JP2516462B2 - Active matrix liquid crystal display device - Google Patents

Active matrix liquid crystal display device

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JP2516462B2
JP2516462B2 JP21896690A JP21896690A JP2516462B2 JP 2516462 B2 JP2516462 B2 JP 2516462B2 JP 21896690 A JP21896690 A JP 21896690A JP 21896690 A JP21896690 A JP 21896690A JP 2516462 B2 JP2516462 B2 JP 2516462B2
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田中  勉
康由 三島
賢一 沖
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【発明の詳細な説明】 〔概要〕 対向マトリクス形式のアクティブマトリクス型液晶表
示装置に関し、 クロストークを低減して表示品質を改善することを目
的とし、 液晶を介在して対向配置した2枚の基板の一方に、複
数のスキャンバスラインと薄膜トランジスタと表示電極
と基準電位供給バスラインとが形成され、前記薄膜トラ
ンジスタのゲートが前記スキャンバスラインに、ソース
とドレインとの何れか一方が前記表示電極に、他方が前
記基準電位供給バスラインにそれぞれ接続され、前記2
枚の基板の他方に、前記表示電極と対向するストライプ
状の複数のデータバスラインが形成された対向マトリク
ス形式のアクティブマトリクス型液晶表示装置に於い
て、前記データバスラインと直交する方向に延長する前
記基準電位供給バスラインの両側に、端子を共通とした
第1,第2のスキャンバスラインを平行に配置して構成し
た。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION [Outline] An active matrix type liquid crystal display device of a facing matrix type, which is intended to reduce crosstalk and improve display quality. Two substrates arranged to face each other with a liquid crystal interposed therebetween. On one side, a plurality of scan bus lines, a thin film transistor, a display electrode, and a reference potential supply bus line are formed, the gate of the thin film transistor is the scan bus line, and one of the source and the drain is the display electrode, The other is connected to the reference potential supply bus line,
In an active matrix type liquid crystal display device of the opposed matrix type in which a plurality of stripe-shaped data bus lines facing the display electrodes are formed on the other of the substrates, the liquid crystal display device extends in a direction orthogonal to the data bus lines. First and second scan bus lines having common terminals are arranged in parallel on both sides of the reference potential supply bus line.

〔産業上の利用分野〕[Industrial applications]

本発明は、対向マトリクス形式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に関するものである。
The present invention relates to a counter matrix type active matrix liquid crystal display device.

アクティブマトリクス型液晶表示装置は、単純マトリ
クス型液晶表示装置と同様に薄型であるから、各種の表
示装置として多数使用されている。このアクティブマト
リクス型液晶表示装置は、画素対応に独立的に駆動する
ものであるから、表示容量の増大に伴ってライン数が増
加した場合でも、単純マトリクス型液晶表示装置のよう
に、駆動デューティの低下に基づくコントラストの低下
や視野角の減少の問題が生じない。従って、アクティブ
マトリクス型液晶表示装置は、陰極線管(CRT)と同程
度のカラー表示が可能となり、フラットディスプレイ装
置としての用途が拡がっている。
Since the active matrix type liquid crystal display device is thin like the simple matrix type liquid crystal display device, it is widely used as various display devices. Since this active matrix type liquid crystal display device is driven independently for each pixel, even if the number of lines is increased as the display capacity is increased, the drive duty of the simple matrix type liquid crystal display device is increased. There is no problem of reduction in contrast and reduction in viewing angle due to the reduction. Therefore, the active matrix type liquid crystal display device is capable of color display similar to that of a cathode ray tube (CRT), and its application as a flat display device is expanding.

しかし、アクティブマトリクス型液晶表示装置は、画
素対応にスイッチング素子として薄膜トランジスタ等を
設けるものであるから、製造工程が複雑となるものであ
り、大画面の表示装置を製造する場合には、大型の製造
装置を必要とするので製造設備費が高くなると共に製造
歩留りが低下する為に、非常に高価なものとなる。従っ
て、実用化されている現在のパネルは、比較的小さいも
のに限られている。
However, the active matrix type liquid crystal display device has a thin film transistor or the like as a switching element provided for each pixel, which complicates the manufacturing process. In the case of manufacturing a large-screen display device, a large-scale manufacturing device is required. Since a device is required, the manufacturing equipment cost is high and the manufacturing yield is low, which is very expensive. Therefore, the current practical panels are limited to relatively small panels.

又アクティブマトリクス型液晶表示装置の構造の複雑
さから生じる製造歩留りの低下等を改善する為に、スキ
ャンバスラインとデータバスラインとを別個の基板上に
形成して、同一基板上に於けるバスラインの交差を無く
した対向マトリクス形式のアクティブマトリクス型液晶
表示装置が提案されており、更に表示品質の向上が要望
されている。
Further, in order to improve the reduction in manufacturing yield caused by the complexity of the structure of the active matrix type liquid crystal display device, the scan bus line and the data bus line are formed on separate substrates, and the bus on the same substrate is formed. There has been proposed an active matrix type liquid crystal display device of an opposed matrix type in which line intersections are eliminated, and further improvement in display quality is demanded.

〔従来の技術〕[Conventional technology]

従来の一般形式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置は、同一の基板上にスキャンバスラインとデータバス
ラインとを直交して形成し、その交点に薄膜トランジス
タを介して表示電極を接続した構成を有するもので、例
えば、第11図に示す等価回路で表すことができる。即
ち、液晶を介在して対向させたガラス等の2枚の基板の
一方の基板上に、スキャンバスライン71とデータバスラ
イン72とを直交させて形成し、且つその交差点を相互に
絶縁し、薄膜トランジスタ73のゲート75をスキャンバス
ライン71に接続し、ドレイン76をデータバスライン72に
接続し、ソース77を液晶セル74を構成する表示電極に接
続し、他方の基板上にアース78として示す共通電極を形
成したものである。
A conventional general type active matrix type liquid crystal display device has a structure in which scan bus lines and data bus lines are formed orthogonally on the same substrate, and display electrodes are connected to the intersections thereof via thin film transistors. , For example, can be represented by an equivalent circuit shown in FIG. That is, a scan bus line 71 and a data bus line 72 are formed orthogonally on one of two substrates such as glass which face each other with a liquid crystal interposed therebetween, and their intersections are insulated from each other. The gate 75 of the thin film transistor 73 is connected to the scan bus line 71, the drain 76 is connected to the data bus line 72, the source 77 is connected to the display electrode constituting the liquid crystal cell 74, and the common is shown as ground 78 on the other substrate. The electrodes are formed.

このようなアクティブマトリクス型液晶表示装置は、
同一基板上にスキャンバスライン71とデータバスライン
72とが交差して形成されているものであるから、交差点
に於いて絶縁不良又は短絡が生じる場合があり、又交差
点の段差によって上層のバスラインに断線が生じる場合
がある。従って、下層のバスライン及び絶縁層を厚くす
るにも限度があるから、下層のバスラインの抵抗を小さ
くすることが容易ではなく、且つ絶縁層を厚くできない
ので、交差点に於ける短絡を完全に防止することは困難
であった。
Such an active matrix type liquid crystal display device is
Scan bus line 71 and data bus line on the same board
Since 72 and 72 are formed so as to intersect with each other, insulation failure or short circuit may occur at the intersection, and disconnection may occur in the bus line in the upper layer due to the step at the intersection. Therefore, there is a limit to the thickening of the lower bus line and the insulating layer, so it is not easy to reduce the resistance of the lower bus line, and since the insulating layer cannot be thickened, the short circuit at the crossing point is completely eliminated. It was difficult to prevent.

そこで、スキャンバスラインとデータバスラインと
を、対向配置した一方と他方とのガラス等の基板上に形
成した対向マトリクス形式のアクティブマトリクス型液
晶表示装置が提案されている。この対向マトリクス形式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置の概略の分解斜
視図を第12図に、又その等価回路を第13図に示す。即
ち、一方のガラス基板80と他方のガラス基板89とを液晶
を介在して対向させるもので、一方のガラス基板80上に
はストライプ状のデータバスライン82が形成され、他方
のガラス基板89上には、スキャンバスライン81と、薄膜
トランジスタ83と、液晶セル84を構成する表示電極84a
と、基準電位供給バスライン88(第13図ではアースとし
て示す)とが形成されている。
Therefore, there has been proposed an active matrix type liquid crystal display device of the opposed matrix type in which the scan bus lines and the data bus lines are formed on one and the other of the substrates which are arranged so as to face each other. FIG. 12 shows a schematic exploded perspective view of the opposed matrix type active matrix type liquid crystal display device, and FIG. 13 shows an equivalent circuit thereof. That is, one glass substrate 80 and the other glass substrate 89 are opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween, and stripe-shaped data bus lines 82 are formed on one glass substrate 80 and the other glass substrate 89 is formed. Includes a scan bus line 81, a thin film transistor 83, and a display electrode 84a forming a liquid crystal cell 84.
And a reference potential supply bus line 88 (shown as ground in FIG. 13) are formed.

