JPS6212572B2 - - Google Patents
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- JPS6212572B2 JPS6212572B2 JP53065075A JP6507578A JPS6212572B2 JP S6212572 B2 JPS6212572 B2 JP S6212572B2 JP 53065075 A JP53065075 A JP 53065075A JP 6507578 A JP6507578 A JP 6507578A JP S6212572 B2 JPS6212572 B2 JP S6212572B2
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Description
【発明の詳細な説明】
〔技術分野〕
本発明はビデオデイスク等レーザ光等により情
報を記録再生するための情報記録担体、特にその
原盤に関する。
報を記録再生するための情報記録担体、特にその
原盤に関する。
従来のビデオデイスク等の原盤は、光学平面研
摩したガラス基板上に直接またはSiO2薄膜を介
して形成した金属薄膜に、記録ビームを照射して
該金属薄膜を蒸発せしめ、ピツトを形成すること
により情報を記録するとともに、レプリカ製作に
必要となる1000乃至2000Åのピツト深さをイオン
ミリングまたはガスプラズマのエツチング等によ
り作るものであつた。この方法による場合は異つ
た情報を記録しなおす毎にガラス基板を光学研摩
する必要があり、コストが高かつた。さらに記録
と同時にモニターする場合、反射方式で情報を読
取る装置においては通常のレプリカの再生信号と
同一レベルの信号を得ることは困難であつた。
摩したガラス基板上に直接またはSiO2薄膜を介
して形成した金属薄膜に、記録ビームを照射して
該金属薄膜を蒸発せしめ、ピツトを形成すること
により情報を記録するとともに、レプリカ製作に
必要となる1000乃至2000Åのピツト深さをイオン
ミリングまたはガスプラズマのエツチング等によ
り作るものであつた。この方法による場合は異つ
た情報を記録しなおす毎にガラス基板を光学研摩
する必要があり、コストが高かつた。さらに記録
と同時にモニターする場合、反射方式で情報を読
取る装置においては通常のレプリカの再生信号と
同一レベルの信号を得ることは困難であつた。
本発明は上記欠点を除去し、ガラス以外の材質
例えばプラスチツク、金属等もデイスク基板とし
て使用可能とすることにより安価な情報記録原盤
を提供するばかりでなく、記録と同時に行うモニ
ターにおいて通常のレプリカを再生する場合と略
同一の信号レベルを得ることができる情報記録原
盤を提供するものである。
例えばプラスチツク、金属等もデイスク基板とし
て使用可能とすることにより安価な情報記録原盤
を提供するばかりでなく、記録と同時に行うモニ
ターにおいて通常のレプリカを再生する場合と略
同一の信号レベルを得ることができる情報記録原
盤を提供するものである。
第１図は本発明の情報記録原盤の部分断面図を
示すもので、１はプラスチツクよりなるデイスク
基板、２および４は第１および第２のそれぞれ反
射膜であつて、Cr，Ti，Ｗ，Mo，Ta，Mn，
Fe，Hf，Si，Ge，Al，Te等の金属またはその他
合金よりなる。２層以上の金属膜で第１または第
２反射膜を形成してもよい。３は透明膜であり
SiO2，Si3N4、その他金属酸化物、窒化物とする
ことができる。すなわち本発明においては、デイ
スク基板１上の略全体に蒸着等により第１反射膜
２を形成し、その上に透明膜３を形成し、更にそ
の上に第２反射膜４を形成する。各々の厚さは例
えば第１反射膜２が2000Å、透明膜３が500乃至
2000Å、第２反射膜４が300Åとすることができ
る。第１反射膜２と第２反射膜４の表面の距離Ｈ
は反射光が干渉し合うように通常λ／４（λはレ
ーザ光の波長）とすることができる。しかしてレ
ーザ光等を第２反射膜４上に照射し、第２反射膜
４を蒸発させてピツト５を形成し、情報を記録す
る。その際第１反射膜２がレーザ光等の照射によ
り蒸発されないように、レーザ光等の強さを調整
したり、第１反射膜２の素材をレーザ光等の照射
により蒸発しにくいものに選定したり、透明層３
の厚さを調整することができる。その結果とし
て、第１反射膜には、デイスク基板１上に残存す
る。記録と同時にモニターする場合は、モニター
要ビームを照射すれば、第１及び第２反射膜でモ
ニター用ビームが全反射されるので容易にモニタ
ーすることができる。そして第２反射膜４をマス
クとして、透明層３のエツチ部６をフロン系ガス
中でガスプラズマ又はイオンミリング等により所
定の深さにエツチングすれば、これを型としてプ
ラスチツク等へ信号を転写しレプリカを量産する
ことも可能である。また一度情報を記録した情報
記録原盤に別の情報を記録しなおす場合は、通常
のケミカルエツチング等により第１および第２反
射膜２，４並びに透明層３を除去し、デイスク基
板１の表面に光学平面を転写すれば良い。
示すもので、１はプラスチツクよりなるデイスク
基板、２および４は第１および第２のそれぞれ反
射膜であつて、Cr，Ti，Ｗ，Mo，Ta，Mn，
Fe，Hf，Si，Ge，Al，Te等の金属またはその他
合金よりなる。２層以上の金属膜で第１または第
２反射膜を形成してもよい。３は透明膜であり
SiO2，Si3N4、その他金属酸化物、窒化物とする
ことができる。すなわち本発明においては、デイ
スク基板１上の略全体に蒸着等により第１反射膜
２を形成し、その上に透明膜３を形成し、更にそ
の上に第２反射膜４を形成する。各々の厚さは例
えば第１反射膜２が2000Å、透明膜３が500乃至
2000Å、第２反射膜４が300Åとすることができ
る。第１反射膜２と第２反射膜４の表面の距離Ｈ
は反射光が干渉し合うように通常λ／４（λはレ
ーザ光の波長）とすることができる。しかしてレ
ーザ光等を第２反射膜４上に照射し、第２反射膜
４を蒸発させてピツト５を形成し、情報を記録す
る。その際第１反射膜２がレーザ光等の照射によ
り蒸発されないように、レーザ光等の強さを調整
したり、第１反射膜２の素材をレーザ光等の照射
により蒸発しにくいものに選定したり、透明層３
