V
GNと負の電圧−VGPとがフレーム毎に交互に切り換わる
アドレス信号S1が印加されることによって、TFT14,15が
交互に導通する。 各TFT14,15のドレン電極32,33には、それぞれ互いに
毎なる基準電圧−VR,+VRが印加されているため、TFT1
4,15が交互に導通することによって、画素電極21には、
その電極電圧VPとして基準電圧−VR,+VRが交互に印加
される。 各ゲート電極31の電圧が元に戻ると、TFT14,15は非導
通状態となり、画素電極21は基準電圧−VR,+VRから切
り離される。 一方、データバスライン13を通じて、液晶セル17の他
方の電極には電圧±VDのデータ信号S2が印加されてお
り、その極性が電極電圧VPとは逆極性であるので、液晶
セル17に印加される書き込み電圧(書き込み時の液晶セ
ル電圧Vlc)は、これらの差であるところの、(VD+
VR)又は−(VD+VR)となる。液晶セル17への書き込み
後は画素電極21が基準電圧−VR,+VRから切り離されて
いるため、その電極電圧VPはデータ信号S2と同じ電圧変
化を示し、液晶セル電圧Vlcは書き込み時の値を保持す
ることになる。 すなわち、液晶セル17のしきい値電圧をVth、飽和電
圧をVsatとすると、データ信号S2の電圧VD、及び基準電
圧VRを、 VD=(Vsat−Vth)/2 ……(1) VR=(Vsat+Vth)/2 ……(2) とすることができる。 したがって、電圧VDの大きさは、基準電圧の切り替え
を行わない従来の対向マトリクス型液晶パネルの場合に
おいては飽和電圧Vsatにほぼ等しいが、基準電圧の切り
替えを行う本発明の制御方法の場合においては、上述の
(1)式のように飽和電圧Vsatの2分の1以下となる。 通常、しきい値電圧Vthは飽和電圧Vsatの2分の1程
度であるので、本発明の制御方法によると、データ信号
S2の電圧VDは、従来と比較して4分の1程度に圧縮され
る。Next, the operation in the case where TFTs are used as the switching elements 14 and 15 and liquid crystal is used as the electro-optical element will be described with reference to FIG. N-channel TFT 14 and P connected to pixel electrode 21
Each gate electrode 31 of the channel type TFT 15 has a positive voltage + V
By GN and the negative voltage -V GP address signal S1 alternately switched for each frame is applied, TFT14,15 to alternately conduct. The drain electrodes 32 and 33 of each TFT14,15, since the reference voltage -V R made every each other, + V R is applied, TFT 1
4 and 15 are alternately conducted, so that the pixel electrode 21 has
Reference voltage -V R as its electrode voltage V P, + V R is applied alternately. When the voltage of the gate electrode 31 is returned to the original, TFT14,15 is rendered non-conductive, the pixel electrode 21 is a reference voltage -V R, is disconnected from + V R. On the other hand, through the data bus line 13, the other electrode of the liquid crystal cell 17 and the data signal S2 of the voltage ± V D is applied, since the polarity and the electrode voltage V P is opposite polarity, the liquid crystal cell 17 The applied write voltage (the liquid crystal cell voltage Vlc at the time of write) is the difference between these, (V D +
V R ) or-(V D + V R ). Reference voltage after writing the pixel electrode 21 to the liquid crystal cell 17 -V R, + because they are disconnected from V R, the electrode voltage V P have the same voltage change as the data signal S2, the liquid crystal cell voltage Vlc a write Will be held. That is, assuming that the threshold voltage of the liquid crystal cell 17 is V th and the saturation voltage is V sat , the voltage V D of the data signal S2 and the reference voltage V R are represented by V D = (V sat −V th ) / 2. .. (1) V R = (V sat + V th ) / 2 (2) Thus, the magnitude of the voltage V D is approximately equal to the saturation voltage V sat in the case of the conventional facing-matrix liquid crystal panel that does not perform the switching of the reference voltage, when the control method of the present invention to switch the reference voltage Is less than half the saturation voltage V sat as in the above equation (1). Normally, the threshold voltage Vth is about one half of the saturation voltage Vsat.
Voltage V D of S2 is compressed to about 1/4 as compared with the conventional.
