JPS62119423A - 焦電型赤外線センサの製造方法 - Google Patents
焦電型赤外線センサの製造方法Info
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- JPS62119423A JPS62119423A JP60258467A JP25846785A JPS62119423A JP S62119423 A JPS62119423 A JP S62119423A JP 60258467 A JP60258467 A JP 60258467A JP 25846785 A JP25846785 A JP 25846785A JP S62119423 A JPS62119423 A JP S62119423A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
焦電素子搭載部形成のためのフォトマスクを提供する。
本発明は焦電型赤外線センサの製造方法に係り、特に焦
電素子搭載部を形成するときに用いるフォトマスクパタ
ーン形状に関する。
電素子搭載部を形成するときに用いるフォトマスクパタ
ーン形状に関する。
極性を持つ単結晶、セラミックス、高分子膜等の持つ焦
電効果を用いて赤外線の検出に用いる焦電型赤外線セン
サは第３図に示すようにＳｉ基板１上に設けられた凹部
２に焦電素子６を搭載して形成される。凹部２の四隅に
ある直角に突き出た突出部３が焦電素子６とＳｉ基板１
とが電気的に接続する部分となる。
電効果を用いて赤外線の検出に用いる焦電型赤外線セン
サは第３図に示すようにＳｉ基板１上に設けられた凹部
２に焦電素子６を搭載して形成される。凹部２の四隅に
ある直角に突き出た突出部３が焦電素子６とＳｉ基板１
とが電気的に接続する部分となる。
この凹部を形成するためには例えば５ｉＯ１膜をマスク
としてエチレンジアミン、カテコール及び水からなるＳ
ｉ異方性エツチング液を用いてＳｉ基板をエツチングす
る。この際Ｓｉ基板の主面方位を＜ １００ ＞、そし
てフォトマスクのパターン線を＜ １００ ＞方向に合
せて行なう。このような方法でＳｉ基板のパターニング
を行なうとＳｉ基板の深さ方向に５０μｍ／時間の速度
でエツチングがなされ、測面方向には（１１１）面が露
出し２〜３μｍ／時間の速度でエツチングがなされるの
でこの２つのエツチング速度の差を利用して第２図に示
すような高精度の矩形状パターンが得られる。
としてエチレンジアミン、カテコール及び水からなるＳ
ｉ異方性エツチング液を用いてＳｉ基板をエツチングす
る。この際Ｓｉ基板の主面方位を＜ １００ ＞、そし
てフォトマスクのパターン線を＜ １００ ＞方向に合
せて行なう。このような方法でＳｉ基板のパターニング
を行なうとＳｉ基板の深さ方向に５０μｍ／時間の速度
でエツチングがなされ、測面方向には（１１１）面が露
出し２〜３μｍ／時間の速度でエツチングがなされるの
でこの２つのエツチング速度の差を利用して第２図に示
すような高精度の矩形状パターンが得られる。
上記矩形状のマスクパターン４のような形状部は５ｉＯ
ｚ膜のマスク下のＳｉがエツチングされるというアンダ
ーカットの性質がある。そのため第４図に示すようなマ
スクパターンの場合、長時間エツチングをしていると矩
形パターンが第５図破線で示すようにＳｉ基板がより多
くエツチングされたいわゆるアンダーカットを生じる。
ｚ膜のマスク下のＳｉがエツチングされるというアンダ
ーカットの性質がある。そのため第４図に示すようなマ
スクパターンの場合、長時間エツチングをしていると矩
形パターンが第５図破線で示すようにＳｉ基板がより多
くエツチングされたいわゆるアンダーカットを生じる。
そのためにＳｉ基板上に形成されるべき焦電素子搭載部
が良好に形成されない。
が良好に形成されない。
本発明はＳｉ基板をエツチングすることにより所定形状
の搭載部形状を得ることができるマスクを得ることを目
的とする。
の搭載部形状を得ることができるマスクを得ることを目
的とする。
上記問題点は本発明によれば矩形状のフォトマスクを用
いてシリコン基板をエツチングすることによって焦電素
子搭載部を形成する工程を含む焦電型赤外線センサの製
造方法において、該フォトマスクの四隅のそれぞれの形
状が二つの正方形を、第１の正方形に対して第２の正方
形がそれぞれ１角を重複するように該１角が有する対角
線方向にずらした位置で打ち抜いた形状にすることを特
徴とする焦電型赤外線センサの製造方法によって解決さ
れる。
いてシリコン基板をエツチングすることによって焦電素
子搭載部を形成する工程を含む焦電型赤外線センサの製
造方法において、該フォトマスクの四隅のそれぞれの形
状が二つの正方形を、第１の正方形に対して第２の正方
形がそれぞれ１角を重複するように該１角が有する対角
線方向にずらした位置で打ち抜いた形状にすることを特
徴とする焦電型赤外線センサの製造方法によって解決さ