の厚さを調整することができる。その結果とし
て、第１反射膜には、デイスク基板１上に残存す
る。記録と同時にモニターする場合は、モニター
要ビームを照射すれば、第１及び第２反射膜でモ
ニター用ビームが全反射されるので容易にモニタ
ーすることができる。そして第２反射膜４をマス
クとして、透明層３のエツチ部６をフロン系ガス
中でガスプラズマ又はイオンミリング等により所
定の深さにエツチングすれば、これを型としてプ
ラスチツク等へ信号を転写しレプリカを量産する
ことも可能である。また一度情報を記録した情報
記録原盤に別の情報を記録しなおす場合は、通常
のケミカルエツチング等により第１および第２反
射膜２，４並びに透明層３を除去し、デイスク基
板１の表面に光学平面を転写すれば良い。
以上の如く本発明によれば、第１及び第２反射
膜２，４の間隔Ｈは透明層３の厚さにより確保さ
れ、第２反射膜４は薄くすることができるのでレ
ーザ光等の照射により容易に蒸発し、情報を正確
に記録することができる。また読取用レーザ光等
は所定の間隔を有する第１及び第２反射膜２，４
により反射されるので、記録時に通常のレプリカ
再生時と略同一の信号レベルでより実際に近いモ
ニターをすることが可能である。また、第１反射
膜２はデイスク１上に残存するので、デイスク基
板１の素材としてアクリル、塩化ビニル等を用い
ることができ、信号を記録しなおす場合において
も光学面を研摩ではなく転写によつて容易に確保
することができるから、安価な情報記録原盤を得
ることができる。
膜２，４の間隔Ｈは透明層３の厚さにより確保さ
れ、第２反射膜４は薄くすることができるのでレ
ーザ光等の照射により容易に蒸発し、情報を正確
に記録することができる。また読取用レーザ光等
は所定の間隔を有する第１及び第２反射膜２，４
により反射されるので、記録時に通常のレプリカ
再生時と略同一の信号レベルでより実際に近いモ
ニターをすることが可能である。また、第１反射
膜２はデイスク１上に残存するので、デイスク基
板１の素材としてアクリル、塩化ビニル等を用い
ることができ、信号を記録しなおす場合において
も光学面を研摩ではなく転写によつて容易に確保
することができるから、安価な情報記録原盤を得
ることができる。
第１図は本発明の情報記録担体の部分断面図を
表す。 １…デイスク基板、２…第１反射膜、３…透明
膜、４…第２反射膜、５…ピツト、６…エツチ
部。
表す。 １…デイスク基板、２…第１反射膜、３…透明
膜、４…第２反射膜、５…ピツト、６…エツチ
部。
Claims (1)
- １ 表面に光学平面が転写されたプラスチツクよ
りなる基板と、該基板上に形成された第１反射膜
と、該第１反射膜上に所定の厚さに形成された透
明膜と、該透明膜上に形成された第２反射膜とを
有し、上記第２反射膜は情報記録ビームにより部
分的に除去され、上記透明膜のうち上記部分的に
除去された上記第２反射膜の下部に存在する部分
のみが除去され凹部を形成し、かつ上記第１反射
膜は残存する事を特徴とする情報記録原盤。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6507578A JPS54156608A (en) | 1978-05-31 | 1978-05-31 | Information recording carrier |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6507578A JPS54156608A (en) | 1978-05-31 | 1978-05-31 | Information recording carrier |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54156608A JPS54156608A (en) | 1979-12-10 |
| JPS6212572B2 true JPS6212572B2 (ja) | 1987-03-19 |
Family
ID=13276463
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6507578A Granted JPS54156608A (en) | 1978-05-31 | 1978-05-31 | Information recording carrier |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS54156608A (ja) |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49103297A (ja) * | 1973-01-18 | 1974-09-30 | ||
| JPS5188203A (en) * | 1975-01-31 | 1976-08-02 | Johokirokubaitaino seizohoho | |
| JPS5352104A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of disc recording disc |
-
1978
- 1978-05-31 JP JP6507578A patent/JPS54156608A/ja active Granted
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS49103297A (ja) * | 1973-01-18 | 1974-09-30 | ||
| JPS5188203A (en) * | 1975-01-31 | 1976-08-02 | Johokirokubaitaino seizohoho | |
| JPS5352104A (en) * | 1976-10-22 | 1978-05-12 | Fuji Photo Film Co Ltd | Production of disc recording disc |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54156608A (en) | 1979-12-10 |
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