JPS62124642A - 磁気光学薄膜の製造方法 - Google Patents
磁気光学薄膜の製造方法Info
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- JPS62124642A JPS62124642A JP26443985A JP26443985A JPS62124642A JP S62124642 A JPS62124642 A JP S62124642A JP 26443985 A JP26443985 A JP 26443985A JP 26443985 A JP26443985 A JP 26443985A JP S62124642 A JPS62124642 A JP S62124642A
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は磁気光学薄膜の製造方法、さらに詳細には、大
きな磁気カー効果、大きなファラデー効果並びに透光性
を有する合金磁気光学薄膜の製造方法に関する。
きな磁気カー効果、大きなファラデー効果並びに透光性
を有する合金磁気光学薄膜の製造方法に関する。
金属あるいは合金磁気光学薄膜は、それらのカー回転を
利用して、光磁気記録媒体への応用が考えられている。
利用して、光磁気記録媒体への応用が考えられている。
光磁気記録媒体として、最も重要な条件の一つは、再生
特性の信号／雑音（Ｃ／Ｎ ’）に比を大きくすること
である。このＣ／Ｎ比を大きくするために、媒体の多層
構造などの工夫がなされているが、その中で基本となる
ことは、大きな磁気カー回転角（θＫ）を有する磁気光
学薄膜を得ることである。従来、光磁気記録媒体材料と
して検討されている、たとえばＣｄＣｏなどの合金磁気
光学薄膜は、θにが十分な大きさではないという欠点が
あった。
特性の信号／雑音（Ｃ／Ｎ ’）に比を大きくすること
である。このＣ／Ｎ比を大きくするために、媒体の多層
構造などの工夫がなされているが、その中で基本となる
ことは、大きな磁気カー回転角（θＫ）を有する磁気光
学薄膜を得ることである。従来、光磁気記録媒体材料と
して検討されている、たとえばＣｄＣｏなどの合金磁気
光学薄膜は、θにが十分な大きさではないという欠点が
あった。
一方、光応用技術の発展により、光との相互作用を有す
る各種の光変換素子が必要とされ、この一つとして透光
性のよい、磁気光学素子が注目されている。現在、この
要求に応えるものとしてガーネット系薄膜が実用されて
いるが、組成コントロールなどの製造法が難しいなどの
欠点を有している。これに対し、ファラデー回転角（θ
Ｆ）の大きいＦｅＸＣｏ、 ＭｎＢ１などの金属、合金
薄膜は透過性が悪く、このため材料選択の目安である性
能指数（２θＦ／α：αは光の吸収係数）が小さくなり
実用的ではなかった。
る各種の光変換素子が必要とされ、この一つとして透光
性のよい、磁気光学素子が注目されている。現在、この
要求に応えるものとしてガーネット系薄膜が実用されて
いるが、組成コントロールなどの製造法が難しいなどの
欠点を有している。これに対し、ファラデー回転角（θ
Ｆ）の大きいＦｅＸＣｏ、 ＭｎＢ１などの金属、合金
薄膜は透過性が悪く、このため材料選択の目安である性
能指数（２θＦ／α：αは光の吸収係数）が小さくなり
実用的ではなかった。
本発明は上述の点に鑑みなされたものであり、すぐれた
磁気光学効果、すなわち大きなθにと大きなθＦを有し
、かつ透光性のある磁気光学薄膜を制御性良く製造する
方法を提供することを目的とする。
磁気光学効果、すなわち大きなθにと大きなθＦを有し
、かつ透光性のある磁気光学薄膜を制御性良く製造する
方法を提供することを目的とする。
したがって、本発明による磁気光学薄膜の製造方法によ
れば、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂを任意の順序で、少なく
とも一回以上、基板上に堆積させて積層膜を形成し、次
いでこの積層膜を１３０〜９００℃の温度範囲で熱処理
を行ない、二重ＣｓＣ１型結晶構造（Ｃ１ｂ構造）を有
するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金膜とすることを特徴としてい
