JPS62123761A - 半導体集積回路 - Google Patents

半導体集積回路

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Publication number
JPS62123761A
JPS62123761A JP26417885A JP26417885A JPS62123761A JP S62123761 A JPS62123761 A JP S62123761A JP 26417885 A JP26417885 A JP 26417885A JP 26417885 A JP26417885 A JP 26417885A JP S62123761 A JPS62123761 A JP S62123761A
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JP
Japan
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resistance
resistor
circuit
series
switching
Prior art date
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JP26417885A
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JPH0564860B2 (ja
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Shigeaki Ashida
芦田 茂昭
Takao Yoshimoto
吉本 隆夫
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NEC Corp
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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NEC Corp
NEC IC Microcomputer Systems Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、半導体集積回路、特に各種基準電圧を発生す
る半導体集積回路に関する。
〔従来の技術〕
従来、一般に種々の用途に基準として使われる基準電圧
を発生させる回路として抵抗を直列に接続した分圧回路
が広く使用されている。こうした回路の一例を第2図に
示す。この図においてR1及びR2が分圧回路を形成し
その抵抗比により一定の基準電圧を発生することが出来
る。
〔発明が解決しようとする問題点〕
しかしながら、第2図に示す回路方式では発生する基準
電圧は1つの値しか得ることができない。
そこで、第3図の如(R1,R2の抵抗の他にR,3,
R4の抵抗を設け、R3,R4それぞれの抵抗にスイッ
チ5.6を1つずつ直列接続し、これらのスイッチング
TrのON、OFFを外部から制御することにより複数
の基準電圧を発生していた。ところが、この場合スイッ
チングTrがONしたときスイッチングTr内部のON
抵抗により分圧するときの抵抗比精度が低下し、抵抗比
により発生する基準電圧が正確な期待値を得ることが出
来なかった。例えば、第3図において、R2=3R1、
R3=2Rt 、 R4=1.5 Rtとし、すべての
スイッチングTrをONすると、このときの抵抗比 となる。
しかしスイッチングTrの内部抵抗をrとすると、 Rド [<3Rt+r)  ・ <2R1+r)  ・
 (1,5Rt+r)  ]  /[<3Rt+r> 
 (2Rt+r)+(2Rt4r)(1,5R1+r)
((3R,+r)(1,5R++r)]≠1=□13.
5 となり、期待する抵抗比が得られず、したがって、正確
な基準電圧を発生ずることができなかった。
〔問題点を解決するための手段〕
本発明の半導体集積回路は、抵抗値R1の第一の抵抗と
第一のスイッチングトランジスタとを直列に接続し、電
源の一端に一端を接続した第一の抵抗回路と、抵抗値R
2の第二の抵抗と第二のスイッチングトランジスタとを
直列に接続し、一端を前記第一の抵抗回路の他端に接続
し、他端を前記電源の他端に接続した第二の抵抗回路と
、抵抗値R3の第三の抵抗と第三のスイッチングトラン
ジスタとを直列に接続し、前記第二の抵抗回路に並列に
接続した第三の抵抗回路とを具備し、前記第一のスイッ
チングトランジスタの内部抵抗値をr(Ω)とするとき
、前記第二のスイッチングトランジスタ、第三のスイッ
チングトランジスタの内部抵抗値をそれぞれ、ほぼrR
2/R1(Ω)。
rR3/R1(Ω)にしたことを特徴とする。
〔実施例〕
次に、本発明について図面を参照して説明する。
第1図は、本発明の一実施例を示す。スイッチングTr
lはrΩの内部抵抗をもった常時ONのスイッチング′
Frであり、スイッチングT r 2この時のR2,R
3,R4の抵抗をそれぞれR2−3R+ 、R3=2R
+ 、R4=1.5 Rt とすると、すべてのスイッ
チングTrがONした場合、所望する抵抗比は、すべて
のスイッチングTrの内部抵抗がゼロの場合と同様で、 (L+r):   [(3Rt+3r)  (2R,+
2r)  (1−5Rt+1.5r>)/[(3R1+
3r)  (2R4+2r)+(2Rt+2r)  (
1,5R++1.5r)となり、スイッチングTrの内
部抵抗がある場合においてら所望の抵抗比を得ることが
出来、これによって正確な基準電圧を発生させることが
出来る。しかし、本実施例ではスイッチングT r 2
 。
3.4おのおのとスイッチングT r 1との内部抵抗
の比は、スイッチングTr2.3.4のおのおのに直列
に接続されている抵抗R2、R1,R4とスイ・ソチン
グT r 1に直列に接続されている抵抗R1との比を
等しくすることを特徴とし、そのスイ・ソチングTrに
内部抵抗比は、スイッチングTrのチャンネル長又はチ
ャンネル巾の比で容易にかつ正確に設計することができ
、又、複数のスイッチングTrを直列又は並列に接続さ
せることでも同様に設計することが出来る。
〔発明の効果〕
以上説明したように、本発明は外部からの制御により複
数の基準電圧を有する半導体集積回路において、基準電
圧発生回路を構成する抵抗値から設計されるスイッチン
グTrと組合わせることにより、所望の正確な基準電圧
発生回路を容易に得ることができるという利点がある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の一実施例の回路図、第2図。 第3図は従来例の回路図である。 1〜6・・・スイッチングT r 。

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1.  抵抗値R1の第一の抵抗と第一のスイッチングトラン
    ジスタとを直列に接続し、電源の一端に一端を接続した
    第1の抵抗回路と、抵抗値R2の第二の抵抗と第二のス
    イッチングトランジスタとを直列に接続し、一端を前記
    第一の抵抗回路の他端に接続し、他端を前記電源の他端
    に接続した第二の抵抗回路と、抵抗値R3の第三の抵抗
    と第三のスイッチングトランジスタとを直列に接続し、
    前記第二の抵抗回路に並列に接続した第三の抵抗回路と
    を具備し、前記第一のスイッチングトランジスタの内部
    抵抗値をr(Ω)とするとき、前記第二のスイッチング
    トランジスタ、第三のスイッチングトランジスタの内部
    抵抗値をそれぞれ、ほぼrR2/R1(Ω)、rR3/
    R1(Ω)にしたことを特徴とする半導体集積回路。
JP26417885A 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路 Granted JPS62123761A (ja)

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JP26417885A JPS62123761A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路

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JPS62123761A true JPS62123761A (ja) 1987-06-05
JPH0564860B2 JPH0564860B2 (ja) 1993-09-16

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JP26417885A Granted JPS62123761A (ja) 1985-11-22 1985-11-22 半導体集積回路

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