JPS62106671A - 太陽電池モジユ−ル - Google Patents
太陽電池モジユ−ルInfo
- Publication number
- JPS62106671A JPS62106671A JP60246334A JP24633485A JPS62106671A JP S62106671 A JPS62106671 A JP S62106671A JP 60246334 A JP60246334 A JP 60246334A JP 24633485 A JP24633485 A JP 24633485A JP S62106671 A JPS62106671 A JP S62106671A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solar battery
- capacitor
- solar cell
- transparent
- type silicon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
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Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
［発明の技術分野］
この発明は小型′１ｖ子式計算機、電子時計等に代表さ
れる低消費゛重力型の電子機器に用いられる太陽′Ｉｋ
池モジュールに関する。
れる低消費゛重力型の電子機器に用いられる太陽′Ｉｋ
池モジュールに関する。
［従来技術とその問題点］
太陽′電池は酸化銀電池等の通常１ヒ池とは異なり、受
光する光の強度に応じてその起電力が変化する電池であ
るため、太陽′電池を電源とする電ｒ機器の電源回路は
第２図に示すような構成となっている。即ち、太陽電池
ｌの起゛市力により充′市されるコンデンサ２を逆流防
１１−川のダイオード３を介して太陽’ｌｔｊ、池１に
並列接続し、更に過充′＋ｂ： ｖｊ ＋Ｌ川のスイッ
チングトランジスタ４を太陽電池ｌに並列接続する構成
である。この電源回路を構成している素−ｒのうち、タ
イオート３とスイッチングトランジスタ４は’、［−ａ
器のロジンク部とともに集積回路として構成できるが、
コンデンサ２は通常０．０１ルＦ以りの大きな容ｊ１１
を必要とするため、太陽′電池ｌと同様外付は部品とし
て構成せざるを得なかった。
光する光の強度に応じてその起電力が変化する電池であ
るため、太陽′電池を電源とする電ｒ機器の電源回路は
第２図に示すような構成となっている。即ち、太陽電池
ｌの起゛市力により充′市されるコンデンサ２を逆流防
１１−川のダイオード３を介して太陽’ｌｔｊ、池１に
並列接続し、更に過充′＋ｂ： ｖｊ ＋Ｌ川のスイッ
チングトランジスタ４を太陽電池ｌに並列接続する構成
である。この電源回路を構成している素−ｒのうち、タ
イオート３とスイッチングトランジスタ４は’、［−ａ
器のロジンク部とともに集積回路として構成できるが、
コンデンサ２は通常０．０１ルＦ以りの大きな容ｊ１１
を必要とするため、太陽′電池ｌと同様外付は部品とし
て構成せざるを得なかった。
然し乍ら、従来の太陽電池モジュールは太陽゛電池のみ
をモジュール化したものである為、＋、１２源回路出回
路部は部品としては太陽′上池モジュールとコンデンサ
とがあり、部品点数の削減、組み＼″ｆて作業の簡素化
が充分図られていなかった。
をモジュール化したものである為、＋、１２源回路出回
路部は部品としては太陽′上池モジュールとコンデンサ
とがあり、部品点数の削減、組み＼″ｆて作業の簡素化
が充分図られていなかった。
［発明の目的コ
この発明は１．記のような°１■情を考１市してなされ
たもので、その目的とするところは、部品点数が少なく
、組みケで作業の簡素化を図ることができる太陽電池モ
ジュールを提供することにある。
たもので、その目的とするところは、部品点数が少なく
、組みケで作業の簡素化を図ることができる太陽電池モ
ジュールを提供することにある。
［発明の要点コ
この発明は］−記のようなＩＩ的を達成するために、基
板上に太陽電池とコンデンサとを積層するようにしたも
のである。
板上に太陽電池とコンデンサとを積層するようにしたも
のである。
［実施例コ
以下、第１図を参照して、この発明の一実施例を説明す
る。
る。
第１図は太陽電池モジュールの要部拡大断面図であり、
図中１はガラス等の透明基板である。この透明）、（板
ｉｔの内側ｉｔ （図では上面）には所定箇所に透明電
極１２・・・が形成されている。この透明電極１２は例
えば酸化インジウム（Ｉｎ２０３であり、以−ドＩＴＯ
と略称する。）からなるもので、約１パスカルの真空度
