JPS62109993A - パラジウムおよびパラジウム合金の複合電着物の製造方法 - Google Patents
パラジウムおよびパラジウム合金の複合電着物の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明はＰｄ（パラジウム）またはＰｄ合金の複合電気
メッキに係り、更に詳しくはＰｄ／Ｎｉにニッケル）ま
たはＰｄ／Ｇｏ（コバルト）合金の第１層を適当な基材
に電着した後、その上にＰｄまたはＰｄ／Ａｇ（銀）合
金の第２層を電着することによって得られる２層のＰｄ
合金の複合電着物およびその製造法に関する。
メッキに係り、更に詳しくはＰｄ／Ｎｉにニッケル）ま
たはＰｄ／Ｇｏ（コバルト）合金の第１層を適当な基材
に電着した後、その上にＰｄまたはＰｄ／Ａｇ（銀）合
金の第２層を電着することによって得られる２層のＰｄ
合金の複合電着物およびその製造法に関する。
従来、ＰｄおよびＰｄ合金は電気接点およびコネクタの
接触面に用いられてきた。おおむね、これらの合金はこ
の種の用途において、金の代りに加工された合金または
嵌め込まれたクラツド材の形で用いられてきた。近年、
電気接点およびコネクタを製作する場合に、電気メッキ
の方がより経済的であるので、ＰｄまたはＰｄ合金を電
気メッキして製作する方法が探求されてきた。
接触面に用いられてきた。おおむね、これらの合金はこ
の種の用途において、金の代りに加工された合金または
嵌め込まれたクラツド材の形で用いられてきた。近年、
電気接点およびコネクタを製作する場合に、電気メッキ
の方がより経済的であるので、ＰｄまたはＰｄ合金を電
気メッキして製作する方法が探求されてきた。
電気接点の多くは、まず幅の狭い帯状または縞状の形で
貴金属の電着物を、それよりも幅の広い細長い基材の表
面または表面部分に、オープンリール式の高速メッキ装
置を用いて電気メッキすることによって製造される。次
いで、その電気メッキされた細長い基材を打抜いて、貴
金属の電着物が、対抗する接点と接触する場所に正確に
位置するように、接点の形に成形される。この成形され
た接点上の電着物には、打抜きおよび接点の成形加工の
後でも、しっかりと付着しており、安定したものであり
、ヒビ割れや細孔などがあってはならない。電着物がこ
のような加工に耐えられるためには、電気メッキ完了後
の状態で、十分な柔軟性および基材である金属への強い
付着力を有し。
貴金属の電着物を、それよりも幅の広い細長い基材の表
面または表面部分に、オープンリール式の高速メッキ装
置を用いて電気メッキすることによって製造される。次
いで、その電気メッキされた細長い基材を打抜いて、貴
金属の電着物が、対抗する接点と接触する場所に正確に
位置するように、接点の形に成形される。この成形され
た接点上の電着物には、打抜きおよび接点の成形加工の
後でも、しっかりと付着しており、安定したものであり
、ヒビ割れや細孔などがあってはならない。電着物がこ
のような加工に耐えられるためには、電気メッキ完了後
の状態で、十分な柔軟性および基材である金属への強い
付着力を有し。
かつ多孔性のものであってはならない。最終製品にあっ
ては、電着物のヒビ割れは許容されない。
ては、電着物のヒビ割れは許容されない。
この電着物は、更にヒビ割れや細孔や基材からの剥離な
どを生ずることなく、打抜きおよび成形の際に加えられ
る圧力に十分耐えるだけの柔軟性を有することが必要で
ある。
どを生ずることなく、打抜きおよび成形の際に加えられ
る圧力に十分耐えるだけの柔軟性を有することが必要で
ある。
米国特許第４，２６９，６７１号は、多量の塩素イオン
を含有する強酸性の電気メッキ液からＰｄが重量比で６
０％ｒＡｇが重量比で４０％を電着する方法を開示して
いる。ここで得られる合金は安定した電着物ではあるが
、電気メッキ液は強い腐蝕性を有し、電気メッキ液とメ
ッキされるべき基材金属との間に激しい置換反応を引起
こす。これらの基材金属には、一般に銅、 Ｎｉ、若し
くはこれらの合金が含まれる。Ｐｄ／Ａｇ合金を得るた
めのこのタイプの高塩素濃度の電気メッキ浴は、カナダ
特許第４４０，５９１号によって明白にされているよう
に。
を含有する強酸性の電気メッキ液からＰｄが重量比で６
０％ｒＡｇが重量比で４０％を電着する方法を開示して
いる。ここで得られる合金は安定した電着物ではあるが
、電気メッキ液は強い腐蝕性を有し、電気メッキ液とメ
ッキされるべき基材金属との間に激しい置換反応を引起
こす。これらの基材金属には、一般に銅、 Ｎｉ、若し
くはこれらの合金が含まれる。Ｐｄ／Ａｇ合金を得るた
めのこのタイプの高塩素濃度の電気メッキ浴は、カナダ
特許第４４０，５９１号によって明白にされているよう
に。
当業界においてはよく知られているところである。
米国特許第４，２６９，６７１号は、Ｃｕ（銅）若しく
はＮｉの基材金属に、まず最初に、貴金属の薄い層によ
って被覆することによって、そのような高塩素電気メッ
キ浴の強腐蝕性によって侵されないようにしている。開
示されている貴金属はＡｇおよび軟らかいＡｕ（金）で
あるが後者の方がより好ましい。
はＮｉの基材金属に、まず最初に、貴金属の薄い層によ
って被覆することによって、そのような高塩素電気メッ
キ浴の強腐蝕性によって侵されないようにしている。開
示されている貴金属はＡｇおよび軟らかいＡｕ（金）で
あるが後者の方がより好ましい。
米国特許第４，４６３，０６０号は、厚さ約０．１ない
し１．５虜で約４６ないし８２原子％のＰｄ、残部がＮ