第2図は本発明に係る対向マトリクス型液晶パネル1
を示す等価回路図である。 対向マトリクス型液晶パネル1は、一定の間隔を有し
て対向配置した図示しないガラス基板の一方に、複数の
スキャンバスライン11,11…、及びこれらと平行な基準
電圧バスライン12…(12a,12b…)が形成され、マトリ
クス状に区画された各画素領域には、画素電極21、及び
画素電極21を制御するTFT14,15がそれぞれ設けられ、ま
た、他方のガラス基板に、スキャンバスライン11と直交
する方向に延びるデータバスライン13が液晶セル17の対
向電極として形成されて構成されている。 これら両ガラス基板の間には液晶が充填され、画素電
極21毎に液晶セル17が形成されている。 TFT14,15は、それぞれNチャネル型及びPチャネル型
であって、これらのゲート電極31に正極性又は負極性の
パルス信号(電圧+VGN,−VGP)を印加することによっ
てそれぞれ導通する。 これらTFT14,15は、非晶質シリコンや多結晶シリコン
を半導体層とし、そのソース・ドレンのコンタクト部
を、P型の場合にはボロンなどの不純物をドープしたP
型半導体とし、N型の場合にはリンや砒素などをドープ
したN型半導体とすることによって構成することができ
る。またこれらの形成に当たっては、感光材、酸化膜、
及び窒化膜などをマスクとし、ソース・ドレン部の半導
体層にボロンや砒素を別々にイオン注入や拡散などの方
法によってドーピングすることによって、これら2種類
のTFT14,15を形成することができる。 スキャンバスライン11は1ライン毎に設けられてお
り、上述した各画素電極21に接続されたTFT14,15のゲー
ト電極31は同一のスキャンバスライン11に接続されてい
る。 基準電圧バスライン12は、正の基準電圧+VRを印加す
るための正の基準電圧バスライン12aと、負の基準電圧
−VRを印加するための負の基準電圧バスライン12bとの
2種類があり、これらは画素電極21の配列の1行毎に交
互に設けられている。 そして、Nチャネル型のTFT14のドレン電極32は負の
基準電圧バスライン12bに、Pチャネル型のTFT15のドレ
ン電極32は正の基準電圧バスライン12aに、またソース
電極33は画素電極21に、それぞれ接続されている。 以下の説明及び図面において、スキャンバスライン1
1、アドレス信号S1、データバスライン13、データ信号S
2、TFT14,15、及び液晶セル17のマトリクス上での位置
に応じて、それぞれの符号に、「n,m」、「n+1,m+
1」、「n」、「n+1」などの座標又はライン位置を
示す符号を添えて表示することがある。 第6図は第2図の対向マトリクス型液晶パネル1の各
部の信号の波形図である。 スキャンバスライン11n,11n+1,11n+2…には、それ
ぞれアドレス信号S1n,S1n+1,S1n+2…が印加される。 これらアドレス信号S1n,S1n+1,S1n+2は、ライン毎
にパルス幅の分だけ順次遅れて出力され、それらパルス
信号の極性はライン毎に反転している。また、それぞれ
のアドレス信号S1n,S1n+1,S1n+2においても、フレー
ム毎に極性が反転している。 つまり、奇数フレームにおいて、アドレス信号S1n
は、時間t0から時間t1の間に出力される電圧+VGNのパ
ルス信号であり、次ラインに出力されるアドレス信号S1
n+1は、時間t1から時間t2の間に出力される電圧−VGP
のパルス信号である。 また、偶数フレームにおいては、アドレス信号S1n
は、時間t0から時間t1の間に出力される電圧−VGPのパ
ルス信号であり、次のラインに出力されるアドレス信号
S1n+1は、時間t1から時間t2の間に出力される電圧+V
GNのパルス信号である。 データ信号S2は、その大きさが電圧±VDであり、アド
レス信号S1とほぼ同じタイミングで印加されるが、同一
のデータの書き込みを行うようにしたこの実施例の場合
においては、同一フレーム内においてはライン毎に、ま
た同一ラインにおいてはフレーム毎に、その極性が反転
するようになっている。 なお、基準電圧バスライン12a,12bには、正の基準電
圧+VR又は負の基準電圧−VRが常時印加されている。 まず、奇数フレームにおいて、スキャンバスライン11
nにアドレス信号S1n(電圧+VGN)が印加されることに
より、スキャンバスライン11nに接続されたNチャネル
型のTFT14がオン(導通)する。 これによって、当該ラインに配置された液晶セル17の
画素電極21には、Nチャネル型のTFT14を通じて負の基
準電圧バスライン12bから負の基準電圧−VRが電極電圧V
Pとして印加され、データバスライン13に印加されたデ
ータ信号S2(電圧+VD)との差の電圧である電圧(VD+
VR)が、液晶セル17へ書き込み電圧(液晶セル電圧Vl
c)として印加されることとなる。 そして、次ラインのスキャンバスライン11n+1にア
ドレス信号S1n+1(電圧−VGP)が印加されることによ
り、スキャンバスライン11n+1に接続されたPチャネ
ル型のTFT15がオンし、これによって、当該ラインに配
置された液晶セル17の画素電極21には、正の基準電圧バ
スライン12aから正の基準電圧+VRが電極電圧VPとして