ストライプ状のデータバスライン82と表示電極84aと
の間に液晶が封入されて液晶セル84が構成されるもの
で、この液晶セル84はデータバスライン82と薄膜トラン
ジスタ83のドレイン86との間に接続され、薄膜トランジ
スタ83のゲート85はスキャンバスライン81に接続され、
薄膜トランジスタ83のソース83は基準電位供給バスライ
ン88に接続される。
Liquid crystal is filled between the stripe-shaped data bus line 82 and the display electrode 84a to form a liquid crystal cell 84. The liquid crystal cell 84 is connected between the data bus line 82 and the drain 86 of the thin film transistor 83. The gate 85 of the thin film transistor 83 is connected to the scan bus line 81,
The source 83 of the thin film transistor 83 is connected to the reference potential supply bus line 88.

このような構成により、データバスライン82とスキャ
ンバスライン81とは液晶を介して直交配置されるが、同
一基板上に交差するものではないから、交差点の絶縁層
を形成する必要がなくなり、構成が簡単となる。又デー
タバスライン82とスキャンバスライン81との間で短絡が
生じることがなくなるので、表示欠陥が減少し製造歩留
りを向上することができる。
With such a configuration, the data bus line 82 and the scan bus line 81 are arranged orthogonally via the liquid crystal, but since they do not intersect on the same substrate, there is no need to form an insulating layer at the intersection, Will be easier. Further, since the short circuit does not occur between the data bus line 82 and the scan bus line 81, display defects are reduced and the manufacturing yield can be improved.

〔発明が解決しようとする課題〕[Problems to be Solved by the Invention]

従来の一般形式のアクティブマトリクス型液晶表示装
置に比較して、対向マトリクス形式のアクティブマトリ
クス型液晶表示装置はクロストークが大きくなる問題が
ある。即ち、薄膜トランジスタ73,83のゲートが接続さ
れているスキャンバスライン71,81と液晶セル74,84を構
成する表示電極との間の静電容量をCgp、この表示電極
とデータバスライン72との間、又はこの表示電極と基準
電位供給バスライン88との間、即ち、薄膜トランジスタ
73,83のソース・ドレイン間に於ける静電容量をCdp、液
晶セル74,84の静電容量をCLC、液晶セル電圧の変動をΔ
VLC、データ電圧の変動をΔVDとすると、一般形式の場
合のデータ電圧変動に対する容量結合比α1(=ΔVLC
/ΔVD)と、対向マトリクス形式の場合の容量結合比α
2とは、 α1=Cdp/(Cgp+Cdp+CLC) …(1) α2=(Cgp+Cdp)/(Cgp+Cdp+CLC) …(2) となる。
As compared with the conventional general type active matrix type liquid crystal display device, the counter matrix type active matrix type liquid crystal display device has a problem that crosstalk becomes large. That is, the capacitance between the scan bus lines 71, 81 to which the gates of the thin film transistors 73, 83 are connected and the display electrodes constituting the liquid crystal cells 74, 84 is C gp , and the display electrodes and the data bus lines 72 are Or between the display electrode and the reference potential supply bus line 88, that is, the thin film transistor.
The capacitance between the source and drain of 73 and 83 is C dp , the capacitance of the liquid crystal cells 74 and 84 is C LC , and the fluctuation of the liquid crystal cell voltage is Δ.
Let V LC be the fluctuation of the data voltage and ΔV D be the capacitive coupling ratio α1 (= ΔV LC
/ ΔV D ), and the capacitive coupling ratio α in the case of the opposed matrix format
2 is α1 = Cdp / ( Cgp + Cdp + CLC ) (1) α2 = ( Cgp + Cdp ) / ( Cgp + Cdp + CLC ) (2).

従って、α1<α2となるから、対向マトリクス形式
のアクティブマトリクス型液晶表示装置のクロストーク
が大きくなることが判る。即ち、対向マトリクス形式の
アクティブマトリクス型液晶表示装置に於いては、薄膜
トランジスタ83がオフ状態であっても、データバスライ
ン82に順次印加されるデータ電圧が、液晶セル84に対し
て並列的な静電容量Cgp,Cdpを介して加えられることに
なり、他の液晶セルに対するデータ電圧により液晶セル
電圧が変動することになり、表示品質が低下する欠点が
あった。
Therefore, since α1 <α2, it can be understood that the crosstalk of the active matrix type liquid crystal display device of the opposed matrix type becomes large. That is, in the active matrix type liquid crystal display device of the opposed matrix type, even if the thin film transistor 83 is in the off state, the data voltage sequentially applied to the data bus line 82 is in parallel with the liquid crystal cell 84. Since the voltage is applied via the capacitances C gp and C dp , the voltage of the liquid crystal cell changes due to the data voltage for the other liquid crystal cells, and there is a drawback that the display quality deteriorates.

又従来の一般形式のアクティブマトリクス型液晶表示
装置は、蓄積容量を付加して容量結合比α1を小さくす
ることが可能であるが、対向マトリクス形式のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置は、このような蓄積容量を
付加することが困難であるから、容量結合比α2を小さ
くすることは困難である。又薄膜トランジスタ83のゲー
ト85に接続されたスキャンバスライン81を選択した直後
の直流電圧レベルシフトが、蓄積容量を付加することが
困難であることから、残像現象が大きくなる欠点があ
り、特に、静止画像の場合には焼き付き現象が生じて表
示品質が低下する欠点があった。
Further, in the conventional general type active matrix type liquid crystal display device, it is possible to add a storage capacitor to reduce the capacitive coupling ratio α1, but in the counter matrix type active matrix type liquid crystal display device, such a storage type is used. Since it is difficult to add capacitance, it is difficult to reduce the capacitive coupling ratio α2. Further, the DC voltage level shift immediately after selecting the scan bus line 81 connected to the gate 85 of the thin film transistor 83 has a drawback that an afterimage phenomenon becomes large because it is difficult to add a storage capacitor, and in particular, a static image is generated. In the case of an image, there is a drawback that the image sticking phenomenon occurs and the display quality is deteriorated.

本発明は、クロストークを低減し、且つ直流電圧レベ
ルシフトを補償して表示品質を改善することを目的とす
るものである。
It is an object of the present invention to reduce crosstalk and compensate for DC voltage level shift to improve display quality.

〔課題を解決するための手段〕[Means for solving the problem]

本発明のアクティブマトリクス型液晶表示装置は、対
向マトリクス形式の構成を有し、容量結合比を小さくし
たものであり、第1図を参照して説明する。
The active matrix type liquid crystal display device of the present invention has a counter-matrix type structure and has a small capacitive coupling ratio, and will be described with reference to FIG.

第1の発明は、液晶を介在して対向配置した2枚のガ
ラス等の基板の一方に、複数のスキャンバスライン1と
薄膜トランジスタ2と表示電極3と基準電位供給バスラ
イン4とが形成され、薄膜トランジスタ2のゲートがス
キャンバスライン1に、ソースとドレインとの何れか一
方が表示電極3に、他方が基準電位供給バスライン4に
それぞれ接続され、2枚の基板の他方に、前記表示電極
3に対向するストライプ状の複数のデータバスライン5
が形成された対向マトリクス形式のアクティブマトリク
ス型液晶表示装置に於いて、データバスライン5と直交
する方向に延長する基準電位供給バスライン4の両側
に、端子を共通とした第1,第2のスキャンバスライン
11,12を平行に配置したものである。
According to a first aspect of the present invention, a plurality of scan bus lines 1, thin film transistors 2, display electrodes 3, and reference potential supply bus lines 4 are formed on one of two substrates such as glass which are opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. The gate of the thin film transistor 2 is connected to the scan bus line 1, one of the source and the drain is connected to the display electrode 3, and the other is connected to the reference potential supply bus line 4, and the display electrode 3 is connected to the other of the two substrates. Striped data bus lines 5 facing each other
In the active matrix type liquid crystal display device of the opposed matrix type in which the terminals are formed, the first and second common terminals having common terminals are provided on both sides of the reference potential supply bus line 4 extending in the direction orthogonal to the data bus line 5. Canvas line
1 1 and 1 2 are arranged in parallel.

又第2の発明は、基準電位供給バスライン4にそれぞ
れソース又はドレインの何れか一方が接続された第1,第
2の薄膜トランジスタ21,22のゲートを、基準電位供給
バスライン4の両側に配置した第1,第2のスキャンバス
ライン11,12にそれぞれ接続し、ソース又はドレインの
何れか他方を、データバスライン5と平行方向に隣接配
置された表示電極3に接続したものである。
In the second invention, the gates of the first and second thin film transistors 2 1 and 2 2 each having either the source or the drain connected to the reference potential supply bus line 4 are connected to both sides of the reference potential supply bus line 4. Connected to the first and second scan bus lines 11 1 and 12 respectively, and the other of the source and the drain is connected to the display electrode 3 arranged adjacent to the data bus line 5 in the parallel direction. Is.

又第3の発明は、更に、基準電位供給バスライン4の
両側に平行に、且つ端子を共通として配置した第1,第2
のスキャンバスライン11,12のスキャン方向の後位に位
置する第2のスキャンバスライン12に、データバスライ
ン5の延長方向に沿って表示電極3間に延長して配置し
た延長部を形成したものである。
The third aspect of the present invention is further the first and second aspects in which the terminals are arranged in parallel on both sides of the reference potential supply bus line 4 and with common terminals.
An extension portion that extends between the display electrodes 3 along the extension direction of the data bus line 5 on the second scan bus line 1 2 that is located at the rear of the scan bus lines 1 1 and 1 2 in the scan direction. Is formed.