ｉの常時蝋付けが可能なＰｄ／Ｎｉ合金の電着物につい
て開示している。このＰｄ／Ｎｉ電着物は極めて薄い（
約２０人）はとんど純粋なＰｄの第２層によって被覆さ
れている。パラジウムの第２の被覆層は電気メッキによ
って形成されたものではなく、その第１層を塩酸または
硫酸の溶液中に浸漬することによって形成される。この
組合わせによって。
し１．５虜で約４６ないし８２原子％のＰｄ、残部がＮ
ｉの常時蝋付けが可能なＰｄ／Ｎｉ合金の電着物につい
て開示している。このＰｄ／Ｎｉ電着物は極めて薄い（
約２０人）はとんど純粋なＰｄの第２層によって被覆さ
れている。パラジウムの第２の被覆層は電気メッキによ
って形成されたものではなく、その第１層を塩酸または
硫酸の溶液中に浸漬することによって形成される。この
組合わせによって。
常時蝋付は可能なＰｄ／Ｎｉ合金の電着物を形成させて
いるのである。
いるのである。
本発明はＰｄ／Ｎｉ合金またはＰｄ／Ｃｏ合金の第１層
を、その柔軟性を増大し、多孔質になることおよびその
電着物にヒビ割れが生ずる傾向を抑止するのに十分な厚
さで基材上に電着して、ＰｄまたはＰｄ／Ａｇの第２層
を、電気接点面として用いるのに十分な厚さで、上記第
１層の上に電着させることから成る２層のＰｄ合金の電
着物を得る電気メッキ方法に関するものである。
を、その柔軟性を増大し、多孔質になることおよびその
電着物にヒビ割れが生ずる傾向を抑止するのに十分な厚
さで基材上に電着して、ＰｄまたはＰｄ／Ａｇの第２層
を、電気接点面として用いるのに十分な厚さで、上記第
１層の上に電着させることから成る２層のＰｄ合金の電
着物を得る電気メッキ方法に関するものである。
本発明は、また本発明の電気メッキ方法によって形成さ
れた２層の複合電着物に関するものである。この２層の
電着物は、Ｐｄ／Ｎｉ合金またはＰｄ／Ｃｏ合金の第１
層およびＰｄまたはＰｄ／Ａｇの第２層から成るもので
ある。好ましいＰｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金
は、Ｐｄが約５０ないし９５重量％で残部がＮｉ若しく
はＣＯから成るものであり、他方、好ましいＰｄ／Ａｇ
合金は、Ｐｄが約４０ないし８０重量％で残部がＡｇか
ら成るものである。
れた２層の複合電着物に関するものである。この２層の
電着物は、Ｐｄ／Ｎｉ合金またはＰｄ／Ｃｏ合金の第１
層およびＰｄまたはＰｄ／Ａｇの第２層から成るもので
ある。好ましいＰｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金
は、Ｐｄが約５０ないし９５重量％で残部がＮｉ若しく
はＣＯから成るものであり、他方、好ましいＰｄ／Ａｇ
合金は、Ｐｄが約４０ないし８０重量％で残部がＡｇか
ら成るものである。
そして、２層の好ましい厚さは、第１層が少なくとも約
０．５ミクロインチ、第２層が少なくとも約５ミクロイ
ンチである。
０．５ミクロインチ、第２層が少なくとも約５ミクロイ
ンチである。
また９本発明は金属基材と上述した複合電着物から成る
電気接点に関する。この電気接点において、その金属基
材は１通常、Ｃｕ、Ｎｉ若しくはそれらの合金の一つか
ら成る。
電気接点に関する。この電気接点において、その金属基
材は１通常、Ｃｕ、Ｎｉ若しくはそれらの合金の一つか
ら成る。
更に２本発明はＰｄ／Ａｇ合金を電気メッキする間に、
酸性の高塩素電気メッキ浴によってＣｕ。
酸性の高塩素電気メッキ浴によってＣｕ。
Ｎｉの金属若しくはＣｕ／Ｎｉ合金より成る金属基材が
腐蝕されることを抑止するための方法に関するもので、
その方法はＰｄ／Ａｇ合金を電気メッキする前に、十分
な量のＰｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金の第１層
を上記基材の上に電気メッキすることから成るものであ
る。この場合において。
腐蝕されることを抑止するための方法に関するもので、
その方法はＰｄ／Ａｇ合金を電気メッキする前に、十分
な量のＰｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金の第１層
を上記基材の上に電気メッキすることから成るものであ
る。この場合において。
Ｐｄ／Ｎｉの層若しくはＰｄ／Ｇｏの層の好ましい厚さ
は少なくとも約１０ミクロインチである。
は少なくとも約１０ミクロインチである。
本発明によってＰｄ若しくはＰｄ合金の複合合金電着物
を形成するに当って、注目すべきことには。
を形成するに当って、注目すべきことには。
Ｐｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金の薄い下被覆層
である第１層（好ましくはＰｄを約２０〜９５％。
である第１層（好ましくはＰｄを約２０〜９５％。
より好ましくはＰｄを約６０〜８０％含むもの）が電着
物全体の柔軟性の大幅改善および多孔性を大幅に抑止す
るのに優れた効果があることである。この複合合金電着
物の商業的に好ましい厚さはおおむね約２０ないし６０
ミクロインチである。
物全体の柔軟性の大幅改善および多孔性を大幅に抑止す
るのに優れた効果があることである。この複合合金電着
物の商業的に好ましい厚さはおおむね約２０ないし６０
ミクロインチである。
このように比較的薄い電着物を基材金属であるＣｕ、
Ｎｉ、若しくはそれらの合金にメッキするに際して、た
とえその基材金属があらかじめＡ ｕ ＴＡ ｇ を若
しくは純粋なＰｄの薄い層によって被覆されていたとし
ても、柔軟かつ多孔性でない電着物を得ることは難しい
。しかし、Ｐｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金の薄
い下被覆層として用いられる場合は、純粋なＰｄ若しく
はＰｄ／Ａｇ合金との組合せの電着物は、柔軟性および
ヒビ割れの発生および多孔性になることの抑止にかなり
の改善を示すものである。
Ｎｉ、若しくはそれらの合金にメッキするに際して、た
とえその基材金属があらかじめＡ ｕ ＴＡ ｇ を若
しくは純粋なＰｄの薄い層によって被覆されていたとし
ても、柔軟かつ多孔性でない電着物を得ることは難しい
。しかし、Ｐｄ／Ｎｉ合金若しくはＰｄ／Ｃｏ合金の薄
い下被覆層として用いられる場合は、純粋なＰｄ若しく
はＰｄ／Ａｇ合金との組合せの電着物は、柔軟性および
ヒビ割れの発生および多孔性になることの抑止にかなり
の改善を示すものである。
好ましいＰｄ／Ｎｉ合金電気メッキ浴は下記のものを含
有する。
有する。
金属パラジウム（テトラアミンジクロライドパラジウム
として）５〜２５ｇ／Ｑ 金属ニッケル（塩化アンモニウムニッケルとして） ３
〜１５ｇ／１２塩化アンモニウム
１０−１００ｇ／Ｑ添加剤
Ｏ〜１５ｇ／Ｑ温度
ｉｏｏ〜１２５°ＦｐＨ７〜９ 塩化アンモニウムは金属を電気メッキ液中に保持するた
めに錯化剤として用いられる。その他に適当な錯化剤と
しては、各種の可溶性アンモニウム塩若しくはそれらの
化合物も使用できる。
として）５〜２５ｇ／Ｑ 金属ニッケル（塩化アンモニウムニッケルとして） ３
〜１５ｇ／１２塩化アンモニウム
１０−１００ｇ／Ｑ添加剤
Ｏ〜１５ｇ／Ｑ温度
ｉｏｏ〜１２５°ＦｐＨ７〜９ 塩化アンモニウムは金属を電気メッキ液中に保持するた
めに錯化剤として用いられる。その他に適当な錯化剤と
しては、各種の可溶性アンモニウム塩若しくはそれらの
化合物も使用できる。
電気メッキ浴への添加剤はその電着物に光沢およびその
他の望ましい金属特性を付与する有機化合物若しくは有
機化合物の塩である。適当な添加剤としては、ビニール
スルホン酸塩ナトリウム。
他の望ましい金属特性を付与する有機化合物若しくは有
機化合物の塩である。適当な添加剤としては、ビニール
スルホン酸塩ナトリウム。
サッカリン、ベンゼン若しくはスルホン酸ナフタリンの
ナトリウム塩、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、および
第四級ピリジニウム化合物であるが。
ナトリウム塩、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、および
第四級ピリジニウム化合物であるが。
後者がより好まし、い。最も好ましいＰｄ／Ｎｉ合金若
しくはＰｄ／Ｃｏ合金の電着物はＰｄを重量比で７５％
とＮｉ若しくはＧｏを２５％含有しているが。
しくはＰｄ／Ｃｏ合金の電着物はＰｄを重量比で７５％
とＮｉ若しくはＧｏを２５％含有しているが。
Ｐｄを重量比で約５０〜９５％含有し残部がＮｉ若しく
はＧｏである電着物であればどれも使用可能である。電
気メッキ浴のｐＨは、水酸化アンモニウムまたはその他
の塩基あるいは塩基性化合物によって、望ましい範囲で
ある約７〜９に調整される。
はＧｏである電着物であればどれも使用可能である。電
気メッキ浴のｐＨは、水酸化アンモニウムまたはその他
の塩基あるいは塩基性化合物によって、望ましい範囲で
ある約７〜９に調整される。
Ｐｄ／Ｃｏ合金を得るには、Ｐｄ／Ｎｉ用と同じ電気メ
ッキ浴を用いることができるが、ただし金属ニッケルの
代替として若干多量（約５〜２５ｇ／Ｑ）の金属コバル
トを用いる。また、これらのＰｄ／Ｃｏ用の電気メッキ
浴のｐＨは約６位に低くした方が望ましい。
ッキ浴を用いることができるが、ただし金属ニッケルの
代替として若干多量（約５〜２５ｇ／Ｑ）の金属コバル
トを用いる。また、これらのＰｄ／Ｃｏ用の電気メッキ
浴のｐＨは約６位に低くした方が望ましい。
第２層が純粋なＰｄである場合には、従来の技術による
とのＰｄ電気メッキ液によってもそれを得ることができ
るが、ただし電気メッキ液が安定した。かつヒビ割れの
ない電着物を生成することが可能であることを条件とす
る。
とのＰｄ電気メッキ液によってもそれを得ることができ
るが、ただし電気メッキ液が安定した。かつヒビ割れの
ない電着物を生成することが可能であることを条件とす
る。
好ましいパラジウム電気メッキ浴はおおむね下記の処方
の範囲のものである。
の範囲のものである。
金属パラジウム（塩化アミンパラジウムとして） ８〜
３０ ｇ／ Ｑ遊離アンモニア若しくはアミン
５〜５０ ｇ／ Ｑ添加剤
Ｏ〜１０ ｇ／ Ｑ伝導性塩
０〜５０ｇ
／ＱｐＨ７〜９．５ 温度 １００〜１４０＠Ｆ適当な添
加剤としては、上述のＰｄ／Ｎｉ電着若しくはＰｄ／Ｇ
ｏ電着に用いたものも含まれる。また、適当な伝導性塩
には、電気メッキ浴に可溶性の有機あるいは無機化合物
２例えば、塩化物、リン酸塩、ピロリン酸塩、若しくは
メッキ浴の伝導性を増大させる性能のあるそれらに類似
する代替物も含まれる。
３０ ｇ／ Ｑ遊離アンモニア若しくはアミン
５〜５０ ｇ／ Ｑ添加剤
Ｏ〜１０ ｇ／ Ｑ伝導性塩
０〜５０ｇ
／ＱｐＨ７〜９．５ 温度 １００〜１４０＠Ｆ適当な添
加剤としては、上述のＰｄ／Ｎｉ電着若しくはＰｄ／Ｇ
ｏ電着に用いたものも含まれる。また、適当な伝導性塩
には、電気メッキ浴に可溶性の有機あるいは無機化合物
２例えば、塩化物、リン酸塩、ピロリン酸塩、若しくは
メッキ浴の伝導性を増大させる性能のあるそれらに類似
