JPS62120475A - 減圧気相成長装置 - Google Patents
減圧気相成長装置Info
- Publication number
- JPS62120475A JPS62120475A JP26087685A JP26087685A JPS62120475A JP S62120475 A JPS62120475 A JP S62120475A JP 26087685 A JP26087685 A JP 26087685A JP 26087685 A JP26087685 A JP 26087685A JP S62120475 A JPS62120475 A JP S62120475A
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- Japan
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- reaction chambers
- reaction
- pressure vapor
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（産業上の利用分野）
本発明は減圧気相成長（以下、ＬＰＧＶＤ）装置に関し
、特に金属膜及び金属シリサイド膜等の複数層膜の形成
時に威力を発揮するＬＰＧＶＤ装置に関するものである
。
、特に金属膜及び金属シリサイド膜等の複数層膜の形成
時に威力を発揮するＬＰＧＶＤ装置に関するものである
。
（従来技術）
従来のＬＰＧＶＤ装置では、第３図に示すような構造の
ものが代表的である。即ち、排気ポンプ２２を有し、ヒ
ーター２０で加熱される１個の真空チャンバー２３の全
体が反応室を兼ね、その中に石英ボード２６に載せて収
容された１個以上の基板２５上に反応ガス導入系２１よ
り導入されるガスを使って、同一成膜条件で単一層の成
膜を行うものである。
ものが代表的である。即ち、排気ポンプ２２を有し、ヒ
ーター２０で加熱される１個の真空チャンバー２３の全
体が反応室を兼ね、その中に石英ボード２６に載せて収
容された１個以上の基板２５上に反応ガス導入系２１よ
り導入されるガスを使って、同一成膜条件で単一層の成
膜を行うものである。
さて、現在の半導体装置の製造では複数層膜の形成の技
術は極めて重要（金属及び金属シリサイドの多層膜の有
用性については、“Ｓ ｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ Ｓ ｅ
ｌｅｃｔｉｖｅ Ｌ ０９ Ｐ ｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌｌｙＶａｐｏｒ −Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ
Ｆｉｌｍ ｏｆ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ”Ｊ 、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｅ、１３２ （５）Ｍ
ａｙ］、９８５ ｂｙ Ｍ、 Ｌ、Ｇｒｅｅｎ、
Ｒ，Ａ、 Ｌｅｖｙ及び″配線用ブラケットｃｖ
ｐｗの解析″彫物学会（秋季）３ａ−Ｖ−８，１９８５
陳、原らの文献が詳しい。）である。
術は極めて重要（金属及び金属シリサイドの多層膜の有
用性については、“Ｓ ｔｒｕｃｔｕｒｅｏｆ Ｓ ｅ
ｌｅｃｔｉｖｅ Ｌ ０９ Ｐ ｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌｌｙＶａｐｏｒ −Ｄｅｐｏｓｉｔｅｄ
Ｆｉｌｍ ｏｆ Ｔｕｎｇｓｔｅｎ”Ｊ 、Ｅｌｅｃｔ
ｒｏｃｈｅｍｉｃａｌ Ｓｏｅ、１３２ （５）Ｍ
ａｙ］、９８５ ｂｙ Ｍ、 Ｌ、Ｇｒｅｅｎ、
Ｒ，Ａ、 Ｌｅｖｙ及び″配線用ブラケットｃｖ
ｐｗの解析″彫物学会（秋季）３ａ−Ｖ−８，１９８５
陳、原らの文献が詳しい。）である。
（本発明が解決しようとする問題点）
この従来の装置を用いて複数層膜（以下、多層膜ともい
う）の形成を行う場合には、多層膜は一般に各層で成膜
条件即ち反応温度２反応ガス流量及び圧力を異にするた
め、一層の成膜を終る度に、成膜条件を次層に適合した
ものに変化させる必要があり、そのため温度、ガス流量
を安定化させるのにかなりの待ち時間が必要であった。
う）の形成を行う場合には、多層膜は一般に各層で成膜
条件即ち反応温度２反応ガス流量及び圧力を異にするた
め、一層の成膜を終る度に、成膜条件を次層に適合した
ものに変化させる必要があり、そのため温度、ガス流量
を安定化させるのにかなりの待ち時間が必要であった。
更にまた前段の成膜に用いた反応ガス種の残留による汚
染が後段の成膜で問題となるという欠点があった。
染が後段の成膜で問題となるという欠点があった。
これを解決する装置としては、それぞれ独立した反応室
と排気ポンプを有する、真空チャンバーを直列に連結し
た、いわゆる多室構造の装置が考えられたが、その構造
の装置では複数の排気ポンプが必要となるためコスト高
になるほか、装置の大型化、搬送系の複雑化が避けられ
ないという欠点があった。
と排気ポンプを有する、真空チャンバーを直列に連結し
た、いわゆる多室構造の装置が考えられたが、その構造
の装置では複数の排気ポンプが必要となるためコスト高
になるほか、装置の大型化、搬送系の複雑化が避けられ
ないという欠点があった。
本発明は、これらの問題を解決し、多層膜を連続的に形
