JPS62111477A - アモルフアスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルフアスシリコン太陽電池Info
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- JPS62111477A JPS62111477A JP60249962A JP24996285A JPS62111477A JP S62111477 A JPS62111477 A JP S62111477A JP 60249962 A JP60249962 A JP 60249962A JP 24996285 A JP24996285 A JP 24996285A JP S62111477 A JPS62111477 A JP S62111477A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
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- H01L31/075—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by at least one potential-jump barrier or surface barrier the potential barriers being only of the PIN type
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- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/547—Monocrystalline silicon PV cells
-
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は太陽電池に係り、特にアモルファスシリコン太
陽電池に関する。
陽電池に関する。
太陽電池は入力となる太陽光が無尽蔵であり半導体の量
子効果を利用していることから、静かで無公害な発電法
として有望視されている。
子効果を利用していることから、静かで無公害な発電法
として有望視されている。
しかし、従来の単結晶シリコンを用いた太陽電池では、
電池モジュールそのものが高価であり１発電コストも他
の発電法と比べ極めて高いものであった。そこで、近時
アモルファスシリコンを用いた太陽電池について開発が
進められている。これは、単結晶シリコンを用いた場合
に比べ、大幅に製造工程が簡略化でき、必要な素材も単
結晶の１／１ｏ以下で済むからである。
電池モジュールそのものが高価であり１発電コストも他
の発電法と比べ極めて高いものであった。そこで、近時
アモルファスシリコンを用いた太陽電池について開発が
進められている。これは、単結晶シリコンを用いた場合
に比べ、大幅に製造工程が簡略化でき、必要な素材も単
結晶の１／１ｏ以下で済むからである。
しかも、ガラスやステンレスを基板として形成でき、１
μｍ以下の薄膜化が可能であるとともに製造が約５００
°Ｃ以下の低温プロセスで行えるという特長をもってい
る。ところで、太陽電池の光電変換効率を上げるには、
幅広いスペクトル波長を有する太陽光をできるだけ有効
に吸収するとともに、太陽電池に入射した光のエネルギ
ー損失を出来るだけ少なくする必要がある。
μｍ以下の薄膜化が可能であるとともに製造が約５００
°Ｃ以下の低温プロセスで行えるという特長をもってい
る。ところで、太陽電池の光電変換効率を上げるには、
幅広いスペクトル波長を有する太陽光をできるだけ有効
に吸収するとともに、太陽電池に入射した光のエネルギ
ー損失を出来るだけ少なくする必要がある。
１つの工夫として、窓側（入射光側）の１層にワイドギ
ャップ効果のあるアモルファスシリコンカーバイド（α
−５ｉＣ）膜を用い、１層の光学バンドギャップを２．
０ａＶ程度まで広くすることにより、短波長収集効率を
