JPS6211453B2 - - Google Patents
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- JPS6211453B2 JPS6211453B2 JP55125890A JP12589080A JPS6211453B2 JP S6211453 B2 JPS6211453 B2 JP S6211453B2 JP 55125890 A JP55125890 A JP 55125890A JP 12589080 A JP12589080 A JP 12589080A JP S6211453 B2 JPS6211453 B2 JP S6211453B2
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- Japan
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- magnetic field
- coil
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 8
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 2
- 238000010894 electron beam technology Methods 0.000 description 7
- 230000004069 differentiation Effects 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 description 2
- 230000001934 delay Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K6/00—Manipulating pulses having a finite slope and not covered by one of the other main groups of this subclass
- H03K6/02—Amplifying pulses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
- H01J37/02—Details
- H01J37/24—Circuit arrangements not adapted to a particular application of the tube and not otherwise provided for
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Measuring Magnetic Variables (AREA)
- Electron Beam Exposure (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、偏向コイルを通つて流れる電流が測
定され、目標値との比較によつてコイル電流の追
従制御のための制御信号が生ぜしめられるような
粒子線光学機器とくに電子ビームライタのための
磁気偏向系の制御方法および装置に関する。
定され、目標値との比較によつてコイル電流の追
従制御のための制御信号が生ぜしめられるような
粒子線光学機器とくに電子ビームライタのための
磁気偏向系の制御方法および装置に関する。
電子ビームライタにより半導体ウエフアの露光
時に短い書き込み時間を得るためには、高いビー
ム流密度および高速のデータ処理のほかに電子ビ
ームのための高速精度の偏向系が必要である。磁
気偏向系を使用する場合には磁界が偏向コイルに
おけるコイル電流の測定制御によつて定められ
る。コイル電流は、この場合生じる数10-4Tesla
の小さな磁界においても10-4〜10-5の磁界の要求
精度を得るために十分な精度をもつて簡単に測定
される。しかしながら、急速な磁界変化は周囲の
導電性の構成部分に誘導されるうず電流によつて
影響を受ける。したがつて場合によつては磁界は
目標値に十分に迅速に追従できないことがある。
微分特性を付加した電流制御は、それによつて許
容誤差外のオーバーシユートが発生しない範囲に
おいてしか許されない。
時に短い書き込み時間を得るためには、高いビー
ム流密度および高速のデータ処理のほかに電子ビ
ームのための高速精度の偏向系が必要である。磁
気偏向系を使用する場合には磁界が偏向コイルに
おけるコイル電流の測定制御によつて定められ
る。コイル電流は、この場合生じる数10-4Tesla
の小さな磁界においても10-4〜10-5の磁界の要求
精度を得るために十分な精度をもつて簡単に測定
される。しかしながら、急速な磁界変化は周囲の
導電性の構成部分に誘導されるうず電流によつて
影響を受ける。したがつて場合によつては磁界は
目標値に十分に迅速に追従できないことがある。
微分特性を付加した電流制御は、それによつて許
容誤差外のオーバーシユートが発生しない範囲に
おいてしか許されない。
磁界の直接的測定に基く制御系はこの問題を避
けることができるはずである。しかしながら、こ
の場合には小さな磁界を定常的および過渡的にこ
こで要求される精度で測定すべきであるという難
点が生じる。
けることができるはずである。しかしながら、こ
の場合には小さな磁界を定常的および過渡的にこ
こで要求される精度で測定すべきであるという難
点が生じる。
非導電性の部品材料、フエライトシールドの