成させ、且つ各形成層の成膜条件を互に独立させ良品質
の多層膜を形成できるＬ Ｐ Ｇ Ｖ Ｄ装置の提供を
目的とする。
成させ、且つ各形成層の成膜条件を互に独立させ良品質
の多層膜を形成できるＬ Ｐ Ｇ Ｖ Ｄ装置の提供を
目的とする。
（問題点を解決するための手段）＋
本発明は、真空チャンバー内で複数層膜を形成しうる減
圧気相成長装置において排気ポンプを有する一個の真空
チャンバー内に、それぞれ個別の反応ガス導入系をもつ
複数個の反応室と、基板をＭ、置しかつ該基板をしてそ
れら複数の反応室間を移動せしめることのできる基板保
持器とを具える構成にすることによって前記目的を達成
したものである。
圧気相成長装置において排気ポンプを有する一個の真空
チャンバー内に、それぞれ個別の反応ガス導入系をもつ
複数個の反応室と、基板をＭ、置しかつ該基板をしてそ
れら複数の反応室間を移動せしめることのできる基板保
持器とを具える構成にすることによって前記目的を達成
したものである。
（作 用）
上記のような構成にしているので−の反応室で一層の成
膜を行ない、それが終了したとき、基板保持器を動作さ
せることによって当該基板を他の反応室に移動させて次
層の成膜を行なうことができる。
膜を行ない、それが終了したとき、基板保持器を動作さ
せることによって当該基板を他の反応室に移動させて次
層の成膜を行なうことができる。
（実施例）
第１図は本発明の実施例のＬＰＧＶＤ装置の概略の断面
図である。排気ポンプ２を有する真空チャンバー３内に
は、互にい独立した２個の反応室９−１．９−２が設置
されている。各反応室を形成する内部チャンバー４−１
．４−２と、それらチャンバーの床となる回転板１０と
の間の隙間は僅か１〜２ＬＩｗｌ＋で一定しており、こ
の小さい適度のガスのコンダクタンスによって、実用上
反応室９−１と反応室９−２は互いに独立した反応系を
構成している。基板５の温度も、ランプヒーター８−１
．８−２が各々独立に制御されていて、ガラス窓７−１
．７−２を経由し、回転板１ｏに穿たれた孔１０−１．
１０−２を通る熱線によって基板が加熱されるため、両
基板は互に異なる反応温度に独立的に設定できるように
なっている。
図である。排気ポンプ２を有する真空チャンバー３内に
は、互にい独立した２個の反応室９−１．９−２が設置
されている。各反応室を形成する内部チャンバー４−１
．４−２と、それらチャンバーの床となる回転板１０と
の間の隙間は僅か１〜２ＬＩｗｌ＋で一定しており、こ
の小さい適度のガスのコンダクタンスによって、実用上
反応室９−１と反応室９−２は互いに独立した反応系を
構成している。基板５の温度も、ランプヒーター８−１
．８−２が各々独立に制御されていて、ガラス窓７−１
．７−２を経由し、回転板１ｏに穿たれた孔１０−１．
１０−２を通る熱線によって基板が加熱されるため、両
基板は互に異なる反応温度に独立的に設定できるように
なっている。
この実施例で、多層膜形成は次の如く行なわれる。こ−
ではタングステンシリサイド膜を形成した後、その上に
純タングステン膜を連続的に形成する場合について述べ
ると、まず基板５は反応室９−１において回転板１０上
の保持板６上に載置され、反応ガス導入系１−１よりＷ
ＦＧ、ＳｉＨいＨｅを反応ガスとして導入し、ランプヒ
ーター８−１により反応温度を３５０℃とし第一層目の
タングステンシリサイド膜を基板上に５０ｎｍ形成する
。その後回転板１０を】８ｏ°回転させ、基板５を反応
室９−２に移して１反応ガス導入系］。−２よりＷＦ、
、Ｈ２、Ｈｅを反応ガスとして導入し。
ではタングステンシリサイド膜を形成した後、その上に
純タングステン膜を連続的に形成する場合について述べ
ると、まず基板５は反応室９−１において回転板１０上
の保持板６上に載置され、反応ガス導入系１−１よりＷ
ＦＧ、ＳｉＨいＨｅを反応ガスとして導入し、ランプヒ
ーター８−１により反応温度を３５０℃とし第一層目の
タングステンシリサイド膜を基板上に５０ｎｍ形成する
。その後回転板１０を】８ｏ°回転させ、基板５を反応
室９−２に移して１反応ガス導入系］。−２よりＷＦ、
、Ｈ２、Ｈｅを反応ガスとして導入し。
ランプヒーター８−２を調節して反応温度を５００℃と
し、第２層目の純タングステン膜を基板上に１１００ｎ
追加形成させる。
し、第２層目の純タングステン膜を基板上に１１００ｎ
追加形成させる。
即ち反応室９−１は、タングステンシリサイド膜の専用
の成膜室であり、一方反応室９−２は純タングステン膜
の専用の成膜室としてそれぞれ独立して用いられ、反応
ガス流量、反応温度等の条件は夫々最適値に常に一定に
保たれて、相互は干渉し合うことなく連続的な多層膜形
成が可能となっている。
の成膜室であり、一方反応室９−２は純タングステン膜
の専用の成膜室としてそれぞれ独立して用いられ、反応
ガス流量、反応温度等の条件は夫々最適値に常に一定に
保たれて、相互は干渉し合うことなく連続的な多層膜形
成が可能となっている。
この実施例の構成によれば、反応室を小さくできるため
、ガス放出のおそれのある各部材の表面積が小さくなり
反応室雰囲気のコンタミネーションが減少し、その一方
で、反応ガス消費効率が向上するとともに、基板以外の
表面への成膜が抑制されるという効果がある。
、ガス放出のおそれのある各部材の表面積が小さくなり
反応室雰囲気のコンタミネーションが減少し、その一方
で、反応ガス消費効率が向上するとともに、基板以外の
表面への成膜が抑制されるという効果がある。
さらに内部チャンバーを４−１．’４−２．・・・・・