上げる工夫がなされている（ Ｔａｗａｄａ ａｔ ａ
ｌ 、 ： Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｚ、
。
ャップ効果のあるアモルファスシリコンカーバイド（α
−５ｉＣ）膜を用い、１層の光学バンドギャップを２．
０ａＶ程度まで広くすることにより、短波長収集効率を
上げる工夫がなされている（ Ｔａｗａｄａ ａｔ ａ
ｌ 、 ： Ｊｐｎ、 Ｊ、 Ａｐｐｌ 、Ｐｈｙｚ、
。
ｖｏＬ、２１．５ｕｐｐＬ、、 ２１−１ 、 ｐａｇ
ｅ ２９７ （１９８１）。この方法は、１層中の光の
吸収を少なくし、１層中に侵入する光量を増やそうとす
るものである。
ｅ ２９７ （１９８１）。この方法は、１層中の光の
吸収を少なくし、１層中に侵入する光量を増やそうとす
るものである。
しかし、この方法では短波長側の収集効率は向上するが
、光学バンドギャップが大きいため長波長側の光は効率
よく利用することが難しい。
、光学バンドギャップが大きいため長波長側の光は効率
よく利用することが難しい。
長波長側の収集効率を上げる方法として、特開昭５８−
１３４４８２号が知られている。これは、ｐｉｎ型α−
５ｉ太陽電池の各層の光学バンドギャップを光入射側よ
り順次小さくすることにより長波長光を光学バンドギャ
ップの小さなところで吸収させようとするものである。
１３４４８２号が知られている。これは、ｐｉｎ型α−
５ｉ太陽電池の各層の光学バンドギャップを光入射側よ
り順次小さくすることにより長波長光を光学バンドギャ
ップの小さなところで吸収させようとするものである。
即ち、長波長光を吸収させるために１層の膜厚を犬きく
すると、少数キャリアの拡散長が短かいため、長波長光
により発生した少数キャリアが１層と１層の接合面に到
達せずに再結合し、光電流として外部に取り出せなくな
る。このα−５ｉ太陽電池は係る欠点を改善したもので
あり、シリコンにゲルマニウムを順次多く入れたα−５
ｉｘＧｉ＋ −ｘ：Ｈを１層に用いている。しかし、係
るα−５Ｌ太陽電池のバンドプロファイルでみると、第
２図に示すように、窓側から深い位置で発生した長波長
光によるキャリアのうち、ホールが拡散しやすく、１−
路界面付近で再結合しやすい。
すると、少数キャリアの拡散長が短かいため、長波長光
により発生した少数キャリアが１層と１層の接合面に到
達せずに再結合し、光電流として外部に取り出せなくな
る。このα−５ｉ太陽電池は係る欠点を改善したもので
あり、シリコンにゲルマニウムを順次多く入れたα−５
ｉｘＧｉ＋ −ｘ：Ｈを１層に用いている。しかし、係
るα−５Ｌ太陽電池のバンドプロファイルでみると、第
２図に示すように、窓側から深い位置で発生した長波長
光によるキャリアのうち、ホールが拡散しやすく、１−
路界面付近で再結合しやすい。
このため、長波長光の吸収効率は上がるが、光電流とし
て長波長光による発生キャリアを外部に取り出すことが
困難であった。
て長波長光による発生キャリアを外部に取り出すことが
困難であった。
本発明の目的は、長波長光による発生キャリアの再結合
を抑制し、光電変換効率の高い太陽電池を提供すること
にある。
を抑制し、光電変換効率の高い太陽電池を提供すること
にある。
本発明は上記した目的を達成するために、２層側から光
入射するｐｉｎ接合型アモルファス太陽電池において、
を層とか層の界面近傍における１層の光学バンドギャッ
プを九層の光学バンドギャップよりも小さくすることＫ
より、光入射側から深い位置における長波長光による発
生キャリアが、ｚ −ｎ界面近傍で再結合するのを抑制
したアモルファスシリコン太陽電池を提供する。
入射するｐｉｎ接合型アモルファス太陽電池において、
を層とか層の界面近傍における１層の光学バンドギャッ
プを九層の光学バンドギャップよりも小さくすることＫ
より、光入射側から深い位置における長波長光による発
生キャリアが、ｚ −ｎ界面近傍で再結合するのを抑制
したアモルファスシリコン太陽電池を提供する。