する代替物も含まれる。
Ｐｄ／Ａｇが第２層として電着された場合、その電気メ
ッキ浴は安定した電着物を生成する性能を確かに有する
に違いないが、その隔置も好ましい合金は重量比でＰｄ
が６０％ｐＡｇが４０％のものである。このような電着
物は米国特許第４，２６９，６７１号またはカナダ特許
第４４０，５９１号に記載されているメッキ浴によって
得ることができる。これらの特許のメッキ浴は極めて腐
蝕性が強いが故に、 Ｐｄ／Ｎｉ若しくはＰｄ／Ｇｏの
層は、Ｐｄ／Ａｇの電着中に基材である金属の腐蝕防止
のためにＰｄ／Ａｇの合金が電着される以前に、少なく
とも約ｌＯミクロインチの厚さを有していなければなら
ない。
ッキ浴は安定した電着物を生成する性能を確かに有する
に違いないが、その隔置も好ましい合金は重量比でＰｄ
が６０％ｐＡｇが４０％のものである。このような電着
物は米国特許第４，２６９，６７１号またはカナダ特許
第４４０，５９１号に記載されているメッキ浴によって
得ることができる。これらの特許のメッキ浴は極めて腐
蝕性が強いが故に、 Ｐｄ／Ｎｉ若しくはＰｄ／Ｇｏの
層は、Ｐｄ／Ａｇの電着中に基材である金属の腐蝕防止
のためにＰｄ／Ａｇの合金が電着される以前に、少なく
とも約ｌＯミクロインチの厚さを有していなければなら
ない。
酸性のＰｄ／Ａｇの電気メッキ浴が幾つか米国特許第４
，４７８，６９２号および第４ 、４６５ 、５６３号
に記載されている。これらの特許は９本発明に適した安
定したＰｄ／Ａｇ合金を電着するために２強い酸を含有
した非塩化物系の電気メッキ浴について記載されている
。その他のＰｄ／Ａｇメッキ浴についてはメジナ（Ｍｅ
ｄｉｎａ）が米国特許第３，０５３，７４１号に記載し
ているが、この特許はＰＨ７，５〜１１のＰｄとＡｇの
アンモニア系の硝酸塩電気メッキ液に基づいたメッキ浴
による非多孔性の電着物について特許を請求している。
，４７８，６９２号および第４ 、４６５ 、５６３号
に記載されている。これらの特許は９本発明に適した安
定したＰｄ／Ａｇ合金を電着するために２強い酸を含有
した非塩化物系の電気メッキ浴について記載されている
。その他のＰｄ／Ａｇメッキ浴についてはメジナ（Ｍｅ
ｄｉｎａ）が米国特許第３，０５３，７４１号に記載し
ているが、この特許はＰＨ７，５〜１１のＰｄとＡｇの
アンモニア系の硝酸塩電気メッキ液に基づいたメッキ浴
による非多孔性の電着物について特許を請求している。
Ｐｄ／Ａｇ合金の安定した。かつヒビ割れがなく非多孔
性の電着物を形成することが可能な、その他のアルカリ
系のＰｄ／Ａｇ電気メッキ液は１９８５年６月７日に共
同出願された出願番号第７４２．２５８号（現在は放棄
された）に記載されている。一般に、このようなＰｄ／
Ａｇ合金は、Ｐｄの含有量が重量比で約２０ないし９５
％パラジウムで残部がＡｇである。高Ｐｄ含有合金の価
格が比較的に高いが故に９重量比８０％以下のパラジウ
ムを用いるのが一般の慣例である。上述したように、最
も好ましいＰｄ／Ａｇ合金は、Ｐｄが重量比で約４０な
いし８０％で残部がＡｇであり、特にＰｄが重量比で６
０％＋Ａｇが重量比で約４０％のものである。このよう
な適当な電気メッキ浴および電着工程は、これらの特許
が開示している範囲においてそれらの内容は参考例とし
て本発明に記載されている。
性の電着物を形成することが可能な、その他のアルカリ
系のＰｄ／Ａｇ電気メッキ液は１９８５年６月７日に共
同出願された出願番号第７４２．２５８号（現在は放棄
された）に記載されている。一般に、このようなＰｄ／
Ａｇ合金は、Ｐｄの含有量が重量比で約２０ないし９５
％パラジウムで残部がＡｇである。高Ｐｄ含有合金の価
格が比較的に高いが故に９重量比８０％以下のパラジウ
ムを用いるのが一般の慣例である。上述したように、最
も好ましいＰｄ／Ａｇ合金は、Ｐｄが重量比で約４０な
いし８０％で残部がＡｇであり、特にＰｄが重量比で６
０％＋Ａｇが重量比で約４０％のものである。このよう
な適当な電気メッキ浴および電着工程は、これらの特許
が開示している範囲においてそれらの内容は参考例とし
て本発明に記載されている。
Ｐｄ／Ｎｉ若しくはＰｄ／Ｇｏの下被躍層である第１層
の厚さは、第２層のために選択された電気メッキ浴およ
び電着合金の種類によって、約０．５ないし５０ミクロ
インチの範囲内でさまざまである。
の厚さは、第２層のために選択された電気メッキ浴およ
び電着合金の種類によって、約０．５ないし５０ミクロ
インチの範囲内でさまざまである。
好ましい厚さの範囲は約５ないし１０ミクロインチであ
る。Ｐｄ／Ａｇ合金のメッキに高塩化物の酸性電気メッ
キ液が用いられた場合、第１層の厚さは少なくとも約１
０ないし２０ミクロインチでなければならない。
る。Ｐｄ／Ａｇ合金のメッキに高塩化物の酸性電気メッ
キ液が用いられた場合、第１層の厚さは少なくとも約１
０ないし２０ミクロインチでなければならない。
第２層の厚さはその企図した用途のために必要な性能を
付与するのに十分なものでなければならない。一般に、
少なくとも２ミクロインチとされているが、好ましくは
約５から１００ミクロインチの間である。第２層の厚さ
には上限はないけれども、約２５０ミクロインチ以上に
することは経済的理由からして好ましくない。一般に、
複合電着物の厚さは約２０ないし６０ミクロインチの範
囲であるが、これは通常、電気接点業界によって指定さ
れている。
付与するのに十分なものでなければならない。一般に、
少なくとも２ミクロインチとされているが、好ましくは
約５から１００ミクロインチの間である。第２層の厚さ
には上限はないけれども、約２５０ミクロインチ以上に
することは経済的理由からして好ましくない。一般に、
複合電着物の厚さは約２０ないし６０ミクロインチの範
囲であるが、これは通常、電気接点業界によって指定さ
れている。
本発明は更に下記の諸例に関連して記載されるが、これ
らの例は本発明の詳細な説明することを唯一の目的とす
るものであり、またこれらの例は決して本発明の範囲を
制限するものと解釈されるべきものではない。
らの例は本発明の詳細な説明することを唯一の目的とす
るものであり、またこれらの例は決して本発明の範囲を
制限するものと解釈されるべきものではない。
例 １（従来の技術）
純粋なＰｄを３０ミリインチの厚さに、従来の電気メッ
キ法を用いて銅の細長い基材に電着した。
キ法を用いて銅の細長い基材に電着した。
それに用いた電気メッキ液は下記のものを含有していた
。
。
金属パラジウム（パラジウムテトラアミノジクロライド
として）１０ｇ／Ｑ 塩化アンモニウム
５０ｇ／Ｑ第四級ピリジン
Ｉｇ／ＱｐＨ７・５ 温度 １２０’ Ｆ電流密度
１５ＡＳＦメッ
キ終了後、従来法の電気多孔度試験によってその細長い
銅片の多孔性を検査した。もう一つの試験片を、一般に
当業界において用いられており９Ｊ−エドワーズ（Ｅｄ
ｖａｒｄｓ）によって１９５８年版のＴｒａｎｓ、
Ｉｎ５ｔ、 Ｍｅｔ、 Ｆｉｎ、に記載されている曲げ
試験にかけた。この試験において、そのメッキされた細
長い銅片はロガリズミックホーマー（Ｌ ｏｇａｒｉｔ
ｈｍｉｃ ｆｏｒｍｅｒ）の周囲に巻きつけて。
として）１０ｇ／Ｑ 塩化アンモニウム
５０ｇ／Ｑ第四級ピリジン
Ｉｇ／ＱｐＨ７・５ 温度 １２０’ Ｆ電流密度
１５ＡＳＦメッ
キ終了後、従来法の電気多孔度試験によってその細長い
銅片の多孔性を検査した。もう一つの試験片を、一般に
当業界において用いられており９Ｊ−エドワーズ（Ｅｄ
ｖａｒｄｓ）によって１９５８年版のＴｒａｎｓ、
Ｉｎ５ｔ、 Ｍｅｔ、 Ｆｉｎ、に記載されている曲げ
試験にかけた。この試験において、そのメッキされた細
長い銅片はロガリズミックホーマー（Ｌ ｏｇａｒｉｔ
ｈｍｉｃ ｆｏｒｍｅｒ）の周囲に巻きつけて。
その電着物のヒビ割れや多孔性について調べた。
得た結果は曲げテスト前では若干の多孔性を示していた
が９曲げテスト後では多孔性ならびにヒビ割れは大幅に
増大した。
が９曲げテスト後では多孔性ならびにヒビ割れは大幅に
増大した。
例２
まず最初に細長い銅の基材を５ミクロインチの厚さに７
０％Ｐｄ／３０％Ｎｉをメッキした後９例１の電着法に
よって得られた純粋なパラジウムで２５ミクロインチの
厚さにメッキした。そのＰｄ／Ｎｉｔ気メッキ液は下記
のとおりであった。
０％Ｐｄ／３０％Ｎｉをメッキした後９例１の電着法に
よって得られた純粋なパラジウムで２５ミクロインチの
厚さにメッキした。そのＰｄ／Ｎｉｔ気メッキ液は下記
のとおりであった。
金属パラジウム（パラジウムテトラアミノジクロライド
として）１０ ｇ／ Ｑ 金属ニッケル（塩化アンモニウムニッケルとして）
５ｇ／Ｑ塩化アンモニウム
５０ｇ／Ｑ第四級ピリジン
Ｉｇ／４ｐ Ｈ７，５ 温度 １２０°Ｆ電流密度
１５ ＡＳＦ結果
として得られた電着物の厚さの合計は例１におけるもの
と同じであった。
として）１０ ｇ／ Ｑ 金属ニッケル（塩化アンモニウムニッケルとして）
５ｇ／Ｑ塩化アンモニウム
５０ｇ／Ｑ第四級ピリジン
Ｉｇ／４ｐ Ｈ７，５ 温度 １２０°Ｆ電流密度
１５ ＡＳＦ結果
として得られた電着物の厚さの合計は例１におけるもの
と同じであった。
得られた結果は曲げテスト前ではやや多孔性を示したが
、この試験片は例１の結果に比して、多・孔性およびヒ
ビ割れの両者において格段の改善を示した。
、この試験片は例１の結果に比して、多・孔性およびヒ
ビ割れの両者において格段の改善を示した。
例 ３（従来の技術）
米国特許第４，４７８，６９２号に記載されている下記
の電気メッキ液によって、 ６０％Ｐｄ／４０％Ａｇの
合金が得られた。
の電気メッキ液によって、 ６０％Ｐｄ／４０％Ａｇの
合金が得られた。
金属パラジウム（硫酸パラジウムとして）
１２ ｇ／Ｑ金属銀（硝酸銀として）
０．７ｇ／Ｑメタン・スルホン酸
１５０ＩＩＱ／Ｑ温度
１３０” Ｆ電流密度
１０ ＡＳＦ細長い
銅の基材を従来の方法でメッキするための下ごしらえを
して１次いで従来法のシアン化銀の電気メッキ浴によっ
て約５ミクロインチの銀をメッキした後、上記の電気メ
ッキ液によってＰｄ／Ａｇの合金を２５ミクロインチに
メッキした。曲げテスト前の多孔性テストでは若干の多
孔性を示したが９曲げテスト後では多孔性は飛躇的に増
大し、電着物にかなりのヒビ割れが観察された。
１２ ｇ／Ｑ金属銀（硝酸銀として）
０．７ｇ／Ｑメタン・スルホン酸
１５０ＩＩＱ／Ｑ温度
１３０” Ｆ電流密度
１０ ＡＳＦ細長い
銅の基材を従来の方法でメッキするための下ごしらえを
して１次いで従来法のシアン化銀の電気メッキ浴によっ
て約５ミクロインチの銀をメッキした後、上記の電気メ
ッキ液によってＰｄ／Ａｇの合金を２５ミクロインチに
メッキした。曲げテスト前の多孔性テストでは若干の多
孔性を示したが９曲げテスト後では多孔性は飛躇的に増
大し、電着物にかなりのヒビ割れが観察された。
例 ４（従来の技術）
例３の方法を再度行ったが、しかし今回は銀の代わりに
５ミクロインチの厚さの金の下被覆層を用いた。本例で
得られたテスト結果は基本的には例３で得られた結果と
同じであった。
５ミクロインチの厚さの金の下被覆層を用いた。本例で