大々的使用および導電面に対してできるだけ大き
な距離をおくことは限られた効果しかもたらさな
い。
大々的使用および導電面に対してできるだけ大き
な距離をおくことは限られた効果しかもたらさな
い。
本発明の目的は、冒頭に述べた如き方法におい
て磁界がうず電流の影響に関係なく常に急速にか
つ正確に目標値に追従させられるようにすること
にある。
て磁界がうず電流の影響に関係なく常に急速にか
つ正確に目標値に追従させられるようにすること
にある。
この目的は、本発明によれば、磁界変化率
dB／dtに比例する信号を生ぜしめ、これを目標
値変化率dx／dtに比例する値と比較し、その比
較値を磁界のための付加的な制御信号として用い
ることによつて達成される。
dB／dtに比例する信号を生ぜしめ、これを目標
値変化率dx／dtに比例する値と比較し、その比
較値を磁界のための付加的な制御信号として用い
ることによつて達成される。
本発明によればこの場合組み合わせ制御が提案
されている。定常時には制御はコイル電流の測定
を介して行なわれ、それにより要求精度が保持さ
れる。目標値変化時には第２の制御ループが重畳
される。磁界測定装置により磁界変化率dB／dt
に比例する信号が生ぜしめられ、目標値ｘの微分
によつて得られる目標値変化率dx／dtと比較さ
れる。磁界が目標値に十分急速には追従しないと
きには付加的な制御偏差が生じる。
されている。定常時には制御はコイル電流の測定
を介して行なわれ、それにより要求精度が保持さ
れる。目標値変化時には第２の制御ループが重畳
される。磁界測定装置により磁界変化率dB／dt
に比例する信号が生ぜしめられ、目標値ｘの微分
によつて得られる目標値変化率dx／dtと比較さ
れる。磁界が目標値に十分急速には追従しないと
きには付加的な制御偏差が生じる。
本発明の有利な実施態様においては、付加的な
制御信号はコイル電流の追従制御に作用するよう
にされる。しかし同じように、付加的な制御信号
が直接的に磁界に作用するようにすることもでき
る。この簡単な措置によつて高い精度において同
時にうず電流による遅れの広汎な補償が行なわれ
る。例えば微分成分を含ませるなどの如き既述の
制御特性改善手段は本発明の原理の枠内において
も効果的であり得る。
制御信号はコイル電流の追従制御に作用するよう
にされる。しかし同じように、付加的な制御信号
が直接的に磁界に作用するようにすることもでき
る。この簡単な措置によつて高い精度において同
時にうず電流による遅れの広汎な補償が行なわれ
る。例えば微分成分を含ませるなどの如き既述の
制御特性改善手段は本発明の原理の枠内において
も効果的であり得る。
公知の電流制御系を備えた本発明方法を実施す
る装置においては、前述の目的達成のために、磁
気測定装置が設けられていて、この磁気測定装置
にて磁界変化率dB／dtに比例する信号が生ぜし
められるようになつており、そして目標値が付加
的に微分回路にも導かれ、磁気測定装置および微
分回路の出力端がそれぞれ差動増幅器の入力端に
接続されていて、その差動増幅器の出力端がコイ
ル電流制御装置に接続されている。磁器測定装置
としては、例えばインピーダンス変換器を備えた
誘導コイル、あるいは微分回路を備えたホール素
子、または線形化回路および微分回路を備えた磁
気抵抗素子などを使用することができる。
る装置においては、前述の目的達成のために、磁
気測定装置が設けられていて、この磁気測定装置
にて磁界変化率dB／dtに比例する信号が生ぜし
められるようになつており、そして目標値が付加
的に微分回路にも導かれ、磁気測定装置および微
分回路の出力端がそれぞれ差動増幅器の入力端に
接続されていて、その差動増幅器の出力端がコイ
ル電流制御装置に接続されている。磁器測定装置
としては、例えばインピーダンス変換器を備えた
誘導コイル、あるいは微分回路を備えたホール素
子、または線形化回路および微分回路を備えた磁
気抵抗素子などを使用することができる。
以下、図面を参照しながら本発明の実施例につ
いて詳細に説明する。図は電子ビームライタのた
めの高速かつ高精度な磁界制御装置のブロツク図
である。
いて詳細に説明する。図は電子ビームライタのた
めの高速かつ高精度な磁界制御装置のブロツク図
である。
図には極めて簡略化して１つの単位偏向コイル
２を備えた偏向系１が示されている。電子ビーム
ライタの場合、実際には座標において電子ビーム
を偏向するために電子ビームライタの軸に対して
対称的に配置された少なくとも１つのコイル対、
とりわけ２つの相前後して設けられた２つのコイ
ル対が使用される。偏向系１は電流制御装置３を
介して制御される。電流制御装置３は入力端４に
目標値ｘを導かれる。この目標値ｘは例えばコン
ピユータ制御プログラムを介して与えられる。こ
の実施例においては偏向コイル２に流れる電流
が抵抗５にアースに対する電圧降下を生じさせる
ような簡単な電流制御装置が示されている。この
電圧は目標値ｘと同様に入力抵抗６および７を備
えた比較用増幅器８に導かれる。定常運転時に
は、要求される精度でもつて必要な磁界を保持す
るために電流制御装置３を介する磁界の制御で十
分である。急速な磁界変化の際には第２の制御ル
ープが重なり合う。例えばインピーダンス変換器
を備えた誘導コイルである測定装置１０により磁
界変化率に比例する信号ｂ・dB／dtが生ぜしめ
られる。掛算係数ｂは使用測定装置の形式に関係
し、微分目標値dx／dtとの比較を可能にするた
めに必要である。目標値ｘは微分回路１１におい