以下、本発明の一実施例を、第１図により説明する。
透明基板１０表面には透明電極として働く導電膜２が形
成されている。この透明基板１は光透堝するもσ）であ
わば足り１例えは、★扱ガラス、石英ガラス等を用いる
。透明基板１上の造＃Ａ４電膜２は１例え汀、酸化イン
ジウム（Ｉｎ１ＯＳ）や、１ソ化スズ（５ａ□ｙ）ある
いはインジウムティンオキサイド（ｔｒｏ ）等の材料
を便い、電子ビーム＃看法、スプレー法、スパッタリン
グ法あるいはＣＶＤ法といった手法で形成される、次に
、透明導電膜２上にｐ）−アモルファスシリコン膜５が
形成’ｇ ？＋、コ（７） ｐ １ｍ ５ ノ上Ｋ ｉ
、’ｍ ７セルフアスシリコン１ａ４が形成てれ、さ
らに１ノー４の上にｎ層シリコン映５が形成され−ｐ−
ｉ −＋％接合を構成している。Ｐ、ｉ、ｒ＆各アモル
ファス８μは１例えはプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法あ
るいはスパッタリング法により形成することができるｒ
ｐ）曽３にはＢ原子等をドーピングしたアモルファスシ
リコンあるいは、ワイドギャップ効果をもつＰ型アモル
ファスシリコンカーバイド（ａＳｉＣ）を使用する。次
に、ｎｌω５には、ｐＩｆＡ子等をドーピングしたアモ
ルファスシリコンあるいはル型倣結晶シリコンを使用す
る。を層４は、４層５との界面付近で４層５よりも光学
バンドギャップを小さくするため、例、ｔハＧ−をドー
ピングしたアモルファスシリコンゲルマニウム（α−５
ｉＧａ ）やＳｎをドーピングしたアモルファスシリコ
ンスズ（ａ−５ｉＳｎ ） ヲ使用する。九層シリコン
膜５０表面には裏面電極６が形成される。この裏面電極
６は、例えばＭ。
成されている。この透明基板１は光透堝するもσ）であ
わば足り１例えは、★扱ガラス、石英ガラス等を用いる
。透明基板１上の造＃Ａ４電膜２は１例え汀、酸化イン
ジウム（Ｉｎ１ＯＳ）や、１ソ化スズ（５ａ□ｙ）ある
いはインジウムティンオキサイド（ｔｒｏ ）等の材料
を便い、電子ビーム＃看法、スプレー法、スパッタリン
グ法あるいはＣＶＤ法といった手法で形成される、次に
、透明導電膜２上にｐ）−アモルファスシリコン膜５が
形成’ｇ ？＋、コ（７） ｐ １ｍ ５ ノ上Ｋ ｉ
、’ｍ ７セルフアスシリコン１ａ４が形成てれ、さ
らに１ノー４の上にｎ層シリコン映５が形成され−ｐ−
ｉ −＋％接合を構成している。Ｐ、ｉ、ｒ＆各アモル
ファス８μは１例えはプラズマＣＶＤ法、光ＣＶＤ法あ
るいはスパッタリング法により形成することができるｒ
ｐ）曽３にはＢ原子等をドーピングしたアモルファスシ
リコンあるいは、ワイドギャップ効果をもつＰ型アモル
ファスシリコンカーバイド（ａＳｉＣ）を使用する。次
に、ｎｌω５には、ｐＩｆＡ子等をドーピングしたアモ
ルファスシリコンあるいはル型倣結晶シリコンを使用す
る。を層４は、４層５との界面付近で４層５よりも光学
バンドギャップを小さくするため、例、ｔハＧ−をドー
ピングしたアモルファスシリコンゲルマニウム（α−５
ｉＧａ ）やＳｎをドーピングしたアモルファスシリコ
ンスズ（ａ−５ｉＳｎ ） ヲ使用する。九層シリコン
膜５０表面には裏面電極６が形成される。この裏面電極
６は、例えばＭ。
７２等の金属を蒸着し形成する。このように構成したセ
ルのバンド７０フアイルは第３図の如くとなる。
ルのバンド７０フアイルは第３図の如くとなる。
次Ｋ、本発明者らが具体的に製作したアモルファスシリ
コン太陽電池について説明する。
コン太陽電池について説明する。
実施例１
透明基板として青板ガラスを用い、この上にＩＴＯ５０
０Ａ／ｓｎｏ、 ｓｏｏ、；の透明導電膜２を形成した
。この透明導電膜２の上に、グロー放電分解法ニより、
ｐ、ｉ、ｎ各アモルファスシリコン層を積層した。２層
３は、１％Ｅ、Ｈ６をドープしたアモルファスシリコン
カーバイトα−５ｉｘＣ６−エ膜を約１００Ｊ４の厚さ
で積層した。この時の成膜条件は、Ｈｅペース１％Ｂｔ
Ｈ６を３Ｄ ＥＣＣＭ、５０％７７ｇベースＳ ｔ Ｈ
