JPS62122246A - 樹脂モ−ルド半導体装置 - Google Patents
樹脂モ−ルド半導体装置Info
- Publication number
- JPS62122246A JPS62122246A JP26274685A JP26274685A JPS62122246A JP S62122246 A JPS62122246 A JP S62122246A JP 26274685 A JP26274685 A JP 26274685A JP 26274685 A JP26274685 A JP 26274685A JP S62122246 A JPS62122246 A JP S62122246A
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- JP
- Japan
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- gas
- water content
- filled
- molding resin
- noncombustible
- Prior art date
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- Pending
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/20—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device gaseous at the normal operating temperature of the device
-
- H—ELECTRICITY
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
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- Physics & Mathematics (AREA)
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は、モールド樹脂体中に水分等の侵入を防止す
るための不燃性ガスを高圧で充填することにより、耐湿
性の向上を図った樹脂モールド半導体装置に関するもの
である。
るための不燃性ガスを高圧で充填することにより、耐湿
性の向上を図った樹脂モールド半導体装置に関するもの
である。
この種の従来の半導体装置においては、半導体チップが
モールド樹脂によりモールド成形され、半導体チップは
モールド樹脂体中に埋設されている。
モールド樹脂によりモールド成形され、半導体チップは
モールド樹脂体中に埋設されている。
このような従来の樹脂モールド半導体装置にあっては、
モールド樹脂体を通して大気中から水分等が浸透し、半
導体チップ上の配線材を腐食させ、半導体装置の早期劣
化の原因となる等の問題点があった。
モールド樹脂体を通して大気中から水分等が浸透し、半
導体チップ上の配線材を腐食させ、半導体装置の早期劣
化の原因となる等の問題点があった。
この発明は、上記問題点を解決するためになされたもの
で、モールド樹脂への水分等の湿気の侵入を防止するこ
とを目的としたものである。
で、モールド樹脂への水分等の湿気の侵入を防止するこ
とを目的としたものである。
この発明にかかる樹脂モールド半導体装置は、半導体チ
ップを埋設しているモールド樹脂体中に不燃性ガスを高
圧で充填したものである。
ップを埋設しているモールド樹脂体中に不燃性ガスを高
圧で充填したものである。
この発明においては、モールド成形時にモールド樹脂体
に形成される微小な空隙や気孔中に、不燃性ガスを高圧
で充填したことから、水分等の侵入が防止され、半導体
チップ上の配線材料、一般的にはアルミニウムと反応し
て腐食するようなこともなくなる。
に形成される微小な空隙や気孔中に、不燃性ガスを高圧
で充填したことから、水分等の侵入が防止され、半導体
チップ上の配線材料、一般的にはアルミニウムと反応し
て腐食するようなこともなくなる。
図面はこの発明による樹脂モールド半導体装置の一実施
例を示す断面図である。乙の図で、１は半導体チップで
あり、その主表面にアルミニウム等の微細な配線が施さ
れており、図示はしていないが、極細線により、リード
フレーム２に電気的に接続され、樹脂モールドにより、
モールド樹脂体３内に埋設されている。モールド樹脂体
３は一般的にはエポキシ樹脂を用い、トランスファーモ
ールド方法によって溶融成形される。このため、高分子
的な空隙と、成形時の微小な気孔を伴い、これを通して
水分等が侵入し、半導体チップ１上のアルミニウム等の
微細な配線を腐食し、断線に至らしめ、半導体装置の早
期劣化の原因となっていた。そこで、この発明では、乙
のモールド樹脂体３の空隙や気孔中に不燃性ガス４、例
えばアルゴン、ネオン等の不活性ガス、六弗化イオウ（
ＳＦ、）等の絶縁性ガス等のを充填したものである。
例を示す断面図である。乙の図で、１は半導体チップで
あり、その主表面にアルミニウム等の微細な配線が施さ
れており、図示はしていないが、極細線により、リード
フレーム２に電気的に接続され、樹脂モールドにより、
モールド樹脂体３内に埋設されている。モールド樹脂体
３は一般的にはエポキシ樹脂を用い、トランスファーモ
ールド方法によって溶融成形される。このため、高分子
的な空隙と、成形時の微小な気孔を伴い、これを通して
水分等が侵入し、半導体チップ１上のアルミニウム等の
微細な配線を腐食し、断線に至らしめ、半導体装置の早