る。
れば、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂを任意の順序で、少なく
とも一回以上、基板上に堆積させて積層膜を形成し、次
いでこの積層膜を１３０〜９００℃の温度範囲で熱処理
を行ない、二重ＣｓＣ１型結晶構造（Ｃ１ｂ構造）を有
するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金膜とすることを特徴としてい
る。
また、本発明による第二の磁気光学薄膜の製造方法によ
れば、１２０〜８００℃に加熱した基板上へＰｔ、 Ｍ
ｎおよびＳｂを任意の順序で、少なくとも一回以上積層
し、二重ＣｓＣ１型結晶構造（Ｃ１ｈ構造）を有するＰ
ｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金膜を形成することを特徴としている
。
れば、１２０〜８００℃に加熱した基板上へＰｔ、 Ｍ
ｎおよびＳｂを任意の順序で、少なくとも一回以上積層
し、二重ＣｓＣ１型結晶構造（Ｃ１ｈ構造）を有するＰ
ｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金膜を形成することを特徴としている
。
本発明による磁気光学薄膜の製造方法によれば、基板上
にｒ’ｔ、、ＭｎおよびＳｂをそれぞれ任意の順序で少
なくとも一回以上堆積させ、１３０〜９００℃の温度で
熱処理を行ない、あるいは１２０〜８００℃に加熱した
基板上にＰｔ、 ＭｎおよびＳｂをそれぞれ任意の順序
で少なくとも一回以上堆積させて、二重ＣｓＣｌ型結晶
構造（Ｃ１ｂ構造）のＰ Ｌ −Ｍ ｎ−５ｂ合金膜を
製造するため、組成制御が容易に可能であり、また再現
性が良好であるという利点を生じる。
にｒ’ｔ、、ＭｎおよびＳｂをそれぞれ任意の順序で少
なくとも一回以上堆積させ、１３０〜９００℃の温度で
熱処理を行ない、あるいは１２０〜８００℃に加熱した
基板上にＰｔ、 ＭｎおよびＳｂをそれぞれ任意の順序
で少なくとも一回以上堆積させて、二重ＣｓＣｌ型結晶
構造（Ｃ１ｂ構造）のＰ Ｌ −Ｍ ｎ−５ｂ合金膜を
製造するため、組成制御が容易に可能であり、また再現
性が良好であるという利点を生じる。
すなわち、ＰＬ、 ＭｎおよびＳｂをそれぞれ堆積させ
る過程において、各元素の堆積速度を十分制御すること
により、各元素の１層分の厚さを正確に制御することが
容易であり、最終のＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金層の組成制御
が容易であること、また各元素を交互に堆積することに
よって各元素１層分の厚さを十分薄くできるため、熱処
理中または高温度基板への堆積に十分な原子の拡散が起
こり、磁気光学特性の良好なＣ１，ｂ構造を有するＰ
ｔ −Ｍ ｎ−Ｓｂ薄膜が容易に、かつ再現性よく得ら
れるからである。
る過程において、各元素の堆積速度を十分制御すること
により、各元素の１層分の厚さを正確に制御することが
容易であり、最終のＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金層の組成制御
が容易であること、また各元素を交互に堆積することに
よって各元素１層分の厚さを十分薄くできるため、熱処
理中または高温度基板への堆積に十分な原子の拡散が起
こり、磁気光学特性の良好なＣ１，ｂ構造を有するＰ
ｔ −Ｍ ｎ−Ｓｂ薄膜が容易に、かつ再現性よく得ら
れるからである。
本発明による第一の磁気光学薄膜の製造方法によれば、
まず、基板上にＰｔ、 ＭｎおよびＳｂを、任意の順序
で、少なくとも一回以上堆積して積層膜を形成する。す
なわち、このＰｔ、 Ｍｎ、 Ｓｂの堆積は、それぞれ
任意の順序で行うことができ、また複数回堆積を行って
もよい。
まず、基板上にＰｔ、 ＭｎおよびＳｂを、任意の順序
で、少なくとも一回以上堆積して積層膜を形成する。す
なわち、このＰｔ、 Ｍｎ、 Ｓｂの堆積は、それぞれ
任意の順序で行うことができ、また複数回堆積を行って
もよい。
前記Ｐｔ、 Ｍｎ、 Ｓｂを堆積させる方法は、本発明
において基本的に限定されるものではない。たとえば、
真空蒸着法、レーザビーム蒸着法、イオンビーム蒸着法
、イオンクラスタビーム蒸着法、イオンブレーティング
法、ｒ、ｆ、マグネトロンスパッタリング法、対向スパ
ンタリング法など種々の方法を用いることができる。
において基本的に限定されるものではない。たとえば、
真空蒸着法、レーザビーム蒸着法、イオンビーム蒸着法
、イオンクラスタビーム蒸着法、イオンブレーティング
法、ｒ、ｆ、マグネトロンスパッタリング法、対向スパ
ンタリング法など種々の方法を用いることができる。
このようにＰＬ、、ＭｎおよびＳｂを堆積させる基板は
、本発明において基本的に限定されるものではあく、従
来磁気光学薄膜を形成する基板として用いられたものを
有効に用いることができる。たとえば、石英ガラス基板
であることができる。
、本発明において基本的に限定されるものではあく、従
来磁気光学薄膜を形成する基板として用いられたものを
有効に用いることができる。たとえば、石英ガラス基板
であることができる。
本発明による第一の発明においては、この基板は必ずし
も加熱する必要はないが、多少加熱しておいてもよい。
も加熱する必要はないが、多少加熱しておいてもよい。
前述のようにＩ’ｔ、 Ｍｎ、 Ｓｂの積層膜を任意の
順序で、少なくとも一層づつ形成したのち、熱処理をか
生じ、磁気光学特性の良好なＣ１，ｂ構造を有するＰ
ｔ −Ｍ ｎ −Ｓ ｂ合金膜が得られない虞を生じ、
一方、９００℃を超えると、後述の実施例より明らかな
ように薄膜が溶解する虞を生じるからである。
順序で、少なくとも一層づつ形成したのち、熱処理をか
生じ、磁気光学特性の良好なＣ１，ｂ構造を有するＰ
ｔ −Ｍ ｎ −Ｓ ｂ合金膜が得られない虞を生じ、
一方、９００℃を超えると、後述の実施例より明らかな
ように薄膜が溶解する虞を生じるからである。
熱処理の時間は、好ましくは、３０分以上であるのがよ
い。３０分未満であると、各元素の拡散が十分でない虞
を生じるからである。
い。３０分未満であると、各元素の拡散が十分でない虞
を生じるからである。
このように形成されるＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金層は、本発
明においては二重ＣｓＣｌ型結晶構造、すなわちＣ１ｂ
構造を有するものを製造する。このＣ１ｂ構造は磁気光
学特性が良好であるからである。このＣ１ｂ構造を有す
る相は、好ましくは体積比で３０％以上であるのがよい
。前記Ｃ１ｂ構造を有する相が３０％未満であると、後
述の実施例より明らかなように、良好な光学特性と透光
性を有するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金膜かえられにくいから
である。
明においては二重ＣｓＣｌ型結晶構造、すなわちＣ１ｂ
構造を有するものを製造する。このＣ１ｂ構造は磁気光
学特性が良好であるからである。このＣ１ｂ構造を有す
る相は、好ましくは体積比で３０％以上であるのがよい
。前記Ｃ１ｂ構造を有する相が３０％未満であると、後
述の実施例より明らかなように、良好な光学特性と透光
性を有するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金膜かえられにくいから
である。
次ぎに本発明による第二の磁気光学薄膜の製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
本発明による第二の磁気光学薄膜の製造方法によれば、
１２０〜８００℃に加熱された基板上に、任意の順序で
ＰｔＸＭｎおよびＳｂを少なくとも一回以上堆積させて
、Ｃ１ｂ構造を有するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金層を形成さ
せる。
１２０〜８００℃に加熱された基板上に、任意の順序で
ＰｔＸＭｎおよびＳｂを少なくとも一回以上堆積させて
、Ｃ１ｂ構造を有するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金層を形成さ
せる。
なお、前記基板、各元素の堆積方法、製造されるＰｔ
Ｍｎ−Ｓｂ合金層などは第一の発明と同様であるので
、説明を省略する。