又第4の発明は、基準電位供給バスライン4の両側に
平行に、且つ端子を共通にして配置した第1,第2のスキ
ャンバスライン11,12のスキャン方向の後位に位置する
第2のスキャンバスライン12と表示電極3との間隔を、
スキャン方向の前位に位置する第1のスキャンバスライ
ン11と表示電極3との間隔より狭くしたものである。
The fourth aspect of the invention is located in the rear of the scanning direction of the first and second scan bus lines 1 1 and 1 2 which are arranged in parallel on both sides of the reference potential supply bus line 4 and have common terminals. the distance between the second scan bus lines 1 2 and the display electrodes 3,
The distance is narrower than the distance between the display electrode 3 and the first scan bus line 11 located at the front in the scanning direction.

又第5の発明は、第2の発明に於ける第1の薄膜トラ
ンジスタ21をnチャネル型とpチャネル型との何れか一
方とし、第2の薄膜トランジスタ22をnチャネル型とp
チャネル型との何れか他方としたものである。
The fifth invention is, either one city and second of the first thin film transistor 2 1 a n-channel and p-channel type in the invention, the second thin film transistor 2 2 n-channel type and p
Either of the channel type and the other type.

又第6の発明は、順次スキャンバスラインを選択する
1水平走査期間毎に、基準電位供給バスライン4に加え
る基準電位が交互に二つのレベルの電位となるように切
替えて駆動する構成を備えたものである。
A sixth aspect of the present invention has a configuration in which the reference potential applied to the reference potential supply bus line 4 is switched and driven so as to alternately have two levels of potential for each horizontal scanning period for sequentially selecting the scan bus lines. It is a thing.

又第7の発明は、最も明るい表示とする場合の液晶印
加電圧をVbrとし、最も暗い表示とする場合の液晶印加
電圧をVdkとした時に、基準電位供給バスライン4に加
える基準電位の二つのレベルの差を、Vbr+Vdkの関係に
設定したものである。
In the seventh invention, when the liquid crystal applied voltage for the brightest display is V br and the liquid crystal applied voltage for the darkest display is V dk , the reference potential of the reference potential supply bus line 4 is changed. The difference between the two levels is set in the relationship of V br + V dk .

又第8の発明は、表示電極3と、スキャン方向前位の
第2のスキャンバスライン12と後位の第1のスキャンバ
スライン11との間のそれぞれの静電容量をC1,C2とし、
前記表示電極3のスキャン方向後位の第1のスキャンバ
スライン11にスキャン電圧Vgを印加し、且つスキャン方
向前位の第2のスキャンバスライン12に、Vg×(C2
C1)と同一又は近似した値の負電圧を印加する構成とし
たものである。
In the eighth invention, the capacitance between the display electrode 3, the second scan bus line 1 2 at the front in the scanning direction and the first scan bus line 1 1 at the rear is C 1 , C 2 and
The display first scan bus line electrodes 3 in the scanning direction after position 1 1 to apply a scan voltage V g, and the second scan bus lines 1 2 in the scanning direction before position, V g × (C 2 /
The configuration is such that a negative voltage of the same value or a value close to that of C 1 ) is applied.

又第9の発明は、表示電極3に対してスキャン方向後
位の第1のスキャンバスライン11にスキャン電圧Vgを印
加し、且つその表示電極3に対してスキャン方向前位の
第2のスキャンバスライン12と、スキャン方向後位に隣
接する他の表示電極3に対する第1のスキャンバスライ
ン11とに、Vg×(C2/C1)と同一又は近似した値の負電
圧を印加する構成としたものである。
The ninth invention applies the scan voltage V g to the first scan bus line 11 which is rearward in the scan direction with respect to the display electrode 3, and the second scan electrode which is forward in the scan direction with respect to the display electrode 3. negative scan bus line 1 2, the first scan bus lines 1 1 and, V g × (C 2 / C 1) and the same or similar values for the other display electrode 3 adjacent to the scanning direction after position It is configured to apply a voltage.

又第10の発明は、奇数行と偶数行とのスキャンバスラ
イン端子を、飛び越し走査によりフィールド毎に交互に
選択して順次スキャン電圧Vgを印加し、そのスキャンバ
スライン端子の両側に隣接するスキャンバスライン端子
に、Vg×(C2/C1)の値と同一或いは近似した値の負電
圧を印加する構成としたものである。
A tenth aspect of the invention is to alternately select scan bus line terminals of odd-numbered rows and even-numbered rows for each field by interlaced scanning and sequentially apply a scan voltage V g to the scan bus line terminals adjacent to both sides of the scan bus line terminals. The negative voltage having the same value as or a value close to V g × (C 2 / C 1 ) is applied to the scan line terminal.

〔作用〕[Action]

第1の発明に於いて、基準電位供給バスライン4の両
側に第1,第2のスキャンバスライン11,12を配置したこ
とにより、基準電位供給バスライン4と表示電極3との
間の静電容量を小さくして、クロストークを低減するこ
とができる。
In the first invention, the first on either side of the reference potential supplying bus line 4, by which the second scan bus lines 1 1, 1 2 are arranged, between the reference potential supplying bus line 4 and the display electrodes 3 The cross-talk can be reduced by reducing the electrostatic capacitance of.

又基準電位供給バスライン4の両側の第1,第2のスキ
ャンバスライン11,12を組として、Si,Si+1,Si+2,・
・・とし、液晶セルをPi,Pi+1,・・・とすると、右側
に示すように、データ電圧をデータバスライン5に印加
し、基準電位供給バスライン4に基準電位を印加し、ス
キャンバスラインSiにスキャン電圧(アドレス電圧)Vg
を印加すると、液晶セルPiの表示電極3は第2の薄膜ト
ランジスタ22を介して基準電位供給バスライン4と接続
された状態となり、データ電圧と基準電位との差電圧が
液晶セルPiに印加され、次にスキャンバスラインSi+1
スキャン電圧Vgを印加すると、液晶セルPiの表示電極3
は第1の薄膜トランジスタ21を介して基準電位供給バス
ライン4に接続された状態となり、データ電圧と基準電
位との差電圧が液晶セルPiに印加され、右下に示すよう
に液晶セル電圧が保持される。
The first on either side of the reference potential supplying bus line 4 1, as the second scan bus lines 1 1, 1 2 a set, S i, S i + 1 , S i + 2, ·
.. and the liquid crystal cells are P i , P i + 1 , ..., As shown on the right side, the data voltage is applied to the data bus line 5 and the reference potential is applied to the reference potential supply bus line 4. , Scan voltage (address voltage) V g on the scan bus line S i
The application of the display electrodes 3 of the liquid crystal cell P i is a state of being connected to the reference potential supply bus line 4 via the second thin film transistor 2 2, a difference voltage between the data voltage and the reference potential to the liquid crystal cell P i When a scan voltage V g is applied to the scan bus line S i + 1 next, the display electrode 3 of the liquid crystal cell P i is applied.
Is in a state of being connected to a reference potential supply bus line 4 via the first thin film transistor 2 1, the difference voltage between the data voltage and the reference potential is applied to the liquid crystal cell P i, the liquid crystal cell voltage as shown in the lower right Is retained.

又第2の発明は、基準電位供給バスライン4にソース
又はドレインが接続され、ドレイン又はソースが表示電
極3に接続され、第1,第2のスキャンバスライン11,12
にゲートが接続された第1,第2の薄膜トランジスタ21
22を設けことにより、1個の表示電極3に2個の薄膜ト
ランジスタ21,22が接続されたことになり、一方の薄膜
トランジスタが不動作状態となっても、他方の薄膜トラ
ンジスタが動作する場合は、表示欠陥とならないので、
製造歩留りを向上することができる。
In the second invention, the source or drain is connected to the reference potential supply bus line 4, the drain or source is connected to the display electrode 3, and the first and second scan bus lines 1 1 , 1 2
The first and second thin film transistors 2 1 , whose gates are connected to
By providing 2 2 , two thin film transistors 2 1 and 2 2 are connected to one display electrode 3, and when one thin film transistor is inoperative, the other thin film transistor operates. Is not a display defect,
The manufacturing yield can be improved.

又第3の発明は、表示電極3間に第2のスキャンバス
ライン12から延長した延長部を設けたもので、表示電極
3とそのスキャン方向前位の第2のスキャンバスライン
12との間の静電容量C1を、表示電極3とそのスキャン方
向後位の第1のスキャンバスライン11との間の静電容量
C2より大きくして、補償電圧を小さくすることができ
る。
The third invention has provided an extension extending from the second scan bus lines 1 2 between the display electrodes 3, a second scan bus lines of the display electrode 3 the scan direction prior position
Capacitance C 1 between 1 and 2 is the capacitance between the display electrode 3 and the first scan bus line 1 1 which is rearward in the scanning direction.
The compensation voltage can be made smaller by making it larger than C 2 .