印加され、データバスライン13に印加されたデータ信号
S2(電圧−VD)との差の電圧である電圧−(VD−VR)
が、液晶セル17への書き込み電圧(液晶セル電圧Vlc)
として印加されることとなる。 また、偶数フレームにおいては、各スキャンバスライ
ン11に印加されるアドレス信号S1、オンするTFT14,15、
画素電極21に印加される電極電圧VPなどが奇数フレーム
の場合とは逆又は逆極性となり、その結果、液晶セル17
に印加される液晶セル電圧Vlcは、フレーム毎に反転す
る。 つまり、各液晶セル17に対して、フレーム毎に極性の
反転したデータ信号S2(電圧±VD)を印加するととも
に、2種類のTFT14,15をフレーム毎に交互オンさせ、オ
ンしたTFT14,15を通じて極性の異なる基準電圧−VR,+V
Rを交互に電極電圧VPとして印加し、これらの差の電圧
(VD+VR),−(VD+VR)を当該液晶セル17に書き込ん
で液晶セル電圧Vlcとするものである。 このように、液晶セル17への書き込み電圧として基準
電圧+VRが加算されるので、換言すれば基準電圧+VRに
相当するバイアスが与えられるので、必要な大きさの液
晶セル電圧Vlcを得るためのデータ信号S2の電圧±VDを
小さくすることができる。換言すれば、データ信号S2の
振幅が圧縮される。 したがって、データ信号S2によって生じるクロストー
クが減少し、表示品質の向上が図られる。 また、アドレス信号S1の極性がフレーム毎に反転して
いるため、ソース・ゲート間の寄生容量によって生じる
シフト電圧ΔVlcの極性がフレーム毎に逆方向となり、
時間的に平均されることによってシフト電圧ΔVlcが打
ち消される。 これによって、液晶セル17に印加される交流電圧中の
直流成分の発生が防止される。 その結果、フリッカーや静止画の残像現象の発生が防
止されて表示品質が向上するとともに、対向マトリクス
型液晶パネル1の長寿命化が図られる。 なお、電圧+VGN,−VGP,±VD、及び基準電圧+VR,−V
Rの大きさは、作用の項に記載した(1)(2)式及び
対向マトリクス型液晶パネル1の構造や各部の特性など
に基づいて定められる。 第3図は本発明に係る他の実施例の対向マトリクス型
液晶パネル2を示す等価回路図である。 この対向マトリクス型液晶パネル2においては、行方
向に隣接する液晶セル17毎に、各TFT14,15に接続される
基準電圧バスライン12の極性を反転させる構成とした点
が、第2図の対向マトリクス型液晶パネル1と相違して
いる。 第7図は第3図の対向マトリクス型液晶パネル2の各
部の信号の波形図である。 第3図及び第7図において、データバスライン13m,13
m+1…には、行方向に隣接する液晶セル17毎に印加す
るデータ信号S2m,S2m+1…の極性(電圧±VD)を反転
させるようになっているとともに、オンしたTFT14,15を
通じて印加される電極電圧VPが行方向に隣接する液晶セ
ル17毎に異なっているため、各液晶セル17には、その行
方向に隣接する液晶セル17毎に、電圧(VD+VR),−
(VD+VR)が交互に書き込まれる。 この実施例の対向マトリクス型液晶パネル2による
と、第2図の対向マトリクス型液晶パネル1による効果
に加えて、行方向に隣接する液晶セル17毎に、印加する
データ信号S2の極性が反転するので、フリッカーの発生
がさらに防止される。 第4図は本発明に係る他の実施例の対向マトリクス型
液晶パネル3を示す等価回路図である。 この対向マトリクス型液晶パネル3においては、スキ
ャンバスライン11(SU,SD)を各液晶セル17の上下両側
に形成し、2種類のTFT14,15をそれぞれ各スキャンバス
ラインSU,SDの近辺に形成し、それぞれのTFT14,15のゲ
ート電極31の近くのスキャンバスラインSU,SDに接続す
る構成とした点が、第2図の対向マトリクス型液晶パネ
ル1と相違している。 この対向マトリクス型液晶パネル3の各部の信号の波
形は、第2図の対向マトリクス型液晶パネル1について
の第6図と同様である。 したがって、同一画素の上下に位置する1組のスキャ
ンバスラインSU,SDに対しては同一のアドレス信号S1が
印加され、その極性に応じて一方のTFT14,15がオンす
る。 この実施例の対向マトリクス型液晶パネル3において
は、第1図の対向マトリクス型液晶パネル1による効果
に加えて、各TFT14,15のドレン電極32と基準電圧バスラ
イン12との間の電極部の配線長を短くすることができ、
ドレン・ソース間の寄生容量を低減させてクロストーク
の発生をさらに減少させるとともに、開口率の増大を図
ることができる。 第5図は本発明に係る他の実施例の対向マトリクス型
液晶パネル4を示す等価回路図である。 この対向マトリクス型液晶パネル4は、第3図の対向
マトリクス型液晶パネル2に対して、第4図の対向マト
リクス型液晶パネル3と同様の構成を適用したものであ
る。 すなわち、対向マトリクス型液晶パネル4において
は、スキャンバスライン11(SU,SD)を各液晶セル17の
上下両側に形成し、2種類のTFT14,15をそれぞれ各スキ
ャンバスラインSU,SDの近辺に形成し、それぞれのTFT1
4,15のゲート電極31を近くのスキャンバスラインSU,SD
