JPS62131565A - 固体撮像素子 - Google Patents
固体撮像素子Info
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- JPS62131565A JPS62131565A JP60271479A JP27147985A JPS62131565A JP S62131565 A JPS62131565 A JP S62131565A JP 60271479 A JP60271479 A JP 60271479A JP 27147985 A JP27147985 A JP 27147985A JP S62131565 A JPS62131565 A JP S62131565A
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- JP
- Japan
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- pattern
- wiring
- film
- sio2
- wafer
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- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
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- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
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- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は固体撮像素子に関する。
従来の固体撮像素子は、Ｓｉウェハ平面上に感光部と配
線部もしくは電荷転送部が並列して配置されていた。そ
のため、配線部もしくは電荷転送部に入射した光は不用
光となり、撮像素子の感度を制限する大きな要因となっ
ていた。この点を解する一つの手段として、特開昭６０
−５３０７３に記載されているごとき、マイクロレンズ
アレイを積層する方法が提案されているが、この方法に
おいても、凸レンズアレイ間の間隙部では、集光は困難
であるという欠点があった。さらに、一度作成した固体
撮像素子上にマイクロレンズアレイを作成する別の工程
が必要になるという欠点もあった。
線部もしくは電荷転送部が並列して配置されていた。そ
のため、配線部もしくは電荷転送部に入射した光は不用
光となり、撮像素子の感度を制限する大きな要因となっ
ていた。この点を解する一つの手段として、特開昭６０
−５３０７３に記載されているごとき、マイクロレンズ
アレイを積層する方法が提案されているが、この方法に
おいても、凸レンズアレイ間の間隙部では、集光は困難
であるという欠点があった。さらに、一度作成した固体
撮像素子上にマイクロレンズアレイを作成する別の工程
が必要になるという欠点もあった。
本発明の目的は、配線部もしくは電荷転送部のごとく、
感光部以外の領域に入射した光を反射により、感光部に
入射させ、光の利用率を大幅に向上せしめるものである
。
感光部以外の領域に入射した光を反射により、感光部に
入射させ、光の利用率を大幅に向上せしめるものである
。
Ｓｉウェハ１に第１図にしめすごとく、異方性エツチン
グによって、７字形の溝を形成し、その片面に感光部２
、もう一方の面に配線部等３を設け、その上面を反射面
４とすることにより、入射光５をすべて、感光部に集光
する。
グによって、７字形の溝を形成し、その片面に感光部２
、もう一方の面に配線部等３を設け、その上面を反射面
４とすることにより、入射光５をすべて、感光部に集光
する。
以下１本発明の一実施例を第２図により説明する。
Ｓｉウェハ上にＳ ｉ Ｏｚを熱酸化によって形成した
後、ホトエツチング法により２３μｍピッチのストライ
プ状にパターン化し、これをマスクとして、ヒドラジン
１７ｃｃ、Ｈｚ０８ｃｃ、ピロカテコール３ｇの混合液
からなるエツチング液でＳｉウェハをエツチングし、同
図（ａ）に示すごとき断面形状を作製した。
後、ホトエツチング法により２３μｍピッチのストライ
プ状にパターン化し、これをマスクとして、ヒドラジン
１７ｃｃ、Ｈｚ０８ｃｃ、ピロカテコール３ｇの混合液
からなるエツチング液でＳｉウェハをエツチングし、同
図（ａ）に示すごとき断面形状を作製した。
その後、この面の上に、通常のＭＯ８形固体撮像素子を
形成した。その際、斜面の片側はｎ形の拡散Ｍ！１１１
からなるホトダイオードを形成し、他方の斜面にはポリ
シリコン１２をゲート電極とし、５ｉＯｚ１３をゲート
絶縁膜ｎ十層をドレイン１４とするＭＯＳトランジスタ
を形成し、その後絶縁膜１６を被覆して後ＡＱｌ１９パ
ターンから成る配線１５を形成した。その後、全体に、
５ｉＯ１膜からなるパッシベーション膜１７を被覆した
後、Ａ１１ｌ膜パターン１８をＭｏＳトランジスタ部な
らびに配線部に形成し、これを反射面とした。
形成した。その際、斜面の片側はｎ形の拡散Ｍ！１１１
からなるホトダイオードを形成し、他方の斜面にはポリ
シリコン１２をゲート電極とし、５ｉＯｚ１３をゲート
絶縁膜ｎ十層をドレイン１４とするＭＯＳトランジスタ
を形成し、その後絶縁膜１６を被覆して後ＡＱｌ１９パ
ターンから成る配線１５を形成した。その後、全体に、
５ｉＯ１膜からなるパッシベーション膜１７を被覆した
後、Ａ１１ｌ膜パターン１８をＭｏＳトランジスタ部な
らびに配線部に形成し、これを反射面とした。
〔発明の効果〕
本発明によれば、配線部等に入射した光線は、はとんど
感光部に集光されるため、入射光の利用率をほぼ１００
％とすることが出来る。
感光部に集光されるため、入射光の利用率をほぼ１００
％とすることが出来る。
なお、本実施例では、ＭＯ５Ｏ５形についてのみ記した
が、ＣＣＤ形等の他の素子についてもその効果は、変り
ないことは言うまでもない。
が、ＣＣＤ形等の他の素子についてもその効果は、変り
ないことは言うまでもない。
第１図は、本発明の原理を示す、第２図（ａ）は実施例
の工程途中におけるウェハの断面図、第２図（ｂ）は完
成状態を示す断面図である。 １・・・Ｓｉウェハ、２・・・感光部、３・・・配線部
、４・・・反射面、５・・・入射光、１１・・・ｎ膨拡
散層、１２・・・ゲート電極、１５・・・配線パターン
、１６・・・絶縁膜、１７・・・絶縁膜、１８・・・Ａ
Ｑ膜。 叉′ ■ Ｚ 口（幻 不 Ｚ 図（ｂ）
の工程途中におけるウェハの断面図、第２図（ｂ）は完
成状態を示す断面図である。 １・・・Ｓｉウェハ、２・・・感光部、３・・・配線部
、４・・・反射面、５・・・入射光、１１・・・ｎ膨拡
散層、１２・・・ゲート電極、１５・・・配線パターン
、１６・・・絶縁膜、１７・・・絶縁膜、１８・・・Ａ
Ｑ膜。 叉′ ■ Ｚ 口（幻 不 Ｚ 図（ｂ）
Claims (1)
- 感光部と、配線若しくは電荷転送部を有する固体撮像素
子において、上記感光部と上記配線もしくは電荷転送部
を向きあつたＶ字形の溝の中に形成したことを特徴とす
る固体撮像素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271479A JPS62131565A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 固体撮像素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60271479A JPS62131565A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 固体撮像素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62131565A true JPS62131565A (ja) | 1987-06-13 |
Family
ID=17500612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60271479A Pending JPS62131565A (ja) | 1985-12-04 | 1985-12-04 | 固体撮像素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62131565A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100369273C (zh) * | 2004-03-05 | 2008-02-13 | 中国科学院半导体研究所 | 提高半导体光电转换器件性能的方法 |
| JP2010080666A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 固体撮像素子 |
-
1985
- 1985-12-04 JP JP60271479A patent/JPS62131565A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100369273C (zh) * | 2004-03-05 | 2008-02-13 | 中国科学院半导体研究所 | 提高半导体光电转换器件性能的方法 |
| JP2010080666A (ja) * | 2008-09-26 | 2010-04-08 | Fujitsu Microelectronics Ltd | 固体撮像素子 |
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