中で酸−ｋを導入しながらインジウム（Ｉｎ）を抵抗加
熱法でノ＾発させることにより７００オングストロ一ム
程度の厚さのＩＴＯを透明ノ、（板１１に）入着させ、
その後エツチング処ＰＩＩすることにより形成される。
図中１はガラス等の透明基板である。この透明）、（板
ｉｔの内側ｉｔ （図では上面）には所定箇所に透明電
極１２・・・が形成されている。この透明電極１２は例
えば酸化インジウム（Ｉｎ２０３であり、以−ドＩＴＯ
と略称する。）からなるもので、約１パスカルの真空度
中で酸−ｋを導入しながらインジウム（Ｉｎ）を抵抗加
熱法でノ＾発させることにより７００オングストロ一ム
程度の厚さのＩＴＯを透明ノ、（板１１に）入着させ、
その後エツチング処ＰＩＩすることにより形成される。
このようにして形成された透ＩＪＩ ’Ｉｆｆ極１２・
・−のＬ而にはその各一部（各左端の端子部１２ａ・・
・）を除いて、Ｐ形シリコン層１３φ・・がプラズマＣ
ＶＤ法により形成されている。ｐ形シリコン層１３４１
Ｂ（ポロン）を含むアモルファスΦシリコンであり、プ
ラズマＣＶＤ法によって５００オングストロ一ム程度の
厚さで形成されている。
・−のＬ而にはその各一部（各左端の端子部１２ａ・・
・）を除いて、Ｐ形シリコン層１３φ・・がプラズマＣ
ＶＤ法により形成されている。ｐ形シリコン層１３４１
Ｂ（ポロン）を含むアモルファスΦシリコンであり、プ
ラズマＣＶＤ法によって５００オングストロ一ム程度の
厚さで形成されている。
このｐ形シリコン層１３・拳・の上面には不純物を含ま
ないｉ形シリコン層１４・ψφがプラズマＣＶＤ法によ
り５０００オングストロ一ム程度の厚さで形成されてお
り、このｉ形シリコン層工４・・・の−１−面にはＰ（
す／）を含むｎ形シリコン層１５・・―がプラズマＣＶ
Ｄ法により５００オングストロ一ム程度の厚さで形成さ
れている。
ないｉ形シリコン層１４・ψφがプラズマＣＶＤ法によ
り５０００オングストロ一ム程度の厚さで形成されてお
り、このｉ形シリコン層工４・・・の−１−面にはＰ（
す／）を含むｎ形シリコン層１５・・―がプラズマＣＶ
Ｄ法により５００オングストロ一ム程度の厚さで形成さ
れている。
さらに、ｎ形シリコン層１５・―・の−Ｌ而にはアルミ
（ＡＩ）等からなる背面電極１６−・ψが真空ノヘ着法
によりＩｇｍ程度の厚さで形成されている。この背面′
電極１６・・拳はｎ形シリコン層１５・・・の上面から
隣接する透ＩＩ電極１２・・・の各端ｒ一部１２ａφ・
・上に任って形成され、隣接する透明゛電極１２・・・
と電気的に接続されている。これにより、各画ＩＩ 電
極１２．ｐ形シリコン層１３．ｌ形シリコン層１４．ｎ
形シリコン層１５および背面電極１６からなる複数（図
示例では２個）の太陽゛−１池セルが直列に接続され、
これら複数の太陽電池セルで１つの大起゛市力太陽′心
地１７を透明基板１１．１１に構成している。この太陽
電池１７は透【Ｊ１基板１１の一ド側から光が照射する
と、起’ｌ［ｆ力を発生する。
（ＡＩ）等からなる背面電極１６−・ψが真空ノヘ着法
によりＩｇｍ程度の厚さで形成されている。この背面′
電極１６・・拳はｎ形シリコン層１５・・・の上面から
隣接する透ＩＩ電極１２・・・の各端ｒ一部１２ａφ・
・上に任って形成され、隣接する透明゛電極１２・・・
と電気的に接続されている。これにより、各画ＩＩ 電
極１２．ｐ形シリコン層１３．ｌ形シリコン層１４．ｎ
形シリコン層１５および背面電極１６からなる複数（図
示例では２個）の太陽゛−１池セルが直列に接続され、
これら複数の太陽電池セルで１つの大起゛市力太陽′心
地１７を透明基板１１．１１に構成している。この太陽
電池１７は透【Ｊ１基板１１の一ド側から光が照射する
と、起’ｌ［ｆ力を発生する。
この太陽電池１７の上面には絶縁層１８が５０００オ／
ゲストロ一ム程度の厚さで形成されているが、太陽電池
１７の両極、つまり透明電極１２・・・のいずれか１つ
（図では左端）の透明゛電極１２と、背面電極１６・ｏ
ｓのいずれか１つ（図では右端）の背面゛電極１６との
各端子部１？ａ１．１６ａ１は外部に露出している。
ゲストロ一ム程度の厚さで形成されているが、太陽電池
１７の両極、つまり透明電極１２・・・のいずれか１つ
（図では左端）の透明゛電極１２と、背面電極１６・ｏ
ｓのいずれか１つ（図では右端）の背面゛電極１６との
各端子部１？ａ１．１６ａ１は外部に露出している。
そして、絶縁層１８の上ｌＩ′ｌｊにはアルミ（ＡＩ）
等の金属′電極１９が真空ノ入γｉ法によりｌ用ｍ程度
の１’／さで形成されている。この場合、金属゛電極１
９はその一部が外部に露出した透明電極１２の嬬ｒ部１
２ａ＋ トにも設けられ、これにより太陽電池＋７と
′電気的に接続されている。また、この金属電極１９の