・と増加し、それに対応して回転板１０上の、それら内
部チャンバーの床の数を増すことが可能である。また増
設されたもののいくつかは基板の予備加熱用、冷却用ま
たは基板交換室として（それらは内部チャンバーが省略
できることがある）用いることも可能である。
・と増加し、それに対応して回転板１０上の、それら内
部チャンバーの床の数を増すことが可能である。また増
設されたもののいくつかは基板の予備加熱用、冷却用ま
たは基板交換室として（それらは内部チャンバーが省略
できることがある）用いることも可能である。
上記で、回転板１０は、内部チャンバー４−１゜４−２
等の床として働くことともに、基板５の基板保持器とし
て機能しているが、これは第２Ａ図（断面図）、第２Ｂ
図に示した装置を簡略化したものと考えられることがで
きる。ただし第２Ｂ図は第２Ａ図の基板保持器１００の
平面図である。
等の床として働くことともに、基板５の基板保持器とし
て機能しているが、これは第２Ａ図（断面図）、第２Ｂ
図に示した装置を簡略化したものと考えられることがで
きる。ただし第２Ｂ図は第２Ａ図の基板保持器１００の
平面図である。
この場合の内部チャンバーの床と呼びうるものはむしろ
１１−１．１１−２である。
１１−１．１１−２である。
なお、実施例には基板の移動を回転で行なうものを示し
たが２反応室の配置を直線状にし、て、基板の移設を直
線運動で行なわせることもできる。
たが２反応室の配置を直線状にし、て、基板の移設を直
線運動で行なわせることもできる。
更にまた。実施例では一つの反応室で一個の基板を処理
するものを示したが、基板は一個以上載置して処理して
もよい。また１反応室を移動させ基板を固定させるもの
も可能であって、本発明は其の他種々に応用変形して実
施しうる。
するものを示したが、基板は一個以上載置して処理して
もよい。また１反応室を移動させ基板を固定させるもの
も可能であって、本発明は其の他種々に応用変形して実
施しうる。
（発明の効果）
本発明は、金属膜及び金属シリサイド膜等の多層膜形成
を経済的かつ高品質に、連続的に行うことができる。
を経済的かつ高品質に、連続的に行うことができる。
第１図は本発明の実施例のＬＰＧＶＤ装置の概略の断面
図。 第２Ａ図は本発明の別の実施例の同様の図で、第２Ｂ図
はその基板保持器の平面図。 第３図は従来のＬＰＧＶＤ装置の概略の断面図である。 １、−１．１−２−−−一反応ガス導入系、２−一一一
排気ポンプ、３−一一一真空チャンバー、４−１．４−
２−−−−内部チャンバー、５−−−一基板、１０，１
００−ｍ−一基板保持器、８−１．８−２−一一一ラン
プヒーター。
図。 第２Ａ図は本発明の別の実施例の同様の図で、第２Ｂ図
はその基板保持器の平面図。 第３図は従来のＬＰＧＶＤ装置の概略の断面図である。 １、−１．１−２−−−一反応ガス導入系、２−一一一
排気ポンプ、３−一一一真空チャンバー、４−１．４−
２−−−−内部チャンバー、５−−−一基板、１０，１
００−ｍ−一基板保持器、８−１．８−２−一一一ラン
プヒーター。
Claims (2)
- （１）真空チャンバー内で基板上に複数層膜を形成しう
る減圧気相成長装置において排気ポンプを有する一個の
真空チャンバー 内に、それぞれ個別の反応ガス導入系をもつ複数個の反
応室と、 基板を載置しかつ該基板をしてそれら複数 の反応室間を移動せしめることのできる基板保持器とを
具えたことを特徴とする減圧気相成長装置。 - （２）前記複数の反応室が単一円上に配置されており、
前記基板の移動が、該円の中心を中心とする回転移動で
行なわれることを特徴とする特許請求の範囲第１項記載
の減圧気相成長装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260876A JPH066791B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 減圧気相成長装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60260876A JPH066791B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 減圧気相成長装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62120475A true JPS62120475A (ja) | 1987-06-01 |
| JPH066791B2 JPH066791B2 (ja) | 1994-01-26 |
Family
ID=17353978
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60260876A Expired - Lifetime JPH066791B2 (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 減圧気相成長装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH066791B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03177576A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-08-01 | Anelva Corp | Ｃｖｄ方法 |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6046439A (en) * | 1996-06-17 | 2000-04-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6133550A (en) * | 1996-03-22 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates |
| US6198074B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-03-06 | Mattson Technology, Inc. | System and method for rapid thermal processing with transitional heater |
| US6488984B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Film deposition method and apparatus |
| US6852626B1 (en) | 1998-10-29 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Film deposition method and apparatus |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165379A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 連続型気相成長方法および装置 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60260876A patent/JPH066791B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60165379A (ja) * | 1984-02-09 | 1985-08-28 | Toshiba Mach Co Ltd | 連続型気相成長方法および装置 |
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|---|---|---|---|---|
| JPH03177576A (ja) * | 1989-08-10 | 1991-08-01 | Anelva Corp | Ｃｖｄ方法 |
| US6002109A (en) * | 1995-07-10 | 1999-12-14 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6403925B1 (en) | 1995-07-10 | 2002-06-11 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6133550A (en) * | 1996-03-22 | 2000-10-17 | Sandia Corporation | Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates |
| US6355909B1 (en) | 1996-03-22 | 2002-03-12 | Sandia Corporation | Method and apparatus for thermal processing of semiconductor substrates |
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| US6399921B1 (en) | 1996-06-17 | 2002-06-04 | Mattson Technology, Inc. | System and method for thermal processing of a semiconductor substrate |
| US6198074B1 (en) | 1996-09-06 | 2001-03-06 | Mattson Technology, Inc. | System and method for rapid thermal processing with transitional heater |
| US6331697B2 (en) | 1996-09-06 | 2001-12-18 | Mattson Technology Inc. | System and method for rapid thermal processing |
| US6488984B1 (en) | 1998-10-29 | 2002-12-03 | Applied Materials Inc. | Film deposition method and apparatus |
| US6852626B1 (en) | 1998-10-29 | 2005-02-08 | Applied Materials, Inc. | Film deposition method and apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH066791B2 (ja) | 1994-01-26 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |