JP2003280036A - Liquid crystal display device - Google Patents

Liquid crystal display device

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JP2003280036A
JP2003280036A JP2002085246A JP2002085246A JP2003280036A JP 2003280036 A JP2003280036 A JP 2003280036A JP 2002085246 A JP2002085246 A JP 2002085246A JP 2002085246 A JP2002085246 A JP 2002085246A JP 2003280036 A JP2003280036 A JP 2003280036A
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JP
Japan
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liquid crystal
display device
crystal display
pixel
proximity portion
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP2002085246A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Katsuhiko Kumakawa
克彦 熊川
Kenji Nakao
健次 中尾
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Publication date
Application filed by Matsushita Electric Industrial Co Ltd filed Critical Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To solve problems of a bend-aligned liquid crystal display device that a proximity part between pixels provided as a transition nucleus for facilitating spray bend alignment transition has an adverse effect on display as parasitic capacitance between the pixels. <P>SOLUTION: For (n+1)/n-time speed driving (n: an integer of ≥2) for black insertion, lateral stripe unevenness generated for every (n) gate lines is reduced by removing proximity parts between pixels corresponding to the final stage of each group of gate lines divided into (n) groups and the initial stage of the next group. For all pixels, a pixel electrode for display and an electrode for proximity part formation are electrically disconnected by, for example, a TFT switching element irrelevantly to a driving method to make proximity parts operate as transition nuclei in spray bend alignment transition and eliminates parasitic capacitance between pixels in display operation, thereby solving display problems such as various display unevenness, etc., due to the parasitic capacitance between the pixels. <P>COPYRIGHT: (C)2004,JPO

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置、特に
高速応答特性や広視野角特性を有するベンド配向させた
OCB(Optically self−Compen
sated Birefringence)液晶モード
を利用した液晶表示装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a liquid crystal display device, and more particularly to a bend-oriented OCB (Optically Self-Compen) having a high-speed response characteristic and a wide viewing angle characteristic.
The present invention relates to a liquid crystal display device using a saturated birefringence liquid crystal mode.

【0002】[0002]

【従来の技術】薄膜トランジスタ(TFT:Thin−
Film−Transistor)を用いたアクティブ
マトリクス型液晶ディスプレイは薄型化、軽量化、低電
圧駆動可能などの長所によりカムコーダ用のディスプレ
イ、パーソナルコンピューター、パーソナルワードプロ
セッサーのディスプレイなど種々の分野で利用されてお
り、大きな市場を形成している。
2. Description of the Related Art Thin film transistors (TFT: Thin-
The active matrix type liquid crystal display using a film-transistor is used in various fields such as a display for a camcorder, a display for a personal computer, a personal word processor, etc. due to its advantages such as thinness, light weight and low voltage drive. Forming a market.

【0003】特に近年では、従来のパソコン等での静止
画表示に加えて、動画表示やTV用途への利用が広がり
つつあり、こうした動画表示に適した液晶表示装置への
要求が高まってきている。これに対応し、高速応答性能
を向上させる液晶素子としてベンド配向させたOCB液
晶表示素子が特開平7−84254等で提案されてい
る。このOCB液晶表示素子は電圧に対する液晶の変化
が従来のTNモードに比べて早く、動画表示やTV用途
に適した高速応答を実現出来る。さらに、このベンド配
向型の液晶表示素子は液晶分子が上下基板間でベンド配
向しているため、光学位相差を自己補償でき、かつフィ
ルム位相差板で位相差補償をするため視野角特性にも優
れている。
In recent years, in particular, in addition to the conventional still image display on a personal computer or the like, the use for moving image display and TV application is spreading, and the demand for a liquid crystal display device suitable for such moving image display is increasing. . In response to this, an OCB liquid crystal display element with bend alignment is proposed as a liquid crystal element for improving high-speed response performance in Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-84254. This OCB liquid crystal display element has a faster change of liquid crystal with respect to the voltage than in the conventional TN mode, and can realize a high-speed response suitable for displaying moving images and TV. Further, in this bend alignment type liquid crystal display element, since the liquid crystal molecules are bend aligned between the upper and lower substrates, the optical retardation can be self-compensated, and the film retarder compensates for the retardation. Are better.

【0004】しかし、OCB液晶素子は、初期には図1
7(a)に示すようなスプレイ配向と呼ばれる表示に適
さない配向状態になっており、表示動作をさせるために
はこれを図17(b)に示すようなベンド配向状態に均
一に転移させておく必要がある。図17(a)、(b)
は、OCB液晶素子の断面図であり、基板10と11の
間に挟まれた液晶層12における液晶分子13の配向状
態を示したものである。ベンド配向状態への転移は、表
示駆動するよりも高い電圧を液晶に印加することによっ
て実現することができるが、その際、基板の一部にスプ
レイ配向からベンド配向への転移核がまず発生し、それ
が液晶層全体に広がり基板全体がベンド配向に転移する
というプロセスを経る。転移核が発生する場所は、基板
内の不均一な所、例えば分散されたスペーサの周囲や配
向のムラなど多様であり、しかも再現性が不十分なの
で、往々にしてベンド配向への転移が不均一になって表
示欠陥が残ることがある。再現性よく転移核を発生させ
るには、局所的に液晶に高電界を印加する方法が有効で
あることが知られている。
However, the OCB liquid crystal element is initially shown in FIG.
The splay alignment as shown in FIG. 7 (a) is in an alignment state not suitable for display, and in order to perform a display operation, this should be uniformly transferred to a bend alignment state as shown in FIG. 17 (b). I need to put it. 17 (a), (b)
FIG. 3 is a cross-sectional view of an OCB liquid crystal element, showing an alignment state of liquid crystal molecules 13 in a liquid crystal layer 12 sandwiched between substrates 10 and 11. The transition to the bend alignment state can be realized by applying a voltage higher than that for driving the display to the liquid crystal, in which a splay alignment to bend alignment nucleus is first generated in a part of the substrate. , It spreads over the entire liquid crystal layer and the entire substrate undergoes a bend orientation transition. There are various places where the transition nuclei are generated, such as non-uniform places in the substrate, such as around dispersed spacers and uneven alignment, and the reproducibility is insufficient. It may become uniform and display defects may remain. It is known that a method of locally applying a high electric field to a liquid crystal is effective for generating a transition nucleus with good reproducibility.

【0005】液晶に局所的な電界を印加する具体的な方
法として、隣接する画素電極の一部を近接させてその間
に電圧を印加することが効果的である。この構成を用い
た液晶表示装置の画素構成の一例を図18に示す。図1
8(a)は画素の電極構成を示す平面図、図18(b)
は図18の(a)A−B経路に沿った断面図、図18
(c)は図18(a)の画素構成の等価回路を示したも
のである。この液晶表示装置は、基板10上に、X2、
X3、X4、X5などのゲート線14と、Ym、Ym+
1、Ym+2など(mは任意の整数)のソース線15が
マトリクス状に配置され、それら交点に対応してスイッ
チング素子であるTFT16と画素電極17−3、17
−4、17−5などが形成されている。そして、ソース
線方向(図18(a)の上下方向)に隣接する画素電極
間の一部を近接させて強い電界を発生しやすくしてい
る。この画素間近接部はCpp3−4、Cpp4−5な
どの画素間容量を発生させる原因ともなっている。この
ようなマトリクスアレイが形成された基板10と、対向
電極が形成された対向基板(図示せず)の間に液晶層
(図示せず)を挟んで液晶表示装置とする。対向電極に
は基準電位Vcomが印加されており、スイッチング素
子16を介してソース線15から供給された画像電圧と
基準電位Vcomとの電位差が液晶層(図18(c)に
おいて容量Clcで表示)に印加されて液晶層の光学特
性が変調され画像表示が行われるものである。
As a concrete method for applying a local electric field to the liquid crystal, it is effective to bring some adjacent pixel electrodes close to each other and apply a voltage therebetween. FIG. 18 shows an example of a pixel configuration of a liquid crystal display device using this configuration. Figure 1
FIG. 8A is a plan view showing an electrode configuration of a pixel, FIG.
18A is a cross-sectional view taken along the line AB of FIG.
18C shows an equivalent circuit of the pixel configuration of FIG. This liquid crystal display device has X2,
Gate lines 14 such as X3, X4, and X5, and Ym and Ym +
1, source lines 15 such as Ym + 2 (m is an arbitrary integer) are arranged in a matrix, and TFTs 16 which are switching elements and pixel electrodes 17-3 and 17 correspond to their intersections.
-4, 17-5, etc. are formed. Then, a part of the pixel electrodes adjacent to each other in the source line direction (vertical direction in FIG. 18A) is brought close to each other to facilitate generation of a strong electric field. This inter-pixel proximity portion also causes the inter-pixel capacitance such as Cpp3-4 and Cpp4-5. A liquid crystal display device is formed by sandwiching a liquid crystal layer (not shown) between a substrate 10 having such a matrix array and a counter substrate (not shown) having counter electrodes formed thereon. The reference potential Vcom is applied to the counter electrode, and the potential difference between the image voltage supplied from the source line 15 via the switching element 16 and the reference potential Vcom is the liquid crystal layer (displayed by the capacitance Clc in FIG. 18C). Is applied to the liquid crystal layer to modulate the optical characteristics of the liquid crystal layer and display an image.

【0006】図面の複雑化を避けるため図18(a)に
おいては、スイッチング素子16は簡略して描かれてい
る。その具体的な構造は、図18(b)に示すように、
ゲート電極14a、ゲート絶縁層21、アモルファスシ
リコン半導体層22、ソース電極15aおよびドレイン
電極19で構成されている。ドレイン電極19と画素電
極17−4とは平坦化層23に開けたコンタクトホール
18を介して接続されている。表示に先立って、隣接す
る画素電極17−4、17−5間に数ボルト〜数十ボル
ト程度の電圧を印加して強電界を液晶層内に作ることに
よって転移核を発生させ、スプレイ配向からベンド配向
へ転移させておく。
In order to avoid complication of the drawing, the switching element 16 is illustrated in a simplified manner in FIG. The specific structure is as shown in FIG.
The gate electrode 14a, the gate insulating layer 21, the amorphous silicon semiconductor layer 22, the source electrode 15a, and the drain electrode 19 are included. The drain electrode 19 and the pixel electrode 17-4 are connected via a contact hole 18 formed in the flattening layer 23. Prior to the display, a voltage of several volts to several tens of volts is applied between the adjacent pixel electrodes 17-4 and 17-5 to create a strong electric field in the liquid crystal layer to generate transition nuclei, which causes splay alignment. Transition to bend orientation.

