JPS6210645A - ポジ型フオトレジスト組成物 - Google Patents
ポジ型フオトレジスト組成物Info
- Publication number
- JPS6210645A JPS6210645A JP14932785A JP14932785A JPS6210645A JP S6210645 A JPS6210645 A JP S6210645A JP 14932785 A JP14932785 A JP 14932785A JP 14932785 A JP14932785 A JP 14932785A JP S6210645 A JPS6210645 A JP S6210645A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin
- photoresist composition
- phenol
- alkali
- positive type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/004—Photosensitive materials
- G03F7/022—Quinonediazides
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Non-Silver Salt Photosensitive Materials And Non-Silver Salt Photography (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、集積回路などの製造工程における微細／Ｑタ
ーン形成に適する。１′？ジ型フォトレジスト組成物に
関する。
ーン形成に適する。１′？ジ型フォトレジスト組成物に
関する。
ポジ型フォトレジストは、一般的に、ネガ型フォトレジ
ストに比べ解像力が著しくすぐれている。この高解像力
を生かして、ＩＣやＬＳＩなどの集積回路製作を行なう
ときのフォトリングラフイープロセスにおけるエツチン
グマスクとして利用される。近年、ポジ型フォトレジス
トの電子工業への利用範囲が広くなるとともに、ポジ型
フォトレジストの解像度、感度の向上が一層要求される
ようになってきた。しかしながら、従来の、＋？ポジ型
フォトレジスト、ネガ型フォトレジストに比べて感度が
低く、その結果、露光時間が長くなるため、単位時間当
りのウェハー処理量の面で解決すべき問題が存在してい
る。
ストに比べ解像力が著しくすぐれている。この高解像力
を生かして、ＩＣやＬＳＩなどの集積回路製作を行なう
ときのフォトリングラフイープロセスにおけるエツチン
グマスクとして利用される。近年、ポジ型フォトレジス
トの電子工業への利用範囲が広くなるとともに、ポジ型
フォトレジストの解像度、感度の向上が一層要求される
ようになってきた。しかしながら、従来の、＋？ポジ型
フォトレジスト、ネガ型フォトレジストに比べて感度が
低く、その結果、露光時間が長くなるため、単位時間当
りのウェハー処理量の面で解決すべき問題が存在してい
る。
これまで、ポジ型フォトレジスト組成物として、Ｏ−キ
ノンジアジドスルホニルクロライドとアルカリ可溶性フ
ェノールノボラック樹脂との縮合物、すなわち、０−キ
ノンジアジドスルホン酸ノボラック樹脂エステルとアル
カリ可溶性フェノール樹脂との混合物が広く用いられて
いるが、かかる０−キノンジアジドスルホン酸ノボラッ
ク樹脂エステルとアルカリ可溶性フェノール樹脂との混
合物を使用する場合において、０−キノンジアジドスル
ホン酸ノボラック樹脂エステルの量を少なくすれば、感
度は、上昇するが、現像時の未露光部分の膜減りが大き
くなり、その結果、レジスト／ｅターンのコントラスト
が悪くなるので実用的とは言えないものであった。
ノンジアジドスルホニルクロライドとアルカリ可溶性フ
ェノールノボラック樹脂との縮合物、すなわち、０−キ
ノンジアジドスルホン酸ノボラック樹脂エステルとアル
カリ可溶性フェノール樹脂との混合物が広く用いられて
いるが、かかる０−キノンジアジドスルホン酸ノボラッ
ク樹脂エステルとアルカリ可溶性フェノール樹脂との混
合物を使用する場合において、０−キノンジアジドスル
ホン酸ノボラック樹脂エステルの量を少なくすれば、感
度は、上昇するが、現像時の未露光部分の膜減りが大き
くなり、その結果、レジスト／ｅターンのコントラスト
が悪くなるので実用的とは言えないものであった。
