JPS62121945A - 磁気光学記憶素子の製造方法 - Google Patents
磁気光学記憶素子の製造方法Info
- Publication number
- JPS62121945A JPS62121945A JP26276485A JP26276485A JPS62121945A JP S62121945 A JPS62121945 A JP S62121945A JP 26276485 A JP26276485 A JP 26276485A JP 26276485 A JP26276485 A JP 26276485A JP S62121945 A JPS62121945 A JP S62121945A
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- JP
- Japan
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- film
- silicon nitride
- dielectric film
- refractive index
- inert gas
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発Ｆ！ＡＩｉ、レーザー光により情報の記録・再生
・消去を行なう磁気光学記憶素子の製造方法に関するも
のである。
・消去を行なう磁気光学記憶素子の製造方法に関するも
のである。
近年、高密度・大容看・高速アクセス等種々の要求を満
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてｈ
る。各種光メモリ装置のうちでも特に記憶材料として垂
直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置は不要になった情報
を消去し新しい情報を再記録出来るという事から注目さ
れている。
足し得る光メモリ装置の研究開発が活発に推進されてｈ
る。各種光メモリ装置のうちでも特に記憶材料として垂
直磁化膜を用いた磁気光学記憶装置は不要になった情報
を消去し新しい情報を再記録出来るという事から注目さ
れている。
しかし上記の利点を有する一方で磁気光学記憶装置は再
生信号レベルが低いという欠点があり、特に磁気光学記
憶素子からの反射光を利用して情報の再生を行なう所謂
カー効果再生方式においてはカー回転角が小さい為ＢＡ
ｔ−高める事が困難であつ念。その為、従来では記録媒
体である磁性材料を改良したり、あるいは記録媒体上に
ＳｉＯや８１０．の誘電体膜を形成したりしてカー回転
角を高める工夫がなされていた。そして後者の例として
ＭｎＢ１磁性体膜上にｓｉｏ 膜を形成することによっ
てカー回転角が０．７度から８．６度に増大した例が報
告されている。（Ｊ・Ａｐｐｌ、 Ｐｂ）ｒｅ−ｖｏｌ
・４５ Ｎ１８ Ａｕｇｕｓｔ 、 １９７４）しかし
、このカー回転角増大効果は誘電体膜内における光の多
重反射を利用しているため、有効な効果を引き出すため
には誘電体膜の屈折率および膜厚を厳密例制御する必要
がある。
生信号レベルが低いという欠点があり、特に磁気光学記
憶素子からの反射光を利用して情報の再生を行なう所謂
カー効果再生方式においてはカー回転角が小さい為ＢＡ
ｔ−高める事が困難であつ念。その為、従来では記録媒
体である磁性材料を改良したり、あるいは記録媒体上に
ＳｉＯや８１０．の誘電体膜を形成したりしてカー回転
角を高める工夫がなされていた。そして後者の例として
ＭｎＢ１磁性体膜上にｓｉｏ 膜を形成することによっ
てカー回転角が０．７度から８．６度に増大した例が報
告されている。（Ｊ・Ａｐｐｌ、 Ｐｂ）ｒｅ−ｖｏｌ
・４５ Ｎ１８ Ａｕｇｕｓｔ 、 １９７４）しかし
、このカー回転角増大効果は誘電体膜内における光の多
重反射を利用しているため、有効な効果を引き出すため
には誘電体膜の屈折率および膜厚を厳密例制御する必要
がある。
ところでＳｉＯや５１ｏｓ等酸化物系誘電体膜の場合、
磁性体の劣化である酸化を生じさせる恐れがあり、その
為誘電体膜として酸素を含まない誘電体材料、例えば窒
化シリコン（Ｓｉｎ Ｎ４）を用いることが提案されて
いる。
磁性体の劣化である酸化を生じさせる恐れがあり、その
為誘電体膜として酸素を含まない誘電体材料、例えば窒
化シリコン（Ｓｉｎ Ｎ４）を用いることが提案されて
いる。
しかしながら窒化シリコン模を窒化シリコン（Ｓｉｎ
Ｎ４）をターゲットとしアルゴンガスを用いたスパッタ
リング法により形成した場合、屈折率を安定かつ再現性
良く作るということが内錐であるという問題点があった
。
Ｎ４）をターゲットとしアルゴンガスを用いたスパッタ
リング法により形成した場合、屈折率を安定かつ再現性
良く作るということが内錐であるという問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、屈折率の安定した窒化シリコン誘電体膜を形