【0007】CRTなどのインパルス型表示素子と異な
り、液晶表示素子はホールド型表示素子であり、その場
合、動きのある画像をより正確に表示するために、フレ
ーム期間毎に黒表示期間を挿入することが有効である。
その方法として、フレーム毎にバックライトを点滅させ
るやりかたもあるが、点滅のタイミング調整が難しいの
で、通常、フレーム毎に非画像信号(黒が表示される信
号)を画素に供給することにより実現している。液晶表
示素子を構成するゲート線がN本、1フレーム周期がT
であるとすると、通常は1本のゲート線の選択に与えら
れる時間(水平走査期間H)はH=T/Nであるが、黒
表示信号を挿入するためには各ゲート線は1フレーム内
に2回選択される必要があるので、1回当りの選択に与
えられる時間は、(1/2)・T/Nと半分になる。ま
たこれに伴い、ソース線に供給する画像信号には、駆動
周波数を2倍にする、いわゆる2倍速変換を施す必要が
ある。この場合のソース線信号およびゲート線信号の波
形例を図19に示す。図19はゲート線が12本の場合
を例にとって2倍速駆動の状況を示している。入力画像
信号S1、S2、・・、S12はH=T/12のタイミ
ングで送られており、これを倍速変換して黒信号を含む
ソース線信号として各ソース線に供給する。ソース線信
号は、基準電位Vcomに対して極性がライン毎および
フレーム毎に反転しており、また図19において斜線で
示した部分が黒信号となる。ゲート線X1、X2、・
・、X12にはゲート線信号(ゲート線選択パルス)G
1、G2、・・、G12がそれぞれ供給される。例え
ば、ゲート線X3にはゲート線信号G3が印加され、ソ
ース線信号がS3のタイミングでH/2の期間選択され
てそのゲート線に接続された画素電極にS3が充電され
る。その後、ゲート線X3はソース信号が次のタイミン
グS8で再度H/2の期間選択されて黒信号が画素電極
に充電される。このようにして各画素には、1フレーム
の間に画像信号と黒信号が共に供給されて、黒表示期間
が挿入される。しかし、以上説明したようにこの駆動波
形では、画素を充電する時間が1/2に低減することに
なってTFTによる充電の精度を確保することが難しく
なるという問題がある。この問題は高精細化の要求によ
りゲート線の本数Nが増えるに従ってどんどん厳しくな
る。
Unlike impulse type display elements such as CRTs, liquid crystal display elements are hold type display elements. In this case, in order to display a moving image more accurately, a black display period is inserted every frame period. Is effective.
As a method, there is a method of blinking the backlight for each frame, but it is difficult to adjust the blinking timing, so it is usually realized by supplying a non-image signal (a signal that displays black) to pixels for each frame. ing. The liquid crystal display element has N gate lines and one frame period is T
Then, the time (horizontal scanning period H) given to the selection of one gate line is normally H = T / N, but in order to insert the black display signal, each gate line is within one frame. Therefore, the time required for each selection is half (1/2) · T / N. Further, along with this, it is necessary to subject the image signal supplied to the source line to a so-called double speed conversion in which the drive frequency is doubled. FIG. 19 shows a waveform example of the source line signal and the gate line signal in this case. FIG. 19 shows the situation of double-speed driving by taking the case of 12 gate lines as an example. The input image signals S1, S2, ..., S12 are sent at the timing of H = T / 12, and are double-speed converted to be supplied to each source line as a source line signal including a black signal. The polarity of the source line signal is inverted line by line and frame by frame with respect to the reference potential Vcom, and the shaded portion in FIG. 19 becomes a black signal. Gate lines X1, X2, ...
., X12 is a gate line signal (gate line selection pulse) G
, G2, ..., G12 are respectively supplied. For example, the gate line signal G3 is applied to the gate line X3, the source line signal is selected for the period of H / 2 at the timing of S3, and S3 is charged in the pixel electrode connected to the gate line. After that, the source signal of the gate line X3 is selected again for the period of H / 2 at the next timing S8, and the black signal is charged in the pixel electrode. In this way, the image signal and the black signal are both supplied to each pixel during one frame, and the black display period is inserted. However, as described above, with this drive waveform, there is a problem that it is difficult to secure the accuracy of charging by the TFT because the time for charging the pixel is reduced to 1/2. This problem becomes more severe as the number N of gate lines increases due to the demand for higher definition.

【0008】この課題を軽減するために、n本(nは2
以上の整数)のゲート線に対して同時に黒表示信号を書
き込むという手段がある。この場合は、1回当りゲート
線の選択に与えられる時間は(n/(n+1))・T/
Nとなり、画像信号の駆動周波数は(n+1)/n倍に
なる。例えばn=4の場合は、1回当りゲート線の選択
に与えられる時間は0.8・T/N、駆動周波数は5/
4=1.25倍と、かなり負担が軽減される。n=4の
場合の具体的な駆動波形の例を図20に示す。ゲート線
の本数は図18の場合と同じく12本としている。この
方法においては、1フレーム期間Tを12・(5/4)
=15の区間に分けて駆動する。ソース線信号は入力画
像信号が1.25倍に周波数変換されるとともに4区間
に1回の黒信号が挿入されたものとなる。ソース線信号
の極性は4+1区間毎、およびフレーム毎に反転させ
る。ゲート線信号パルスに添付した+あるいは−の記号
は、そのタイミングで書き込まれるソース信号の極性を
示したものであり、またBと表示したところでは黒信号
が書き込まれることを示している。動作を説明すると、
例えばゲート線X1、X2、X3、X4に接続された画
素に順次ソース線信号S1、S2、S3、S4が書き込
まれたあと、ゲート線X9、X10、X11、X12に
接続された画素に同時に黒信号が書き込まれ、ついで、
ゲート線X5、X6、X7、X8に接続された画素に順
次ソース線信号S5、S6、S7、S8が書き込まれた
あと、ゲート線X1、X2、X3、X4に接続された画
素に同時に黒信号が書き込まれるというように駆動され
る。この例ではゲート線の本数が12本と極めて少ない
場合を取り上げているので、画像信号が表示される期間
と黒信号が表示される期間の比はゲート線毎に大きく異
なるが、実際の液晶表示装置では、液晶テレビやモニタ
ーに用いられる10型以上ものではゲート線数は少なく
とも500本程度はあるので、その比はどのゲート線に
ついてもほとんど一定となる。また、画面サイズが小さ
く走査線数が100〜200本程度の場合には、nを減
らして(例えば、n=2)、前述の比を各ゲート線につ
いて一定に近づけることもできる。
In order to reduce this problem, n (n is 2)
There is a means of simultaneously writing a black display signal to the gate lines of the above integers. In this case, the time given to select the gate line once is (n / (n + 1)) T /
The driving frequency of the image signal becomes (n + 1) / n times. For example, in the case of n = 4, the time given for selecting the gate line once is 0.8 · T / N and the driving frequency is 5 / T.
4 = 1.25 times, considerably reducing the burden. FIG. 20 shows an example of a specific drive waveform when n = 4. The number of gate lines is 12 as in the case of FIG. In this method, one frame period T is 12 · (5/4)
Driving is divided into 15 sections. The source line signal is obtained by frequency-converting the input image signal by 1.25 times and inserting a black signal once in four sections. The polarity of the source line signal is inverted every 4 + 1 intervals and every frame. The + or-symbol attached to the gate line signal pulse indicates the polarity of the source signal written at that timing, and the portion labeled B indicates that a black signal is written. To explain the operation,
For example, after the source line signals S1, S2, S3, and S4 are sequentially written to the pixels connected to the gate lines X1, X2, X3, and X4, the pixels connected to the gate lines X9, X10, X11, and X12 are simultaneously blacked. The signal is written, then
After the source line signals S5, S6, S7 and S8 are sequentially written to the pixels connected to the gate lines X5, X6, X7 and X8, black signals are simultaneously applied to the pixels connected to the gate lines X1, X2, X3 and X4. Are driven so that they are written. In this example, the case where the number of gate lines is 12 is extremely small is taken up. Therefore, although the ratio of the period during which the image signal is displayed and the period during which the black signal is displayed is largely different for each gate line, the actual liquid crystal display With respect to the device, since the number of gate lines is at least about 500 in a 10-inch or more type used for a liquid crystal television or a monitor, the ratio is almost constant for any gate line. Further, when the screen size is small and the number of scanning lines is about 100 to 200, n can be reduced (for example, n = 2) to bring the above ratio close to a constant value for each gate line.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、(n+
1)/n倍速の駆動では、連続したn本のゲート線に接
続された画素のグループを順次同極性の信号で充電した
あと、次のn本のゲート線に接続された画素のグループ
を逆極性の信号で充電することになるので、画素間の容
量(例えば、図18(c)のCpp3−4など)を介し
た次段画素の充電電圧の影響が、すべての画素に対して
同じ条件でなくなる。すなわち、最初のグループの最終
段以外のゲート線に接続された画素について見れば、次
段画素の充電は同極性であるが、最初のグループの最終
段のゲート線に接続された画素のみは、次段画素の逆極
性の充電の影響を受けることになる。その結果、各グル
ープの最終段の画素の実効電圧が他の段の画素のものと
異なり、ゲート線n本毎に1本の横すじムラが発生する
ことがある。以下、図21を用いて具体的に説明する。
However, (n +
In 1) / n times speed driving, groups of pixels connected to consecutive n gate lines are sequentially charged with signals of the same polarity, and then groups of pixels connected to the next n gate lines are reversed. Since charging is performed with a signal having a polarity, the influence of the charging voltage of the next-stage pixel via the capacitance between pixels (for example, Cpp3-4 of FIG. 18C) is the same condition for all pixels. No longer. That is, regarding the pixels connected to the gate lines other than the last stage of the first group, the charges of the next stage pixels have the same polarity, but only the pixels connected to the last stage gate line of the first group are It will be affected by the reverse polarity charging of the next stage pixel. As a result, the effective voltage of the pixel in the last stage of each group is different from that of the pixels in the other stages, and one horizontal stripe unevenness may occur for every n gate lines. Hereinafter, a specific description will be given with reference to FIG.

【0010】図21は、図20と同じ条件(ゲート線数
12本、n=4)において最初の6本のゲート線につい
てその駆動波形G1、G2、・・、G6と、それに接続
され任意のソース線に沿った画素1、2、・・、6の充
電電圧波形P1、P2、・・、P6を示したものであ
る。例えば、画素1の充電電圧波形P1に注目すると、
タイミングt0において画素1は正極性のソース線信号
S1に充電され、タイミングt1においては、次段であ
る画素2の充電電圧波形P2の影響を受けて丸印Aに示
したように、画素1の電圧はさらにいくらか正方向に増
加する。この波形変化は、タイミングをずらしたP2、
P3についても同様であるが、P4については様子が異
なる。すなわち、画素4はタイミングt3において正極
性の信号に充電されるが、その後タイミングt5におい
て、次段画素5が充電電圧波形P5に示すように逆極性
に充電される影響を受けて丸印Bに示したように画素4
の電圧が若干低下する。画素5〜7は充電電圧波形P
5、P6に示すように、極性は異なるが実効電圧として
は充電電圧波形P1〜P3と同じ振る舞いをする。図示
しないが画素8については、極性が逆であるが実効電圧
としては画素4と同様の振る舞いをする。したがって、
画素4、8など、ゲート線4本ごとに1本の画素のみが
その他の画素よりも実効電圧が低くなり、これにより横
すじムラが発生する。
FIG. 21 shows drive waveforms G1, G2, ..., G6 for the first six gate lines under the same conditions (12 gate lines, n = 4) as shown in FIG. 6 shows charging voltage waveforms P1, P2, ..., P6 of the pixels 1, 2, ..., 6 along the source line. For example, focusing on the charging voltage waveform P1 of the pixel 1,
At timing t0, the pixel 1 is charged with the positive source line signal S1, and at timing t1, the pixel 1 of the pixel 1 is affected by the charging voltage waveform P2 of the pixel 2 at the next stage, as indicated by the circle A. The voltage increases somewhat more in the positive direction. This waveform change is caused by the timing shift of P2,
The same is true for P3, but the situation is different for P4. That is, the pixel 4 is charged with a positive polarity signal at the timing t3, but thereafter, at the timing t5, the next-stage pixel 5 is affected by being charged in the opposite polarity as shown by the charging voltage waveform P5, and the circle B is affected. Pixel 4 as shown
The voltage at the point will drop slightly. Pixels 5-7 have charging voltage waveform P
5 and P6, the polarities are different, but the behaviors as the charging voltage waveforms P1 to P3 are the same as the effective voltage. Although not shown, the pixel 8 behaves in the same manner as the pixel 4 as the effective voltage, though the polarity is opposite. Therefore,
Only one pixel for every four gate lines, such as the pixels 4 and 8, has a lower effective voltage than the other pixels, which causes uneven horizontal streaks.

【0011】また、その他の駆動方式を適用する場合に
も、画素間の結合容量(寄生容量)に起因する干渉によ
って表示品質が低下する恐れがある。
Also, when other driving methods are applied, display quality may be deteriorated due to interference caused by coupling capacitance (parasitic capacitance) between pixels.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記目的を実現するため
に本発明の液晶表示装置は以下の構成を有している。
In order to achieve the above object, the liquid crystal display device of the present invention has the following constitution.