又第4の発明は、表示電極3とそのスキャン方向前位
の第2のスキャンバスライン12の間隔を狭くしてC1>C2
の関係となるようにしたものである。
A fourth aspect of the invention is to reduce the distance between the display electrode 3 and the second scan bus line 1 2 which precedes the display electrode 3 in the scanning direction by reducing C 1 > C 2
The relationship is to be

又第5の発明は、第1の薄膜トランジスタ21をnチャ
ネル型とすると、第2の薄膜トランジスタ22をpチャネ
ル型とするか又はその反対とするものであり、正負何れ
か一方の極性のスキャン電圧を順次スキャンバスライン
Si,Si+1,・・・に印加することにより、第1,第2の薄
膜トランジスタ21,22の何れか一方が順次オンとなり、
他方は確実にオフ状態となる。又正負何れか他方の極性
のスキャン電圧を順次印加すると、第1,第2の薄膜トラ
ンジスタ21,22の何れか他方が順次オンとなり,他方は
確実にオフ状態となる。従って、第6図に示したような
駆動を行うことにより、各表示電極は1水平走査期間中
にnチャネル,pチャネルの二つの薄膜トランジスタを介
して書込動作が行われ、何れのトランジスタが欠陥にな
っても、正規のデータが書込まれ、完全な冗長構成とす
ることができる。
The fifth invention is the first thin film transistor 2 1 is an n-channel transistor, the second thin film transistor 2 2 is intended to or with its opposite and p-channel type, positive and negative one polarity scan Scan voltage sequentially bus line
By applying to S i , S i + 1 , ..., One of the first and second thin film transistors 2 1 , 2 2 is sequentially turned on,
The other is surely turned off. Also, when positive and negative the other one of the polarities sequentially applies a scan voltage, the first, second thin film transistor 2 1, 2 2 of the other one is sequentially turned on, the other is surely turned off. Therefore, by performing the driving as shown in FIG. 6, the writing operation is performed on each display electrode through the two n-channel and p-channel thin film transistors during one horizontal scanning period, and any of the transistors has a defect. Even if it becomes, regular data is written and a complete redundant configuration can be achieved.

第6の発明は、基準電位供給バスライン4に1水平走
査期間毎に、基準電位が二つのレベルの電位となるよう
に切替えるもので、データ電圧の振幅を小さくすること
ができる。
According to the sixth aspect of the invention, the reference potential is switched to the potential of two levels in the reference potential supply bus line 4 every horizontal scanning period, and the amplitude of the data voltage can be reduced.

第7の発明は、第6の発明に於ける基準電位の二つの
レベルの差を、Vbr+Vdkの関係に設定したもので、デー
タ電圧の最大振幅を正負のフレームにわたって、Vbr−V
dkとすることができる。
A seventh invention is such that the difference between the two levels of the reference potential in the sixth invention is set to a relationship of V br + V dk , and the maximum amplitude of the data voltage is V br −V over the positive and negative frames.
It can be dk .

第8の発明は、スキャンバスラインSi+1にスキャン電
圧Vgを印加した時に、スキャン方向前位のスキャンバス
ラインSiに、Vg×(C2/C1)の負電圧−Vcgを印加する
ことにより、直流電圧レベルシフトを低減することがで
きる。
An eighth aspect of the invention is such that, when a scan voltage V g is applied to the scan bus line S i + 1 , a negative voltage −V of V g × (C 2 / C 1 ) is applied to the scan bus line S i preceding the scan direction. The DC voltage level shift can be reduced by applying cg .

第9の発明は、更に液晶セルPiに対してスキャン方向
後位に隣接する液晶セルPi+1の表示電極3に対する第1
のスキャンバスライン11にも負電圧−Vcgを印加するも
のである。
A ninth aspect of the invention, first to the display electrodes 3 of the liquid crystal cell P i + 1 which further adjacent to the scanning direction after position with respect to the liquid crystal cell P i 1
To the scan bus line 1 1 it is intended to apply a negative voltage -V cg.

第10の発明は、飛び越し走査により表示駆動を行う場
合に於いて、奇数行のスキャンバスライン端子と、偶数
行スキャンバスライン端子とをフィールド毎に交互に選
択してスキャン電圧Vgを印加するもので、そのスキャン
電圧Vgを印加するスキャンバスライン端子の両側に隣接
するスキャンバスライン端子に、前述の電圧−Vcgを印
加するものである。
A tenth aspect of the present invention, in the case of performing display driving by interlaced scanning, applies a scan voltage V g by alternately selecting an odd-row scan bus line terminal and an even-row scan bus line terminal for each field. The above-mentioned voltage −V cg is applied to the scan bus line terminals adjacent to both sides of the scan bus line terminal to which the scan voltage V g is applied.

〔実施例〕〔Example〕

以下図面を参照して本発明の実施例について詳細に説
明する。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

第2図は本発明の第1の実施例の説明図であり、対向
マトリクス形式のアクティブマトリクス型液晶表示装置
の一方の基板上のパターンの一例を示し、基準電位供給
バスライン14は総て共通に接続されて、例えば、1水平
走査期間毎に異なる二つのレベルの何れかに切替えられ
る。又各基準電位供給バスライン14の両側に第1,第2の
スキャンバスライン111,112が配置され、基準電位供給
バスライン14を取り囲むように端子に接続されている。
又121,122は第1,第2の薄膜トランジスタ、13は表示電
極であり、薄膜トランジスタのゲート絶縁膜等は図示を
省略している。
FIG. 2 is an explanatory view of the first embodiment of the present invention, showing an example of a pattern on one substrate of an opposed matrix type active matrix type liquid crystal display device, and the reference potential supply bus lines 14 are all common. And is switched to one of two different levels for each horizontal scanning period. Further, first and second scan bus lines 11 1 and 11 2 are arranged on both sides of each reference potential supply bus line 14 and are connected to terminals so as to surround the reference potential supply bus line 14.
Further, 12 1 and 12 2 are first and second thin film transistors, 13 is a display electrode, and a gate insulating film and the like of the thin film transistors are not shown.

基準電位供給バスライン14の両側の第1,第2のスキャ
ンバスライン111,112は、第1,第2の薄膜トランジスタ
121,122のゲート電極となり、又基準電位供給バスライ
ン14は、第1,第2の薄膜トランジスタ121,122のドレイ
ン電極となる。又表示電極13と薄膜トランジスタ121,1
22のソース電極と接続されており、表示電極13の一部を
延長してソース電極とすることもできる。
The first and second scan bus lines 11 1 and 11 2 on both sides of the reference potential supply bus line 14 are respectively the first and second thin film transistors.
The gate electrodes of 12 1 and 12 2 are used, and the reference potential supply bus line 14 is used as the drain electrodes of the first and second thin film transistors 12 1 and 12 2 . In addition, the display electrode 13 and the thin film transistor 12 1 , 1
It is connected to a 2 second source electrode and may be a source electrode by extending a portion of the display electrode 13.

基準電位供給バスライン14の両側の第1,第2のスキャ
ンバスライン111,112を組として、Si,Si+1,Si+2,・
・・とし、表示電極13を含む液晶セルをPi,Pi+1,・・
・とすると、スキャンバスラインSiにスキャン電圧を印
加すると、液晶セルPiの表示電極13は第2の薄膜トラン
ジスタ122を介して基準電位供給バスライン14に接続さ
れた状態となり、図示を省略しているデータバスライン
に印加したデータ電圧が液晶セルPiに印加される。
As a set of the first and second scan bus lines 11 1 and 11 2 on both sides of the reference potential supply bus line 14, S i , S i + 1 , S i + 2 ,.
.. and the liquid crystal cell including the display electrode 13 is P i , P i + 1 , ...
When, and applying a scan voltage to the scan bus line S i, display electrodes 13 of the liquid crystal cell P i is a state of being connected to a reference potential supply bus line 14 via the second thin film transistor 12 2, not shown The data voltage applied to the active data bus line is applied to the liquid crystal cell P i .

次にスキャンバスラインSi+1にスキャン電圧を印加す
ると、液晶セルPiの表示電極13は第1の薄膜トランジス
タ121を介して基準電位供給バスライン14に接続され、
又液晶セルPi+1の表示電極13は第2の薄膜トランジスタ
122を介して基準電位供給バスライン14に接続された状
態となり、図示を省略したデータバスラインに印加した
データ電圧が液晶セルPi,Pi+1に印加され、次に選択さ
れるまでそのデータ電圧は液晶セルPiに保持される。
Next, when a scan voltage is applied to the scan bus line S i + 1 , the display electrode 13 of the liquid crystal cell P i is connected to the reference potential supply bus line 14 via the first thin film transistor 12 1 ,
The display electrode 13 of the liquid crystal cell P i + 1 is the second thin film transistor.
It is connected to the reference potential supply bus line 14 via 12 2 , and the data voltage applied to the data bus line (not shown) is applied to the liquid crystal cells P i and P i + 1 until the next selection. The data voltage is held in the liquid crystal cell P i .

次にスキャンバスラインSi+2にスキャン電圧を印加
し、データバスラインにデータ電圧を印加すると、その
データ電圧が液晶セルPi+1に印加されて保持されること
になる。
Next, when the scan voltage is applied to the scan bus line S i + 2 and the data voltage is applied to the data bus line, the data voltage is applied to and held in the liquid crystal cell P i + 1 .