一方、未露光部分の膜減りを防ぎレジストノξり・−ン
のコントラストを高める方法としては、アルカリ不溶性
の又は、アルカリ難溶性のフェノール樹脂又はフェノー
ル化合物と０−キノンジアジドスルホニルクロライドと
の縮合物を感光剤として用いる方法があるが、この場合
には、現像時の露光部分の溶解速度が遅くなシ、露光時
間あるいは、現像時間を長くしたりしなければならず、
すなわち、感度の低下が免れないという欠点がある。
のコントラストを高める方法としては、アルカリ不溶性
の又は、アルカリ難溶性のフェノール樹脂又はフェノー
ル化合物と０−キノンジアジドスルホニルクロライドと
の縮合物を感光剤として用いる方法があるが、この場合
には、現像時の露光部分の溶解速度が遅くなシ、露光時
間あるいは、現像時間を長くしたりしなければならず、
すなわち、感度の低下が免れないという欠点がある。
まだ、未露光部分の膜減りを少なくし、レジストの感度
を上げる方法として、０−キノンジアジドスルホン酸ノ
ボラック樹脂エステルのエステル化度を高くする方法が
あるが、０−キノンジアジドスルホン酸ノボラック樹脂
エステルは、エステル化度の上昇とともに、通常の有機
溶剤に溶けにくくなるので、０−キノンジアジドスルホ
ン酸ノボラック樹脂エステルのエステル化度を高くする
ことによシレジストの感度を高めるという方法には、限
界がある。
を上げる方法として、０−キノンジアジドスルホン酸ノ
ボラック樹脂エステルのエステル化度を高くする方法が
あるが、０−キノンジアジドスルホン酸ノボラック樹脂
エステルは、エステル化度の上昇とともに、通常の有機
溶剤に溶けにくくなるので、０−キノンジアジドスルホ
ン酸ノボラック樹脂エステルのエステル化度を高くする
ことによシレジストの感度を高めるという方法には、限
界がある。
本発明は、これら、従来技術におけるポジ型フォトレジ
ストの欠点を改良し、高感度でかつ現像時の未露光部分
の膜減りも少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供す
ることを目的とす 。
ストの欠点を改良し、高感度でかつ現像時の未露光部分
の膜減りも少ないポジ型フォトレジスト組成物を提供す
ることを目的とす 。
るものである。
さらに具体的に言えば、本発明は、アルカリ可溶性フェ
ノール樹脂をベースレジンとし、光分解性化合物として
、一般式 ％式％ （式中、Ｒは水素又は、水酸基である。）で表わされる
フェノール化合物と０−キノンジアジドスルホニルクロ
ライドとの縮合物を含有せしめたことを特徴とする新規
なポジ型フォトレジスト組成物を提供するものである。
ノール樹脂をベースレジンとし、光分解性化合物として
、一般式 ％式％ （式中、Ｒは水素又は、水酸基である。）で表わされる
フェノール化合物と０−キノンジアジドスルホニルクロ
ライドとの縮合物を含有せしめたことを特徴とする新規
なポジ型フォトレジスト組成物を提供するものである。
本発明に用いられる上記の光分解性化合物は、０−キノ
ンジアジドスルホニルクロライドと前記一般式で表わさ
れるフェノール化合物とをジオキサン中でピリジン、テ
トラメチルグアニジンなどのアルカリを触媒として縮合
させることによシ得られるものであるが、このものは、
本発明者らに創製された新規物質である。
ンジアジドスルホニルクロライドと前記一般式で表わさ
れるフェノール化合物とをジオキサン中でピリジン、テ
トラメチルグアニジンなどのアルカリを触媒として縮合
させることによシ得られるものであるが、このものは、
本発明者らに創製された新規物質である。
前記のフェノール化合物としては、１，３−ビスＣ２−
（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン
、■、３−ビスＣ２−（２，４−ジヒドロキシフェニル
）−２−プロピル〕ベンゼン、１，４−ビス［２−（４
−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン、１
，４−ヒスＣ２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−
２−プロピル〕ベンゼン、１，２−ビス［２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、１．２
−ビスＣ２−（２，４−：）ヒドロキシフェニル）−２