【0013】すなわち、本発明の液晶表示装置は、液晶
層を挟持して対向する2枚の基板のうち、一方の基板の
対向面側に、走査信号が供給される複数のゲート線及び
画素信号が供給される複数のソース線、ゲート線とソー
ス線の各交差点に対応して設けられた第一のスイッチン
グ素子、第一のスイッチング素子に接続された画素電
極、他方の基板上に形成された対向電極とを少なくとも
備えた液晶表示装置であって、本液晶表示装置は、各画
素電極に画像信号と黒信号を書き込むために各ゲート線
が1フレーム期間内に複数回選択され、黒信号はn本
(nは2以上の整数)のゲート線が同時に選択されて書
き込まれるように駆動表示されるものであって、画素電
極は画素電極間の一部が接近した近接部を有し、かつ前
記画素電極の接続先であるゲート線に応じてn本毎に1
つの割合で近接部が除去されていることを特徴とする。
That is, in the liquid crystal display device according to the present invention, of the two substrates facing each other with the liquid crystal layer interposed therebetween, a plurality of gate lines and pixel signals to which scanning signals are supplied are provided on the facing surface side of one substrate. A plurality of source lines, a first switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and formed on the other substrate. A liquid crystal display device including at least a counter electrode, wherein the present liquid crystal display device is configured such that each gate line is selected a plurality of times within one frame period in order to write an image signal and a black signal to each pixel electrode. Driving display is performed such that n gate lines (n is an integer of 2 or more) are simultaneously selected and written, and the pixel electrodes have a proximity portion in which some of the pixel electrodes are close to each other, and At the connection of the pixel electrode 1 for each n the present in accordance with that gate line
The feature is that the adjacent portions are removed at a rate of one.

【0014】これにより、スプレイ配向からベンド配向
への転移を容易にするための転移核として設けた画素間
の近接部が、画素間の寄生容量として表示に悪影響を与
えるという課題を解消できる。
Thus, it is possible to solve the problem that the proximity portion between pixels provided as a transition nucleus for facilitating the transition from the splay alignment to the bend alignment adversely affects the display as a parasitic capacitance between the pixels.

【0015】本発明の別の液晶表示装置は、画素間近接
部を例えばTFTなどにより電気的に切断、接続制御で
き、それによりスプレイ−ベンド配向転移に際しては画
素間近接部を接続することによって転移核として働き、
表示動作においては画素間近接部を分離することによっ
て隣接画素間の寄生容量が存在しないように構成したこ
とを特徴としている。
In another liquid crystal display device of the present invention, the inter-pixel proximity portion can be electrically disconnected and controlled by, for example, a TFT or the like. Therefore, in the spray-bend alignment transition, the inter-pixel proximity portion is transferred by connecting. Work as a nucleus,
The display operation is characterized in that the adjacent portions between pixels are separated so that there is no parasitic capacitance between adjacent pixels.

【0016】この液晶表示装置においても、スプレイ配
向からベンド配向への転移を容易にするための転移核と
して設けた画素間の近接部が、画素間の寄生容量として
表示に悪影響を与える課題を解消できる。この液晶表示
装置は、複数のゲート線を同時に選択して黒信号を書き
込む駆動方法に関連する表示課題のみならず、その他の
駆動方法において画素間容量によって生じる表示課題を
も解消できる。
Also in this liquid crystal display device, the problem that the proximity portion between pixels, which is provided as a transition nucleus for facilitating the transition from the splay alignment to the bend alignment, adversely affects the display as a parasitic capacitance between the pixels is solved. it can. This liquid crystal display device can solve not only the display problems associated with the driving method of simultaneously selecting a plurality of gate lines and writing a black signal, but also the display problems caused by the inter-pixel capacitance in other driving methods.

【0017】本発明のさらに別の液晶表示装置は、液晶
層を挟持して対向する2枚の基板のうち、一方の基板の
対向面側に、走査信号が供給される複数のゲート線及び
画素信号が供給される複数のソース線、ゲート線とソー
ス線の各交差点に対応して設けられた第一のスイッチン
グ素子、第一のスイッチング素子に接続された画素電
極、他方の基板上に形成された対向電極とを少なくとも
備えた液晶表示装置であって、本液晶表示装置は、各画
素電極に画像信号と黒信号を書き込むために各ゲート線
が1フレーム期間内に複数回選択され、黒信号はn本
(nは2以上の整数)のゲート線が同時に選択されて書
き込まれるように駆動表示されるものであって、画素電
極は画素電極間の一部が接近した近接部を有し、かつ前
記画素電極の接続先であるゲート線に応じてn本毎に1
つの割合で近接部が、例えばTFTなどにより電気的に
切断、接続制御できる構成となっていることを特徴とす
る。
In still another liquid crystal display device of the present invention, of two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween, a plurality of gate lines and pixels to which scanning signals are supplied are provided on the facing surface side of one substrate. A plurality of source lines to which signals are supplied, a first switching element provided corresponding to each intersection of a gate line and a source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and formed on the other substrate A liquid crystal display device including at least a counter electrode, wherein each gate line is selected a plurality of times within one frame period in order to write an image signal and a black signal to each pixel electrode. Is driven and displayed so that n gate lines (n is an integer of 2 or more) are simultaneously selected and written, and the pixel electrodes have a proximity portion in which some of the pixel electrodes are close to each other, And at the connection of the pixel electrode 1 for each n the present in accordance with that gate line
It is characterized in that the adjacent portions can be electrically disconnected and controlled by, for example, a TFT or the like at a ratio of one.

【0018】この液晶表示装置においても、スプレイ配
向からベンド配向への転移を容易にするための転移核と
して設けた画素間の近接部が、画素間の寄生容量として
表示に悪影響を与えるという課題を解消できる。また、
転移核の数を減らすものではないので、転移時の確実性
がより高いという特徴もある。
Also in this liquid crystal display device, there is a problem that the proximity portion between the pixels provided as a transition nucleus for facilitating the transition from the splay alignment to the bend alignment adversely affects the display as a parasitic capacitance between the pixels. It can be resolved. Also,
Since it does not reduce the number of transfer nuclei, it is also characterized by higher certainty during transfer.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の液晶表示装置につ
いて図面を用いてより具体的に説明する。但し、以降の
図面の説明においては前述の従来例で用いた構成と同じ
部分には重複を避け、同じ符号を付けて説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The liquid crystal display device of the present invention will be described below more specifically with reference to the drawings. However, in the following description of the drawings, the same parts as those used in the above-mentioned conventional example will not be duplicated and will be described with the same reference numerals.

【0020】(実施の形態1)図1は実施の形態1の液
晶表示装置におけるアレイ基板上の画素電極構成を表す
平面図である。ゲート線14、ソース線15、TFT1
6、画素電極17などの具体的な構成は従来技術におい
て説明した図18と同じである。また、駆動にあたって
は、ゲート線X1、X2、X3、X4、・・に図21あ
るいは図20に示したゲート線信号G1、G2、G3、
G4、・・がそれぞれ印加される。すなわち、n=4と
したときの(n+1)/n倍速の駆動を行うものとす
る。図1ではゲート線Xgとソース線Ymで制御される
画素電極をPg,mと表示している。例えば、ゲート線
X4とソース線Ym+1で制御される画素電極はP4,
m+1と表示している。本実施の形態1では、図1に示
すように、画素電極P4,mと画素電極P5,mとの間
の近接部を取り除いたことに特徴がある。これにより、
図18(c)のCpp4−5に相当する画素間容量がな
くなるので、図21における画素電圧P4において丸印
Bで示した電圧変化(画素間容量Cpp4−5を介した
画素電圧P5の変化に起因するもの)が生じなくなる。
その結果、P1〜P3の実効電圧とP4の実効電圧の差
が小さくなり、横すじムラが軽減されるものである。こ
の近接部はスプレイ配向をベンド配向に転移させるため
の転移核として導入されたものであるが、このように4
本あたり1つ近接部をなくしてもスプレイ−ベンド配向
転移の動作には差し支えない。
(First Embodiment) FIG. 1 is a plan view showing a pixel electrode structure on an array substrate in a liquid crystal display device according to a first embodiment. Gate line 14, source line 15, TFT1
6, specific configurations of the pixel electrode 17 and the like are the same as those in FIG. 18 described in the related art. In driving, the gate lines X1, X2, X3, X4, ... Are connected to the gate line signals G1, G2, G3 shown in FIG.
.. are respectively applied. That is, it is assumed that (n + 1) / n times speed driving is performed when n = 4. In FIG. 1, the pixel electrode controlled by the gate line Xg and the source line Ym is indicated as Pg, m. For example, the pixel electrode controlled by the gate line X4 and the source line Ym + 1 is P4.
It is displayed as m + 1. The first embodiment is characterized in that the proximity portion between the pixel electrodes P4, m and the pixel electrodes P5, m is removed as shown in FIG. This allows
Since there is no inter-pixel capacitance corresponding to Cpp4-5 in FIG. 18C, the voltage change indicated by the circle B in the pixel voltage P4 in FIG. 21 (the change in the pixel voltage P5 via the inter-pixel capacitance Cpp4-5 Cause) will not occur.
As a result, the difference between the effective voltage of P1 to P3 and the effective voltage of P4 is reduced, and the lateral streak unevenness is reduced. This proximity portion was introduced as a transition nucleus for transferring the splay alignment to the bend alignment.
There is no problem with the operation of the splay-bend orientation transition even if one proximity portion is eliminated per book.

【0021】なお、図1に示すように隣接画素電極間近
接部は、異なる角度の複数の辺から形成してある。これ
は、近接部でさまざまな向きの電界を発生することによ
って、転移がより容易になるという効果があるからであ
る。図1では90度異なる辺で構成しているが、これに
限らず、任意の斜め角の辺を組み合わせて構成してもよ
い。
As shown in FIG. 1, the adjacent portion between adjacent pixel electrodes is formed by a plurality of sides having different angles. This is because the transition can be made easier by generating electric fields in various directions in the proximity. In FIG. 1, the sides are different from each other by 90 degrees, but the present invention is not limited to this, and sides having arbitrary oblique angles may be combined.

【0022】上の例では概念をわかりやすく説明するた
めにn=4としたが、一般に、ゲート線のn本のグルー
プの最終段と次のn本のグループの初段との間の画素間
容量を小さくすることによって同様の効果が得られるこ
とはいうまでもない。
In the above example, n = 4 was used to explain the concept in an easy-to-understand manner, but in general, the inter-pixel capacitance between the last stage of the n groups of gate lines and the first stage of the next n groups is set. It goes without saying that the same effect can be obtained by reducing

【0023】図2は、本実施の形態1の別の例を示した
ものである。図2(a)には画素構成を示す平面図、図
2(b)には、A−Bに沿った経路の断面図を示してあ
る。また、その等価回路をゲート線駆動回路40、ソー
ス線駆動回路41とともに図3に示してある。この例
は、図1の構成に蓄積容量線20を追加したものであ
る。これにより、各画素電極には蓄積容量Cstが追加
される。蓄積容量を効率よく形成するために、厚い平坦
化層23ではなく、薄いゲート絶縁層21を利用する。
例えば、画素P3,mの蓄積容量は、図2(b)に示す
ように、ソース線と同じレベルの層(蓄積容量形成用電
極)30と、ゲート線と同じレベルの層(蓄積容量線)
20との間に形成する。画素電極17と層30とは、コ
ンタクトホール32を介して接続されている。そして、
本実施の形態1の特徴は図1と同様に、画素P4,mと
画素P5,mとの間の近接部を取り除いたことにある。
その結果、画素間容量Cpp4−5が無視できるように
なり、すでに述べたと同じ理由により横すじムラが軽減
される。
FIG. 2 shows another example of the first embodiment. FIG. 2A is a plan view showing the pixel configuration, and FIG. 2B is a sectional view of a path taken along the line AB. The equivalent circuit is shown in FIG. 3 together with the gate line drive circuit 40 and the source line drive circuit 41. In this example, a storage capacitor line 20 is added to the configuration of FIG. As a result, the storage capacitor Cst is added to each pixel electrode. In order to efficiently form the storage capacitor, the thin gate insulating layer 21 is used instead of the thick flattening layer 23.
For example, as shown in FIG. 2B, the storage capacitors of the pixels P3 and m have a layer (storage capacitor forming electrode) 30 at the same level as the source line and a layer (storage capacitor line) at the same level as the gate line.
It is formed between 20 and. The pixel electrode 17 and the layer 30 are connected via a contact hole 32. And
The feature of the first embodiment is that the proximity portion between the pixel P4, m and the pixel P5, m is removed, as in FIG.
As a result, the inter-pixel capacitance Cpp4-5 can be ignored, and the horizontal streak unevenness is reduced for the same reason as described above.

