JPS62119423A - 焦電型赤外線センサの製造方法 - Google Patents
焦電型赤外線センサの製造方法Info
- Publication number
- JPS62119423A JPS62119423A JP60258467A JP25846785A JPS62119423A JP S62119423 A JPS62119423 A JP S62119423A JP 60258467 A JP60258467 A JP 60258467A JP 25846785 A JP25846785 A JP 25846785A JP S62119423 A JPS62119423 A JP S62119423A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- square
- pyroelectric infrared
- substrate
- pyroelectric
- mask
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 14
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 4
- 238000004080 punching Methods 0.000 claims description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract 1
- 229910052681 coesite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052906 cristobalite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 abstract 1
- 235000012239 silicon dioxide Nutrition 0.000 abstract 1
- 229910052682 stishovite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 229910052905 tridymite Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01J—MEASUREMENT OF INTENSITY, VELOCITY, SPECTRAL CONTENT, POLARISATION, PHASE OR PULSE CHARACTERISTICS OF INFRARED, VISIBLE OR ULTRAVIOLET LIGHT; COLORIMETRY; RADIATION PYROMETRY
- G01J5/00—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry
- G01J5/10—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors
- G01J5/34—Radiation pyrometry, e.g. infrared or optical thermometry using electric radiation detectors using capacitors, e.g. pyroelectric capacitors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Radiation Pyrometers (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概 要〕
焦電素子搭載部形成のためのフォトマスクを提供する。
本発明は焦電型赤外線センサの製造方法に係り、特に焦
電素子搭載部を形成するときに用いるフォトマスクパタ
ーン形状に関する。
電素子搭載部を形成するときに用いるフォトマスクパタ
ーン形状に関する。
極性を持つ単結晶、セラミックス、高分子膜等の持つ焦
電効果を用いて赤外線の検出に用いる焦電型赤外線セン
サは第3図に示すようにSi基板1上に設けられた凹部
2に焦電素子6を搭載して形成される。凹部2の四隅に
ある直角に突き出た突出部3が焦電素子6とSi基板1
とが電気的に接続する部分となる。
電効果を用いて赤外線の検出に用いる焦電型赤外線セン
サは第3図に示すようにSi基板1上に設けられた凹部
2に焦電素子6を搭載して形成される。凹部2の四隅に
ある直角に突き出た突出部3が焦電素子6とSi基板1
とが電気的に接続する部分となる。
この凹部を形成するためには例えば5iO1膜をマスク
としてエチレンジアミン、カテコール及び水からなるS
i異方性エツチング液を用いてSi基板をエツチングす
る。この際Si基板の主面方位を< 100 >、そし
てフォトマスクのパターン線を< 100 >方向に合
せて行なう。このような方法でSi基板のパターニング
を行なうとSi基板の深さ方向に50μm/時間の速度
でエツチングがなされ、測面方向には(111)面が露
出し2〜3μm/時間の速度でエツチングがなされるの
でこの2つのエツチング速度の差を利用して第2図に示
すような高精度の矩形状パターンが得られる。
としてエチレンジアミン、カテコール及び水からなるS
i異方性エツチング液を用いてSi基板をエツチングす
る。この際Si基板の主面方位を< 100 >、そし
てフォトマスクのパターン線を< 100 >方向に合
せて行なう。このような方法でSi基板のパターニング
を行なうとSi基板の深さ方向に50μm/時間の速度
でエツチングがなされ、測面方向には(111)面が露
出し2〜3μm/時間の速度でエツチングがなされるの
でこの2つのエツチング速度の差を利用して第2図に示
すような高精度の矩形状パターンが得られる。
上記矩形状のマスクパターン4のような形状部は5iO
z膜のマスク下のSiがエツチングされるというアンダ
ーカットの性質がある。そのため第4図に示すようなマ
スクパターンの場合、長時間エツチングをしていると矩
形パターンが第5図破線で示すようにSi基板がより多
くエツチングされたいわゆるアンダーカットを生じる。
z膜のマスク下のSiがエツチングされるというアンダ
ーカットの性質がある。そのため第4図に示すようなマ
スクパターンの場合、長時間エツチングをしていると矩
形パターンが第5図破線で示すようにSi基板がより多
くエツチングされたいわゆるアンダーカットを生じる。
そのためにSi基板上に形成されるべき焦電素子搭載部
が良好に形成されない。
が良好に形成されない。
本発明はSi基板をエツチングすることにより所定形状
の搭載部形状を得ることができるマスクを得ることを目
的とする。
の搭載部形状を得ることができるマスクを得ることを目
的とする。
上記問題点は本発明によれば矩形状のフォトマスクを用
いてシリコン基板をエツチングすることによって焦電素
子搭載部を形成する工程を含む焦電型赤外線センサの製
造方法において、該フォトマスクの四隅のそれぞれの形
状が二つの正方形を、第1の正方形に対して第2の正方
形がそれぞれ1角を重複するように該1角が有する対角
線方向にずらした位置で打ち抜いた形状にすることを特
徴とする焦電型赤外線センサの製造方法によって解決さ
れる。
いてシリコン基板をエツチングすることによって焦電素
子搭載部を形成する工程を含む焦電型赤外線センサの製
造方法において、該フォトマスクの四隅のそれぞれの形
状が二つの正方形を、第1の正方形に対して第2の正方
形がそれぞれ1角を重複するように該1角が有する対角
線方向にずらした位置で打ち抜いた形状にすることを特
徴とする焦電型赤外線センサの製造方法によって解決さ
れる。
すなわち本発明はSiの異方性エツチングの際に見られ