Ｍｎ−Ｓｂ合金層などは第一の発明と同様であるので
、説明を省略する。
本発明による第二の発明においては、基板を加熱してお
き、この加熱された基板上に、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂ
を任意の順序で、少なくとも一回以上堆積させることを
特徴としている。
き、この加熱された基板上に、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂ
を任意の順序で、少なくとも一回以上堆積させることを
特徴としている。
基板温度が１２０℃未満であると、各元素が十分に拡散
せず、Ｃ１１）構造を有するＰ ｔ −Ｍ ｎ−５ｂ合
金層を形成しない虞があり、一方８００℃を超えると、
蒸気圧の高いＳｂおよびＭｎが再蒸発して、組成変動を
生しる膚があるからである。
せず、Ｃ１１）構造を有するＰ ｔ −Ｍ ｎ−５ｂ合
金層を形成しない虞があり、一方８００℃を超えると、
蒸気圧の高いＳｂおよびＭｎが再蒸発して、組成変動を
生しる膚があるからである。
以下、本発明の実施例について説明する。
実施例
真空度 ３ ｘｔｏ−５Ｐａに排気した真空蒸着装置に
おいて、蒸発原料のＰＬ、 ＭｎおよびＳｂをそれぞれ
等配位に配置し、その中央部上方に配置した回転してい
る石英ガラス基板上へ、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂをそれ
ぞれ１層づつ順番に堆積させた。ここでＰｔ１およびＳ
ｂは電子線加熱によって、Ｍｎは抵抗加熱によって蒸発
させた。
おいて、蒸発原料のＰＬ、 ＭｎおよびＳｂをそれぞれ
等配位に配置し、その中央部上方に配置した回転してい
る石英ガラス基板上へ、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂをそれ
ぞれ１層づつ順番に堆積させた。ここでＰｔ１およびＳ
ｂは電子線加熱によって、Ｍｎは抵抗加熱によって蒸発
させた。
製造される合金組成は、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂの蒸発
源それぞれに設置した膜厚モニターにより各元素の蒸着
速度と膜厚を精密に調整することによって制御した。基
板温度を室温から８００℃とし、得た堆積膜の一部は真
空中、もしくは不活性ガス雰囲気中で熱処理を行った。
源それぞれに設置した膜厚モニターにより各元素の蒸着
速度と膜厚を精密に調整することによって制御した。基
板温度を室温から８００℃とし、得た堆積膜の一部は真
空中、もしくは不活性ガス雰囲気中で熱処理を行った。
上記の方法で得られた組成が原子濃度比でＰｔ：Ｍｎ：
５ｂ＝１ ：１ ：ｌのＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金薄膜
の形成条件と磁気光学特性を、第１表のＮｏ、１〜Ｎｏ
、 １６として示す。また、前記Ｐｔ ： Ｍｎ ：
Ｓｂの組成を変化させて製造したＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金
薄膜の磁気光学薄膜毒 た１段積層膜を各温度で熱処理を行ったときの場合の、
本発明による第一の発明の実施例であり、試料Ｎｏ、
１は比較例として示しである。
５ｂ＝１ ：１ ：ｌのＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金薄膜
の形成条件と磁気光学特性を、第１表のＮｏ、１〜Ｎｏ
、 １６として示す。また、前記Ｐｔ ： Ｍｎ ：
Ｓｂの組成を変化させて製造したＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金
薄膜の磁気光学薄膜毒 た１段積層膜を各温度で熱処理を行ったときの場合の、
本発明による第一の発明の実施例であり、試料Ｎｏ、
１は比較例として示しである。
このうち、試料Ｎｏ、 １〜３におけるＭｎ −要分
の厚さが４６１ 人、Ｎｏ、 ４でばＭｎ −要分の
厚さが２３０人、Ｎｏ、 ５ではＭｎ −要分の厚さ
が１１５人の場合であり、Ｐｔ−Ｍｎ−５ｂ堆積膜の組
成が原子濃度比で１ ：ｌ ：ｌになるように、ｐ