に接続する構成とした点、及び、TFT14,15のドレン電極
32が、1ライン毎に異なる極性の基準電圧バスライン12
a,112bに接続されるように構成した点が、第3図の対向
マトリクス型液晶パネル2と相違している。 第8図は第5図の対向マトリクス型液晶パネル4の各
部の信号の波形図である。 第8図において、アドレス信号S1は、同一のフレーム
においては、各ラインのスキャンバスライン11に対して
同一の極性であり、フレーム毎にその極性が反転する。
したがって、データ信号S2も、同一のデータバスライン
13m,13m+1…においては1フレーム内において同極性
であり、隣接するデータバスライン13m,13m+1……毎
に、またフレーム毎に、その極性が反転する。 この実施例の対向マトリクス型液晶パネル4において
は、第1図の対向マトリクス型液晶パネル1による効果
に加えて、行方向に隣接する液晶セル17毎に印加するデ
ータ信号S2の極性が反転し、フリッカーの発生がさらに
防止されるとともに、各TFT14,15のドレン電極32と基準
電圧バスライン12との間の電極部の配線長を短くするこ
とができ、ドレン・ソース間の寄生容量を低減させてク
ロストークの発生をさらに減少させ、また、開口率の増
大を図ることができる。 また、上述したいずれの対向マトリクス型液晶パネル
1〜4においても、1つの液晶セル17を2つのTFT14,15
によって駆動する冗長構成となっているので、TFT14,15
の一方に不良が発生して開放状態になった場合、又は短
絡状態になってレーザによる切断を行った場合であって
も、他方のTFT14,15によって液晶セル17を駆動すること
ができ、表示機能を維持することができる。 上述の実施例においては、各液晶セル17について2つ
のTFT14,15を用いたが、3個以上を用いてもよい。TFT1
4,15に代えて、半導体基板を用いたPチャネル型又はN
チャネル型のMOSトランジスタなどとしてもよい。ま
た、Pチャネル型Nチャネル型の接続、又は基準電圧バ
スライン12の基準電圧の接続などを入れ換えて上述した
以外の種々の構成とすることができ、これらを制御する
ためのアドレス信号S1、データ信号S2、及び基準電圧な
どの極性及び電圧値なども種々変更することができる。 上述の実施例においては、電気光学素子として液晶を
用いたが、エレクトロルミネッセンス素子、エレクトロ
クロミック素子など、他の種々の素子を用いることがで
きる。対向マトリクス型液晶パネル1〜4及びその各部
の構造、形状、材質などは、上述した以外の種々のもの
とすることができる。FIG. 2 shows a facing matrix type liquid crystal panel 1 according to the present invention.
FIG. The opposing matrix type liquid crystal panel 1 includes a plurality of scan bus lines 11, 11,..., And reference voltage bus lines 12 (12a, 12b) are formed, and each pixel region partitioned in a matrix is provided with a pixel electrode 21 and TFTs 14 and 15 for controlling the pixel electrode 21. A scan bus line 11 is provided on the other glass substrate. A data bus line 13 extending in a direction perpendicular to the direction is formed as a counter electrode of the liquid crystal cell 17. Liquid crystal is filled between the two glass substrates, and a liquid crystal cell 17 is formed for each pixel electrode 21. The TFTs 14 and 15 are N-channel type and P-channel type, respectively, and are turned on by applying a positive or negative pulse signal (voltage + V GN , −V GP ) to these gate electrodes 31. These TFTs 14 and 15 have a semiconductor layer of amorphous silicon or polycrystalline silicon, and have a source / drain contact portion formed of a P-type doped with impurities such as boron in the case of a P-type.