るマスクの凸部に生じるアンダーカットを利用し、マス
クパターン形状を工夫することによって最終的に焦電素
子搭載部の四隅の形状が設計通りになるようにしたもの
である。
るマスクの凸部に生じるアンダーカットを利用し、マス
クパターン形状を工夫することによって最終的に焦電素
子搭載部の四隅の形状が設計通りになるようにしたもの
である。
以下本発明の実施例を図面に基づいて説明する。
第1図及び第2図は本発明の一実施例を説明するための
図であり、特に第1図はフォトマスクのパターン形状、
第2図は第1図のコーナ一部拡大図である。
図であり、特に第1図はフォトマスクのパターン形状、
第2図は第1図のコーナ一部拡大図である。
第1図に示されるようにS+Oz膜マスク10のそれぞ
れ四隅に2つの正方形を少しずらして打ち抜いた打ち抜
き部分5が形成されている。該マスクlOの内側にずら
された位置の正方形は他の正方形と同じか小さいのが好
ましい。
れ四隅に2つの正方形を少しずらして打ち抜いた打ち抜
き部分5が形成されている。該マスクlOの内側にずら
された位置の正方形は他の正方形と同じか小さいのが好
ましい。
このようなマスク10を用いてSi基板をエツチングす
ると1〜2時間後に第2図の破線で示すような所望のS
i5板の凸部を得ることができる。
ると1〜2時間後に第2図の破線で示すような所望のS
i5板の凸部を得ることができる。
以上説明したように本発明によれば設計通りの焦電素子
搭載部を形成することができる。
搭載部を形成することができる。
第1図及び第2図は本発明の一実施例を説明するための
図であり1、特に第1図はフォトマスクのパターン形状
、第2図は第1図のコーナ一部拡大図であり、第3図は
焦電型赤外線センサ素子の外観図であり、第4図は従来
第1図の焦電素子搭載部形成に用いられたフォトマスク
パターン形状であり、第5図は第4図のコーナ一部の拡
大図である。 1・・・Si基板、 2・・・凹部、3・・・突
出部、 5・・・内ち抜き部分。
図であり1、特に第1図はフォトマスクのパターン形状
、第2図は第1図のコーナ一部拡大図であり、第3図は
焦電型赤外線センサ素子の外観図であり、第4図は従来
第1図の焦電素子搭載部形成に用いられたフォトマスク
パターン形状であり、第5図は第4図のコーナ一部の拡
大図である。 1・・・Si基板、 2・・・凹部、3・・・突
出部、 5・・・内ち抜き部分。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、矩形状のフォトマスクを用いてシリコン基板をエッ
チングすることによって焦電素子搭載部を形成する工程
を含む焦電型赤外線センサの製造方法において、 該フォトマスクの四隅のそれぞれの形状が二つの正方形
を、第1の正方形に対して第2の正方形がそれぞれ1角
を重複するように該1角が有する対角線方向にずらした
位置で打ち抜いた形状にすることを特徴とする焦電型赤
外線センサの製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60258467A JPS62119423A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60258467A JPS62119423A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62119423A true JPS62119423A (ja) | 1987-05-30 |
Family
ID=17320631
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60258467A Pending JPS62119423A (ja) | 1985-11-20 | 1985-11-20 | 焦電型赤外線センサの製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62119423A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009121325A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関の潤滑構造 |
-
1985
- 1985-11-20 JP JP60258467A patent/JPS62119423A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2009121325A (ja) * | 2007-11-14 | 2009-06-04 | Honda Motor Co Ltd | 内燃機関の潤滑構造 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5335550A (en) | Semiconductor pressure sensor including multiple silicon substrates bonded together and method of producing the same | |
US5484073A (en) | Method for fabricating suspension members for micromachined sensors | |
US5283459A (en) | Semiconductor sensor including an aperture having a funnel shaped section intersecting a second section | |
JPH03132031A (ja) | シリコンの異方性エツチング方法 | |
JPS62119423A (ja) | 焦電型赤外線センサの製造方法 | |
JPH07167725A (ja) | 静電容量型圧力センサとその製造方法 | |
JPH07209121A (ja) | 圧力センサ及びその製造方法 | |
JPS6324617A (ja) | ウエハの両面露光法 | |
JP2556122B2 (ja) | 光学開口の製造方法 | |
JPH05335197A (ja) | 半導体結晶基板の位置合わせ方法と合わせマーク形状 | |
JP2002039892A (ja) | 半導体圧力センサとその製造方法 | |
JP3021905B2 (ja) | 半導体加速度センサの製造方法 | |
JP2828806B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3176155B2 (ja) | 誘電体分離ウェーハのマスク合わせパターン | |
JP2666383B2 (ja) | 半導体装置 | |
JPS62194628A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH0797642B2 (ja) | 圧力変換装置の製造方法 | |
JPH04102066A (ja) | 加速度センサ及びその製造方法 | |
JPH01120830A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPH10111202A (ja) | 複合メサ構造並びにその形成方法、及びこれを用いた複合メサ型ダイアフラム並びに圧力センサ | |
JPS616824A (ja) | 半導体基板目合せ法 | |
JPH06204217A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JPS60207336A (ja) | ホトエツチング用露光方法 | |
JPS622542A (ja) | 単結晶基板 | |
JPH03201530A (ja) | 微細孔の形成方法 |