成した磁気光学記憶素子の製造方法を提供することを目
的としている。
たもので、屈折率の安定した窒化シリコン誘電体膜を形
成した磁気光学記憶素子の製造方法を提供することを目
的としている。
仁の発明に係る磁気光学記憶素子の製造方法は、シリコ
ンをターゲットとし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガ
スによる反応スパッタリングにより透明基板に窒化シリ
コン誘電体膜を形成する工程、この誘電体膜に垂直磁化
容易軸を有する磁性膜を形成する工程、この磁性膜に保
護膜を形成する工程を施中ようにしたものである。
ンをターゲットとし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガ
スによる反応スパッタリングにより透明基板に窒化シリ
コン誘電体膜を形成する工程、この誘電体膜に垂直磁化
容易軸を有する磁性膜を形成する工程、この磁性膜に保
護膜を形成する工程を施中ようにしたものである。
反応スパッタリング法を用いると不活性ガスと窒素ガス
との混合比を変えることにより、誘電体膜の屈折率を変
えることができる。即ち第８図に示すように窒素ガスの
比率を大にすると屈折率は小さくなシ、窒素ガスの比率
を小ＶＣすれば屈折率は大きくなる。
との混合比を変えることにより、誘電体膜の屈折率を変
えることができる。即ち第８図に示すように窒素ガスの
比率を大にすると屈折率は小さくなシ、窒素ガスの比率
を小ＶＣすれば屈折率は大きくなる。
従って、適当な手段により、モニタリング全行ないなが
ら、不活性ガスと、窒素ガスのスパッタ装置内への導入
比を制御することにより、常に所定の屈折率を、安定し
て得ることが可能である。
ら、不活性ガスと、窒素ガスのスパッタ装置内への導入
比を制御することにより、常に所定の屈折率を、安定し
て得ることが可能である。
以下、この発明の一実施例を図について説明すａＫ１図
において、…はガラス又は合成樹脂で形成される透明基
板でこの場合、ガラス（２）はＳｌ ターゲットを用い
アルゴンガス９０％、窒素ガス１０％の混合ガスによる
反応スパッタリングにより透明基板ｆｉ＋に形成された
窒化シリコン誘電体膜である。（３）は窒化シリコン誘
電体膜にスパッタリング法で形成され、ＧｄＣｏ、Ｔｂ
Ｆｅ。
において、…はガラス又は合成樹脂で形成される透明基
板でこの場合、ガラス（２）はＳｌ ターゲットを用い
アルゴンガス９０％、窒素ガス１０％の混合ガスによる
反応スパッタリングにより透明基板ｆｉ＋に形成された
窒化シリコン誘電体膜である。（３）は窒化シリコン誘
電体膜にスパッタリング法で形成され、ＧｄＣｏ、Ｔｂ
Ｆｅ。
ＧｄＴｂＣｏ 、又はＧｄＴｂＦｅ等、この場合ＧｄＣ
ｏの希工類と遷移金属よりなるアモルファスフェリ磁性
膜で垂直磁化容易軸ｆｔ有する。（４３は磁性膜（３）
に形成された保護膜で窒化シリコン膜である。
ｏの希工類と遷移金属よりなるアモルファスフェリ磁性
膜で垂直磁化容易軸ｆｔ有する。（４３は磁性膜（３）
に形成された保護膜で窒化シリコン膜である。
上記のような反応スパッタリング法で得られた窒化シリ
コン誘電体膜の屈折率は１．９で、定安したものが得ら
れた。
コン誘電体膜の屈折率は１．９で、定安したものが得ら
れた。
第２図は、磁性膜としてＧｄＣＱ’１ｉ２００絹厚さ一
定とした場合の窒化シリコン誘電体膜の膜厚とカー回転
角の関係を示す特性図である。窒化シリコン透電体膜の
厚さ７０１ｍのときのカー回転角は窒化シリコン誘電体
膜の無いときに比べ約１．７倍増大している。なお、カ
ー回転角は窒化シリコン誘電体膜の厚さがＯｎｍのとき
の値でで規格化している。
定とした場合の窒化シリコン誘電体膜の膜厚とカー回転
角の関係を示す特性図である。窒化シリコン透電体膜の
厚さ７０１ｍのときのカー回転角は窒化シリコン誘電体
膜の無いときに比べ約１．７倍増大している。なお、カ
ー回転角は窒化シリコン誘電体膜の厚さがＯｎｍのとき
の値でで規格化している。
以上のように、この発明によればシリコンをターゲット
とし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガスによる反応ス
パッタリングにより透明基板に窒化シリコン誘電体膜を
形成する工程、この誘電体膜に垂直磁化容易軸を有する
磁性膜を形成する工程、この磁性膜に保護膜全形成する
工程を施すようにしたので、屈折率の安定した窒化シリ
コン誘電体膜が得られ、その為安定した増大し九カー回
転角を有する磁気光学記憶素子の製造方法が得られると
いう効果がある。
とし、不活性ガスと窒素ガスとの混合ガスによる反応ス
パッタリングにより透明基板に窒化シリコン誘電体膜を
形成する工程、この誘電体膜に垂直磁化容易軸を有する
磁性膜を形成する工程、この磁性膜に保護膜全形成する
工程を施すようにしたので、屈折率の安定した窒化シリ
コン誘電体膜が得られ、その為安定した増大し九カー回
転角を有する磁気光学記憶素子の製造方法が得られると
いう効果がある。