て微分され、信号ａ・dx／atが生じる。ａは使用
微分回路の形式を考慮した掛算係数である。この
ようにして生ぜしめられた両信号は差動増幅器１
２に導かれる。磁界が目標値ｘに十分速やかに追
従しない場合には差動増幅器１２において別の制
御偏差が生じ、これが抵抗１４を備えた回路１３
を介して電流制御ループに作用するか、または付
加的なコイル１６を備えた要素１５を介して直接
的に磁界に作用するかいずれかにする。
２を備えた偏向系１が示されている。電子ビーム
ライタの場合、実際には座標において電子ビーム
を偏向するために電子ビームライタの軸に対して
対称的に配置された少なくとも１つのコイル対、
とりわけ２つの相前後して設けられた２つのコイ
ル対が使用される。偏向系１は電流制御装置３を
介して制御される。電流制御装置３は入力端４に
目標値ｘを導かれる。この目標値ｘは例えばコン
ピユータ制御プログラムを介して与えられる。こ
の実施例においては偏向コイル２に流れる電流
が抵抗５にアースに対する電圧降下を生じさせる
ような簡単な電流制御装置が示されている。この
電圧は目標値ｘと同様に入力抵抗６および７を備
えた比較用増幅器８に導かれる。定常運転時に
は、要求される精度でもつて必要な磁界を保持す
るために電流制御装置３を介する磁界の制御で十
分である。急速な磁界変化の際には第２の制御ル
ープが重なり合う。例えばインピーダンス変換器
を備えた誘導コイルである測定装置１０により磁
界変化率に比例する信号ｂ・dB／dtが生ぜしめ
られる。掛算係数ｂは使用測定装置の形式に関係
し、微分目標値dx／dtとの比較を可能にするた
めに必要である。目標値ｘは微分回路１１におい
て微分され、信号ａ・dx／atが生じる。ａは使用
微分回路の形式を考慮した掛算係数である。この
ようにして生ぜしめられた両信号は差動増幅器１
２に導かれる。磁界が目標値ｘに十分速やかに追
従しない場合には差動増幅器１２において別の制
御偏差が生じ、これが抵抗１４を備えた回路１３
を介して電流制御ループに作用するか、または付
加的なコイル１６を備えた要素１５を介して直接
的に磁界に作用するかいずれかにする。
各微分回路は実際には原理的に周波数に依存す
る誤差を有するために、場合によつては測定装置
１０と微分回路１２との間にその誤差を除去する
補正回路を挿入することが好ましい。
る誤差を有するために、場合によつては測定装置
１０と微分回路１２との間にその誤差を除去する
補正回路を挿入することが好ましい。
図は、本発明方法を実施するための装置の原理
的構成を示すブロツク図である。 １……偏向系、２……偏向コイル、３……電流
制御装置、４……目標値入力端、５……電流検出
抵抗、６，７……入力抵抗、８……比較用増幅
器、１０……測定装置、１１……微分回路、１２
……差動増幅器、１６……付加的なコイル。
的構成を示すブロツク図である。 １……偏向系、２……偏向コイル、３……電流
制御装置、４……目標値入力端、５……電流検出
抵抗、６，７……入力抵抗、８……比較用増幅
器、１０……測定装置、１１……微分回路、１２
……差動増幅器、１６……付加的なコイル。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ 偏向コイル電流を測定して目標値と比較する
ことによつてコイル電流の追従制御のための制御
信号を生じさせるようにした粒子線光学機器のた
めの磁気偏向系の制御方法において、磁界変化率
dB／dtに比例する信号を生じさせて、これを目
標値変化率dx／dtに比例する値と比較し、その
比較値を磁界のため付加的な制御信号として用い
るようにしたことを特徴とする磁気偏向系の制御
方法。 ２ 付加的な制御信号はコイル電流の追従制御装
置に作用させるようにしたことを特徴とする特許
請求の範囲第１項記載の制御方法。 ３ 付加的な制御信号は直接的に磁界に作用させ
るようにしたことを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の制御方法。 ４ コイルからなる磁気偏向系、コイル電流制御
装置および目標値発生器を備え、さらに磁界変化
率dB／dtに比例する信号を発生する磁気測定装
置が設けられ、目標値が付加的に微分回路にも導
かれ、磁気測定装置および微分回路の出力信号が
それぞれ差動増幅器の入力端に導かれ、この差動
増幅器の出力信号がコイル電流制御装置に導かれ
るようにしたことを特徴とする磁気偏向系の制御
装置。 ５ コイルからなる磁気偏向系、コイル電流制御
装置および目標値発生器を備え、さらに磁界変化
率dB／dtに比例する信号を発生する磁気測定装
置が設けられ、目標値が付加的に微分回路にも導
かれ、磁気測定装置および微分回路の出力信号が
それぞれ差動増幅器の入力端に導かれ、この差動
増幅器の出力信号が前記磁気偏向系における付加
的コイルに作用するようにしたことを特徴とする
磁気偏向系の制御装置。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19792936911 DE2936911A1 (de) | 1979-09-12 | 1979-09-12 | Verfahren und vorrichtung zur regelung eines magnetischen ablenksystems |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5648045A JPS5648045A (en) | 1981-05-01 |