４を５５ ＳＣＣＭ、 ＣＨ４６５ＳＣＣＭの流量で、
温度は２２０℃、圧力は０．５７ｏｒｒ、投入電力は０
．１４Ｗ／−であった。この条件で、Ｐ型σ−５ｉｘ
Ｃ＋−よのＸをＸｉマイクロアナライザにより測定した
ところ、ｚ＝０．１３であり、この時の１層の光学バン
ドギャップは２０４であった。
０Ａ／ｓｎｏ、 ｓｏｏ、；の透明導電膜２を形成した
。この透明導電膜２の上に、グロー放電分解法ニより、
ｐ、ｉ、ｎ各アモルファスシリコン層を積層した。２層
３は、１％Ｅ、Ｈ６をドープしたアモルファスシリコン
カーバイトα−５ｉｘＣ６−エ膜を約１００Ｊ４の厚さ
で積層した。この時の成膜条件は、Ｈｅペース１％Ｂｔ
Ｈ６を３Ｄ ＥＣＣＭ、５０％７７ｇベースＳ ｔ Ｈ
４を５５ ＳＣＣＭ、 ＣＨ４６５ＳＣＣＭの流量で、
温度は２２０℃、圧力は０．５７ｏｒｒ、投入電力は０
．１４Ｗ／−であった。この条件で、Ｐ型σ−５ｉｘ
Ｃ＋−よのＸをＸｉマイクロアナライザにより測定した
ところ、ｚ＝０．１３であり、この時の１層の光学バン
ドギャップは２０４であった。
次にｔ層４として、アモルファスシリコ／ゲルマニウム
α−５ｉｙＧａＨ−、膜を約６００ＯＡの厚さで積層し
た。この時、ＳｉとＧｇの比は一定にせず、成膜当初は
Ｓｉのみとし、順次Ｇｅを増やしていくことにより光学
バンドギャップに傾きをつけた。成膜条件と、して、初
期のガス流量は、５０％Ｈｅ０％ＨｅペースＨ４を８０
ＳＣＣＭ、 ５０％Ｈ−ベースベーａ Ｈ４をａｓｃｃ
ｘとし、その後２分ごとに、ＳｉＨ。
α−５ｉｙＧａＨ−、膜を約６００ＯＡの厚さで積層し
た。この時、ＳｉとＧｇの比は一定にせず、成膜当初は
Ｓｉのみとし、順次Ｇｅを増やしていくことにより光学
バンドギャップに傾きをつけた。成膜条件と、して、初
期のガス流量は、５０％Ｈｅ０％ＨｅペースＨ４を８０
ＳＣＣＭ、 ５０％Ｈ−ベースベーａ Ｈ４をａｓｃｃ
ｘとし、その後２分ごとに、ＳｉＨ。
を’１．６ＳＣＣＭ減らし、Ｇ ａ Ｈ４を１．６ Ｅ
ＣＣＭ増やし、３０分間成膜した。即ち、成膜の初期に
は一子譚飄−−＝ ０ 、３０分後には−」巨Ｈ，−−
５ｉＨ４＋ＧａＨ４ＳｉＨ４＋ ＧｇＨ４−〇３ とな
るよう流量を調整した。なお、この時温度は２５０℃、
圧力は０．７Ｔｏｒｒ、投入電力は０．１４Ｆ／−であ
った。ＡＥＳ （Ａｕｇ６ｒ ＥＬｍｃｔｒｏｎＳ ｐ
ｅｃｔｒｏｚｃｏｐｙ ）により、ａ−５ｉｙ ＧｇＨ
−ｙ のｙについて調べたところ、初期条件では、−
１でこの時の光学バンドギャップＥｏは１．７６−Ｖで
あった。６０分後の時点、即ち−Ｇリム ＝ｏ、３の
５番Ｈ４” ＧｅＨ４ ときｙ −０，５３であり、この時の光学バンドギャッ
プＥｏは１．４９ｍＶであった。次に５層５としてＰＨ
３をドープした微結晶Ｓｉを３００ｊ４の厚さで成膜し
た。成膜条件として、Ｉ ＤＯｐｐｍ ＨｚベベーＰＲ
。
ＣＣＭ増やし、３０分間成膜した。即ち、成膜の初期に
は一子譚飄−−＝ ０ 、３０分後には−」巨Ｈ，−−
５ｉＨ４＋ＧａＨ４ＳｉＨ４＋ ＧｇＨ４−〇３ とな
るよう流量を調整した。なお、この時温度は２５０℃、
圧力は０．７Ｔｏｒｒ、投入電力は０．１４Ｆ／−であ
った。ＡＥＳ （Ａｕｇ６ｒ ＥＬｍｃｔｒｏｎＳ ｐ
ｅｃｔｒｏｚｃｏｐｙ ）により、ａ−５ｉｙ ＧｇＨ
−ｙ のｙについて調べたところ、初期条件では、−
１でこの時の光学バンドギャップＥｏは１．７６−Ｖで
あった。６０分後の時点、即ち−Ｇリム ＝ｏ、３の
５番Ｈ４” ＧｅＨ４ ときｙ −０，５３であり、この時の光学バンドギャッ
プＥｏは１．４９ｍＶであった。次に５層５としてＰＨ
３をドープした微結晶Ｓｉを３００ｊ４の厚さで成膜し
た。成膜条件として、Ｉ ＤＯｐｐｍ ＨｚベベーＰＲ
。
８０ ＳＣＣＭ 、 ５０％Ｈａペース５ ＆ Ｈ４
５Ｓ （１’ （？Ｊｆ のガス流量で、温度は２２０
°Ｃ１圧力は１．０Ｔｏｒｒ、投入電力は０．６４Ｗ／
−であった。このような条件で形成したル型微結晶Ｓｉ
の光学バンドギャップＥｏは１．６０ｍＶであった。次
に、裏面電極としてＭを蒸着し、セルを作った。このセ
ルを擬似太陽光標準スペクトルＡＭ１で、１００ｍＦ／
−の光強度のもとで特性評価した。この結果、開放電圧
Ｖｏｃは０８４Ｖ、短絡電流Ｊｔｃは１２．２ ｒｎ
Ａ ／、ｉ、曲線因子ＦＦ（ＦｉｌＬＦαｃｔｏτ）は
０．６５であり、光電変換効率η−６７％であった。一
方、６層を一定の光学バンドギャップとなるよう、Ｓ
ｚ Ｈ４だけで成膜し、他は上述と同様の条件でセルを
作成した。このセルのｉ −ｎ界面近傍における番層の
光学バンドギャップＥｏは１．７５であった。因みにこ
のセルの特性評価をしたところ、開放電圧Ｖ ｏ ｃは
ａ、ｓｙ。
５Ｓ （１’ （？Ｊｆ のガス流量で、温度は２２０
°Ｃ１圧力は１．０Ｔｏｒｒ、投入電力は０．６４Ｗ／
−であった。このような条件で形成したル型微結晶Ｓｉ
の光学バンドギャップＥｏは１．６０ｍＶであった。次
に、裏面電極としてＭを蒸着し、セルを作った。このセ
ルを擬似太陽光標準スペクトルＡＭ１で、１００ｍＦ／
−の光強度のもとで特性評価した。この結果、開放電圧
Ｖｏｃは０８４Ｖ、短絡電流Ｊｔｃは１２．２ ｒｎ
Ａ ／、ｉ、曲線因子ＦＦ（ＦｉｌＬＦαｃｔｏτ）は
０．６５であり、光電変換効率η−６７％であった。一
方、６層を一定の光学バンドギャップとなるよう、Ｓ
ｚ Ｈ４だけで成膜し、他は上述と同様の条件でセルを
作成した。このセルのｉ −ｎ界面近傍における番層の
光学バンドギャップＥｏは１．７５であった。因みにこ
のセルの特性評価をしたところ、開放電圧Ｖ ｏ ｃは
ａ、ｓｙ。
短絡電流Ｊｚｃは１１．０ ｍＡ ／ｃｔｄ 、曲線因
子ＦＦは０．６６であり、光電変換効率ηは５．８％に
過ぎなかった。
子ＦＦは０．６６であり、光電変換効率ηは５．８％に
過ぎなかった。
実施例２ないし５
を層の成膜条件と、４層の成膜条件をそれぞれ変化させ
て実施したものを表に示した。
て実施したものを表に示した。
以 下 余 白
実施例２と実施例６は、実施例１と同様に、Ｇ ｇ Ｈ
４の流量を２層の成膜初期は０とし、その後次第に増や
して成膜したものである。実施例４と実施例５は、を層
と九層の界面近傍の寡層については、一定量のＧ ａ
Ｈ４を流して２層を成膜したものである。表からも明ら
かなように、全ての実施例で１−か界面近傍では、を層
より３層の方が光学バンドギャップが大きくなるように
成膜した。尚、ｐｍは実施例１と同様にＢ原子ヲドープ
したアモルファスシリコンカーバイド（α−５ｉＣ）膜
を用いた。いずれの実施例も、を層を一定の光学バンド
ギャップとなるよう成膜したセルに比べ、短絡電流が特
に向上し、光電変換効率も大幅な改善を示している。
４の流量を２層の成膜初期は０とし、その後次第に増や
して成膜したものである。実施例４と実施例５は、を層
と九層の界面近傍の寡層については、一定量のＧ ａ
Ｈ４を流して２層を成膜したものである。表からも明ら
かなように、全ての実施例で１−か界面近傍では、を層
より３層の方が光学バンドギャップが大きくなるように
成膜した。尚、ｐｍは実施例１と同様にＢ原子ヲドープ
したアモルファスシリコンカーバイド（α−５ｉＣ）膜
を用いた。いずれの実施例も、を層を一定の光学バンド
ギャップとなるよう成膜したセルに比べ、短絡電流が特
に向上し、光電変換効率も大幅な改善を示している。
本発明によれば、長波長光により発生したキャリアの再
結合を抑制することができるので、短絡電流が向上し、
光電変換効率の高いアモルファスシリコン太陽電池が得
られる。
結合を抑制することができるので、短絡電流が向上し、
光電変換効率の高いアモルファスシリコン太陽電池が得
られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は本発明の一実施例によるアモルファスシリコン
太陽電池の断面図、第２図は２層と九層の界面付近にお
ける２層の光学バンドギャップが４層の光学バンドギャ
ップより大きい場合のバンドプロファイル図、第３図は