【0024】本実施の形態1では隣接画素間の近接部の
下部に蓄積容量線20が配置されているので、蓄積容量
線20と画素電極17の間に電圧を印加することにより
隣接画素間の近接部において、縦方向(基板に垂直な方
向)の電界を作りやすい。これにより、より確実にスプ
レイ配向からベンド配向へ転移させることができる。
In the first embodiment, since the storage capacitance line 20 is arranged below the adjacent portion between the adjacent pixels, by applying a voltage between the storage capacitance line 20 and the pixel electrode 17, the voltage between the adjacent pixels is increased. It is easy to create an electric field in the vertical direction (direction perpendicular to the substrate) in the proximity portion. As a result, the splay alignment can be more reliably transferred to the bend alignment.

【0025】また、図1の構成で高コントラストの表示
を行うには、画素の間隙部をブラックマトリクスなどで
被い、ここからの光もれを遮光する必要がある。これは
開口率を低下させ、表示が暗くなってしまうからであ
る。本実施の形態1では隣接画素間の近接部の下部に蓄
積容量線20が配置されている。この遮光効果により特
に開口率を低下させることなく、コントラストの高い表
示が行えるという特徴がある。
Further, in order to perform a high contrast display with the configuration of FIG. 1, it is necessary to cover the gaps between pixels with a black matrix or the like to block light leakage from there. This is because the aperture ratio is reduced and the display becomes dark. In the first embodiment, the storage capacitance line 20 is arranged below the proximity portion between adjacent pixels. Due to this light-shielding effect, there is a feature that display with high contrast can be performed without lowering the aperture ratio.

【0026】なお、本実施の形態1では画素間近接部を
蓄積容量線20に重ねる例を示したが、これに代えてゲ
ート線14、あるいはソース線15に重ねることによっ
ても同様の効果が得られることは言うまでもない。
In the first embodiment, the example in which the inter-pixel proximity portion is overlapped with the storage capacitance line 20 is shown, but instead of this, the same effect can be obtained by overlapping with the gate line 14 or the source line 15. It goes without saying that it will be done.

【0027】(実施の形態2)上記実施の形態1の方法
では、隣接画素間の容量をすべて取り除くことなく、画
素間での実効電圧の差を軽減させることができた。本実
施の形態2では、表示動作時には隣接画素間の容量をす
べて取り除いて実効電圧の差を根本的になくすことによ
り横すじムラを確実になくすことができるものである。
(Embodiment 2) In the method of Embodiment 1, the effective voltage difference between pixels can be reduced without removing all the capacitance between adjacent pixels. In the second embodiment, the horizontal streak unevenness can be surely eliminated by eliminating all the capacitances between the adjacent pixels and fundamentally eliminating the difference in the effective voltage during the display operation.

【0028】図4(a)は本実施の形態2の液晶表示装
置におけるアレイ構成の一部を表す平面図である。図4
(b)は、図4(a)におけるA−B経路に沿った断面
図、図4(c)は等価回路を示している。本実施の形態
2でも、(n+1)/n倍速駆動を行い、n=4の場合
を例にとり、かつ図2と同じく蓄積容量線20を用いて
蓄積容量Cstを形成しているが、実施の形態1と異な
るのは、n本のゲート線グループの最終段のみ画素間近
接部を取り除くのではなく、スプレイ−ベンド配向転移
を行うときにはすべての画素間近接部を転移核として使
い、表示動作のときには、すべての画素間近接部を電気
的に絶縁隔離することである。表示動作のときにすべて
の画素間近接部を電気的に絶縁隔離するために、すべて
の画素において第二のスイッチング素子(第二のTF
T)31を導入したことに特徴がある。
FIG. 4A is a plan view showing a part of the array structure of the liquid crystal display device according to the second embodiment. Figure 4
4B is a cross-sectional view taken along the line AB in FIG. 4A, and FIG. 4C is an equivalent circuit. Also in the second embodiment, (n + 1) / n double speed driving is performed and n = 4 is taken as an example, and the storage capacitor Cst is formed using the storage capacitor line 20 as in FIG. The difference from the first embodiment is that not only the inter-pixel proximity part is removed only in the final stage of the n gate line groups, but all the inter-pixel proximity parts are used as transition nuclei when performing the spray-bend alignment transition. At times, it is necessary to electrically insulate and isolate all the proximity portions between pixels. In order to electrically insulate and isolate the proximity between all pixels during the display operation, the second switching element (second TF) is provided in all pixels.
It is characterized by the introduction of T) 31.

【0029】例えば、画素P4,mは、表示用の画素電
極17−4と、画素間近接部形成用電極17−4aより
なり、図4(b)に示すように、17−4はコンタクト
ホール34を介して、17−4aはコンタクトホール3
3を介して、第二のTFT31のソース電極35とドレ
イン電極36にそれぞれ接続されている。第二のTFT
31を制御するゲート電極は蓄積容量線20であり、ス
プレイ−ベンド配向転移を行うときには蓄積容量線20
の電圧を高くして第二のTFT31を導通にして表示用
の画素電極17−4と画素間近接部形成用電極17−4
aとを接続する。これにより、画素間近接部に高い電界
を発生させることができ、効率のよい転移核となる。表
示動作の場合には、蓄積容量線20は低電圧(Vst)
に保つことができるので第二のTFT31は遮断状態と
なり、表示用の画素電極17−4と画素間近接部形成用
電極17−4aとは電気的に切り離される。その結果、
表示動作時には、画素間近接部に起因する画素間容量を
ほぼ取り除くことができるので、図21の丸印AやBに
示すような電圧の変化をほぼなくすことができ、横すじ
ムラを解消できる。なお、この第二のスイッチング素子
31を導入するための新たなプロセスは一切必要なく、
従来のTFTアレイ形成プロセスをそのまま適用して、
マスク設計の変更のみで対応できる。
For example, each of the pixels P4 and m is composed of a pixel electrode 17-4 for display and an electrode 17-4a for forming an inter-pixel proximity portion. As shown in FIG. 4B, 17-4 is a contact hole. 17 through 4 through the contact hole 3
3 is connected to the source electrode 35 and the drain electrode 36 of the second TFT 31, respectively. Second TFT
The gate electrode controlling 31 is the storage capacitance line 20, and the storage capacitance line 20 is used when the splay-bend orientation transition is performed.
Of the pixel electrode 17-4 for display and the electrode 17-4 for forming the inter-pixel proximity portion by making the second TFT 31 conductive.
Connect to a. As a result, a high electric field can be generated in the vicinity of the pixels, resulting in an efficient transition nucleus. In the case of display operation, the storage capacitor line 20 has a low voltage (Vst).
Therefore, the second TFT 31 is turned off and the display pixel electrode 17-4 and the inter-pixel proximity portion forming electrode 17-4a are electrically separated. as a result,
Since the inter-pixel capacitance caused by the inter-pixel proximity portion can be almost removed during the display operation, the voltage change as shown by circles A and B in FIG. 21 can be almost eliminated, and the horizontal streak unevenness can be eliminated. . In addition, no new process for introducing the second switching element 31 is required,
Applying the conventional TFT array formation process as it is,
It can be handled only by changing the mask design.

【0030】図5は本実施の形態2における他の例を示
したもので、図5(a)はアレイ構成の一部を表す平面
図、図5(b)は、図5(a)におけるA−B経路に沿
った断面図、図5(c)は等価回路を示している。本実
施の形態2でも、(n+1)/n倍速駆動を行い、n=
4の場合を例にとり、かつ蓄積容量線20を用いて蓄積
容量Cstを形成していることは図4の場合と同様であ
る。図4では、第二のスイッチング素子(第二のTF
T)31の制御ゲート電極として蓄積容量線20を用い
ていたが、図5に示す本実施の形態2ではその制御ゲー
ト電極としてゲート線14を用いているところが異な
る。
FIG. 5 shows another example of the second embodiment, FIG. 5 (a) is a plan view showing a part of the array structure, and FIG. 5 (b) is a plan view of FIG. 5 (a). A cross-sectional view taken along the line AB, FIG. 5C shows an equivalent circuit. Also in the second embodiment, (n + 1) / n double speed driving is performed and n =
4 is taken as an example, and the storage capacitance Cst is formed by using the storage capacitance line 20 as in the case of FIG. In FIG. 4, the second switching element (second TF
Although the storage capacitor line 20 is used as the control gate electrode of T) 31, the second embodiment shown in FIG. 5 is different in that the gate line 14 is used as the control gate electrode.

【0031】例えば、画素電極P3,mは、表示用画素
電極17−3と画素間近接部形成用電極17−3aより
なり、図5(b)に示すように、17−3はコンタクト
ホール34を介して、17−3aはコンタクトホール3
3を介して、第二のTFT31のドレイン電極36とソ
ース電極35にそれぞれ接続されている。スプレイ−ベ
ンド配向転移を行うときにはゲート線14に高電圧を印
加して第二のTFT31を導通状態にすることによっ
て、表示用の画素電極17−3と画素間近接部形成用電
極17−3aとを接続する。これにより、画素間近接部
に高い電界を発生させることができ、効率のよい転移核
となる。また、表示動作において、ゲート線14は、短
い選択期間を除いて低電圧に保たれるので、表示用の画
素電極17−3と画素間近接部形成用電極17−3aと
は電気的に切り離されている。例えば、ゲート線X3が
選択されて画素電極P3,mに画像信号が充電されたあ
とは、ゲート線X3の電位は低レベルとなり、これで制
御される第二のTFT31は遮断状態に保たれるので、
画素間近接部形成用電極17−3aは表示用画素電極1
7−3と電気的に分離された状態になる。したがって、
次段であるゲート線X4が選択されて画素電極P4,m
に逆極性の電圧が供給されてもそれが画素P3,mに影
響を与えることはないので、図21の丸印AやBに示す
ような電圧の変化をほぼなくすことができ、横すじムラ
を解消できる。なお、図5の構成においても、第二のス
イッチング素子31を導入するための新たなプロセスは
一切必要なく、従来のTFTアレイ形成プロセスをその
まま適用して、マスク設計の変更のみで対応できる。
For example, the pixel electrodes P3 and m are composed of a display pixel electrode 17-3 and an inter-pixel proximity portion forming electrode 17-3a. As shown in FIG. 5B, 17-3 is a contact hole 34. 17-3a through the contact hole 3
The drain electrode 36 and the source electrode 35 of the second TFT 31 are connected to the second TFT 31 through the third electrode 3, respectively. When the splay-bend alignment transition is performed, a high voltage is applied to the gate line 14 to bring the second TFT 31 into a conductive state, whereby the pixel electrode 17-3 for display and the electrode 17-3a for forming the inter-pixel proximity portion are formed. Connect. As a result, a high electric field can be generated in the vicinity of the pixels, resulting in an efficient transition nucleus. In the display operation, since the gate line 14 is kept at a low voltage except for a short selection period, the display pixel electrode 17-3 and the inter-pixel adjacent portion forming electrode 17-3a are electrically separated. Has been. For example, after the gate line X3 is selected and the image signal is charged in the pixel electrodes P3, m, the potential of the gate line X3 becomes low level, and the second TFT 31 controlled by this is kept in the cutoff state. So
The inter-pixel proximity portion forming electrode 17-3a is the display pixel electrode 1
7-3 is in an electrically separated state. Therefore,
The next gate line X4 is selected and the pixel electrodes P4, m
Even if a reverse polarity voltage is supplied to the pixels P3 and m, it does not affect the pixels P3 and m. Therefore, it is possible to almost eliminate the voltage changes as indicated by circles A and B in FIG. Can be resolved. In the configuration of FIG. 5 also, no new process for introducing the second switching element 31 is required, and the conventional TFT array forming process can be applied as it is and only the mask design needs to be changed.

【0032】なお、ここでは駆動方法が、(n+1)/
n倍速駆動であるとして本発明の有用性を説明したが、
本実施の形態2の画素構造は、駆動方法いかんにかかわ
らず画素間の寄生容量に起因する表示品質の劣化を防ぐ
のに有効である。nラインへの黒データのまとめ書きを
行わない場合(例えば、図19の駆動波形)や、黒書き
こみ自体を行わない通常の駆動の場合でも、表示パター
ンによっては画素間の干渉に起因してクロストークなど
画質の劣化が発生することがあるが、本発明を適用する
ことによりそれらの劣化を抑制できる。
Here, the driving method is (n + 1) /
Although the usefulness of the present invention has been described as being driven at n times speed,
The pixel structure of the second embodiment is effective in preventing deterioration of display quality due to parasitic capacitance between pixels regardless of the driving method. Even if the black data is not collectively written to the n line (for example, the drive waveform in FIG. 19) or the normal drive is performed without black writing itself, depending on the display pattern, it may be caused by the interference between pixels. Although image quality deterioration such as crosstalk may occur, the deterioration can be suppressed by applying the present invention.