−、’ロピル〕ベンゼンカ、アケラれる。
（４−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン
、■、３−ビスＣ２−（２，４−ジヒドロキシフェニル
）−２−プロピル〕ベンゼン、１，４−ビス［２−（４
−ヒドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン、１
，４−ヒスＣ２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）−
２−プロピル〕ベンゼン、１，２−ビス［２−（４−ヒ
ドロキシフェニル）−２−プロピル］ベンゼン、１．２
−ビスＣ２−（２，４−：）ヒドロキシフェニル）−２
−、’ロピル〕ベンゼンカ、アケラれる。
ベースレジンに用いられるアルカリ可溶性フェノール樹
脂トしては、フェノールホルムアル、デヒドノボラック
樹脂、３，５−キシレノールホルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂、ポリヒドロキシスチレンなどが、あげられる。
脂トしては、フェノールホルムアル、デヒドノボラック
樹脂、３，５−キシレノールホルムアルデヒドノボラッ
ク樹脂、ポリヒドロキシスチレンなどが、あげられる。
本発明の組成物において使用される、前記の新規な光分
解性化合物とベースレジンとの使用割合は、通常、重量
比１：２〜１：５の１囲であるが、好ましくは、１：３
〜ｌ：４である。
解性化合物とベースレジンとの使用割合は、通常、重量
比１：２〜１：５の１囲であるが、好ましくは、１：３
〜ｌ：４である。
本発明のフォトレジスト組成物において、用いられる溶
剤の例としては、メチルセロンルプ、エチルセロソルブ
、：）メチルホルムアミド、ジオキサン、シクロヘキサ
ノン、シクロＲンタノン、酢酸セロソルブ、酢酸メチル
セロソルブなどがあり、これらは単独で、または、混合
物として使用される。また、本発明のフォトレジスト組
成物には、前記以外の必須成分に加えて、この種の組成
物に用いられる染料、安定剤、界面活性剤、増感剤など
の種々の添加剤を含有させることができる。
剤の例としては、メチルセロンルプ、エチルセロソルブ
、：）メチルホルムアミド、ジオキサン、シクロヘキサ
ノン、シクロＲンタノン、酢酸セロソルブ、酢酸メチル
セロソルブなどがあり、これらは単独で、または、混合
物として使用される。また、本発明のフォトレジスト組
成物には、前記以外の必須成分に加えて、この種の組成
物に用いられる染料、安定剤、界面活性剤、増感剤など
の種々の添加剤を含有させることができる。
本発明のフォトレレスト組成物の好適な使用方法の一例
を示す。例えば、シリコンウェハーのような支持体上に
、本発明の組成物をスピン・コーター等によって塗布し
、これをプレベークにより、脱溶剤して乾燥させレジス
ト膜を形成させる。次いで紫外線を発光する光源、例え
ば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水釧灯、アーク灯
、キセノンランプなどを用い、所要のマスク・Ｑターン
を介して露光する。次に、これを現像液、例えば、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキシド、コリンの水溶
液などのアルカリ水溶液に浸すと露光によって可溶性化
した部分が選択的に溶解除去されて、マスクツ♀ターン
に忠実なポジ型の画像が得られる。
を示す。例えば、シリコンウェハーのような支持体上に
、本発明の組成物をスピン・コーター等によって塗布し
、これをプレベークにより、脱溶剤して乾燥させレジス
ト膜を形成させる。次いで紫外線を発光する光源、例え
ば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水釧灯、アーク灯
、キセノンランプなどを用い、所要のマスク・Ｑターン
を介して露光する。次に、これを現像液、例えば、テト
ラメチルアンモニウムハイドロオキシド、コリンの水溶
液などのアルカリ水溶液に浸すと露光によって可溶性化
した部分が選択的に溶解除去されて、マスクツ♀ターン
に忠実なポジ型の画像が得られる。
本発明によシ、高感度でかつ現像時の未露光部分の膜減
りも少ない優れだポジ型フォトレジスト組成物が提供さ
れるが、本発明の組成物は、高感度かつ高解像度のポジ
型フォトレジスト組成物であるのでＩＣ，ＬＳＩなどの