In the case of an N-type semiconductor, an N-type semiconductor doped with phosphorus, arsenic, or the like can be used. In forming them, a photosensitive material, an oxide film,
These two types of TFTs 14 and 15 can be formed by separately doping boron or arsenic into the semiconductor layer of the source / drain portion by a method such as ion implantation or diffusion using a nitride film or the like as a mask. The scan line 11 is provided for each line, and the gate electrodes 31 of the TFTs 14 and 15 connected to the above-described pixel electrodes 21 are connected to the same scan bus line 11. Reference voltage bus line 12, a positive reference voltage bus line 12a for applying a positive reference voltage + V R, 2 kinds of a negative reference voltage bus line 12b for applying a negative reference voltage -V R These are alternately provided for each row of the array of the pixel electrodes 21. The drain electrode 32 of the N-channel type TFT 14 is connected to the negative reference voltage bus line 12b, the drain electrode 32 of the P-channel type TFT 15 is connected to the positive reference voltage bus line 12a, and the source electrode 33 is connected to the pixel electrode 21. Each is connected. In the following description and drawings, scan bus line 1
1, address signal S1, data bus line 13, data signal S
2, according to the positions of the TFTs 14, 15 and the liquid crystal cell 17 on the matrix, "n, m", "n + 1, m +"
In some cases, a code such as "1", "n", or "n + 1" or a code indicating a line position is added. FIG. 6 is a signal waveform diagram of each part of the opposed matrix type liquid crystal panel 1 of FIG. Address signals S1n, S1n + 1, S1n + 2,... Are applied to the canvas lines 11n, 11n + 1, 11n + 2,. These address signals S1n, S1n + 1, and S1n + 2 are sequentially output with a delay corresponding to the pulse width for each line, and the polarity of the pulse signals is inverted for each line. The polarity of each of the address signals S1n, S1n + 1 and S1n + 2 is also inverted for each frame. That is, in the odd frame, the address signal S1n
Is a pulse signal of the voltage + V GN output during the time t 0 of time t 1, the address signal S1 output in the next line
n + 1 is the voltage −V GP output between time t 1 and time t 2
Pulse signal. In an even frame, the address signal S1n
Is a pulse signal of the voltage −V GP output between time t 0 and time t 1 , and the address signal output to the next line
S1n + 1, the voltage is outputted to between the time t 1 of time t 2 + V
GN pulse signal. The data signal S2 has a voltage of ± V D and is applied at substantially the same timing as the address signal S1, but in the case of this embodiment in which the same data is written, the data signal S2 is in the same frame. , The polarity is inverted for each line, and for the same line, for each frame. The reference voltage bus line 12a, the 12b, the positive reference voltage + V R or negative reference voltage -V R is always applied. First, in the odd frame, the scan bus line 11
When the address signal S1n (voltage + V GN ) is applied to n, the N-channel TFT 14 connected to the scan bus line 11n is turned on (conducted). As a result, the negative reference voltage −V R is applied to the pixel electrode 21 of the liquid crystal cell 17 arranged on the line from the negative reference voltage bus line 12b through the N-channel type TFT 14.
Is applied as P, is the voltage difference between the data bus line 13 the data signal applied to S2 (voltage + V D) Voltage (V D +
V R ) is the write voltage (liquid crystal cell voltage Vl)
c). When the address signal S1n + 1 (voltage −V GP ) is applied to the next scan bus line 11n + 1, the P-channel TFT 15 connected to the scan bus line 11n + 1 is turned on. has been in the pixel electrode 21 of the liquid crystal cell 17, the positive from the reference voltage bus line 12a the positive reference voltage + V R is applied as an electrode voltage V P, the data signal applied to the data bus line 13
S2 (voltage -V D) and difference voltage at which the voltage of - (V D -V R)
Is the writing voltage to the liquid crystal cell 17 (liquid crystal cell voltage Vlc)
Will be applied. In the even frame, the address signal S1 applied to each scan bus line 11, the TFTs 14 and 15 to be turned on,
The electrode voltage VP or the like applied to the pixel electrode 21 has the opposite or opposite polarity to that of the odd-numbered frame, and as a result, the
Is inverted for each frame. That is, to each liquid crystal cell 17, a data signal S2 (voltage ± V D ) whose polarity is inverted for each frame is applied, and the two types of TFTs 14 and 15 are alternately turned on for each frame, and the turned on TFTs 14 and 15 are turned on. -V R , + V