得られたテスト結果は基本的には例３で得られた結果と
同じであった。
例 ５
例３の方法を再度行ったが、しかし今回はまず最初に細
長い銅片に７０％Ｐｄ／３０％Ｎｉの合金の５ミクロイ
ンチの下被覆層をメッキした。その後。
長い銅片に７０％Ｐｄ／３０％Ｎｉの合金の５ミクロイ
ンチの下被覆層をメッキした。その後。
Ｐｄ／Ａｇの電着物を約２５ミクロインチの厚さにメッ
キした。その曲げテスト前の多孔性テストではやや多孔
性であることを示したが２本例の電着物は例３および４
の結果に比して曲げテスト後では多孔性およびヒビ割れ
の両者においてかなりの改善を示した。
キした。その曲げテスト前の多孔性テストではやや多孔
性であることを示したが２本例の電着物は例３および４
の結果に比して曲げテスト後では多孔性およびヒビ割れ
の両者においてかなりの改善を示した。
例 ６
例１を再度行ったが、しかし今回はテトラアミンジクロ
ライドパラジウム浴による純粋なＰｄの５ミクロインチ
の下被覆層を用い２次いで９例３のＰｄ／Ａｇの電着物
を合計２５ミクロインチの厚さにメッキした。この複合
電着物の多孔性およびヒビ割れの特性は例５程は良くな
かったが９例３および４の結果よりは改善されていた。
ライドパラジウム浴による純粋なＰｄの５ミクロインチ
の下被覆層を用い２次いで９例３のＰｄ／Ａｇの電着物
を合計２５ミクロインチの厚さにメッキした。この複合
電着物の多孔性およびヒビ割れの特性は例５程は良くな
かったが９例３および４の結果よりは改善されていた。
例 ７〜１０
例３ないし６を再度実施したが、今回はＰｄ／Ａｇの合
金の電着物は１９８５年６月７日出願の出願番号筒７４
２，２５８号に記載されている電解液によって得られた
ものである。得られた結果は大体において例３ないし６
の結果と同じであった。
金の電着物は１９８５年６月７日出願の出願番号筒７４
２，２５８号に記載されている電解液によって得られた
ものである。得られた結果は大体において例３ないし６
の結果と同じであった。
例１１
まず最初に、銅の基材を９０％Ｐｄ／１０％ＣＯの合金
で５ミクロインチの厚さにメッキし２次いで例１のメッ
キ法によって得られる純粋なパラジウムの電着物を２５
ミクロインチの厚さにメッキした。
で５ミクロインチの厚さにメッキし２次いで例１のメッ
キ法によって得られる純粋なパラジウムの電着物を２５
ミクロインチの厚さにメッキした。
このＰｄ／Ｇｏの電気メッキ液は次のとおりであった。
金属パラジウム（パラジウムテトラアミノジクロライド
として）１２ｇ／ｆｆ 金属コバルト（塩化コバルトとして）
１２ｇ／１２塩化アンモニウム
７５ ｇ／ Ｑ第四級ピリジン
Ｉｇ／ＱＰＨ６，３ 温度 １４０’ Ｆ電流密度
１５ ＡＳＦ
得られた電着物の合計の厚さは例１と同じであった。そ
して２曲げテスト前で、やや多孔性を示したが、この例
では例１の結果に比して多孔性およびヒビ割れの両者に
ついては曲げテスト後においてかなりの改善を示した。
として）１２ｇ／ｆｆ 金属コバルト（塩化コバルトとして）
１２ｇ／１２塩化アンモニウム
７５ ｇ／ Ｑ第四級ピリジン
Ｉｇ／ＱＰＨ６，３ 温度 １４０’ Ｆ電流密度
１５ ＡＳＦ
得られた電着物の合計の厚さは例１と同じであった。そ
して２曲げテスト前で、やや多孔性を示したが、この例
では例１の結果に比して多孔性およびヒビ割れの両者に
ついては曲げテスト後においてかなりの改善を示した。
本明細書中に開示されている発明は上述の目的を達成す
べく十分に計画されていることは明らかであるが、数多
くの部分的改造例や実施例が当技術分野に精通するもの
によって考え出されることは十分理解されるところであ
り、また本明細書は本発明の本来の趣旨および範囲に入
るような部分的改造例や実施例のすべてに本発明の特許
請求範囲がおよぶことを意図したものである。
べく十分に計画されていることは明らかであるが、数多
くの部分的改造例や実施例が当技術分野に精通するもの
によって考え出されることは十分理解されるところであ
り、また本明細書は本発明の本来の趣旨および範囲に入
るような部分的改造例や実施例のすべてに本発明の特許
請求範囲がおよぶことを意図したものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、基材上に、電着物の柔軟性を増大し多孔性およびヒ
ビ割れの傾向を抑止するのに十分な厚さのパラジウム／
ニッケル合金若しくはパラジウム／コバルト合金の第１
層を電着し、次いで上記の第１層の上に、電気接点の表
面として用いられるのに十分な厚さの金属パラジウム若
しくはパラジウム／銀合金の第２層を電着することを特
徴とする２層のパラジウム合金の複合電着物の電気メッ
キ法。 ２、特許請求の範囲第１項に記載の方法によって形成さ
れたことを特徴とする２層のパラジウム合金の複合電着
物。 ３、パラジウム／ニッケル合金若しくはパラジウム／コ
バルト合金の第１層およびパラジウム若しくはパラジウ
ム／銀合金の第２層から成ることを特徴とする２層のパ
ラジウム合金の複合電着物。 ４、第１層が、少なくとも実質的に５ミクロインチの厚
さを有することを特徴とする特許請求の範囲第３項に記
載の２層のパラジウム合金の複合電着物。 ５、第２層が少なくとも実質的に５ミクロインチの厚さ
を有することを特徴とする特許請求の範囲第３項に記載
の２層のパラジウム合金の複合電着物。 ６、金属基材および特許請求の範囲第３項に記載の２層
のパラジウム合金の複合電着物から成ることを特徴とす