第１図は、この発明の一実施例により得られた磁気光学
記憶素子の構成を示す一部拡大断面図、第２図は、この
発明の一実施例による磁気光学記憶素子における窒化シ
リコン誘電体膜の膜厚とカー回転角の関係を示す特性図
、第８図は、この発明に係る反応スパッタリング法にお
いて、不活性ガスと窒素ガスとの混合比と屈折率の関係
を示す特性図である。 図において、１１１は透明基板、（２）は窒化シリコン
誘電体膜、（３１は磁性膜、（４）は保護膜であるＯ−
代理人 大 岩 増 雄 第１図 １＝−１明基扱 ２： 窒化シリコン側１色体Ｎ莢 ３： 磁Ｖ注膜 ４： 碌ｔｉ、ａｘ カー回車五角 屈首率
記憶素子の構成を示す一部拡大断面図、第２図は、この
発明の一実施例による磁気光学記憶素子における窒化シ
リコン誘電体膜の膜厚とカー回転角の関係を示す特性図
、第８図は、この発明に係る反応スパッタリング法にお
いて、不活性ガスと窒素ガスとの混合比と屈折率の関係
を示す特性図である。 図において、１１１は透明基板、（２）は窒化シリコン
誘電体膜、（３１は磁性膜、（４）は保護膜であるＯ−
代理人 大 岩 増 雄 第１図 １＝−１明基扱 ２： 窒化シリコン側１色体Ｎ莢 ３： 磁Ｖ注膜 ４： 碌ｔｉ、ａｘ カー回車五角 屈首率
Claims (1)
- シリコンをターゲットとし、不活性ガスと窒素ガスとの
混合ガスによる反応スパッタリングにより透明基板に窒
化シリコン誘電体膜を形成する工程、この誘電体膜に垂
直磁化容易軸を有する磁性膜を形成する工程、この磁性
膜に保護膜を形成する工程を施す磁気光学記憶素子の製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262764A JP2548697B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60262764A JP2548697B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62121945A true JPS62121945A (ja) | 1987-06-03 |
| JP2548697B2 JP2548697B2 (ja) | 1996-10-30 |
Family
ID=17380260
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60262764A Expired - Lifetime JP2548697B2 (ja) | 1985-11-22 | 1985-11-22 | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2548697B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0352748A2 (en) * | 1988-07-29 | 1990-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
| JP2007035958A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
-
1985
- 1985-11-22 JP JP60262764A patent/JP2548697B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57169996A (en) * | 1981-04-09 | 1982-10-19 | Sharp Corp | Magnetooptic storage element |
| JPS6124042A (ja) * | 1984-07-13 | 1986-02-01 | Sharp Corp | 磁気光学記憶素子の製造方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0352748A2 (en) * | 1988-07-29 | 1990-01-31 | Hitachi, Ltd. | Magneto-optical recording medium and method of manufacturing the same |
| JPH0240147A (ja) * | 1988-07-29 | 1990-02-08 | Hitachi Ltd | 光磁気記録媒体およびその製造方法 |
| JP2007035958A (ja) * | 2005-07-27 | 2007-02-08 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 光半導体装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2548697B2 (ja) | 1996-10-30 |
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