Applying a R as alternating electrode voltage V P, these difference voltage (V D + V R), - a (V D + V R) is to the liquid crystal cell voltage Vlc written to the liquid crystal cell 17. Thus, the reference voltage + V R as a write voltage to the liquid crystal cell 17 is added, because given the bias corresponding to the reference voltage + V R In other words, to obtain a liquid crystal cell voltage Vlc of required size , The voltage ± V D of the data signal S2 can be reduced. In other words, the amplitude of the data signal S2 is compressed. Therefore, crosstalk caused by the data signal S2 is reduced, and the display quality is improved. Also, since the polarity of the address signal S1 is inverted for each frame, the polarity of the shift voltage ΔVlc generated by the parasitic capacitance between the source and the gate is reversed for each frame,
By averaging over time, the shift voltage ΔVlc is canceled. This prevents the generation of a DC component in the AC voltage applied to the liquid crystal cell 17. As a result, the occurrence of flicker and afterimage of a still image is prevented, the display quality is improved, and the life of the opposed matrix liquid crystal panel 1 is extended. Note that the voltages + V GN , −V GP , ± V D , and the reference voltages + V R , −V
The magnitude of R is determined based on the expressions (1) and (2) described in the section of the operation, the structure of the opposed matrix type liquid crystal panel 1, the characteristics of each part, and the like. FIG. 3 is an equivalent circuit diagram showing a facing matrix type liquid crystal panel 2 of another embodiment according to the present invention. 2 is that the polarity of the reference voltage bus line 12 connected to each of the TFTs 14 and 15 is inverted for each liquid crystal cell 17 adjacent in the row direction. This is different from the matrix type liquid crystal panel 1. FIG. 7 is a waveform chart of signals of respective parts of the opposed matrix type liquid crystal panel 2 of FIG. In FIGS. 3 and 7, the data bus lines 13m, 13
The polarity (voltage ± V D ) of the data signals S2m, S2m + 1... applied to each of the liquid crystal cells 17 adjacent to each other in the row direction is reversed for m + 1. the electrode voltage V P is different for each liquid crystal cell 17 adjacent in the row direction, each liquid crystal cell 17, each liquid crystal cell 17 adjacent to the row direction, the voltage (V D + V R), -
(V D + V R ) is written alternately. According to the opposing matrix type liquid crystal panel 2 of this embodiment, in addition to the effect of the opposing matrix type liquid crystal panel 1 of FIG. 2, the polarity of the data signal S2 to be applied is inverted for each liquid crystal cell 17 adjacent in the row direction. Therefore, generation of flicker is further prevented. FIG. 4 is an equivalent circuit diagram showing a facing matrix type liquid crystal panel 3 of another embodiment according to the present invention. In this opposed matrix type liquid crystal panel 3, scan bus lines 11 (SU, SD) are formed on the upper and lower sides of each liquid crystal cell 17, and two types of TFTs 14, 15 are formed near each scan bus line SU, SD. The difference from the opposed matrix type liquid crystal panel 1 in FIG. 2 is that the connection is made to the scan bus lines SU, SD near the gate electrodes 31 of the TFTs 14, 15, respectively. The waveforms of the signals at various parts of the opposing matrix liquid crystal panel 3 are the same as those in FIG. 6 for the opposing matrix liquid crystal panel 1 in FIG. Therefore, the same address signal S1 is applied to a pair of scan bus lines SU and SD located above and below the same pixel, and one of the TFTs 14 and 15 is turned on according to the polarity. In the counter matrix type liquid crystal panel 3 of this embodiment, in addition to the effect of the counter matrix type liquid crystal panel 1 of FIG. 1, the electrode portion between the drain electrode 32 of each of the TFTs 14 and 15 and the reference voltage bus line 12 is formed. The wiring length can be shortened,
The occurrence of crosstalk can be further reduced by reducing the parasitic capacitance between the drain and the source, and the aperture ratio can be increased. FIG. 5 is an equivalent circuit diagram showing a facing matrix type liquid crystal panel 4 according to another embodiment of the present invention. This opposing matrix type liquid crystal panel 4 has the same configuration as the opposing matrix type liquid crystal panel 3 shown in FIG. 4 applied to the opposing matrix type liquid crystal panel 2 shown in FIG. That is, in the opposed matrix type liquid crystal panel 4, the scan bus lines 11 (SU, SD) are formed on the upper and lower sides of each liquid crystal cell 17, and the two types of TFTs 14, 15 are respectively provided near the scan bus lines SU, SD. Form each TFT1
Connect the gate electrodes 31 of 4,15 to the nearby scan bus lines SU, SD
And the drain electrodes of TFT14 and TFT15
32 is a reference voltage bus line 12 having a different polarity for each line.
The difference from the opposing matrix type liquid crystal panel 2 in FIG. 3 is that it is configured to be connected to a and 112b. FIG. 8 is a waveform diagram of signals of respective parts of the opposed matrix type liquid crystal panel 4 of FIG. In FIG. 8, the address signal S1 has the same polarity with respect to the scan bus line 11 of each line in the same frame, and the polarity is inverted every frame.
Therefore, the data signal S2 is also on the same data bus line.