【0033】例えば、各画素に図6に示すような極性の
信号電圧を与えるドット反転駆動において、上下に隣接
する画素間に近接部が形成されて、結合容量(寄生容
量)が存在する場合を考える。図7は各部の電圧を示す
ものである。図7中に丸で囲んだC部に示すように、正
電圧が書き込まれた画素にはその下の画素から負方向の
結合電圧が重畳され、同様にD部に示すように負電圧が
書き込まれた画素にはその下の画素から正方向の結合電
圧が重畳される。書き込み信号とは逆極性の電圧が重畳
されているので電圧ロスが生じ、コントラストや輝度が
不足したり、より出力電圧の高い駆動ドライバーを用い
る必要が生じて製造コストが上昇したりする。また、こ
の結合電圧の量は1つ下の画素に充電される電圧によっ
て異なるため、仮に上下画素が同極性に充電される場合
でも、表示むらを引き起こす場合がある。
For example, in dot inversion driving in which a signal voltage having a polarity as shown in FIG. 6 is applied to each pixel, a case where a neighboring portion is formed between vertically adjacent pixels and a coupling capacitance (parasitic capacitance) exists Think FIG. 7 shows the voltage of each part. As indicated by a circled portion C in FIG. 7, a pixel to which a positive voltage has been written is superimposed with a negative coupling voltage from a pixel below the positive voltage, and similarly a negative voltage is written as shown in a portion D. A positive coupling voltage is superposed on the selected pixel from the pixel below. Since a voltage having a polarity opposite to that of the write signal is superimposed, a voltage loss occurs, resulting in a lack of contrast and brightness, and a need for using a driving driver with a higher output voltage, resulting in an increase in manufacturing cost. Further, since the amount of the combined voltage varies depending on the voltage charged to the pixel below by one, even if the upper and lower pixels are charged to the same polarity, display unevenness may occur.

【0034】本実施の形態2のように、近接部を電気的
に切断できるように構成し、表示時には隣接画素間の結
合容量(寄生容量)をなくすように駆動信号を与えれ
ば、これらの課題を低減あるいは解消することができ
る。
As in the second embodiment, if the adjacent portion is constructed so as to be electrically disconnected and a drive signal is given so as to eliminate the coupling capacitance (parasitic capacitance) between adjacent pixels at the time of display, these problems will occur. Can be reduced or eliminated.

【0035】ここで、図4と図5の構成について、即
ち、第二のスイッチング素子31の接続先の違いについ
て、それぞれの固有の利点を説明する。まず、図5につ
いて説明すると、ここでは第二のスイッチング素子(第
二のTFT)31の制御電極としてゲート線14を用い
ている。ゲート線14は画素充電に用いる第一のスイッ
チング素子(TFT)16の開閉に用いられており、特
別の電位を与えなくてもオフ期間にはスイッチング素子
をオフにする電位が与えられている。すなわち、第二の
TFT31をオフにするための特別な工夫が不要であ
り、コスト増や駆動回路の複雑化を招かないという利点
がある。また、17−3aなどの画素間近接部形成用電
極にも毎フィールド充電が行われるので、画素間近接部
形成用電極に生じた静電気により表示が乱されることが
ない。
Here, the unique advantages of the configurations of FIGS. 4 and 5, that is, the difference of the connection destination of the second switching element 31 will be described. First, referring to FIG. 5, here, the gate line 14 is used as a control electrode of the second switching element (second TFT) 31. The gate line 14 is used for opening and closing the first switching element (TFT) 16 used for charging the pixel, and is supplied with a potential for turning off the switching element during the off period without applying a special potential. That is, there is an advantage that no special device for turning off the second TFT 31 is required, and the cost is not increased and the driving circuit is not complicated. Further, since the field-to-pixel proximity portion forming electrodes such as 17-3a are also charged every field, the display is not disturbed by static electricity generated in the pixel-to-pixel proximity portion forming electrodes.

【0036】一方、そのデメリットとしては、順走査と
逆走査における画素電位変動特性の差が挙げられる。順
走査の場合は、上記の説明のように、図5(a)におい
てゲート線X3の走査を終了して画素間近接部形成用電
極17−3aを電気的に切り離した後に、ゲート線X4
を走査して表示用画素電極17−4への充電を行うの
で、表示用画素電極17−3の電位への影響はない。逆
操作の場合は、ゲート線X4を走査して表示用画素電極
17−4への充電が完了した後に、ゲート線X3を走査
する。このとき、画素間近接部形成用電極17−3aに
も充電が行われ、表示用画素電極17−4の電位が変動
する。
On the other hand, as a demerit, there is a difference in pixel potential variation characteristic between forward scanning and reverse scanning. In the case of forward scanning, as described above, after the scanning of the gate line X3 in FIG. 5A is completed and the inter-pixel proximity portion forming electrode 17-3a is electrically disconnected, the gate line X4 is formed.
Is scanned to charge the display pixel electrode 17-4, so that the potential of the display pixel electrode 17-3 is not affected. In the case of the reverse operation, the gate line X4 is scanned to charge the display pixel electrode 17-4, and then the gate line X3 is scanned. At this time, the inter-pixel proximity portion forming electrode 17-3a is also charged, and the potential of the display pixel electrode 17-4 changes.

【0037】図4に示すように、第二のスイッチング素
子(第二のTFT)31の制御電極として蓄積容量線2
0を用いた場合には、表示の際には画素間近接部形成用
電極は常に電気的に切り離された状態にあるので、順走
査と逆走査において画素電位変動特性は等しくなる。し
たがって、ビデオカメラ用の液晶パネル等のように上下
反転させて使用される場合においても、表示時に性能に
差が生じないという利点がある。また、逆走査時に画素
電位が低下することもない。
As shown in FIG. 4, the storage capacitor line 2 is used as a control electrode of the second switching element (second TFT) 31.
When 0 is used, since the inter-pixel proximity portion forming electrode is always electrically isolated during display, the pixel potential variation characteristics are the same in forward scanning and reverse scanning. Therefore, even when used upside down like a liquid crystal panel for a video camera, there is an advantage that there is no difference in performance during display. Further, the pixel potential does not drop during reverse scanning.

【0038】一方、図4の構成では蓄積容量線20の電
位を第二のスイッチング素子(第二のTFT)31をオ
フ状態にする電位に設定する必要がある。但し、これが
完全なオフ状態にあると、画素間近接部形成用電極が長
期に渡ってフローティング状態になり、静電気の影響等
により表示が乱れることがある。この現象を避けるため
には、蓄積容量線20の電位を変動させて第二のスイッ
チング素子(第二のTFT)31を定期的にオン状態に
したり、第二のスイッチング素子(第二のTFT)31
にわずかな導電性を持たせるように蓄積容量線20の電
位を設定したりすればよい。
On the other hand, in the configuration of FIG. 4, it is necessary to set the potential of the storage capacitor line 20 to the potential that turns off the second switching element (second TFT) 31. However, if this is in a completely off state, the inter-pixel proximity portion forming electrode will be in a floating state for a long period of time, and the display may be disturbed due to the influence of static electricity or the like. In order to avoid this phenomenon, the potential of the storage capacitor line 20 is changed to periodically turn on the second switching element (second TFT) 31, or the second switching element (second TFT) is turned on. 31
The potential of the storage capacitor line 20 may be set so that the storage capacitor line 20 has a slight conductivity.

【0039】なお、図4や図5を用いた上記の説明で
は、近接部は蓄積容量線20の上にあるものとしたが、
これは、図8や図9に示すようにゲート線14の上にあ
っても構わないし、図10や図11に示すように配線と
重畳しない部分にあっても構わない。いずれの場合も上
記の説明と同様に、画素間の結合容量(寄生容量)をな
くして表示むらを低減・解消することができる。なお、
第二のスイッチング素子31における制御電極の接続先
を選ぶことにより、上記の説明と同様の効果を得ること
ができる。すなわち、これを蓄積容量線20に接続した
もの(図8、図10)には図4と同様の固有の利点が、
ゲート線14に接続したもの(図9、図11)には図5
と同様の固有の利点がある。
In the above description with reference to FIGS. 4 and 5, the proximity portion is on the storage capacitance line 20, but
This may be on the gate line 14 as shown in FIGS. 8 and 9, or may be a portion which does not overlap the wiring as shown in FIGS. 10 and 11. In any case, as in the above description, it is possible to reduce or eliminate display unevenness by eliminating the coupling capacitance (parasitic capacitance) between pixels. In addition,
By selecting the connection destination of the control electrode in the second switching element 31, the same effect as described above can be obtained. That is, the one connected to the storage capacitor line 20 (FIGS. 8 and 10) has the same unique advantage as FIG.
For those connected to the gate line 14 (FIGS. 9 and 11), FIG.
Has the same inherent advantages as.

【0040】次に、近接部を配置する位置の違いによる
固有の利点を説明する。蓄積容量線20上、あるいはゲ
ート線14上に近接部がある場合の第1の利点は、転移
操作時に蓄積容量線20やゲート線14の電位を工夫す
ることにより、液晶中の縦電界を強めることができ、転
移を容易にすることができることである。第2の利点
は、蓄積間隙部からの光もれを蓄積容量線20が遮って
いるので、特別にブラックマトリクスを形成しなくても
コントラストが高いこと、すなわち高コントラストと開
口率が両立することにある。
Next, the unique advantages due to the difference in the positions where the adjacent portions are arranged will be described. The first advantage when there is a proximity portion on the storage capacitance line 20 or the gate line 14 is to enhance the vertical electric field in the liquid crystal by devising the potentials of the storage capacitance line 20 and the gate line 14 during the transfer operation. And can facilitate the transition. The second advantage is that the leakage of light from the storage gap is blocked by the storage capacitance line 20, so that the contrast is high without forming a special black matrix, that is, high contrast and aperture ratio are compatible. It is in.

【0041】ゲート配線の幅が15ミクロン程度以下の
場合に、近接部をゲート線14上に形成するとゲート配
線の太さの制約により、十分な転移性能が得られない場
合がある。そのような場合には蓄積容量線20上に形成
するのが望ましい。
When the width of the gate wiring is about 15 μm or less, if the proximity portion is formed on the gate line 14, the transfer performance may not be sufficiently obtained due to the limitation of the thickness of the gate wiring. In such a case, it is desirable to form it on the storage capacitance line 20.

【0042】ゲート線14上に近接部を形成した場合に
は、蓄積容量配線上での設計自由度が高まり、蓄積容量
線20を無駄なく利用することができる。これにより、
開口率をさらに向上させたり、蓄積容量を大きくして液
晶表示装置の動作安定性を高めたりすることができる。
また、蓄積容量をゲート線14上に形成すれば蓄積容量
線20をなくすことができ、この場合にも高開口率化を
図ることができる。
When the proximity portion is formed on the gate line 14, the degree of freedom in designing on the storage capacitance wiring is increased, and the storage capacitance line 20 can be used without waste. This allows
It is possible to further improve the aperture ratio or increase the storage capacity to enhance the operational stability of the liquid crystal display device.
Further, if the storage capacitor is formed on the gate line 14, the storage capacitor line 20 can be eliminated, and also in this case, the aperture ratio can be increased.

【0043】開口率またはコントラストの少なくともい
ずれかが重視されない場合には、配線上をはずして画素
の近接部を形成する構成も有力である。この構成では、
図10や図11に示すように配線と画素の重なり部が単
純な形状(図10、11では長方形)となるので、製造
プロセスにおいて配線層と画素電極層の間に合わせずれ
が生じた場合にも両者の重なり面積、即ち結合容量が変
動しにくい。このため、製造バラツキが表示性能の差と
して現れにくく、歩留りが高まるという利点がある。
When importance is attached to at least one of the aperture ratio and the contrast, it is also effective to remove the wiring and form the adjacent portion of the pixel. With this configuration,
As shown in FIGS. 10 and 11, the overlapping portion of the wiring and the pixel has a simple shape (rectangular shape in FIGS. 10 and 11). Therefore, even when misalignment occurs between the wiring layer and the pixel electrode layer in the manufacturing process. The overlapping area of the two, that is, the coupling capacitance does not easily change. Therefore, manufacturing variations are less likely to appear as a difference in display performance, and there is an advantage that the yield is increased.

【0044】さらに、ゲート線14に沿った方向に隣接
する画素間に近接部が形成されている場合にも、本実施
の形態2の方法は有効である。例えば、図12や図13
のように近接部がソース配線上に形成されている場合な
どである。この場合は、近接部を電気的に切断すること
により、表示時にはゲート線14に沿った方向(図1
2、13では横方向)に隣接する画素間の結合容量(寄
生容量)がなくなる。この結合容量が存在すると、左右
に隣接する画素を逆極性に充電するドット反転駆動やカ
ラム反転(列反転)駆動の場合には、画素への書き込み
時に隣接画素から逆方向のカップリング電圧が重畳され
て電圧ロスが生じる。また、隣接画素との極性関係に関
わらず、左右に隣接する画素の表示データによりカップ
リング量が異なるので表示むらが生じる。表示時に画素
間近接部を電気的に切断して結合容量(寄生容量)をな
くせば、上記の電圧ロスや表示むらを低減あるいは解消
することができる。第二のスイッチング素子31におけ
る制御電極の接続先については、これを蓄積容量線20
に接続したもの(図12)には図4のものと同様の固有
の利点が、ゲート線14に接続したもの(図13)には
図5のものと同様の固有の利点がある。
Further, the method of the second embodiment is also effective when the adjacent portion is formed between the pixels adjacent to each other in the direction along the gate line 14. For example, FIG. 12 and FIG.
As in the case where the proximity portion is formed on the source wiring. In this case, by electrically disconnecting the proximity portion, the direction along the gate line 14 at the time of display (see FIG.
In Nos. 2 and 13, the coupling capacitance (parasitic capacitance) between pixels adjacent in the horizontal direction is eliminated. When this coupling capacitance exists, in the case of dot inversion drive or column inversion drive (column inversion) drive in which pixels adjacent to the left and right are charged to opposite polarities, a coupling voltage in the opposite direction is superimposed from adjacent pixels when writing to the pixel. As a result, voltage loss occurs. Further, regardless of the polarity relationship with the adjacent pixels, the amount of coupling differs depending on the display data of the pixels adjacent to the left and right, so that display unevenness occurs. By electrically disconnecting the inter-pixel proximity portion during display to eliminate the coupling capacitance (parasitic capacitance), the above voltage loss and display unevenness can be reduced or eliminated. Regarding the connection destination of the control electrode in the second switching element 31, this is connected to the storage capacitance line 20.
Connected to (FIG. 12) has the same inherent advantages as those of FIG. 4, and that connected to gate line 14 (FIG. 13) has the same inherent advantages of those of FIG.

【0045】なお、本実施の形態2の説明において、表
示動作のときにはすべての画素間近接部を電気的に絶縁
隔離すると説明したが、例えば表示エリアの外にあるダ
ミー画素など、直接表示に関わらないものはその限りで
はない。
In the description of the second embodiment, it has been explained that all the inter-pixel proximity portions are electrically insulated and isolated during the display operation, but for example, dummy pixels outside the display area are directly involved in the display. This is not the case with those that do not exist.

【0046】繰り返しになるが、本実施の形態2におい
て、図4、図5、および図8から図13を例として説明
した画素構造は、駆動方法いかんにかかわらず画素間の
寄生容量に起因する表示品質の劣化を防ぐのに有効であ
る。ドット反転駆動、ライン反転駆動(行反転駆動)、
カラム反転駆動(列反転駆動)、フレーム反転駆動など
といった通常の駆動を行った場合でも表示パターンによ
っては画素間の電位干渉に起因してクロストークなど画
質の劣化が発生することがあるが、本発明を適用するこ
とによりそれらの劣化を抑制できる。
Again, in the second embodiment, the pixel structure described with reference to FIGS. 4, 5, and 8 to 13 is caused by the parasitic capacitance between pixels regardless of the driving method. This is effective in preventing deterioration of display quality. Dot inversion drive, line inversion drive (row inversion drive),
Even when normal driving such as column inversion driving (column inversion driving) and frame inversion driving is performed, image quality deterioration such as crosstalk may occur due to potential interference between pixels depending on the display pattern. By applying the invention, those deteriorations can be suppressed.

【0047】(実施の形態3)実施の形態2に示す図4
や図5、あるいは図8から図13の構成に基づくもので
あっても、もちろん、場合によっては実施の形態1のよ
うに、n本のゲート線のグループの最終段と次のグルー
プの初段との間の画素間近接部のみに第二のスイッチン
グ素子31を設けて電気的に切断できるように構成して
もよい。本実施の形態3は、実施の形態2で説明した画
素間近接部をTFTなどの第二のスイッチング素子31
で電気的に絶縁隔離する構成を、n本のゲート線のグル
ープの最終段と次のグループの初段との間の画素間近接
部のみに設けたものである。
(Third Embodiment) FIG. 4 showing the second embodiment.
5 or 8 or 13 and of course, in some cases, as in the first embodiment, the last stage of the group of n gate lines and the first stage of the next group. The second switching element 31 may be provided only in the inter-pixel proximity portion between the two so as to be electrically disconnectable. In the third embodiment, the second switching element 31 such as a TFT is provided in the pixel proximity portion described in the second embodiment.
The structure for electrical insulation is provided only in the inter-pixel proximity portion between the final stage of the group of n gate lines and the initial stage of the next group.

【0048】こうすることによって、実施の形態1で説
明したのと同様に、n本の走査線にまとめて黒データを
書きこむ図20の駆動法における横すじムラを軽減する
ことができる。また、転移時にはすべての画素間に近接
部が存在するので、実施の形態1のものに比べて、スプ
レイ−ベンド配向転移の確実性が高いという特長もあ
る。
By doing so, it is possible to reduce the horizontal streak unevenness in the driving method of FIG. 20 in which black data is collectively written in n scanning lines, as described in the first embodiment. Further, since there is a proximity portion between all pixels at the time of transition, there is also a feature that the splay-bend alignment transition is more reliable than that of the first embodiment.

【0049】なお、本実施の形態3において、第二のス
イッチング素子31の制御電極は、ゲート線14に接続
しても構わないし、蓄積容量線20に接続しても構わな
い。それぞれの固有の利点は、実施の形態2で述べたも
のと同じである。即ち、ゲート線14に制御電極を接続
した場合には、第二のTFT31をオフにするための特
別な工夫が不要でありコスト増や駆動回路の複雑化を招
かないという点と、画素間近接部形成用電極にも毎フィ
ールド充電が行われるので画素間近接部形成用電極に生
じた静電気により表示が乱されることがないという点に
特長がある。一方、蓄積容量線20に制御電極を接続し
た場合には、順走査と逆走査における表示特性が等しい
という利点がある。蓄積容量線20に制御電極を接続し
た場合に静電気の影響を避けるためには、本実施の形態
3においても、蓄積容量線20の電位を変動させて第二
のスイッチング素子(第二のTFT)31を定期的にオ
ン状態にしたり、第二のスイッチング素子(第二のTF
T)31にわずかな導電性を持たせるように蓄積容量線
20の電位を設定したりすればよい。原理は、第2の実
施形態と同様であるので詳細な説明は省略する。
In the third embodiment, the control electrode of the second switching element 31 may be connected to the gate line 14 or the storage capacitance line 20. Each unique advantage is the same as that described in the second embodiment. That is, when the control electrode is connected to the gate line 14, no special device for turning off the second TFT 31 is required, which does not increase cost and complicate the driving circuit. Since the field forming electrodes are also charged in each field, there is a feature in that the display is not disturbed by static electricity generated in the inter-pixel adjacent part forming electrodes. On the other hand, when the control electrode is connected to the storage capacitor line 20, there is an advantage that the display characteristics in the forward scanning and the reverse scanning are the same. In order to avoid the influence of static electricity when the control electrode is connected to the storage capacitor line 20, also in the third embodiment, the potential of the storage capacitor line 20 is changed to change the second switching element (second TFT). 31 is periodically turned on, and the second switching element (second TF
The potential of the storage capacitor line 20 may be set so that T) 31 has a slight conductivity. Since the principle is the same as that of the second embodiment, detailed description will be omitted.

【0050】また、本実施の形態3においても、画素間
近接部は、蓄積容量線20、ゲート線14、あるいはソ
ース線15に重ねても構わないし、これらのいずれとも
重ならない構成をとることもできる。その固有の効果は
実施の形態2で述べたものと同様である。
Also in the third embodiment, the inter-pixel proximity portion may be overlapped with the storage capacitance line 20, the gate line 14 or the source line 15, or may be constructed so as not to overlap with any of them. it can. The unique effect is the same as that described in the second embodiment.

【0051】なお、実施の形態1と実施の形態3の主な
目的は、互いに異なるタイミングで画像データが書き込
まれる画素間の容量結合に起因する表示むらの低減であ
る。ソース線15上に画素間近接部を設けた場合には、
ソース線15を挟んで隣接する画素が別のゲート線14
に属している場合に特に有効である。このようなものの
例としては、図14のデルタ配列や、図15に示す配列
をあげることができる。いずれの例も4本を1つのグル
ープとして駆動を行う場合に対応するもので、4本目の
ゲート線に属している画素P4,mと、5本目のゲート
線に属している画素P5,m−1、およびP5,m+1
の間(図14、15中に破線の楕円で示すA部分)の画
素電極近接部が除去された形になっている。すなわち、
n本のゲート線を1つのグループとして図20に示すよ
うな駆動を行なう場合、ある駆動グループの最終段に相
当する画素と次のグループの初段に相当する画素の間に
は画素電極近接部が形成されず、その他の部分に画素電
極近接部が形成されている。なお、図14と図15では
画素電極近接部が物理的に形成されていない例を示して
いるが、実施の形態3で説明したように、この部分の電
極近接部がスイッチング素子により電気的に切り離せる
ようにしておいてもよい。
The main purpose of the first and third embodiments is to reduce display unevenness due to capacitive coupling between pixels in which image data is written at different timings. When the inter-pixel proximity portion is provided on the source line 15,
Pixels adjacent to each other with the source line 15 in between are separated by another gate line 14.
Is especially effective when belonging to. As an example of such a thing, the delta arrangement | sequence of FIG. 14 and the arrangement | sequence shown in FIG. 15 can be mentioned. Each of the examples corresponds to the case where driving is performed with four lines as one group, and the pixels P4, m belonging to the fourth gate line and the pixels P5, m− belonging to the fifth gate line. 1, and P5, m + 1
The pixel electrode proximity portion between the portions (portion A indicated by a broken ellipse in FIGS. 14 and 15) is removed. That is,
When driving as shown in FIG. 20 with n gate lines as one group, a pixel electrode proximity portion is provided between a pixel corresponding to the last stage of a certain drive group and a pixel corresponding to the first stage of the next group. Not formed, but the pixel electrode proximity portion is formed in the other portion. 14 and 15 show an example in which the pixel electrode proximity portion is not physically formed, but as described in the third embodiment, the electrode proximity portion of this portion is electrically connected by the switching element. It may be detachable.

【0052】なお、上記の実施の形態1と実施の形態3
における説明では、n本のゲート線が同時に選択されて
黒信号が書き込まれるものとして説明を行なったが、図
21を用いた課題説明からも明らかなように、画像信号
電圧の極性が変化しない部分とその極性が変化する部分
が混在していれば、これが横すじ等の要因となり得る。
従って、実施の形態1と実施の形態3で説明した構成
は、他の駆動法を用いた場合にも適用できる場合があ
る。すなわち、複数のゲート線を単位としたグループの
中では画像信号電圧の極性が一定で、次のグループとの
間で画像信号電圧の極性が反転される駆動であれば、黒
信号の同時書き込みがない場合でも、本発明の効果を得
ることができる。本発明の第1実施形態、あるいは第3
実施形態が有効なものの一例として、各画素の信号極性
が図16のようになっている4ラインドット反転を挙げ
ることができる。
Incidentally, the above-mentioned first and third embodiments.
In the above description, the description has been made assuming that n gate lines are simultaneously selected and the black signal is written, but as is apparent from the problem description using FIG. 21, the portion where the polarity of the image signal voltage does not change. If there is a mixed portion of the polarity and its polarity, this may be a factor such as horizontal stripes.
Therefore, the configurations described in the first and third embodiments may be applicable to the case where another driving method is used. That is, in a group in which a plurality of gate lines are used as a unit, the polarity of the image signal voltage is constant, and if the polarity of the image signal voltage is inverted in the next group, the simultaneous writing of the black signal is possible. The effect of the present invention can be obtained even when there is no such a case. 1st Embodiment of this invention, or 3rd
One example of what the embodiment is effective is 4-line dot inversion in which the signal polarity of each pixel is as shown in FIG.