る電気接点。 ７、金属基材が銅、ニッケル若しくはそれらの合金の一
つから成ることを特徴とする特許請求の範囲第６項に記
載の２層のパラジウム合金の複合電着物から成る電気接
点。 ８、酸性かつ高塩素濃度の電気メッキ浴によってパラジ
ウム／銀合金を電気メッキする場合において、銅、ニッ
ケルの金属若しくは銅／ニッケルの合金より成る金属基
材の腐蝕を抑止する方法であって、その方法はパラジウ
ム／銀合金をメッキしている間に金属基材の腐蝕を抑制
若しくは防止するために、十分な厚さのパラジウム／ニ
ッケル合金若しくはパラジウム／コバルト合金の第１層
を、パラジウム／銀合金をメッキする前にメッキするこ
とを特徴とする金属基材の腐蝕抑止法。 ９、パラジウム／ニッケル合金層若しくはパラジウム／
コバルト合金層の厚さが、少なくとも実質的に１０ミク
ロインチ有することを特徴とする特許請求の範囲第８項
に記載の金属基材の腐蝕抑制法。 １０、基材上に、パラジウム／ニッケル合金の第１層を
電着物の柔軟性を増大し、また多孔性およびヒビ割れの
傾向を抑止するのに十分な厚さにメッキし、次いで上記
第１層の上に金属パラジウム若しくはパラジウム／銀合
金の第２層を電気接点表面として用いられるのに十分な
厚さにメッキすることを特徴とする２層のパラジウム合
金の複合電着物の電気メッキ法。 １１、特許請求の範囲第１０項の方法によって形成され
たことを特徴とする２層のパラジウム合金の複合電着物
。 １２、パラジウム／ニッケル合金層およびパラジウム／
銀合金層から成ることを特徴とする２層のパラジウム合
金の複合電着物。 １３、パラジウム／ニッケル合金層が少なくとも実質的
に１０ミクロインチの厚さを有することを特徴とする特
許請求の範囲第１２項に記載の２層のパラジウム合金の
複合電着物。 １４、パラジウム／銀合金層が実質的に２５〜６０ミク
ロインチの厚さを有することを特徴とする特許請求の範
囲第１２項に記載の２層のパラジウム合金の複合電着物
。 １５、パラジウム／銀合金が実質的に４０ないし８０重
量％のパラジウムで残部が銀から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１２項に記載の２層のパラジウム合金
の複合電着物。 １６、パラジウム／ニッケル合金が実質的に５０ないし
９５重量％のパラジウムで残部がニッケルから成ること
を特徴とする特許請求の範囲第１２項に記載の２層のパ
ラジウム合金の複合電着物。 １７、基材上に、パラジウム／ニッケル合金の第１層を
、その電着物の柔軟性を増大し、かつ多孔性およびヒビ
割れの傾向を抑止するのに十分な厚さにメッキし、次い
で上記第１層の上にパラジウムの第２層を、電気接点表
面として用いられるのに十分な厚さにメッキすることを
特徴とする２層のパラジウム合金の複合電着物を電気メ
ッキする方法。 １８、特許請求の範囲第１７項に記載の方法によって形
成されたことを特徴とする２層のパラジウム合金の複合
電着物。 １９、パラジウム／ニッケル合金層および金属パラジウ
ム層から成ることを特徴とする２層のパラジウム合金の
複合電着物。 ２０、パラジウム／ニッケル合金層が少なくとも実質的
に０．５ミクロインチの厚さを有することを特徴とする
特許請求の範囲第１９項に記載の２層のパラジウム合金
の複合電着物。 ２１、金属パラジウム層が少なくとも実質的に５ミクロ
インチの厚さを有することを特徴とする特許請求の範囲
第１９項に記載の２層のパラジウム合金の複合電着物。 ２２、パラジウム／銀合金が実質的に４０ないし８０重
量％がパラジウムで残部が銀から成ることを特徴とする
特許請求の範囲第１９項に記載の２層のパラジウム合金
の複合電着物。 ２３、パラジウム／ニッケル合金が実質的に５０ないし
９５重量％がパラジウムで残部がニッケルから成ること
を特徴とする特許請求の範囲第１２項に記載の２層のパ
ラジウム合金の複合電着物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US06/774,634 US4628165A (en) | 1985-09-11 | 1985-09-11 | Electrical contacts and methods of making contacts by electrodeposition |
| US774634 | 1985-09-11 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62109993A true JPS62109993A (ja) | 1987-05-21 |
| JPH039198B2 JPH039198B2 (ja) | 1991-02-07 |
Family
ID=25101817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61212880A Granted JPS62109993A (ja) | 1985-09-11 | 1986-09-11 | パラジウムおよびパラジウム合金の複合電着物の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4628165A (ja) |
| EP (1) | EP0214667B1 (ja) |
| JP (1) | JPS62109993A (ja) |
| DE (1) | DE3679617D1 (ja) |