ｔ −要分の厚さはＭｎ ｆｆ４分の厚さの１．
３９倍、Ｓｂ −要分の厚さはＭｎ −要分の厚さ
の２．４６倍になるように堆積させた。
の厚さが４６１ 人、Ｎｏ、 ４でばＭｎ −要分の
厚さが２３０人、Ｎｏ、 ５ではＭｎ −要分の厚さ
が１１５人の場合であり、Ｐｔ−Ｍｎ−５ｂ堆積膜の組
成が原子濃度比で１ ：ｌ ：ｌになるように、ｐ
ｔ −要分の厚さはＭｎ ｆｆ４分の厚さの１．
３９倍、Ｓｂ −要分の厚さはＭｎ −要分の厚さ
の２．４６倍になるように堆積させた。
試料Ｎｏ、 １の薄膜では４００℃の熱処理によってＣ
１ｂ相は全く生成されず、このため磁気光学特性および
透光性は悪い。試料Ｎｏ、 ２および試料Ｎｏ。
１ｂ相は全く生成されず、このため磁気光学特性および
透光性は悪い。試料Ｎｏ、 ２および試料Ｎｏ。
３は、それぞれ５００℃と８５０℃で熱処理を行った場
合であって、原子の拡散が十分に進み、形成された薄膜
はＣ１ｂ相のみとなった。このため、２０に、２θＦは
、大きな値になり、透過性も良好であった。試料Ｎｏ、
４は、試料Ｎｏ、 １に比較してＭｎ−要分の厚さを
１／２とし、４００℃で熱処理した場合であって、薄膜
はＣ１ｂ相のみとなり、良好な磁気光学特性と透光性を
示す。試料Ｎｏ、 ５は、さらにＭｎ −要分の厚さ
を試料Ｎｏ、 １の１／４と薄くした場合であって、３
００℃の熱処理温度で薄膜の殆どがＣ１ｂ相になった。
合であって、原子の拡散が十分に進み、形成された薄膜
はＣ１ｂ相のみとなった。このため、２０に、２θＦは
、大きな値になり、透過性も良好であった。試料Ｎｏ、
４は、試料Ｎｏ、 １に比較してＭｎ−要分の厚さを
１／２とし、４００℃で熱処理した場合であって、薄膜
はＣ１ｂ相のみとなり、良好な磁気光学特性と透光性を
示す。試料Ｎｏ、 ５は、さらにＭｎ −要分の厚さ
を試料Ｎｏ、 １の１／４と薄くした場合であって、３
００℃の熱処理温度で薄膜の殆どがＣ１ｂ相になった。
試料Ｎｏ、 ６〜８は、Ｍｎ 一層分の厚さをさらに
薄くして、多段に堆積し、熱処理を行った本発明による
第一の発明の実施例であり、Ｎｏ、 ９はその比較例で
ある。
薄くして、多段に堆積し、熱処理を行った本発明による
第一の発明の実施例であり、Ｎｏ、 ９はその比較例で
ある。
各元素の一要分の厚さを薄くすることにより、Ｃ１ｂ相
が得られる熱処理温度は低くなり、試料Ｎ。
が得られる熱処理温度は低くなり、試料Ｎ。
、８に示すように、Ｍｎ 一層分の厚さが１０人（薄
膜中のＭｎＮとしての厚さは１５０人）のときには、１
３０℃の熱処理によって薄膜は、大部分がＣ１ｂ相にな
り、良好な磁気光学特性と透光性を示す。比較例Ｎｏ、
９で示したように、熱処理温度が１１０℃のときには
原子の十分な拡散が起こらず、Ｃ１ｂ相かえられないた
め、磁気光学特性は悪かった。
膜中のＭｎＮとしての厚さは１５０人）のときには、１
３０℃の熱処理によって薄膜は、大部分がＣ１ｂ相にな
り、良好な磁気光学特性と透光性を示す。比較例Ｎｏ、
９で示したように、熱処理温度が１１０℃のときには
原子の十分な拡散が起こらず、Ｃ１ｂ相かえられないた
め、磁気光学特性は悪かった。
試料Ｎｏ、 １６は基板を多少加熱しておいた場合の本
発明による第一の発明の実施例であり、試料Ｎ。
発明による第一の発明の実施例であり、試料Ｎ。
、１５はその比較例である。
この場合も、熱処理温度が１３０℃以上であるとＣ１ｂ
相が得られ、１１０℃で処理を行ったときにはＣｕｂ相
が得られないことが確認された。
相が得られ、１１０℃で処理を行ったときにはＣｕｂ相
が得られないことが確認された。
以上の実施例および比較例より、基板へのｐｔ、Ｍｎお
よびＳｂを交互に堆積させて製造する薄膜において１．
良好な磁気光学特性と透光性を示すＣ１ｂ相を有するＰ
ｔ−Ｍｎ−５ｂ合金薄膜を得るためには、熱処理温度を
１３０℃から９００℃にするのがよいことが確認された
。
よびＳｂを交互に堆積させて製造する薄膜において１．
良好な磁気光学特性と透光性を示すＣ１ｂ相を有するＰ
ｔ−Ｍｎ−５ｂ合金薄膜を得るためには、熱処理温度を
１３０℃から９００℃にするのがよいことが確認された
。
試料Ｎｏ、 １２〜Ｎｏ、 １４は加熱した基板上にＰ
ｔ、 ＭｎおよびＳｂを交互に堆積したときの、本発明
による第二の発明の実施例であり、Ｎｏ、 １０および
Ｎｏ、 １１はその比較例である。
ｔ、 ＭｎおよびＳｂを交互に堆積したときの、本発明
による第二の発明の実施例であり、Ｎｏ、 １０および
Ｎｏ、 １１はその比較例である。
Ｍｎ 一層分の厚さが厚い試料Ｎｏ、 １０では基板
温度が３００℃でもＣ１ｂ相の生成はみられないが、試
料Ｎｏ、 １２に示すようにＭｎ 一層の厚さが２５
人と薄くなると、基板温度が１４０°Ｃの低温であって
も、Ｃ１ｂ相が生成され、良好な磁気光学特性と透光性
を示した。また、比較例の試料Ｎｏ、 １１のように基
板温度が１１０℃のときには、ｃｔｂ相の生成が認めら
れなかった。また、実施例試料Ｎｏ、 １４の場合は基
板温度が７００℃のときであり、Ｃ１，ｂ相の体積率は
試料Ｎｏ、 １３のときよりも小さくなっている。これ
は基板温度が高くなると、上記厚の高いＳｂおよＣｌ２
） びＭｎの再蒸発によって組成にずれを生じるからである
。
温度が３００℃でもＣ１ｂ相の生成はみられないが、試
料Ｎｏ、 １２に示すようにＭｎ 一層の厚さが２５
人と薄くなると、基板温度が１４０°Ｃの低温であって
も、Ｃ１ｂ相が生成され、良好な磁気光学特性と透光性
を示した。また、比較例の試料Ｎｏ、 １１のように基
板温度が１１０℃のときには、ｃｔｂ相の生成が認めら
れなかった。また、実施例試料Ｎｏ、 １４の場合は基
板温度が７００℃のときであり、Ｃ１，ｂ相の体積率は
試料Ｎｏ、 １３のときよりも小さくなっている。これ
は基板温度が高くなると、上記厚の高いＳｂおよＣｌ２
） びＭｎの再蒸発によって組成にずれを生じるからである
。
以上の実施例および比較例より、良好な磁気光学特性と
透光率を有するＰ ｔ−Ｍ ｎ −Ｓ ｂ合金薄膜をえ
るためには、１２０〜８００℃の温度範囲であるのがよ
い。基板温度が８００℃になると、組成変動が大きく成
りすぎる虞があるからである。
透光率を有するＰ ｔ−Ｍ ｎ −Ｓ ｂ合金薄膜をえ
るためには、１２０〜８００℃の温度範囲であるのがよ
い。基板温度が８００℃になると、組成変動が大きく成
りすぎる虞があるからである。
なお試料Ｎｏ、 ６と試料Ｎｏ、 １３に示した条件で
、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金薄膜の形成を数回試みたところ
、同一条件では同様の磁気光学特性の薄膜が得られた。
、Ｐｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合金薄膜の形成を数回試みたところ
、同一条件では同様の磁気光学特性の薄膜が得られた。
すなわち本発明による製造方法は組成制御性および再現
性が良好なことがわかった。
性が良好なことがわかった。
第２表はＰｔ、 ＭｎおよびＳｂの組成比を変化させて
Ｐｔ−Ｍｎ−５ｂ合金薄膜を製造し、薄膜中のＣ１ｂ相
の体積率を変化させたときの実施例を示すものであり、
試料Ｎｏ、 １７〜２０は本発明の第二の発明の場合、
試料Ｎｏ、 ２）〜２４は本発明による第一の発明の実
施例を示している。
Ｐｔ−Ｍｎ−５ｂ合金薄膜を製造し、薄膜中のＣ１ｂ相
の体積率を変化させたときの実施例を示すものであり、
試料Ｎｏ、 １７〜２０は本発明の第二の発明の場合、
試料Ｎｏ、 ２）〜２４は本発明による第一の発明の実
施例を示している。
この実施例より明らかなように、Ｃ１ｂ相の体積率が３
０％以上のときに、それらの薄膜２θにおよび２θＦ／
αは、ＣｄＣｏ薄膜の２θに−０，６〜０．８°、２０
Ｆ／α−０，５と同等以上になる。この結果よりＣ１ｂ
相は体積比で３０％以上であることが望ましいことがわ
かった。
０％以上のときに、それらの薄膜２θにおよび２θＦ／
αは、ＣｄＣｏ薄膜の２θに−０，６〜０．８°、２０
Ｆ／α−０，５と同等以上になる。この結果よりＣ１ｂ
相は体積比で３０％以上であることが望ましいことがわ
かった。
（以下余白）
第１表（光の波長６３２．８ ｎｍ、磁片ｋＯｅ、熱処
理時間１〜１０時圃第２表 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明による磁気光学薄膜の製造