以下同様にして、順次スキャンバスラインSが選択さ
れ、データバスライン(図示せず)にデータ電圧が印加
されて、表示データに従った表示内容となる。
Similarly, the scan bus lines S are sequentially selected, and the data voltage is applied to the data bus lines (not shown), so that the display contents are in accordance with the display data.

前述のように、基準電位供給バスライン14と表示電極
13との間に第1,第2のスキャンバスライン111,112が配
置されているので、基準電位供給バスライン14と表示電
極13との間の静電容量を低減することができる。この静
電容量は、第13図に於ける静電容量Cdpに相当するか
ら、(2)式から判るように、容量結合比α2を低減す
ることができ、それによってクロストークを低減するこ
とができる。
As described above, the reference potential supply bus line 14 and the display electrode
Since the first and second scan bus lines 11 1 and 11 2 are arranged between the reference potential supply bus line 14 and the display electrode 13, the capacitance between the reference potential supply bus line 14 and the display electrode 13 can be reduced. Since this electrostatic capacitance corresponds to the electrostatic capacitance C dp in FIG. 13, it is possible to reduce the capacitive coupling ratio α2, and thereby reduce the crosstalk, as can be seen from the equation (2). You can

又表示電極13の両側に第1,第2の薄膜トランジスタ12
1,122が設けられた冗長構成となり、何れか一方が不動
作状態となっても、他方が動作する場合は、表示欠陥を
救済することができるから、製造歩留りを向上すること
ができる。なお、前述のクロストークを低減するだけで
済む場合には、第1,第2の薄膜トランジスタ121,122
何れか一方を省略することもできる。
Also, the first and second thin film transistors 12 are provided on both sides of the display electrode 13.
1, 12 2 becomes the redundant configuration provided, even if either one of the non-operating state, if the other is to work, since it is possible to repair the defective display, it is possible to improve the production yield. If it is sufficient to reduce the above-mentioned crosstalk, either one of the first and second thin film transistors 12 1 and 12 2 can be omitted.

第3図は第2図のA−A′線に沿った概略断面図であ
り、液晶を介在して対向配置した2枚のガラス基板の中
の一方のガラス基板15上に、薄膜トランジスタ122と表
示電極13と基準電位供給バスライン14とスキャンバスラ
イン112とを形成した部分を示し、16はアモルファスシ
リコン等の半導体層、17,18はコンタクト層、19はゲー
ト絶縁膜、20は金属層である。
Figure 3 is a schematic cross-sectional view taken along the line A-A 'of FIG. 2, one on the glass substrate 15 of in the two glass substrates were opposed to each other interposing a liquid crystal, a thin film transistor 12 2 shows a portion of forming the display electrode 13 and the reference potential supplying bus line 14 and the scan bus line 11 2, 16 denotes a semiconductor layer such as amorphous silicon, 17 and 18 contact layer 19 is a gate insulating film, 20 is a metal layer Is.

コンタクト層17と接触する表示電極13の一部がソース
電極、コンタクト層18と接触する金属層20の一部がドレ
イン電極となり、ゲート絶縁膜19上のスキャンバスライ
ン112がゲート電極となる。このようにソース電極とド
レイン電極とゲート電極とを有する薄膜トランジスタ
が、基準電位供給バスライン14を挟んで反対側にも形成
されている。又表示電極13と液晶を介在して対向するス
トライプ状のデータバスラインが、図示を省略している
他方のガラス基板上に形成されている。
Some source electrodes of the display electrodes 13 in contact with the contact layer 17, a portion of the metal layer 20 in contact with the contact layer 18 becomes the drain electrode, the scan bus line 11 2 on the gate insulating film 19 becomes the gate electrode. In this way, the thin film transistor having the source electrode, the drain electrode, and the gate electrode is formed on the opposite side with the reference potential supply bus line 14 interposed therebetween. Further, stripe-shaped data bus lines facing the display electrodes 13 with the liquid crystal interposed are formed on the other glass substrate (not shown).

液晶セルの透過率特性は、第4図に示すように、例え
ば±Vdkの時に最も透過率が小さく、即ち、最も暗い表
示状態となり、±Vbrの時に最も透過率が大きく、即
ち、最も明るい表示状態となる。従って、白黒表示の場
合は、絶対値でVdk以下とVbr以上との電圧が、表示デー
タに従って選択されて液晶セルに印加されることにな
る。
As shown in FIG. 4, the transmittance characteristic of the liquid crystal cell is such that the transmittance is the smallest when ± V dk , that is, the darkest display state is displayed, and the transmittance is the largest when ± V br , that is, the most transmittance is displayed. The display is bright. Therefore, in the case of black and white display, voltages of V dk or less and V br or more in absolute value are selected according to the display data and applied to the liquid crystal cell.

第5図は本発明の第1の実施例の駆動波形説明図であ
り、(a),(b),(c)はスキャンバスラインに印
加するスキャン電圧、(d)は基準電位供給バスライン
に印加する基準電圧、(e)はデータバスラインに印加
するデータ電圧、(f)は液晶セル電圧のそれぞれ一例
を示す。
FIG. 5 is a drive waveform explanatory diagram of the first embodiment of the present invention, where (a), (b) and (c) are scan voltages applied to the scan bus line, and (d) is a reference potential supply bus line. Is a reference voltage applied to the data bus line, (e) is a data voltage applied to the data bus line, and (f) is a liquid crystal cell voltage.

スキャンバスラインSi,Si+1,Si+2に、(a),
(b),(c)に示すVg=+20Vと、−Vcg=−20Vとの
スキャン電圧を印加し、データバスラインに(e)に示
す7Vと9.5Vとの何れかのデータ電圧VDを印加し、基準電
位供給バスライン14に(d)に示す12Vと4.5Vとの二つ
のレベルを1水平走査期間毎に切替えた基準電圧VRを与
えると、液晶セルPiには、(VD−VR)=12−7=5
(V)の電圧VPが印加され、液晶セル電圧は(f)に示
すように、+5Vとなる。
On the canvas lines S i , S i + 1 , S i + 2 , (a),
(B), and V g = + 20V to (c), the application of a scan voltage of -V cg = -20 V, one of the data voltage V between 7V and 9.5V shown in the data bus line (e) When D is applied and the reference voltage V R, which is switched between the two levels of 12 V and 4.5 V shown in (d) for each horizontal scanning period, is applied to the reference potential supply bus line 14, the liquid crystal cell P i becomes (V D −V R ) = 12−7 = 5
The voltage V P of (V) is applied, and the liquid crystal cell voltage becomes +5 V as shown in (f).

この実施例では、Vdk=2.5V、Vbr=5Vとなる液晶を用
いた場合について述べており、従って、基準電位の二つ
のレベルの差は、Vdk+Vbr=7.5Vとなる。これに対応し
て、(d)に示すように、12−4.5=7.5(V)に設定さ
れる。
In this embodiment, the liquid crystal having V dk = 2.5V and V br = 5V is used. Therefore, the difference between the two levels of the reference potential is V dk + V br = 7.5V. Correspondingly, as shown in (d), 12-4.5 = 7.5 (V) is set.

又基準電圧VRを4.5Vとした時に、データ電圧VDを9.5V
とすると、液晶セル電圧は−5Vとなり、負極性の液晶セ
ル電圧により明るい表示となる。又その時のデータ電圧
VDを7Vとすると、液晶セル電圧は−2.5Vとなり、暗い表
示となる。
When the reference voltage V R is 4.5V, the data voltage V D is 9.5V
Then, the liquid crystal cell voltage becomes −5V, and a bright display is provided by the liquid crystal cell voltage of the negative polarity. Data voltage at that time
When V D is 7 V, the liquid crystal cell voltage is −2.5 V, and the display is dark.

液晶セル電圧VPの変動の大きさΔVLC Nは、 ΔVLC N=〔ΔVD N×(Cgp+Cdp) ÷(Cgp+Cdp+CLC)〕 +ΔVR×Cdp/(Cgp+Cdp+CLC) =(ΔVD N+ΔVR) ×Cdp/(Cgp+Cdp+CLC) +ΔVD N×Cgp/(Cdp+Cdp+CLC) …(3) と表すことができる。なお、ΔVD N,ΔVRはデータ電圧
及び基準電位の変動を示すものである。
The magnitude [Delta] V LC N of variation of the liquid crystal cell voltage V P, ΔV LC N = [ΔV D N × (C gp + C dp) ÷ (C gp + C dp + C LC) ] + ΔV R × C dp / ( C gp + C dp + C LC) = (ΔV D N + ΔV R) can be represented as × C dp / (C gp + C dp + C LC) + ΔV D N × C gp / (C dp + C dp + C LC) ... (3). It should be noted that ΔV D N and ΔV R represent changes in the data voltage and the reference potential.

これに対して、従来例の対向マトリクス形式のアクテ
ィブマトリクス型液晶表示装置に於いては、その液晶セ
ル電圧変動ΔVLC Cは、 ΔVLC C=〔ΔVD C×(Cgp+Cdp) ÷(Cgp+Cdp+CLC)〕 =(ΔVD C×Cdp/(Cgp+Cdp+CLC) +ΔVD C×Cgp/(Cgp+Cdp+CLC) …(4) と表すことができる。なお、ΔVD Cはデータ電圧変動を
示すものである。
On the other hand, in the counter matrix type active matrix type liquid crystal display device of the conventional example, the liquid crystal cell voltage variation ΔV LC C is ΔV LC C = [ΔV D C × (C gp + C dp ) / ( C gp + C dp + C LC )] = (ΔV D C × C dp / (C gp + C dp + C LC ) + ΔV D C × C gp / (C gp + C dp + C LC ) ... (4) Incidentally, [Delta] V D C shows a data voltage fluctuations.

本発明に於いては、基準電位を前述の12Vと4.5Vとの
二つの電位に交互に切替えることにより、データ電圧VD
の振幅を圧縮することができる。それによって液晶セル
電圧の変動を低減することができる。例えば、第5図に
於ける液晶セル電圧VPは±5Vであるが、データ電圧の振
幅は9.5−7=2.5(V)で済むことになる。更に、基準
電位供給バスライン14が第1,第2のスキャンバスライン
111,112によって挟まれているから、静電容量Cdpも従
来例に比較して小さくなり、液晶セル電圧変動ΔVLC
低減することができる。
In the present invention, the data voltage V D is changed by alternately switching the reference potential between the above-mentioned two potentials of 12V and 4.5V.
The amplitude of can be compressed. Thereby, the fluctuation of the liquid crystal cell voltage can be reduced. For example, the liquid crystal cell voltage V P in FIG. 5 is ± 5 V, but the amplitude of the data voltage is 9.5−7 = 2.5 (V). Further, the reference potential supply bus line 14 is the first and second scan bus lines.
Since it is sandwiched by 11 1 and 11 2 , the electrostatic capacitance C dp becomes smaller than that of the conventional example, and the liquid crystal cell voltage fluctuation ΔV LC can be reduced.

又スキャンバスラインSi+1に接続されている第1,第2
の薄膜トランジスタ121,122のゲート選択終了時に液晶
セルPiに生じる直流電圧レベルシフトの大きさは、 Vg×C2/(C1+C2+Cdp+CLC) …(5) と表すことができる。なお、C1は表示電極13と第2のス
キャンバスライン122との間の静電容量、C2は表示電極1
3と第1のスキャンバスライン121との間の静電容量であ
る。従って、液晶セルPiに隣接する他のスキャンバスラ
インSiに、−Vcgの電圧を印加することにより、直流電
圧レベルシフトを補償することができる。この場合、 −Vcg=−Vg×C2/C1 …(6) とすると、直流電圧レベルシフトをほぼ完全に補償する
ことができる。第5図に於いては、C1=C2とした場合を
示し、Vcg=Vgとなる。
In addition, the first and second connected to the scan bus line S i + 1
The magnitude of the DC voltage level shift generated in the liquid crystal cell P i at the end of the gate selection of the thin film transistors 12 1 and 12 2 is expressed as V g × C 2 / (C 1 + C 2 + C dp + C LC ) (5) You can C 1 is the capacitance between the display electrode 13 and the second scan bus line 12 2, and C 2 is the display electrode 1
It is the capacitance between 3 and the first scan bus line 12 1 . Therefore, the DC voltage level shift can be compensated by applying the voltage of −V cg to the other scan bus line S i adjacent to the liquid crystal cell P i . In this case, if −V cg = −V g × C 2 / C 1 (6), the DC voltage level shift can be almost completely compensated. In FIG. 5, the case where C 1 = C 2 is shown, and V cg = V g .

第6図は本発明の第2の実施例の駆動波形説明図であ
り、(a),(b),(c)はスキャンバスラインSi
Si+1,Si+2に印加するスキャン電圧を示し、スキャンバ
スラインSi+1にVg=+20Vの電圧を印加した時、スキャ
ン方向前位のスキャンバスラインSiに−Vcg=−20V、且
つスキャン方向後位のスキャンバスラインSi+2に−Vcg
=−20Vの電圧を印加することにより、スキャンバスラ
インSi+2に接続された薄膜トランジスタ121に欠陥が生
じ、スキャンバスラインSi+1に接続された薄膜トランジ
スタ122のみによってスキャンバスラインSi+1,Si+2
で挟まれた表示電極を駆動する場合でも、液晶セルPi+1
の直流電圧レベルシフトを低減することができる。
FIG. 6 is an explanatory diagram of drive waveforms according to the second embodiment of the present invention, in which (a), (b) and (c) are scan bus lines S i ,
The scan voltage applied to S i + 1 and S i + 2 is shown. When a voltage of V g = + 20 V is applied to the scan bus line S i + 1 , −V cg is applied to the scan bus line S i that is in front of the scan direction. = −20V, and −V cg on the scan bus line S i + 2 that is downstream in the scan direction
= By applying a voltage of -20 V, a defect occurs in the thin film transistor 12 1 connected to the scan bus line S i + 2, scan bus line S i + 1 connected to a thin film transistor 12 2 only by the scan bus lines S Even when the display electrode sandwiched between i + 1 and S i + 2 is driven, the liquid crystal cell P i + 1
It is possible to reduce the DC voltage level shift of

第7図は本発明の第3の実施例の説明図であり、第2
図と同一符号は同一部分を示し、15は延長部であり、第
2のスキャンバスライン112から表示電極13間に延長し
て形成したものである。それによって、表示電極13と第
2のスキャンバスライン112との間の静電容量C1を、表
示電極13と第1のスキャンバスライン111との間の静電
容量C2により大きくし、(6)式に示す補償電圧−Vcg
を低減することができる。
FIG. 7 is an explanatory view of the third embodiment of the present invention,
The same reference numerals as those in the figure indicate the same portions, and 15 is an extension portion, which is formed by extending between the second scan bus line 112 and the display electrode 13. As a result, the capacitance C 1 between the display electrode 13 and the second scan bus line 11 2 is increased by the capacitance C 2 between the display electrode 13 and the first scan bus line 11 1. , Compensation voltage −V cg shown in equation (6)
Can be reduced.

第8図は本発明の第4の実施例の説明であり、第2図
と同一符号は同一部分を示す。この実施例は、表示電極
13に対してスキャン方向前位の第2のスキャンバスライ
ン112と表示電極13との間隔を、スキャン方向後位の第
1のスキャンバスライン111と表示電極13との間隔より
小さくし、C1>C2の関係が得られるようにしたものであ
る。
FIG. 8 is an explanation of the fourth embodiment of the present invention, and the same symbols as in FIG. 2 indicate the same parts. In this example, the display electrode
The distance between the second scan bus line 11 2 and the display electrodes 13 in the scanning direction before position relative 13, smaller than the distance between the first scan bus line 11 1 and the display electrodes 13 in the scanning direction after position, It is intended to obtain the relationship of C 1 > C 2 .

第9図は本発明の第5の実施例の説明図であり、2
11,212は第1,第2のスキャンバスライン、22n,22pはn
チャネル型とpチャネル型との薄膜トランジスタ、23は
表示電極、24は基準電位供給バスライン、25はデータバ
スラインである。各部の接続構成については、第1図に
示す構成と同様であるが、第1のスキャンバスライン21
1にゲートが接続された薄膜トランジスタをnチャネル
型とし、第2のスキャンバスライン212にゲートが接続
された薄膜トランジスタをpチャネル型とした場合を示
す。なお、この反対の関係に薄膜トランジスタを設ける
ことも可能である。
FIG. 9 is an explanatory view of the fifth embodiment of the present invention.
1 1 and 21 2 are the first and second scan bus lines, and 22n and 22p are n
Reference numeral 23 is a display electrode, 24 is a reference potential supply bus line, and 25 is a data bus line. The connection configuration of each unit is the same as the configuration shown in FIG. 1, but the first scan bus line 21
A thin film transistor whose gate is connected to one and n-channel type, showing a case where a thin film transistor whose gate is connected to a 2 second scan bus line 21 and the p-channel type. Note that a thin film transistor can be provided in the opposite relationship.

例えば、右側に示すように、データ電圧VDをデータバ
スライン25に印加し、1水平走査期間毎に異なる二つの
レベルの何れかに切替える基準電圧VRを基準電位供給バ
スライン24に印加し、スキャンバスラインSi+1に電圧Vg
を印加し、スキャン方向前位のスキャンバスラインSi
電圧−Vcgを印加すると、スキャンバスラインSiの第2
のスキャンバスライン212にゲートが接続されたpチャ
ネル型の薄膜トランジスタ22pがオンとなり、且つスキ
ャンバスラインSi+1の第1のスキャンバスライン211
ゲートが接続されたnチャネル型の薄膜トランジスタ22
nがオンとなって、液晶セルPiの表示電極23は、pチャ
ネル型の薄膜トランジスタ22pとnチャネル型の薄膜ト
ランジスタ22nとを介して基準電位バスライン24に接続
された状態となる。従って、データ電圧VDと基準電圧VR
との差が液晶セルPiに印加されることになる。
For example, as shown on the right side, the data voltage V D is applied to the data bus line 25, and the reference voltage V R for switching to one of two different levels for each horizontal scanning period is applied to the reference potential supply bus line 24. , The voltage V g on the scan bus line S i + 1
Is applied, and a voltage −V cg is applied to the scan bus line S i located in the front in the scan direction, the second scan bus line S i is output.
N-channel thin film transistor in which the gate is connected to the scan bus line 21 2 is turned on and the gate is connected to the first scan bus line 21 1 in the scan bus line S i + 1 . twenty two
When n is turned on, the display electrode 23 of the liquid crystal cell P i is connected to the reference potential bus line 24 via the p-channel type thin film transistor 22p and the n-channel type thin film transistor 22n. Therefore, the data voltage V D and the reference voltage V R
Will be applied to the liquid crystal cell P i .