製造の用途に用いられ、その有用性は著しく大きい。
りも少ない優れだポジ型フォトレジスト組成物が提供さ
れるが、本発明の組成物は、高感度かつ高解像度のポジ
型フォトレジスト組成物であるのでＩＣ，ＬＳＩなどの
製造の用途に用いられ、その有用性は著しく大きい。
以下に、本発明の組成物において使用される新規な光分
解性化合物の合成例ならびに本発明の実施例を掲げる。
解性化合物の合成例ならびに本発明の実施例を掲げる。
合成例１
１．３−ビスＣ２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−
プロピル〕ベンゼンと０−ナフトキノンジアジドスルホ
ニルクロライドとの縮合物の合成 １．３−ビスＣ２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−
プロピル〕ベンゼン（住友化学工業製ビスフェノールＤ
ＫＡ ） １５ ｒとＯ−ナフトキノンジアジドスルホ
ニルクロライド２６２をジオキサン１７０＋＋ｔ／中へ
入れ、加熱攪拌溶解し、反応液温４０℃でピリジ７２８
ｍｌをゆつくりと滴下する。ピリジン滴下後、（２）
℃で４時間反応させる。反応終了後、反応液を、５０
ｒｕｇの塩酸と１５００ｍｇの水からなる析出液中へ入
れ析出させる。次いで析出物を濾過分離し、充分に水洗
し、減圧下に乾燥すると粗製の固形物質が得られる。
プロピル〕ベンゼンと０−ナフトキノンジアジドスルホ
ニルクロライドとの縮合物の合成 １．３−ビスＣ２−（４−ヒドロキシフェニル）−２−
プロピル〕ベンゼン（住友化学工業製ビスフェノールＤ
ＫＡ ） １５ ｒとＯ−ナフトキノンジアジドスルホ
ニルクロライド２６２をジオキサン１７０＋＋ｔ／中へ
入れ、加熱攪拌溶解し、反応液温４０℃でピリジ７２８
ｍｌをゆつくりと滴下する。ピリジン滴下後、（２）
℃で４時間反応させる。反応終了後、反応液を、５０
ｒｕｇの塩酸と１５００ｍｇの水からなる析出液中へ入
れ析出させる。次いで析出物を濾過分離し、充分に水洗
し、減圧下に乾燥すると粗製の固形物質が得られる。
この粗製物質をメチルセロンルブに溶解し、濾過しだ後
、大過剰の水の中に入れ、再析出させ、析出物を濾過分
離し、充分に水洗する。さらに水洗後、析出物をメタノ
ール中に入れ、Ｉ分間攪拌洗浄したのち、濾過分離し、
減圧下に乾燥すると、淡黄色の粉体が得られる。このも
のを工Ｒ，ＵＶ、１ＨＮＭＲで分析すると標記物質であ
ることが確認された。
、大過剰の水の中に入れ、再析出させ、析出物を濾過分
離し、充分に水洗する。さらに水洗後、析出物をメタノ
ール中に入れ、Ｉ分間攪拌洗浄したのち、濾過分離し、
減圧下に乾燥すると、淡黄色の粉体が得られる。このも
のを工Ｒ，ＵＶ、１ＨＮＭＲで分析すると標記物質であ
ることが確認された。
合成例２
１．３−ビス（２−（２，４−ジヒドロキシフェニル）
−２−プロピル〕ベンゼンと０−ナフトキノンジアジド
スルホニルクロライドとの縮合物の合成 １．３−ビス［： ２− （２，４−ジヒドロキシフェ
ニル）−２−プロピル〕ベンゼン（住友化学工業製ビス
レゾルシノールＤＫＡ ） １５ Ｐと０−ナフトキノ
ンジアジドスルホニルクロライド４７２をジオキサン１
５０ｍＡ’中へ入れ、攪拌溶解し、反応液温５〜３０℃
でテトラメチルグアニジン２４ ｒｕｇをゆっくり滴下
する。テトラメチルグアニジン滴下後、５〜３０℃で１
時間反応させる。反応終了後、反応液を過剰の水中へ入
れ析出させる。次いで析出物をｒ過分離し、充分に水洗
後メタノール洗浄し、減圧下に乾燥すると粗製の固形物
質が得られる。この粗製物質を酢酸セロソルブに溶解し
、濾過した後、過剰のメタノール中に入れ、再析出させ
て精製すると淡黄色の粉体が得られた。このものを工Ｒ
，ＵＶ、”ＨＮＭＲで分析した結果、標記物質であるこ
とが確認された。
−２−プロピル〕ベンゼンと０−ナフトキノンジアジド
スルホニルクロライドとの縮合物の合成 １．３−ビス［： ２− （２，４−ジヒドロキシフェ
ニル）−２−プロピル〕ベンゼン（住友化学工業製ビス
レゾルシノールＤＫＡ ） １５ Ｐと０−ナフトキノ
ンジアジドスルホニルクロライド４７２をジオキサン１
５０ｍＡ’中へ入れ、攪拌溶解し、反応液温５〜３０℃
でテトラメチルグアニジン２４ ｒｕｇをゆっくり滴下
する。テトラメチルグアニジン滴下後、５〜３０℃で１
時間反応させる。反応終了後、反応液を過剰の水中へ入
れ析出させる。次いで析出物をｒ過分離し、充分に水洗
後メタノール洗浄し、減圧下に乾燥すると粗製の固形物
質が得られる。この粗製物質を酢酸セロソルブに溶解し
、濾過した後、過剰のメタノール中に入れ、再析出させ
て精製すると淡黄色の粉体が得られた。このものを工Ｒ
，ＵＶ、”ＨＮＭＲで分析した結果、標記物質であるこ
とが確認された。
実施例１
合成例１で得られた１、３−ビスｒ２−（４−ヒドロキ
シフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン°と０−ナフト
キノンジアジドスルホニルクロライドとの縮合物５ｆと
ｍ−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂１５り
を酢酸メチルセロンルプ４５１に溶解し、濾過して組成
物を調製した。
シフェニル）−２−プロピル〕ベンゼン°と０−ナフト
キノンジアジドスルホニルクロライドとの縮合物５ｆと
ｍ−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂１５り
を酢酸メチルセロンルプ４５１に溶解し、濾過して組成
物を調製した。
このようにして調製した組成物を常法により、前処理を
施したＳｉＯ２／ｓ１ウェハーに対し、１．５μｍの膜
厚にスピンコーティングし、９０℃で１ｏ分間、クリー
ンオーブン中でプレベークを行ない、その後、ＰＬＡ−
５０１Ｆ （キャノン社製）で露光した。露光後、ＴＭ
Ｋ、 （関東化学制） ３．１ ％で３０℃、（９）秒
間現像し、充分に水洗を行ない、１２０℃で１０分間ホ
ットプレート上でポストベークした後ＮＨ，Ｆ＋ＨＦ
（６： １ ）で５１ｏ２を−＋１−７ ｆ ｙ ｆし
た。その結果、寸法精度のすぐれたエツチング／ξター
ンが得られた。
施したＳｉＯ２／ｓ１ウェハーに対し、１．５μｍの膜
厚にスピンコーティングし、９０℃で１ｏ分間、クリー
ンオーブン中でプレベークを行ない、その後、ＰＬＡ−
５０１Ｆ （キャノン社製）で露光した。露光後、ＴＭ
Ｋ、 （関東化学制） ３．１ ％で３０℃、（９）秒
間現像し、充分に水洗を行ない、１２０℃で１０分間ホ
ットプレート上でポストベークした後ＮＨ，Ｆ＋ＨＦ
（６： １ ）で５１ｏ２を−＋１−７ ｆ ｙ ｆし
た。その結果、寸法精度のすぐれたエツチング／ξター
ンが得られた。
実施例２
合成例２で得られた１、３−ビス［２−（２，４−ジヒ
ドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼンとＯ−ナ
フトキノンジアジドスルホニルクロライドとの縮合物５
ｆとｍ−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂１
５２を酢酸メチルセロンルブ４５ ｆに溶解し、ｒ過し
て組成物を調製した。
ドロキシフェニル）−２−プロピル〕ベンゼンとＯ−ナ
フトキノンジアジドスルホニルクロライドとの縮合物５
ｆとｍ−クレゾールホルムアルデヒドノボラック樹脂１
５２を酢酸メチルセロンルブ４５ ｆに溶解し、ｒ過し
て組成物を調製した。
このようにして調製した組成物を常法により前処理した
８１０２１Ｓｉウエハーに対し、１．５μｍの膜厚にス
ピンコーティングし、（ト）℃で１０分間、クリーンオ
ープン中でプレベークを行ない、その後、ＰＬＡ−５０
１Ｆ （キャノン社製）で露光した。
８１０２１Ｓｉウエハーに対し、１．５μｍの膜厚にス
ピンコーティングし、（ト）℃で１０分間、クリーンオ
ープン中でプレベークを行ない、その後、ＰＬＡ−５０
１Ｆ （キャノン社製）で露光した。
露光後、ＴＭＫ −１２（関東化学制）で３０℃で（９
）秒間現像し、充分に水洗を行ない１２０℃で１０分間
ホットプレート上でポストベークした後、ＮＨ，Ｆ＋Ｈ
Ｆ（６：１）で８１０２をエツチングした。その結果、
寸法精度のすぐれたエツチング・ぐターンが得られた。
）秒間現像し、充分に水洗を行ない１２０℃で１０分間
ホットプレート上でポストベークした後、ＮＨ，Ｆ＋Ｈ
Ｆ（６：１）で８１０２をエツチングした。その結果、
寸法精度のすぐれたエツチング・ぐターンが得られた。
本実施例の組成物を市販品Ａと対比するため両者につい
て、次の条件でテストを行ない残膜特性曲線を作成した
。
て、次の条件でテストを行ない残膜特性曲線を作成した
。
（テスト条件）
基 板： ５ｉｎ２／Ｓｉウエハー 膜 厚：１．５
μｍプレベーク＝９０℃、１０分（クリーンオープン中
）現像温度：３０°Ｃ現像時間：３０秒、 現像液：Ｔ
ＭＫ−１２（関東化学制）
μｍプレベーク＝９０℃、１０分（クリーンオープン中
）現像温度：３０°Ｃ現像時間：３０秒、 現像液：Ｔ
ＭＫ−１２（関東化学制）
第１図は、実施例２で得られた残膜特性曲線を示すグラ
フである。第１図において縦軸は、露光部残膜率、すな
わち、 現像後膜厚／最初の膜厚＝（チ） で示されており、横軸は、露光時間が、対数目盛で示さ
れている。第１図中、曲線Ａは、市販品Ａを使用した場
合に得られたものであり１曲線Ｂは、実施例２記載の組
成物を使用した場合に得られたものである。
フである。第１図において縦軸は、露光部残膜率、すな
わち、 現像後膜厚／最初の膜厚＝（チ） で示されており、横軸は、露光時間が、対数目盛で示さ
れている。第１図中、曲線Ａは、市販品Ａを使用した場
合に得られたものであり１曲線Ｂは、実施例２記載の組
成物を使用した場合に得られたものである。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 アルカリ可溶性フェノール樹脂をベースレジンとし、光
分解性化合物として、一般式 ▲数式、化学式、表等があります▼ （式中Ｒは、水素又は、水酸基である。） で表わされるフェノール化合物とｏ−キノンジアジドス
ルホニルクロライドとの縮合物を含有せしめたことを特
徴とするポジ型フォトレジスト組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14932785A JPS6210645A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14932785A JPS6210645A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6210645A true JPS6210645A (ja) | 1987-01-19 |
Family
ID=15472686
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14932785A Pending JPS6210645A (ja) | 1985-07-09 | 1985-07-09 | ポジ型フオトレジスト組成物 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6210645A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03200253A (ja) * | 1989-12-28 | 1991-09-02 | Nippon Zeon Co Ltd | ポジ型レジスト組成物 |
| EP0565006A2 (en) | 1992-04-06 | 1993-10-13 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Method for preparing PS plate |
| EP0684521A1 (en) | 1994-05-25 | 1995-11-29 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive working photosensitive compositions |
| EP0710886A1 (en) | 1994-10-31 | 1996-05-08 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
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| CN109154778A (zh) * | 2016-05-20 | 2019-01-04 | 日产化学株式会社 | 抗蚀剂下层膜形成用组合物 |
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1985
- 1985-07-09 JP JP14932785A patent/JPS6210645A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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