Families Citing this family (23)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3809139A1 (de) * | 1988-03-18 | 1989-09-28 | Lpw Chemie Gmbh | Verwendung einer palladium/nickel-legierungsschicht als zwischenschicht zwischen einem nichtkorrosionsbestaendigen oder wenig korrosionsbestaendigen metallischen grundmaterial und einer nach dem pvd-verfahren aufgebrachten beschichtung |
| NL8900172A (nl) * | 1989-01-25 | 1990-08-16 | Meco Equip Eng | Werkwijze voor het soldeerbaar maken van metalen roosters voor halfgeleiders. |
| JPH0359972A (ja) * | 1989-07-27 | 1991-03-14 | Yazaki Corp | 電気接点 |
| US5024733A (en) * | 1989-08-29 | 1991-06-18 | At&T Bell Laboratories | Palladium alloy electroplating process |
| US4911799A (en) * | 1989-08-29 | 1990-03-27 | At&T Bell Laboratories | Electrodeposition of palladium films |
| DE4243570C1 (de) * | 1992-12-22 | 1994-01-27 | Heraeus Gmbh W C | Elektrischer Kontaktkörper |
| US5728285A (en) * | 1993-12-27 | 1998-03-17 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5650661A (en) * | 1993-12-27 | 1997-07-22 | National Semiconductor Corporation | Protective coating combination for lead frames |
| US5454929A (en) * | 1994-06-16 | 1995-10-03 | National Semiconductor Corporation | Process for preparing solderable integrated circuit lead frames by plating with tin and palladium |
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| US20070097176A1 (en) * | 2005-10-31 | 2007-05-03 | Kenneth Hickey | Orifice plate coated with palladium nickel alloy |
| JP5170864B2 (ja) * | 2006-09-13 | 2013-03-27 | 古河電気工業株式会社 | 接点材用銅基析出型合金板材およびその製造方法 |
| US8652649B2 (en) * | 2009-07-10 | 2014-02-18 | Xtalic Corporation | Coated articles and methods |
| US9719184B2 (en) | 2010-12-28 | 2017-08-01 | Stamford Devices Ltd. | Photodefined aperture plate and method for producing the same |
| US9522409B2 (en) * | 2011-12-21 | 2016-12-20 | Stamford Devices Limited | Aerosol generators |
| EP2607524B1 (en) * | 2011-12-21 | 2014-09-10 | Stamford Devices Limited | Aerosol generators |
| EP3042982A1 (en) * | 2011-12-21 | 2016-07-13 | Stamford Devices Limited | Aerosol generators |
| KR102014088B1 (ko) * | 2012-03-20 | 2019-08-26 | 엘지이노텍 주식회사 | 메모리카드, 메모리 카드용 인쇄회로기판 및 이의 제조 방법 |
| US10512736B2 (en) | 2012-06-11 | 2019-12-24 | Stamford Devices Limited | Aperture plate for a nebulizer |
| JP2014182976A (ja) * | 2013-03-21 | 2014-09-29 | Enplas Corp | 電気接触子及び電気部品用ソケット |
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