【0053】さらに、上記の第1から第3の実施形態の
構成はいずれも、各実施形態における平面図に示される
ような、画素電極近接部が異なる角度の複数の辺からな
り、液晶層内に異なる方向の電界を発生できるようにし
た場合に好適である。このようにすると、単に2つの電
極が直線を挟んで対峙している構成に比べて、転移走査
時に液晶層内に複数方向の電界を発生させたり、単位面
積あたりの近接部の長さを増加させることができて、よ
り容易で確実に転移が起こるようになる。
Further, in any of the configurations of the above-described first to third embodiments, as shown in the plan view of each embodiment, the pixel electrode proximity portion is composed of a plurality of sides with different angles, and This is suitable when it is possible to generate electric fields in different directions. By doing so, compared with a configuration in which two electrodes face each other across a straight line, electric fields in multiple directions are generated in the liquid crystal layer during transition scanning, and the length of the proximity portion per unit area is increased. It is possible to make the transfer easier and more reliable.

【0054】一方で、このような構成は画素間の結合容
量を増加させるが、上記の第1から第3の実施形態のい
ずれかの構成を用いれば、この結合容量によって生じる
画質上の課題を解決できる。
On the other hand, although such a configuration increases the coupling capacitance between pixels, if the configuration of any of the above-described first to third embodiments is used, the problem of the image quality caused by this coupling capacitance will occur. Solvable.

【0055】以上の本実施形態においては、画素電極と
TFTとが重ならない状態を図示して説明したが、これ
は図面の複雑化を避けるためにそのようにしたものであ
り、実際には画素電極は開口率を大きくするためにTF
Tと重ねることが望ましい。
In the above-described embodiment, the state where the pixel electrode and the TFT do not overlap each other has been illustrated and described, but this is done in order to avoid complication of the drawing, and the pixel is actually used. The electrode is TF in order to increase the aperture ratio.
It is desirable to overlap with T.

【0056】その他、図示した例はあくまで本発明の概
念の理解を助けるためのものであり本発明はこれらに限
定されるものではない。例えば、スイッチング素子はア
モルファスシリコン半導体によるボトムゲート型TFT
を用いたが、これに代えてポリシリコンによるトップゲ
ート型TFTを用いてもよい。また、平坦化層23はカ
ラーフィルタ層と兼用してもよい。また、図2(b)な
ど、アレイ基板の断面図において、通常は平坦化層23
とその下の層(ソース線と同じレベルの層(蓄積容量形
成用電極)30など)の間には保護絶縁層がさらに存在
するが、図面の複雑化を避けるため表示していない。
In addition, the illustrated examples are merely for helping understanding of the concept of the present invention, and the present invention is not limited to these. For example, the switching element is a bottom gate type TFT made of amorphous silicon semiconductor.
However, instead of this, a top gate type TFT made of polysilicon may be used. The flattening layer 23 may also serve as the color filter layer. In addition, in the cross-sectional view of the array substrate such as FIG.
A protective insulating layer is further present between the layer and the layer below it (the layer at the same level as the source line (storage capacitor forming electrode) 30, etc.), but it is not shown in order to avoid complication of the drawing.

【0057】[0057]

【発明の効果】以上のように本発明によれば、ベンド配
向方式の液晶表示装置において黒挿入を行うために(n
+1)/n倍速駆動(nは2以上の整数)するに際し
て、スプレイ配向からベンド配向への転移を容易にする
ための転移核として設けた画素間の近接部が画素間の寄
生容量となって表示に悪影響を与えるという課題を、新
たなプロセスを導入することなく解消することができ
る。
As described above, according to the present invention, in order to perform black insertion in a bend alignment type liquid crystal display device (n
In +1) / n double speed driving (n is an integer of 2 or more), a proximity portion between pixels provided as a transition nucleus for facilitating the transition from the splay alignment to the bend alignment becomes a parasitic capacitance between the pixels. The problem of adversely affecting the display can be solved without introducing a new process.

【0058】その第一の方法としては、ゲート線をn本
のグループに分割したとき、各グループの最終段と次の
グループの初段に相当する画素間の近接部を取り除くも
のである。これにより、n本毎に発生する横すじむらを
軽減する。
As a first method, when the gate line is divided into n groups, adjacent portions between pixels corresponding to the last stage of each group and the first stage of the next group are removed. As a result, uneven horizontal stripes occurring every n lines are reduced.

【0059】第二の方法として、すべての画素におい
て、表示用画素電極と、近接部形成用電極の間を例えば
TFTスイッチング素子により電気的に切り離すことが
できる構成とする。これにより、スプレイ−ベンド配向
転移時は近接部が転移核として有効に働くとともに表示
動作においては画素間の寄生容量をなくすことができる
ので横すじむらなどの表示課題を解消できる。特に第二
の方法は、駆動方法にかかわらず表示品質の確保に効果
がある。
As a second method, in all the pixels, the display pixel electrode and the proximity portion forming electrode can be electrically separated by, for example, a TFT switching element. As a result, at the time of the splay-bend alignment transition, the adjacent portion effectively acts as a transition nucleus, and in the display operation, the parasitic capacitance between pixels can be eliminated, so that the display problem such as lateral stripe unevenness can be solved. In particular, the second method is effective in ensuring display quality regardless of the driving method.

【0060】その結果、応答速度が速く、視野角に優れ
たOCBモード液晶表示装置の表示画質を高品位に保つ
ことができ、その産業的利用価値が高いものとなる。
As a result, the display image quality of the OCB mode liquid crystal display device having a high response speed and an excellent viewing angle can be maintained at a high quality, and its industrial utility value becomes high.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施の形態1の液晶表示装置における画素電極
構成を表す平面図
FIG. 1 is a plan view showing a pixel electrode configuration in a liquid crystal display device according to a first embodiment.

【図2】(a)実施の形態1の液晶表示装置において別
の構成例を表す平面図 (b)実施の形態1の液晶表示装置において別の構成例
を表す断面図
2A is a plan view showing another configuration example of the liquid crystal display device according to the first embodiment, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing another configuration example of the liquid crystal display device according to the first embodiment.

【図3】実施の形態2の液晶表示装置の回路構成図FIG. 3 is a circuit configuration diagram of a liquid crystal display device according to a second embodiment.

【図4】(a)実施の形態2の液晶表示装置おける画素
電極構成を表す平面図 (b)実施の形態2の液晶表示装置における画素電極構
成を表す断面図 (c)実施の形態2の液晶表示装置における画素電極構
成の等価回路図
4A is a plan view showing a pixel electrode structure in a liquid crystal display device according to a second embodiment, FIG. 4B is a sectional view showing a pixel electrode structure in the liquid crystal display device according to the second embodiment, and FIG. Equivalent circuit diagram of pixel electrode configuration in liquid crystal display

【図5】(a)実施の形態2の液晶表示装置における別
の画素電極構成を表す平面図 (b)実施の形態2の液晶表示装置における別の画素電
極構成を表す断面図 (c)実施の形態2の液晶表示装置における別の画素電
極構成の等価回路図
5A is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment, FIG. 5B is a sectional view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment, and FIG. Equivalent circuit diagram of another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device of the second aspect

【図6】ドット反転駆動の画素電圧極性を説明する平面
FIG. 6 is a plan view illustrating a pixel voltage polarity of dot inversion driving.

【図7】ドット反転駆動における駆動波形図FIG. 7 is a drive waveform diagram in dot inversion drive.

【図8】実施の形態2の液晶表示装置における別の画素
電極構成を表す平面図
FIG. 8 is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図9】実施の形態2の液晶表示装置における別の画素
電極構成を表す平面図
FIG. 9 is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図10】実施の形態2の液晶表示装置における別の画
素電極構成を表す平面図
FIG. 10 is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図11】実施の形態2の液晶表示装置における別の画
素電極構成を表す平面図
FIG. 11 is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図12】実施の形態2の液晶表示装置における別の画
素電極構成を表す平面図
FIG. 12 is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図13】実施の形態2の液晶表示装置における別の画
素電極構成を表す平面図
FIG. 13 is a plan view showing another pixel electrode configuration in the liquid crystal display device according to the second embodiment.

【図14】デルタ配列を表す平面図FIG. 14 is a plan view showing a delta array.

【図15】別の画素配列を表す平面図FIG. 15 is a plan view showing another pixel array.

【図16】4ラインドット反転駆動の画素電圧極性を説
明する平面図
FIG. 16 is a plan view illustrating a pixel voltage polarity of 4-line dot inversion drive.

【図17】液晶層の配向状態を説明する断面図FIG. 17 is a cross-sectional view illustrating an alignment state of a liquid crystal layer.

【図18】(a)従来の液晶表示パネルにおける画素電
極構成を表す平面図 (b)従来の液晶表示パネルの図18(a)におけるA
−B部分の断面図 (c)従来の液晶表示パネルの等価回路図
18 (a) is a plan view showing a pixel electrode configuration in a conventional liquid crystal display panel, and FIG. 18 (b) is a view of a conventional liquid crystal display panel in FIG. 18 (a).
-B sectional view (c) equivalent circuit diagram of a conventional liquid crystal display panel

【図19】2倍速駆動における駆動波形図FIG. 19 is a drive waveform diagram in double speed drive.

【図20】5/4倍速駆動における駆動波形図FIG. 20 is a drive waveform chart in 5/4 speed drive.

【図21】5/4倍速駆動における画素電圧の応答波形
FIG. 21 is a response waveform diagram of pixel voltage in 5/4 speed drive.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1〜8 画素 10,11 基板 12 液晶層 13 液晶分子 14 ゲート線 14a ゲート電極 15 ソース線 15a ソース電極 16 スイッチング素子(TFT) 17 画素電極 18,32,33,34 コンタクトホール 19 ドレイン電極 20 蓄積容量線 21 ゲート絶縁層 22 半導体層 23 平坦化層 30 蓄積容量形成用電極 31 第二のスイッチング素子(第二のTFT) 35 第二のスイッチング素子のソース電極 36 第二のスイッチング素子のドレイン電極 40 ゲート線駆動回路 41 ソース線駆動回路 1-8 pixels 10,11 substrate 12 Liquid crystal layer 13 Liquid crystal molecules 14 gate lines 14a gate electrode 15 Source line 15a source electrode 16 Switching element (TFT) 17 pixel electrodes 18, 32, 33, 34 contact holes 19 Drain electrode 20 storage capacity line 21 Gate insulating layer 22 Semiconductor layer 23 Flattening layer 30 Storage capacitor forming electrode 31 Second switching element (second TFT) 35 Source Electrode of Second Switching Element 36 Drain electrode of second switching element 40 gate line drive circuit 41 Source line drive circuit

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H090 HB08Y JB02 MA01 MA07 MA17 MB14 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA46 JB05 JB13 JB23 JB32 JB38 JB51 JB57 JB58 JB63 JB69 JB71 JB77 KA04 KA05 KA12 KA18 KA22 KB04 KB14 KB23 KB25 MA08 MA12 MA35 MA37 NA04 NA25 NA29 PA02 QA18   ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continued front page    F-term (reference) 2H090 HB08Y JB02 MA01 MA07                       MA17 MB14                 2H092 JA26 JA29 JA38 JA42 JA46                       JB05 JB13 JB23 JB32 JB38                       JB51 JB57 JB58 JB63 JB69                       JB71 JB77 KA04 KA05 KA12                       KA18 KA22 KB04 KB14 KB23                       KB25 MA08 MA12 MA35 MA37                       NA04 NA25 NA29 PA02 QA18

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 液晶層を挟持して対向する2枚の基板の
うち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給される
複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソース
線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設け
られた第一のスイッチング素子、前記第一のスイッチン
グ素子に接続された画素電極、他方の基板上に形成され
た対向電極と、を少なくとも備えた液晶表示装置であっ
て、前記液晶表示装置は、前記各画素電極に画像信号と
黒信号を書きこむために前記各ゲート線が1フレーム期
間内に複数回選択され、前記黒信号はn本(nは2以上
の整数)のゲート線が同時に選択されて書きこまれるよ
うに駆動表示されるものであって、前記画素電極は隣接
する画素電極間の一部が接近した近接部を有し、かつ、
前記画素電極の接続先であるゲート線に応じてn本毎に
1つの割合で前記近接部が除去されていることを特徴と
するOCBモードで動作する液晶表示装置。
1. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied, on the facing surface side of one of the two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. At least a first switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. In the liquid crystal display device, the gate lines are selected a plurality of times within one frame period in order to write an image signal and a black signal to the pixel electrodes, and the black signal is n lines. (N is an integer of 2 or more) is driven and displayed so that the gate lines are simultaneously selected and written, and the pixel electrodes have a proximity portion in which a part of adjacent pixel electrodes are close to each other. ,And,
A liquid crystal display device operating in an OCB mode, wherein the proximity portion is removed at a rate of one for every n lines according to a gate line to which the pixel electrode is connected.
【請求項2】 前記画素電極間の近接部は前記ゲート
線、あるいは前記ソース線と重なるように形成されてい
ることを特徴とする請求項1に記載の液晶表示装置。
2. The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a proximity portion between the pixel electrodes is formed so as to overlap with the gate line or the source line.
【請求項3】 前記液晶表示装置はさらに前記画素電極
との間に蓄積容量を形成するための蓄積容量線を備え、
前記画素電極間の近接部は前記蓄積容量線と重なるよう
に形成されていることを特徴とする請求項1に記載の液
晶表示装置。
3. The liquid crystal display device further includes a storage capacitor line for forming a storage capacitor between the liquid crystal display device and the pixel electrode,
The liquid crystal display device according to claim 1, wherein a proximity portion between the pixel electrodes is formed so as to overlap the storage capacitance line.
【請求項4】 前記画素電極間の近接部は、異なる角度
の複数の辺からなり、液晶層内に異なる方向の電界を発
生できるようにしたことを特徴とする請求項1から3の
いずれか1項に記載の液晶表示装置。
4. The proximity portion between the pixel electrodes is composed of a plurality of sides at different angles, and is capable of generating electric fields in different directions in the liquid crystal layer. The liquid crystal display device according to item 1.
【請求項5】 液晶層を挟持して対向する2枚の基板の
うち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給される
複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソース
線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設け
られた第一のスイッチング素子、前記第一のスイッチン
グ素子に接続された画素電極、他方の基板上に形成され
た対向電極と、を少なくとも備えた液晶表示装置であっ
て、前記画素電極は隣接する画素電極間の一部が接近し
た近接部を有し、かつ、前記近接部は電気的に切断でき
るように構成されていることを特徴とするOCBモード
で動作する液晶表示装置。
5. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied to the facing surface side of one of the two substrates which face each other with the liquid crystal layer interposed therebetween. At least a first switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. A liquid crystal display device comprising: the pixel electrode having a proximity portion in which a part of adjacent pixel electrodes are close to each other, and the proximity portion is configured to be electrically disconnectable. A liquid crystal display device that operates in an OCB mode.
【請求項6】 前記画素電極間の近接部は前記ゲート
線、あるいは前記ソース線と重なるように形成されてい
ることを特徴とする請求項5に記載の液晶表示装置。
6. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein a proximity portion between the pixel electrodes is formed so as to overlap with the gate line or the source line.
【請求項7】 前記液晶表示装置はさらに前記画素電極
との間に蓄積容量を形成するための蓄積容量線を備え、
前記画素電極間の近接部は前記蓄積容量線と重なるよう
に形成されていることを特徴とする請求項5に記載の液
晶表示装置。
7. The liquid crystal display device further comprises a storage capacitor line for forming a storage capacitor between the liquid crystal display device and the pixel electrode,
The liquid crystal display device according to claim 5, wherein a proximity portion between the pixel electrodes is formed so as to overlap the storage capacitance line.
【請求項8】 前記画素電極と前記近接部が、第二のス
イッチング素子を介して接続されていることを特徴とす
る請求項5から7のいずれか1項に記載の液晶表示装
置。
8. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein the pixel electrode and the proximity portion are connected via a second switching element.
【請求項9】 前記第二のスイッチング素子の制御端子
は前記ゲート線に接続されていることを特徴とする請求
項8に記載の液晶表示装置。
9. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein a control terminal of the second switching element is connected to the gate line.
【請求項10】 前記第二のスイッチング素子の制御端
子は前記蓄積容量線に接続されていることを特徴とする
請求項8に記載の液晶表示装置。
10. The liquid crystal display device according to claim 8, wherein a control terminal of the second switching element is connected to the storage capacitance line.
【請求項11】 前記画素電極間の近接部は、異なる角
度の複数の辺からなり、液晶層内に異なる方向の電界を
発生できるようにしたことを特徴とする請求項5から1
0のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
11. The proximity portion between the pixel electrodes is composed of a plurality of sides having different angles, and is capable of generating electric fields in different directions in the liquid crystal layer.
0. The liquid crystal display device according to any one of 0.
【請求項12】 表示領域の全画素において、前記近接
部が前記画素電極から電気的に切断できるように構成さ
れている請求項5から11のいずれか1項に記載の液晶
表示装置。
12. The liquid crystal display device according to claim 5, wherein, in all pixels in the display area, the proximity portion is configured to be electrically disconnectable from the pixel electrode.
【請求項13】 液晶層を挟持して対向する2枚の基板
のうち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給され
る複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソー
ス線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設
けられた第一のスイッチング素子、前記第一のスイッチ
ング素子に接続された画素電極、他方の基板上に形成さ
れた対向電極と、を少なくとも備えた液晶表示装置であ
って、前記液晶表示装置は、前記各画素電極に画像信号
と黒信号を書きこむために前記各ゲート線が1フレーム
期間内に複数回選択され、前記黒信号はn本(nは2以
上の整数)のゲート線が同時に選択されて書きこまれる
ように駆動表示されるものであって、前記画素電極は隣
接する画素電極間の一部が接近した近接部を有し、か
つ、前記画素電極の接続先であるゲート線に応じてn本
毎に1つの割合で前記近接部が前記画素電極から電気的
に切断できるように構成されていることを特徴とするO
CBモードで動作する液晶表示装置。
13. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied to the facing surface side of one of the two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. At least a first switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. In the liquid crystal display device, the gate lines are selected a plurality of times within one frame period in order to write an image signal and a black signal to the pixel electrodes, and the black signal is n lines. (N is an integer of 2 or more) is driven and displayed so that the gate lines are simultaneously selected and written, and the pixel electrodes have a proximity portion in which a part of adjacent pixel electrodes are close to each other. And the contact of the pixel electrode O is configured such that the proximity portion can be electrically disconnected from the pixel electrode at a rate of one for every n lines according to the gate line to be connected.
A liquid crystal display device that operates in the CB mode.
【請求項14】 前記画素電極間の近接部は前記ゲート
線、あるいは前記ソース線と重なるように形成されてい
ることを特徴とする請求項13に記載の液晶表示装置。
14. The liquid crystal display device according to claim 13, wherein a proximity portion between the pixel electrodes is formed so as to overlap with the gate line or the source line.
【請求項15】 前記液晶表示装置はさらに前記画素電
極との間に蓄積容量を形成するための蓄積容量線を備
え、前記画素電極間の近接部は前記蓄積容量線と重なる
ように形成されていることを特徴とする請求項13に記
載の液晶表示装置。
15. The liquid crystal display device further comprises a storage capacitor line for forming a storage capacitor between the pixel electrode and the pixel electrode, and a proximity portion between the pixel electrodes is formed so as to overlap the storage capacitor line. The liquid crystal display device according to claim 13, wherein the liquid crystal display device is a liquid crystal display device.
【請求項16】 前記画素電極と前記近接部が、第二の
スイッチング素子を介して接続されていることを特徴と
する請求項13から15のいずれか1項に記載の液晶表
示装置。
16. The liquid crystal display device according to claim 13, wherein the pixel electrode and the proximity portion are connected via a second switching element.
【請求項17】 前記第二のスイッチング素子の制御端
子は前記ゲート線に接続されていることを特徴とする請
求項16に記載の液晶表示装置。
17. The liquid crystal display device according to claim 16, wherein a control terminal of the second switching element is connected to the gate line.
【請求項18】 前記第二のスイッチング素子の制御端
子は前記蓄積容量線に接続されていることを特徴とする
請求項16に記載の液晶表示装置。
18. The liquid crystal display device according to claim 16, wherein a control terminal of the second switching element is connected to the storage capacitance line.
【請求項19】 前記画素電極間の近接部は、異なる角
度の複数の辺からなり、液晶層内に異なる方向の電界を
発生できるようにしたことを特徴とする請求項13から
18のいずれか1項に記載の液晶表示装置。
19. The proximity portion between the pixel electrodes is composed of a plurality of sides having different angles so that electric fields in different directions can be generated in the liquid crystal layer. The liquid crystal display device according to item 1.
【請求項20】 液晶層を挟持して対向する2枚の基板
のうち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給され
る複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソー
ス線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設
けられた第一のスイッチング素子、前記第一のスイッチ
ング素子に接続された画素電極、他方の基板上に形成さ
れた対向電極と、を少なくとも備えた液晶表示装置であ
って、前記液晶表示装置は、前記ゲート線のn本(nは
2以上の整数)おきに画像信号電圧の極性が反転されて
駆動表示されるものであって、前記画素電極は隣接する
画素電極間の一部が接近した近接部を有し、かつ、前記
画素電極の接続先であるゲート線に応じてn本毎に1つ
の割合で前記近接部が除去されていることを特徴とする
OCBモードで動作する液晶表示装置。
20. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied, on the facing surface side of one of the two substrates facing each other with the liquid crystal layer interposed therebetween. At least a first switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. A liquid crystal display device provided with the liquid crystal display device, wherein the polarity of an image signal voltage is inverted every n lines (n is an integer of 2 or more) of the gate lines for driving display. The pixel electrode has a proximity portion in which a part of adjacent pixel electrodes are close to each other, and the proximity portion is removed at a rate of one every n lines according to a gate line to which the pixel electrode is connected. Operates in OCB mode characterized by Liquid crystal display device.
【請求項21】 液晶層を挟持して対向する2枚の基板
のうち、一方の基板の対向面側に、走査信号が供給され
る複数のゲート線及び画素信号が供給される複数のソー
ス線、前記ゲート線とソース線の各交差点に対応して設
けられた第一のスイッチング素子、前記第一のスイッチ
ング素子に接続された画素電極、他方の基板上に形成さ
れた対向電極と、を少なくとも備えた液晶表示装置であ
って、前記液晶表示装置は、前記ゲート線のn本(nは
2以上の整数)おきに画像信号電圧の極性が反転されて
駆動表示されるものであって、前記画素電極は隣接する
画素電極間の一部が接近した近接部を有し、かつ、前記
画素電極の接続先であるゲート線に応じてn本毎に1つ
の割合で前記近接部が前記画素電極から電気的に切断で
きるように構成されていることを特徴とするOCBモー
ドで動作する液晶表示装置。
21. A plurality of gate lines to which a scanning signal is supplied and a plurality of source lines to which a pixel signal is supplied to the facing surface side of one of the two substrates facing each other with a liquid crystal layer interposed therebetween. At least a first switching element provided corresponding to each intersection of the gate line and the source line, a pixel electrode connected to the first switching element, and a counter electrode formed on the other substrate. A liquid crystal display device provided with the liquid crystal display device, wherein the polarity of an image signal voltage is inverted every n lines (n is an integer of 2 or more) of the gate lines for driving display. The pixel electrode has a proximity portion in which a part of adjacent pixel electrodes are close to each other, and the proximity portion is the pixel electrode at a rate of one for every n lines according to a gate line to which the pixel electrode is connected. Is configured to be electrically disconnectable from A liquid crystal display device which operates in the OCB mode.
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