| JPS6211453B2 true JPS6211453B2 (ja) | 1987-03-12 |
Family
ID=6080710
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12589080A Granted JPS5648045A (en) | 1979-09-12 | 1980-09-10 | Method and device for controlling magnetic deflecting system |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4380703A (ja) |
| EP (1) | EP0025578B1 (ja) |
| JP (1) | JPS5648045A (ja) |
| DE (1) | DE2936911A1 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7578559B2 (en) | 2007-07-19 | 2009-08-25 | Bizen Hatsujoh Co., Ltd. | Retractable vehicle headrest |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS58218117A (ja) * | 1982-06-11 | 1983-12-19 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム制御装置 |
| JPS59124719A (ja) * | 1982-12-29 | 1984-07-18 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光装置 |
| JPS6010723A (ja) * | 1983-06-30 | 1985-01-19 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方式 |
| JPS6231118A (ja) * | 1985-08-01 | 1987-02-10 | Fujitsu Ltd | 電子ビ−ム露光方法 |
| DE3532888A1 (de) * | 1985-09-14 | 1987-04-02 | Leybold Heraeus Gmbh & Co Kg | Anordnung zur regelung der ablenkung eines elektronenstrahls |
| JPS62214314A (ja) * | 1986-03-17 | 1987-09-21 | Nippon Kogaku Kk <Nikon> | 傾斜角センサ |
| JPH0722108B2 (ja) * | 1986-03-18 | 1995-03-08 | 富士通株式会社 | 露光装置 |
| US5017789A (en) * | 1989-03-31 | 1991-05-21 | Loma Linda University Medical Center | Raster scan control system for a charged-particle beam |
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| US5311028A (en) * | 1990-08-29 | 1994-05-10 | Nissin Electric Co., Ltd. | System and method for producing oscillating magnetic fields in working gaps useful for irradiating a surface with atomic and molecular ions |
| US5132544A (en) * | 1990-08-29 | 1992-07-21 | Nissin Electric Company Ltd. | System for irradiating a surface with atomic and molecular ions using two dimensional magnetic scanning |
| DE19745771B4 (de) | 1997-10-16 | 2005-12-22 | Unaxis Deutschland Holding Gmbh | Verfahren für den Betrieb eines Hochleistungs-Elektronenstrahls |
| JP3337436B2 (ja) * | 1999-03-31 | 2002-10-21 | 住友重機械工業株式会社 | 加速器施設の操作制御装置 |
| US6380545B1 (en) * | 1999-08-30 | 2002-04-30 | Southeastern Universities Research Association, Inc. | Uniform raster pattern generating system |
| JP2007329293A (ja) * | 2006-06-08 | 2007-12-20 | Jeol Ltd | 荷電粒子ビーム装置 |
Family Cites Families (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL203533A (ja) * | 1955-02-16 | |||