１叫（ｉにはチタン酸バリウム等からなる＋Ｌ４′市体
層２０を高周波スパッタ法により２００オングストロ一
ム程度の厚さで形成されており、ざらに、この誘電体層
２０の１−面にはアルミ（ＡＩ） 等の金属電極２１が
真空蒸着法によりｌルｍ程度のｊソさで形成されている
。このように絶縁層１８Ｆ−に１叫次積層形成された金
属゛上極１９１．Ａ重体層２０′８よび・、〉属′市極
２１はコンデンサ２２を構成するもので、コンデンサ２
２は太陽′上池１７上に構成される。
等の金属′電極１９が真空ノ入γｉ法によりｌ用ｍ程度
の１’／さで形成されている。この場合、金属゛電極１
９はその一部が外部に露出した透明電極１２の嬬ｒ部１
２ａ＋ トにも設けられ、これにより太陽電池＋７と
′電気的に接続されている。また、この金属電極１９の
１叫（ｉにはチタン酸バリウム等からなる＋Ｌ４′市体
層２０を高周波スパッタ法により２００オングストロ一
ム程度の厚さで形成されており、ざらに、この誘電体層
２０の１−面にはアルミ（ＡＩ） 等の金属電極２１が
真空蒸着法によりｌルｍ程度のｊソさで形成されている
。このように絶縁層１８Ｆ−に１叫次積層形成された金
属゛上極１９１．Ａ重体層２０′８よび・、〉属′市極
２１はコンデンサ２２を構成するもので、コンデンサ２
２は太陽′上池１７上に構成される。
なお、このようなコンデンサ２２および太陽′電池１７
は絶縁性の保１．へ層２３によって覆われているが、透
明′電極１２の端子部１２ａ１ に接続されたコンデン
サ２２の金属電極１９の一部、および太陽−に池１７の
背面電極１６の端子一部１６ａ１は保護層２３で覆われ
ることなく外部に露出していると共に、コンデンサ２２
の最−Ｌ部の金属電極２１はその一部（図示せず）が保
護層２３の外部へ導出されている。
は絶縁性の保１．へ層２３によって覆われているが、透
明′電極１２の端子部１２ａ１ に接続されたコンデン
サ２２の金属電極１９の一部、および太陽−に池１７の
背面電極１６の端子一部１６ａ１は保護層２３で覆われ
ることなく外部に露出していると共に、コンデンサ２２
の最−Ｌ部の金属電極２１はその一部（図示せず）が保
護層２３の外部へ導出されている。
に記構成の太陽電池モジュールによれば、透明基板１１
−にに太陽電池１７とコンデンサ２２とを積層したので
、従来のような外付は部品としてのコンデンサが不要と
なり、部品点数が少なくなり、組み立て作業の簡素化を
図ることができる。
−にに太陽電池１７とコンデンサ２２とを積層したので
、従来のような外付は部品としてのコンデンサが不要と
なり、部品点数が少なくなり、組み立て作業の簡素化を
図ることができる。
特に、太陽電池１７およびコンデンサ２２は薄いので、
これらを積層しても、全体の厚され僅かなものであり、
薄型化および小型化がｉｉｆ ｉｔである。
これらを積層しても、全体の厚され僅かなものであり、
薄型化および小型化がｉｉｆ ｉｔである。
さらに、に記のような太陽電池モジュールは、透明基板
１１に順次太陽電池１７に必要な各層、およびコンデン
サ２２に必要な各層を形成するたけなので、その製作が
容易にできる。
１１に順次太陽電池１７に必要な各層、およびコンデン
サ２２に必要な各層を形成するたけなので、その製作が
容易にできる。
なお、上述した実施例では、基板を透明基板とし、基板
側に太陽電池を形成したが、基板側にコンデンサを形成
し、その上に太陽電池を形成しても良い、この場合、上
述した実施例とは逆の順次、即ちコンデンサ２２の金属
電極２１側から順次積層形成し、太陽電池１７の透明゛
電極１２を形＋＆した後にこれらを肢ｒＯする保１．刈
層２３を透明なもので構成すれば良い。
側に太陽電池を形成したが、基板側にコンデンサを形成
し、その上に太陽電池を形成しても良い、この場合、上
述した実施例とは逆の順次、即ちコンデンサ２２の金属
電極２１側から順次積層形成し、太陽電池１７の透明゛
電極１２を形＋＆した後にこれらを肢ｒＯする保１．刈
層２３を透明なもので構成すれば良い。
［発１９１の効果］
塩ｌ−説明したように、この発１！ＩＩの太陽電池モジ
ュールによれば、基板トに太陽゛電池とコンデンサとを
積層するようにしたので、部品点数が少なく、組み☆二
で作業の簡素化を図ることができる。
ュールによれば、基板トに太陽゛電池とコンデンサとを
積層するようにしたので、部品点数が少なく、組み☆二
で作業の簡素化を図ることができる。
第１図はこの発明の一部でに例を示す要部拡大断面図、
第２図は太陽１！Ｌ池を′電源とする電子機器の電源回
路の一例を、Ｊ（す図である。 １１・・・・・・透明基板、１２・・・・・・透ＩＩ電
極、１３・・・・・・Ｐ形シリコン層、１４・・・・・
・ｉ形シリコン層、１５・・・・・・ｎ形シリコン層、
１６・・・・・・背面′ｌ［極、１７・・・・・・太陽
電池、１８・・・・・・絶縁層、１９．２１・・・・・
・金属′電極、２０・・・・・・誘電体層、２２・・・
・・・コンデンサ。
第２図は太陽１！Ｌ池を′電源とする電子機器の電源回
路の一例を、Ｊ（す図である。 １１・・・・・・透明基板、１２・・・・・・透ＩＩ電
極、１３・・・・・・Ｐ形シリコン層、１４・・・・・
・ｉ形シリコン層、１５・・・・・・ｎ形シリコン層、
１６・・・・・・背面′ｌ［極、１７・・・・・・太陽
電池、１８・・・・・・絶縁層、１９．２１・・・・・
・金属′電極、２０・・・・・・誘電体層、２２・・・
・・・コンデンサ。
Claims (1)
- 基板上に太陽電池とコンデンサとを積層してなる太陽電
池モジュール。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246334A JPS62106671A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 太陽電池モジユ−ル |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60246334A JPS62106671A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 太陽電池モジユ−ル |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62106671A true JPS62106671A (ja) | 1987-05-18 |
Family
ID=17147017
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60246334A Pending JPS62106671A (ja) | 1985-11-05 | 1985-11-05 | 太陽電池モジユ−ル |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62106671A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083800A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-09 | Mark Banister | Photovoltaic/solar safety and marker tape |
| GB2453606A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Western Lights Semiconductor Corp | Solar power source |
| WO2010088725A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | Applied Hybrid Energy Pty Ltd | A module for a solar array |
-
1985
- 1985-11-05 JP JP60246334A patent/JPS62106671A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005083800A1 (en) * | 2004-02-24 | 2005-09-09 | Mark Banister | Photovoltaic/solar safety and marker tape |
| GB2453606A (en) * | 2007-10-11 | 2009-04-15 | Western Lights Semiconductor Corp | Solar power source |
| JP2009094462A (ja) * | 2007-10-11 | 2009-04-30 | Northern Lights Semiconductor Corp | 太陽光電源装置およびその製造方法 |
| GB2453606B (en) * | 2007-10-11 | 2009-09-02 | Western Lights Semiconductor C | Solar power source |
| WO2010088725A1 (en) * | 2009-02-04 | 2010-08-12 | Applied Hybrid Energy Pty Ltd | A module for a solar array |
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