れる。
すなわち本発明はＳｉの異方性エツチングの際に見られ
るマスクの凸部に生じるアンダーカットを利用し、マス
クパターン形状を工夫することによって最終的に焦電素
子搭載部の四隅の形状が設計通りになるようにしたもの
である。
るマスクの凸部に生じるアンダーカットを利用し、マス
クパターン形状を工夫することによって最終的に焦電素
子搭載部の四隅の形状が設計通りになるようにしたもの
である。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を説明するための
図であり、特に第１図はフォトマスクのパターン形状、
第２図は第１図のコーナ一部拡大図である。
図であり、特に第１図はフォトマスクのパターン形状、
第２図は第１図のコーナ一部拡大図である。
第１図に示されるようにＳ＋Ｏｚ膜マスク１０のそれぞ
れ四隅に２つの正方形を少しずらして打ち抜いた打ち抜
き部分５が形成されている。該マスクｌＯの内側にずら
された位置の正方形は他の正方形と同じか小さいのが好
ましい。
れ四隅に２つの正方形を少しずらして打ち抜いた打ち抜
き部分５が形成されている。該マスクｌＯの内側にずら
された位置の正方形は他の正方形と同じか小さいのが好
ましい。
このようなマスク１０を用いてＳｉ基板をエツチングす
ると１〜２時間後に第２図の破線で示すような所望のＳ
ｉ５板の凸部を得ることができる。
ると１〜２時間後に第２図の破線で示すような所望のＳ
ｉ５板の凸部を得ることができる。
以上説明したように本発明によれば設計通りの焦電素子
搭載部を形成することができる。
搭載部を形成することができる。
第１図及び第２図は本発明の一実施例を説明するための
図であり１、特に第１図はフォトマスクのパターン形状
、第２図は第１図のコーナ一部拡大図であり、第３図は
焦電型赤外線センサ素子の外観図であり、第４図は従来
第１図の焦電素子搭載部形成に用いられたフォトマスク
パターン形状であり、第５図は第４図のコーナ一部の拡
大図である。 １・・・Ｓｉ基板、 ２・・・凹部、３・・・突
出部、 ５・・・内ち抜き部分。
図であり１、特に第１図はフォトマスクのパターン形状
、第２図は第１図のコーナ一部拡大図であり、第３図は
焦電型赤外線センサ素子の外観図であり、第４図は従来
第１図の焦電素子搭載部形成に用いられたフォトマスク
パターン形状であり、第５図は第４図のコーナ一部の拡
大図である。 １・・・Ｓｉ基板、 ２・・・凹部、３・・・突
出部、 ５・・・内ち抜き部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、矩形状のフォトマスクを用いてシリコン基板をエッ
チングすることによって焦電素子搭載部を形成する工程
を含む焦電型赤外線センサの製造方法において、 該フォトマスクの四隅のそれぞれの形状が二つの正方形
を、第１の正方形に対して第２の正方形がそれぞれ１角
を重複するように該１角が有する対角線方向にずらした
位置で打ち抜いた形状にすることを特徴とする焦電型赤
外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258467A JPS62119423A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60258467A JPS62119423A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62119423A true JPS62119423A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17320631
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60258467A Pending JPS62119423A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62119423A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009121325A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関の潤滑構造 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258467A patent/JPS62119423A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2009121325A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関の潤滑構造 |
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