その時、スキャン方向後位の液晶セルPi+1の表示電極
23に接続されたpチャネル型の薄膜トランジスタ22pは
オフ状態となり、その液晶セルPi+1の表示電極23にはデ
ータ電圧VDは印加されないことになる。次の水平走査期
間に於いてスキャンバスラインSi+1に電圧Vgが印加され
るから、データバスライン25に印加されたデータ電圧が
液晶セルPi+1に印加されることになる。
At that time, the display electrode of the liquid crystal cell P i + 1 at the rear of the scanning direction
The p-channel type thin film transistor 22p connected to 23 is turned off, and the data voltage V D is not applied to the display electrode 23 of the liquid crystal cell P i + 1 . Since the voltage V g is applied to the scan bus line S i + 1 in the next horizontal scanning period, the data voltage applied to the data bus line 25 is applied to the liquid crystal cell P i + 1 .

第10図は本発明の第6の実施例の駆動波形説明図であ
り、例えば、第2図に示す構成に於いて飛び越し走査に
より駆動する場合を示すもので、(a)〜(e)はスキ
ャンバスラインSi-1〜S1+3に印加する電圧を示し、例え
ば、奇数フィールドに於いて、(c)に示すようにスキ
ャンバスラインSi+1に電圧Vgを印加した時、それに隣接
するスキャン方向前位のスキャンバスラインSi及び後位
のスキャンバスラインSi+2に、−Vcgの電圧を印加する
と、このスキャンバスラインSi+1の第1のスキャンバス
ライン111にゲートが接続された第1の薄膜トランジス
タ121と、第2のスキャンバスライン112にゲートが接続
された第2の薄膜トランジスタ122とがオンとなるか
ら、データ電圧は2行の液晶セルに印加されることにな
る。
FIG. 10 is a drive waveform explanatory view of the sixth embodiment of the present invention, and shows the case of driving by interlaced scanning in the configuration shown in FIG. 2, for example, (a) to (e) Indicates the voltage applied to the scan canvas lines S i-1 to S 1 + 3. For example, in the odd field, when the voltage V g is applied to the scan bus line S i + 1 as shown in (c), When a voltage of −V cg is applied to the front scan bus line S i and the rear scan bus line S i + 2 adjacent to it, the first scan bus line of the scan bus line S i + 1 is applied. 11 first the thin film transistor 12 1 whose gate is connected to one, because the second TFT 12 2 and the gate is connected to a 2 second scan bus lines 11 turned on, the data voltage is two rows of liquid crystal Will be applied to the cell.

そして、次の走査期間では、飛び越し走査であるか
ら、スキャンバスラインSi+3に電圧Vgを印加し、それに
隣接するスキャンバスラインには、電圧−Vcgを印加す
るから、スキャンバスラインSi+3の両側に位置する2行
の液晶セルにデータ電圧が印加されることになる。
Then, in the next scanning period, since the interlaced scanning is performed, the voltage V g is applied to the scan bus line S i + 3 , and the voltage −V cg is applied to the scan bus line adjacent to the scan bus line S i + 3. A data voltage is applied to the two rows of liquid crystal cells located on both sides of S i + 3 .

又偶数フィールドに於いては、スキャンバスラインSi
に電圧Vgを印加し、それに隣接するスキャンバスライン
には、電圧−Vcgを印加するから、スキャンバスラインS
iの両側に位置する2行の液晶セルにデータ電圧が印加
される。そして、次の走査期間では、スキャンバスライ
ンSi+2に電圧Vgを印加し、それに隣接するスキャンバス
ラインには、電圧−Vcgを印加するから、スキャンバス
ラインSi+2の両側に位置する2行の液晶セルにデータ電
圧が印加される。即ち、奇数フィールドと偶数フィール
ドとに於いて2行毎に書込みが行われ、各フィールドで
は1行ずれることになり、飛び越し走査による表示が行
われる。
In the even field, the scan bus line S i
Voltage V g is applied to the scan bus line S and the voltage −V cg is applied to the scan bus line adjacent thereto.
A data voltage is applied to the two rows of liquid crystal cells located on both sides of i . Then, in the next scanning period, the voltage V g applied to the scan bus line S i + 2, the scan bus line adjacent thereto, because applying a voltage -V cg, both sides of the scan bus line S i + 2 A data voltage is applied to the two rows of liquid crystal cells located at. That is, the writing is performed every two lines in the odd field and the even field, and the lines are shifted by one line in each field, and the display by the interlaced scanning is performed.

この場合も、電圧−Vcgを選定することにより、直流
電圧レベルシフトを低減して、残像等の問題を除去する
ことができる。
Also in this case, by selecting the voltage −V cg , it is possible to reduce the DC voltage level shift and eliminate the problem of afterimage.

本発明は、前述の実施例のみに限定されるものではな
く、例えば、各実施例を組合せて実施することも可能で
ある。また薄膜トランジスタを更に追加した冗長構成と
することも可能である。
The present invention is not limited to the above-described embodiments, but may be implemented by combining the embodiments, for example. It is also possible to have a redundant configuration in which thin film transistors are further added.

〔発明の効果〕〔The invention's effect〕

以上説明したように、本発明は、基準電位供給バスラ
イン4の両側にスキャンバスライン11,12を設けたこと
により、表示電極3と基準電位供給バスライン4との間
の静電容量を小さくすることができ、クロストークを低
減して表示品質を向上することができる。又第1,第2の
スキャンバスライン11,12にそれぞれゲートを接続した
第1,第2の薄膜トランジスタ21,22を設けたことによ
り、一方の薄膜トランジスタが動作しない場合でも他方
が健在ならば、表示欠陥とならない程度の表示品質とな
り、製造歩留りを向上することができる。
As described above, the present invention provides a reference potential supplying scan bus lines 1 1 on each side of the bus line 4, 1 by 2 to the provided, capacitance between the display electrode 3 and the reference potential supply bus line 4 Can be reduced, crosstalk can be reduced, and display quality can be improved. The first, first, by providing the second thin film transistor 2 1, 2 2 connected to the second scan bus lines 1 1, 1 2, respectively gates, the other is alive even if one of the thin film transistor does not work Then, the display quality is such that no display defect occurs, and the manufacturing yield can be improved.

又基準電位供給バスライン4の電位を交互に二つのレ
ベルに切替えることにより、データバスライン5に印加
するデータ電圧の振幅を低減することができるから、こ
れによってもクロストークを低減することができる。
Further, by alternately switching the potential of the reference potential supply bus line 4 between two levels, the amplitude of the data voltage applied to the data bus line 5 can be reduced, which also reduces crosstalk. .

又スキャンバスラインに補償電圧−Vcgを印加するこ
とにより、直流電圧レベルシフトを低減することができ
るから、残像等の現象が生じないようにすることができ
る。従って、表示品質を向上できると共に、寿命を延長
することが可能となる利点がある。
Further, by applying the compensation voltage −V cg to the scan bus line, the DC voltage level shift can be reduced, so that the phenomenon such as afterimage can be prevented. Therefore, there is an advantage that the display quality can be improved and the life can be extended.

【図面の簡単な説明】 第1図は本発明の原理説明図、第2図は本発明の第1の
実施例の説明図、第3図は第2図のA−A′線に沿った
概略断面図、第4図は透過率特性説明図、第5図は本発
明の第1の実施例の駆動波形説明図、第6図は本発明の
第2の実施例の駆動波形説明図、第7図乃至第9図は本
発明の第3乃至第5の実施例の説明図、第10図は本発明
の第6の実施例の駆動波形説明図、第11図は従来例の等
価回路、第12図は対向マトリクス形式のパネルの分解斜
視図、第13図は対向マトリクス形式のパネルの等価回路
である。 11,12は第1,第2のスキャンバスライン、21,22は第1,
第2の薄膜トランジスタ、3は表示電極、4は基準電位
供給バスライン、5はデータバスラインである。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is an explanatory view of the principle of the present invention, FIG. 2 is an explanatory view of a first embodiment of the present invention, and FIG. 3 is taken along the line AA 'in FIG. FIG. 4 is a schematic sectional view, FIG. 4 is an explanatory view of transmittance characteristics, FIG. 5 is an explanatory view of drive waveforms of the first embodiment of the present invention, and FIG. 6 is an explanatory view of drive waveforms of the second embodiment of the present invention. 7 to 9 are explanatory views of the third to fifth embodiments of the present invention, FIG. 10 is a drive waveform explanatory view of the sixth embodiment of the present invention, and FIG. 11 is an equivalent circuit of a conventional example. FIG. 12 is an exploded perspective view of a counter matrix type panel, and FIG. 13 is an equivalent circuit of a counter matrix type panel. 1 1 and 1 2 are the first and second scan bus lines, and 2 1 and 2 2 are the first and second scan bus lines.
The second thin film transistor, 3 is a display electrode, 4 is a reference potential supply bus line, and 5 is a data bus line.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 沖 賢一 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−167915(JP,A) ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Kenichi Oki 1015 Kamiodanaka, Nakahara-ku, Kawasaki-shi, Kanagawa Fujitsu Limited (56) Reference JP-A-1-167915 (JP, A)

Claims (10)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】液晶を介在して対向配置した2枚の基板の
一方に、複数のスキャンバスライン(1)と薄膜トラン
ジスタ(2)と表示電極(3)と基準電位供給バスライ
ン(4)とが形成され、前記薄膜トランジスタ(2)の
ゲートが前記スキャンバスライン(1)に、ソースとド
レインとの何れか一方が前記表示電極(3)に、他方が
前記基準電位供給バスライン(4)にそれぞれ接続さ
れ、前記2枚の基板の他方に、前記表示電極(3)と対
向するストライプ状の複数のデータバスライン(5)が
形成された対向マトリクス形式のアクティブマトリクス
型液晶表示装置に於いて、 前記データバスライン(5)と直交する方向に延長する
前記基準電位供給バスライン(4)の両側に、端子を共
通とした第1,第2のスキャンバスライン(11,12)を平
行に配置した ことを特徴とするアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
1. A plurality of scan bus lines (1), thin film transistors (2), display electrodes (3), reference potential supply bus lines (4) are provided on one of two substrates which are opposed to each other with a liquid crystal interposed therebetween. Are formed, the gate of the thin film transistor (2) is the scan bus line (1), one of the source and the drain is the display electrode (3), and the other is the reference potential supply bus line (4). In an active matrix type liquid crystal display device of an opposed matrix type in which a plurality of stripe-shaped data bus lines (5) opposed to the display electrodes (3) are formed on the other of the two substrates respectively connected. , The first and second scan bus lines (1 1 , 1 2 ) having common terminals on both sides of the reference potential supply bus line (4) extending in a direction orthogonal to the data bus line (5) ) Are arranged in parallel, an active matrix type liquid crystal display device.
【請求項2】前記基準電位供給バスライン(4)にそれ
ぞれソース又はドレインの何れか一方が接続された第1,
第2の薄膜トランジスタ(21,22)のゲートを、前記基
準電位供給バスライン(4)の両側に配置した前記第1,
第2のスキャンバスライン(11,12)にそれぞれ接続
し、ソース又はドレインの何れか他方を、前記データバ
スライン(5)と平行方向に隣接配置された前記表示電
極(3)に接続したことを特徴とする請求項1記載のア
クティブマトリクス型液晶表示装置。
2. A first and a first of which a source or a drain is connected to the reference potential supply bus line (4), respectively.
The gates of the second thin film transistors (2 1 , 2 2 ) are arranged on both sides of the reference potential supply bus line (4).
The second scan bus lines (1 1 , 1 2 ) are connected to each other, and either the source or the drain is connected to the display electrode (3) arranged adjacent to the data bus line (5) in a parallel direction. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, characterized in that.
【請求項3】前記基準電位供給バスライン(4)の両側
に平行に、且つ端子を共通として配置した前記第1,第2
のスキャンバスライン(11,12)のスキャン方向の後位
に位置する前記第2のスキャンバスライン(12)に、前
記データバスライン(5)の延長方向に沿って前記表示
電極(3)間に延長して配置された延長部を形成したこ
とを特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型
液晶表示装置。
3. The first and second terminals, which are arranged in parallel on both sides of the reference potential supply bus line (4) and have a common terminal.
The second scan bus line (1 2 ) located at the rear of the scan bus line (1 1 , 1 2 ) in the scan direction along the extension direction of the data bus line (5). 3. An active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein an extended portion is formed so as to be extended between 3).
【請求項4】前記基準電位供給バスライン(4)の両側
に平行に、且つ端子を共通として配置した前記第1,第2
のスキャンバスライン(11,12)のスキャン方向の後位
に位置する前記第2のスキャンバスライン(12)と前記
表示電極(3)との間隔を、前記スキャン方向の前位に
位置する前記第1のスキャンバスライン(11)と前記表
示電極(3)との間隔より狭くしたことを特徴とする請
求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
4. The first and second terminals arranged in parallel with each other on both sides of the reference potential supply bus line (4) and having a common terminal.
Of the second scan bus line (1 2 ) located at the rear of the scan bus lines (1 1 , 1 2 ) in the scan direction and the display electrode (3) at the front of the scan direction. 2. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 1, wherein the distance between the first scan bus line (1 1 ) located and the display electrode (3) is narrower.
【請求項5】前記第1の薄膜トランジスタ(21)をnチ
ャネル型とpチャネル型との何れか一方とし、前記第2
の薄膜トランジスタ(22)をnチャネル型とpチャネル
型との何れか他方としたことを特徴とする請求項2記載
のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
5. The first thin film transistor (2 1 ) is one of an n-channel type and a p-channel type, and the second
3. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 2, wherein the thin film transistor (2 2 ) is formed of either an n-channel type or a p-channel type.
【請求項6】1水平走査期間毎に、前記基準電位供給バ
スライン(4)に加える基準電位が交互に二つのレベル
の電位となるように切替えて駆動する構成を有すること
を特徴とする請求項1記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
6. A structure in which the reference potential applied to the reference potential supply bus line (4) is alternately switched and driven so as to have two levels of potential every horizontal scanning period. Item 1. An active matrix type liquid crystal display device according to item 1.
【請求項7】最も明るい表示となる液晶印加電圧を
Vbr、最も暗い表示となる液晶印加電圧をVdkとした時
に、交互に二つのレベルの電位となるように切替える前
記基準電位の差を(Vbr+Vdk)の関係に設定したことを
特徴とする請求項6記載のアクティブマトリクス型液晶
表示装置。
7. A liquid crystal applied voltage which produces the brightest display
V br is a characteristic that the difference between the reference potentials that are switched so as to alternately have two levels of potential when the voltage applied to the liquid crystal that produces the darkest display is V dk is set to the relation of (V br + V dk ). The active matrix liquid crystal display device according to claim 6.
【請求項8】前記表示電極(3)と、スキャン方向前位
の前記第2のスキャンバスライン(12)と後位の前記第
1のスキャンバスライン(11)との間のそれぞれの静電
容量をC1,C2とし、前記表示電極(3)のスキャン方向
後位の前記第1のスキャンバスライン(11)にスキャン
電圧Vgを印加し、且つスキャン方向前位の前記第2のス
キャンバスライン(12)にVg×(C2/C1)と同一又は近
似した値の負電圧を印加する構成としたことを特徴とす
る請求項1記載のアクティブマトリクス型液晶表示装
置。
8. The display electrode (3), and each of the second scan bus line (1 2 ) on the front side in the scanning direction and the first scan bus line (1 1 ) on the rear side of the display electrode (3). Capacitances are C 1 and C 2 , a scan voltage V g is applied to the first scan bus line (1 1 ) at the rear of the display electrode (3) in the scan direction, and the scan voltage V g is at the front of the scan electrode. second scan bus lines (1 2) V g × (C 2 / C 1) an active matrix type according to claim 1, characterized in that a configuration of applying a negative voltage of the same or close to that value as the liquid crystal Display device.
【請求項9】前記表示電極(3)に対してスキャン方向
後位の第1のスキャンバスライン(11)に前記スキャン
電圧Vgを印加し、該表示電極(3)に対してスキャン方
向前位の第2のスキャンバスライン(12)と、スキャン
方向後位に隣接する他の表示電極(3)に対する第1の
スキャンバスライン(11)とに、前記Vg×(C2/C1)と
同一又は近似した値の負電圧を印加する構成としたこと
を特徴とする請求項8記載のアクティブマトリクス型液
晶表示装置。
9. The scan voltage V g is applied to a first scan bus line (1 1 ) which is rearward in the scan direction with respect to the display electrode (3), and the scan voltage is applied to the display electrode (3) in the scan direction. In the second scan bus line (1 2 ) at the front and the first scan bus line (1 1 ) to the other display electrode (3) adjacent to the rear in the scanning direction, the V g × (C 2 9. The active matrix type liquid crystal display device according to claim 8, wherein a negative voltage having a value equal to or close to / C 1 ) is applied.
【請求項10】奇数行のスキャンバスライン端子と、偶
数行のスキャンバスライン端子とを、飛び越し走査によ
りフィールド毎に交互に選択して順次前記スキャン電圧
Vgを印加し、該スキャン電圧Vgを印加したスキャンバス
ライン端子の両側に隣接するスキャンバスライン端子
に、前記Vg×(C2/C1)の値と同一或いは近似した値の
負電圧を印加する構成としたことを特徴とする請求項8
記載のアクティブマトリクス型液晶表示装置。
10. An odd-numbered scan bus line terminal and an even-numbered scan bus line terminal are alternately selected for each field by interlaced scanning, and the scan voltage is sequentially selected.
V g is applied, and the scan bus line terminals adjacent to both sides of the scan bus line terminal to which the scan voltage V g is applied have a negative value that is the same as or close to the value of V g × (C 2 / C 1 ). 9. The structure for applying a voltage, according to claim 8.
The active matrix liquid crystal display device described.
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