期劣化の原因となっていた。そこで、この発明では、乙
のモールド樹脂体３の空隙や気孔中に不燃性ガス４、例
えばアルゴン、ネオン等の不活性ガス、六弗化イオウ（
ＳＦ、）等の絶縁性ガス等のを充填したものである。
不燃性ガス４としては、水分の侵入を防止できるもので
あればどんなガス体でもよいのであるが、望ましくは、
水分とは反応しないでアルミニウムを腐食しない不活性
ガスが最適である。
あればどんなガス体でもよいのであるが、望ましくは、
水分とは反応しないでアルミニウムを腐食しない不活性
ガスが最適である。
不燃性ガス４のモールド樹脂体３中への充填方法は、成
形時に前記空隙や気孔中に含まれている空気を抜くため
、真空中で加熱ベーキング（脱気処理）を行い、引き続
いて、前記不燃性ガス４を導入し、必要により加熱と加
圧を施し加圧充填する。これは充填ガスが拡散により逸
散し、水分の侵入を防止する効果を持続するためで、ガ
スの種類により実用的な温度と圧力が決められる。
形時に前記空隙や気孔中に含まれている空気を抜くため
、真空中で加熱ベーキング（脱気処理）を行い、引き続
いて、前記不燃性ガス４を導入し、必要により加熱と加
圧を施し加圧充填する。これは充填ガスが拡散により逸
散し、水分の侵入を防止する効果を持続するためで、ガ
スの種類により実用的な温度と圧力が決められる。
なお、真空ベーキングを実施することは望ましいことで
あるが、この発明の趣旨から必須の条件ではないのはい
うまでもない。また不燃性ガス４についても例示したも
の以外、例えば窒素等も有効であり、特に限定するもの
ではない乙とは明らかである。
あるが、この発明の趣旨から必須の条件ではないのはい
うまでもない。また不燃性ガス４についても例示したも
の以外、例えば窒素等も有効であり、特に限定するもの
ではない乙とは明らかである。
この発明は以上説明したとおり、半導体チップを埋設し
ているモールド樹脂体中に不燃性ガスを充填したので、
モールド樹脂体中への水分の侵入が防止され、半導体チ
ップ上の微細な配線が、水分によって腐食することがな
く、耐久性にすぐれた高品質の樹脂モールド半導体装置
が得られる利点がある。
ているモールド樹脂体中に不燃性ガスを充填したので、
モールド樹脂体中への水分の侵入が防止され、半導体チ
ップ上の微細な配線が、水分によって腐食することがな
く、耐久性にすぐれた高品質の樹脂モールド半導体装置
が得られる利点がある。
図面はこの発明によるｍ脂モールド半導体装置の一実施
例を示す断面図である。 図において、１は半導体チップ、２はリードフレーム、
３はモールド樹ＩＩＩ体、４は不燃性ガスを示す。
例を示す断面図である。 図において、１は半導体チップ、２はリードフレーム、
３はモールド樹ＩＩＩ体、４は不燃性ガスを示す。
Claims (1)
- 半導体チップを埋設しているモールド樹脂体中に、水分
の侵入を防止するための不燃性ガスを高圧で充填したこ
とを特徴とする樹脂モールド半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26274685A JPS62122246A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 樹脂モ−ルド半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26274685A JPS62122246A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 樹脂モ−ルド半導体装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62122246A true JPS62122246A (ja) | 1987-06-03 |
Family
ID=17380009
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26274685A Pending JPS62122246A (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 樹脂モ−ルド半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62122246A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214546A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-28 | Tokai Rubber Ind Ltd | 無端弾性搬送ベルト |
| US11011442B2 (en) | 2015-03-27 | 2021-05-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP26274685A patent/JPS62122246A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01214546A (ja) * | 1988-02-18 | 1989-08-28 | Tokai Rubber Ind Ltd | 無端弾性搬送ベルト |
| US11011442B2 (en) | 2015-03-27 | 2021-05-18 | Mitsubishi Electric Corporation | Power module |
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