13m, 13m + 1... Have the same polarity within one frame, and the polarity is inverted for each adjacent data bus line 13m, 13m + 1. In the opposing matrix type liquid crystal panel 4 of this embodiment, in addition to the effect of the opposing matrix type liquid crystal panel 1 of FIG. 1, the polarity of the data signal S2 applied to each liquid crystal cell 17 adjacent in the row direction is inverted. The occurrence of flicker is further prevented, and the wiring length of the electrode section between the drain electrode 32 of each TFT 14 and 15 and the reference voltage bus line 12 can be shortened, thereby reducing the drain-source parasitic capacitance. Thus, the occurrence of crosstalk can be further reduced, and the aperture ratio can be increased. In each of the above-described opposed matrix type liquid crystal panels 1 to 4, one liquid crystal cell 17 is connected to two TFTs 14, 15
TFT14,15
If one of the TFTs becomes open due to a defect, or becomes short-circuited and is cut by a laser, the other TFTs 14 and 15 can drive the liquid crystal cell 17 and display Function can be maintained. In the above embodiment, two TFTs 14 and 15 are used for each liquid crystal cell 17, but three or more TFTs may be used. TFT1
P channel type using a semiconductor substrate or N
It may be a channel type MOS transistor or the like. Further, various configurations other than those described above can be obtained by exchanging the connection of the P-channel type or the N-channel type or the connection of the reference voltage of the reference voltage bus line 12, and the like. The polarity and voltage value of the signal S2, the reference voltage and the like can be variously changed. In the above embodiment, liquid crystal is used as the electro-optical element, but other various elements such as an electroluminescent element and an electrochromic element can be used. The structures, shapes, materials, and the like of the opposed matrix type liquid crystal panels 1 to 4 and each part thereof may be various other than those described above.
本発明によると、対向マトリクス方式のアクティブマ
トリクス型表示装置において、クロストークの発生を減
少させて表示品質の向上を図ることができる。 また、アドレス信号の極性をフレーム毎に反転させ、
ソース・ゲート間の寄生容量によって生じるシフト電圧
を打ち消すことによって、直流成分の発生を防止してフ
リッカーや静止画の残像現象の発生を防止することも可
能である。 さらに、スイッチング素子について冗長性を有してい
るので、スイッチング素子の一方に不良が発生した場合
であっても、他方のスイッチング素子によって表示セル
を駆動し表示機能を維持することが可能である。 さらに請求項4記載の発明によると、スイッチング素
子の被制御電極の配線長を短くすることができ、寄生容
量を低減させてクロストークの発生をさらに減少させる
とともに、開口率の増大を図ることができる。ADVANTAGE OF THE INVENTION According to this invention, in the active matrix type display apparatus of a facing matrix system, generation | occurrence | production of crosstalk can be reduced and display quality can be improved. Also, the polarity of the address signal is inverted for each frame,
By canceling the shift voltage generated by the parasitic capacitance between the source and the gate, it is also possible to prevent the generation of the DC component and the occurrence of the flicker and the afterimage phenomenon of the still image. Further, since the switching elements have redundancy, even if a failure occurs in one of the switching elements, the display function can be maintained by driving the display cell by the other switching element. Further, according to the present invention, the wiring length of the controlled electrode of the switching element can be shortened, the parasitic capacitance is reduced, the occurrence of crosstalk is further reduced, and the aperture ratio is increased. it can.
第1図は本発明の原理を説明するための等価回路図、 第2図は本発明に係る対向マトリクス型液晶パネルを示
す等価回路図、 第3図乃至第5図は本発明に係る他の実施例の対向マト
リクス型液晶パネルを示す等価回路図、 第6図は第2図及び第4図の対向マトリクス型液晶パネ
ルの各部の信号の波形図、 第7図は第3図の対向マトリクス型液晶パネルの各部の
信号の波形図、 第8図は第5図の対向マトリクス型液晶パネルの各部の
信号の波形図、 第9図は従来の対向マトリクス型液晶パネルを示す等価
回路図である。 図において、 1〜4は対向マトリクス型液晶パネル(アクティブマト
リクス型表示装置)、 11,SN,SPはスキャンバスライン、 12,12a,12bは基準電圧バスライン、 13はデータバスライン、 14はTFT(スイッチング素子)、 15はTFT(スイッチング素子)、 17は液晶セル(表示セル)、 21は画素電極、 31はゲート電極(制御電極)、 32はドレン電極(被制御電極)、 33はソース電極(被制御電極)、 +VR,−VRは基準電圧である。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram for explaining the principle of the present invention, FIG. 2 is an equivalent circuit diagram showing a facing matrix type liquid crystal panel according to the present invention, and FIGS. 3 to 5 are other circuit diagrams according to the present invention. FIG. 6 is an equivalent circuit diagram showing the opposing matrix type liquid crystal panel of the embodiment, FIG. 6 is a waveform diagram of signals of respective parts of the opposing matrix type liquid crystal panel of FIGS. 2 and 4, and FIG. FIG. 8 is a waveform diagram of a signal of each portion of the liquid crystal panel, FIG. 8 is a waveform diagram of a signal of each portion of the opposed matrix type liquid crystal panel of FIG. 5, and FIG. 9 is an equivalent circuit diagram showing a conventional opposed matrix type liquid crystal panel. In the figure, 1 to 4 are opposed matrix type liquid crystal panels (active matrix type display devices), 11, SN and SP are scan bus lines, 12, 12a and 12b are reference voltage bus lines, 13 is a data bus line, and 14 is a TFT. (Switching element), 15 is TFT (switching element), 17 is liquid crystal cell (display cell), 21 is pixel electrode, 31 is gate electrode (control electrode), 32 is drain electrode (controlled electrode), 33 is source electrode (controlled electrode), a + V R, -V R is the reference voltage.