２層とル磨の界面付近における１層の光学バンドギャッ
プが九層の光学バンドギャップより小さい場合のバンド
プロファイル図である。
太陽電池の断面図、第２図は２層と九層の界面付近にお
ける２層の光学バンドギャップが４層の光学バンドギャ
ップより大きい場合のバンドプロファイル図、第３図は
２層とル磨の界面付近における１層の光学バンドギャッ
プが九層の光学バンドギャップより小さい場合のバンド
プロファイル図である。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、透明基板と、この透明基板上に形成した透明な第１
の電極膜と、この第１の電極膜上に積層したｐ層アモル
ファスシリコン膜と、このｐ層アモルファスシリコン膜
上に積層したｉ層アモルファスシリコン膜と、このｉ層
アモルファスシリコン膜上に積層したｎ層シリコン膜と
、このｎ層シリコン膜上に形成した第２の電極膜とから
成り、ｉ層とｎ層の界面近傍におけるｉ層の光学バンド
ギャップをｎ層の光学バンドギャップより小さくしたこ
とを特徴とするアモルファスシリコン太陽電池。 ２、ｉ層とｎ層の界面近傍におけるｉ層としてＧｅある
いはＳｎをドープしたアモルファスシリコン膜を積層し
たことを特徴とする特許請求の範囲第１項記載のアモル
ファスシリコン太陽電池。 ３、ｉ層とｎ層の界面近傍におけるｉ層の光学バンドギ
ャップが１．１乃至１．６ｅＶであることを特徴とする
特許請求の範囲第１項、または第２項記載のアモルファ
スシリコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249962A JPS62111477A (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60249962A JPS62111477A (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62111477A true JPS62111477A (ja) | 1987-05-22 |
Family
ID=17200778
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60249962A Pending JPS62111477A (ja) | 1985-11-09 | 1985-11-09 | アモルフアスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62111477A (ja) |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688377A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Solar battery and manufacture thereof |
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
-
1985
- 1985-11-09 JP JP60249962A patent/JPS62111477A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5688377A (en) * | 1979-12-19 | 1981-07-17 | Mitsubishi Electric Corp | Solar battery and manufacture thereof |
| JPS5779672A (en) * | 1980-09-09 | 1982-05-18 | Energy Conversion Devices Inc | Photoresponsive amorphous alloy and method of producing same |
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