| US3090889A (en) * | 1960-05-03 | 1963-05-21 | Bell Telephone Labor Inc | Electron beam intensity control circuit |
| DE1140231B (de) * | 1960-07-20 | 1962-11-29 | Telefunken Patent | Schaltungsanordnung zur Erzeugung eines saegezahnfoermigen Stromes zur Ablenkung von Kathodenstrahlen |
| US3134928A (en) * | 1962-03-23 | 1964-05-26 | Rca Corp | Transistor vertical deflection circuits |
| US3515933A (en) * | 1968-05-10 | 1970-06-02 | Tasker Ind | Cathode ray tube magnetic deflection circuit |
| DE2117193A1 (de) * | 1971-04-08 | 1972-10-12 | Licentia Gmbh | Anordnung zur Feinpositionierung eines Elektronenstrahles |
| DE2149107C3 (de) * | 1971-09-28 | 1975-05-15 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Steuer- und Regeleinrichtung für den in elektromagnetische Spulen von Korpuskularstrahlgeräten eingespeisten Strom |
| DE2345290A1 (de) * | 1972-09-27 | 1974-03-28 | Ceskoslovenska Akademie Ved | Anordnung zum begrenzen eines stoerenden magnetischen wechselfeldes |
| US3970894A (en) * | 1973-09-03 | 1976-07-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Deflection system |
| US3914608A (en) * | 1973-12-19 | 1975-10-21 | Westinghouse Electric Corp | Rapid exposure of micropatterns with a scanning electron microscope |
| DE2711535C3 (de) * | 1977-03-14 | 1982-02-18 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Schaltung zur selektiven Erhöhung der Betriebsspannung des Ablenkverstärkers eines magnetodynamischen Ablenksystems |
| US4125772A (en) * | 1977-10-13 | 1978-11-14 | American Optical Corporation | Scanning electron microscope with eddy-current compensation |
-
1979
- 1979-09-12 DE DE19792936911 patent/DE2936911A1/de active Granted
-
1980
- 1980-09-04 US US06/183,946 patent/US4380703A/en not_active Expired - Lifetime
- 1980-09-08 EP EP80105369A patent/EP0025578B1/de not_active Expired
- 1980-09-10 JP JP12589080A patent/JPS5648045A/ja active Granted
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7578559B2 (en) | 2007-07-19 | 2009-08-25 | Bizen Hatsujoh Co., Ltd. | Retractable vehicle headrest |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS5648045A (en) | 1981-05-01 |
| DE2936911C2 (ja) | 1988-09-08 |
| DE2936911A1 (de) | 1981-04-02 |
| EP0025578A1 (de) | 1981-03-25 |
| US4380703A (en) | 1983-04-19 |
| EP0025578B1 (de) | 1984-07-11 |
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