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 濱田 哲也 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 高原 和博 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Tetsuya Hamada 1015 Uedanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Prefecture Inside Fujitsu Limited (72) Inventor Kazuhiro Takahara 1015 Kamikodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited
Claims (5)
のスキャンバスライン及び他方に設けられた複数のデー
タバスラインと、 マトリクス状に配置された画素電極及び電気光学素子に
よって形成される複数の表示セルと、 前記各表示セルを制御するために当該表示セル毎に設け
られたスイッチング素子とを有してなるアクティブマト
リクス型表示装置であって、 前記スイッチング素子は、制御電極に正方向の電圧を印
加することによって導通状態となるスイッチング素子
と、制御電極に負方向の電圧を印加することによって導
通状態となるスイッチング素子との2種類からなり、 互いに異なる基準電圧を前記各表示セルに印加するため
の2種類の基準電圧バスラインを有し、 前記各表示セルにおいて、 前記2種類のスイッチング素子のそれぞれの一方の被制
御電極が前記画素電極に接続され、それぞれの他方の被
制御電極が前記2種類の基準電圧バスラインの一方と他
方とに振り分けて接続され、且つそれぞれの制御電極が
対応する前記スキャンバスラインに接続されており、 前記各基準電圧バスラインに前記基準電圧を印加した状
態で、前記データバスラインに対する電圧印加と同期さ
せて前記各スキャンバスラインに選択的に電圧を印加し
て1フレームの表示データを各表示セルに書き込み、各
スキャンバスラインに印加する電圧を1フレーム毎に正
方向の電圧と負方向の電圧とに交互に切り換えることに
よって、前記各表示セルにおいて前記2種類のスイッチ
ング素子を1フレーム毎に交互に導通させるように構成
された ことを特徴とするアクティブマトリクス型表示装置。1. A plurality of scan bus lines provided on one of opposing insulating substrates and a plurality of data bus lines provided on the other, a plurality of pixels formed by pixel electrodes and electro-optical elements arranged in a matrix. A display cell, and a switching element provided for each display cell to control each of the display cells, wherein the switching element has a control electrode in a positive direction. A switching element that is turned on by applying a voltage, and a switching element that is turned on by applying a negative voltage to the control electrode, and applies different reference voltages to each of the display cells. And two types of reference voltage bus lines for each of the display cells. One of the controlled electrodes is connected to the pixel electrode, and the other controlled electrode is separately connected to one of the two types of reference voltage bus lines and the other of the two control voltage bus lines. In a state where the reference voltage is applied to each of the reference voltage bus lines, a voltage is selectively applied to each of the scan bus lines in synchronization with application of a voltage to the data bus line. The display data of one frame is applied to each display cell, and the voltage applied to each scan bus line is alternately switched between a positive voltage and a negative voltage for each frame. An active matrix display characterized in that the two types of switching elements are alternately turned on for each frame. apparatus.
スキャンバスラインと平行に、且つ前記画素電極の配列
の1行毎に交互に設けられてなる ことを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス
型表示装置。2. The device according to claim 1, wherein the two types of reference voltage bus lines are provided in parallel with the scan bus lines and alternately for each row of the pixel electrode array. Active matrix display device.
は、行方向に配列された1個又は複数個の前記表示セル
毎に、異なる基準電圧が交互に印加されてなる ことを特徴とする請求項1又は2記載のアクティブマト
リクス型表示装置。3. The method according to claim 1, wherein a different reference voltage is alternately applied to one or a plurality of display cells arranged in a row direction to each controlled electrode of the switching element. Item 3. An active matrix display device according to item 1 or 2.
キャンバスラインが当該画素電極の両側に設けられてお
り、 前記2種類のスイッチング素子の各制御電極が、前記各
スキャンバスラインに振り分けて接続されてなる ことを特徴とする請求項1又は請求項2記載のアクティ
ブマトリクス型表示装置。4. Two scan bus lines are provided on both sides of the pixel electrode for each row of the array of pixel electrodes, and each control electrode of the two types of switching elements is connected to each of the scan buses. The active matrix display device according to claim 1, wherein the active matrix display device is connected to a line.
向又は負方向の電圧を1フレーム毎に交互に印加し、前
記各スイッチング素子を1フレーム毎に交互に導通させ
る ことを特徴とする請求項1乃至請求項4のいずれかに記
載のアクティブマトリクス型表示装置の制御方法。5. The method according to claim 1, wherein a positive or negative voltage is alternately applied to a control electrode of said switching element for each frame, and said switching elements are turned on alternately for each frame. A method for controlling an active matrix display device according to any one of claims 1 to 4.
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