方法によれば、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂを交互に堆積し
たのち、１３０℃から９００℃の温度範囲で熱処理を行
う、あるいは１２０℃から８００°Ｃに加熱された基板
上に、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂを交互に堆積させること
によって、磁気光学特性および透光性の優れたＣ１ｂ相
を有するＰ ｔ −Ｍ ｎ−５ｂ合金磁気光学薄膜を制
御性よく、また再現性良好に製造できるという利点があ
る。
理時間１〜１０時圃第２表 〔発明の効果〕 以上説明したように、本発明による磁気光学薄膜の製造
方法によれば、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂを交互に堆積し
たのち、１３０℃から９００℃の温度範囲で熱処理を行
う、あるいは１２０℃から８００°Ｃに加熱された基板
上に、Ｐｔ、 ＭｎおよびＳｂを交互に堆積させること
によって、磁気光学特性および透光性の優れたＣ１ｂ相
を有するＰ ｔ −Ｍ ｎ−５ｂ合金磁気光学薄膜を制
御性よく、また再現性良好に製造できるという利点があ
る。
Claims (2)
- （１）Ｐｔ、ＭｎおよびＳｂを任意の順序で、少なくと
も一回以上、基板上に堆積させて積層膜を形成し、次い
でこの積層膜を１３０〜９００℃の温度範囲で熱処理を
行ない、二重ＣｓＣｌ型結晶構造を有するＰｔ−Ｍｎ−
Ｓｂ合金膜とすることを特徴とする磁気光学薄膜の製造
方法。 - （２）１２０〜８００℃に加熱した基板上へＰｔ、Ｍｎ
およびＳｂを任意の順序で、少なくとも一回以上積層し
、二重ＣｓＣｌ型結晶構造を有するＰｔ−Ｍｎ−Ｓｂ合
金膜を形成することを特徴とする磁気光学薄膜の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26443985A JPS62124642A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 磁気光学薄膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26443985A JPS62124642A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 磁気光学薄膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62124642A true JPS62124642A (ja) | 1987-06-05 |
Family
ID=17403206
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26443985A Pending JPS62124642A (ja) | 1985-11-25 | 1985-11-25 | 磁気光学薄膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62124642A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
-
1985
- 1985-11-25 JP JP26443985A patent/JPS62124642A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1996008008A1 (fr) * | 1994-09-06 | 1996-03-14 | Migaku Takahashi | Couche magneto-optique mince, support d'enregistrement magneto-optique et son procede de production |
| US6190763B1 (en) * | 1994-09-06 | 2001-02-20 | Migaku Takahashi | Magnetooptic thin film, magnetoopic record medium |
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