JPS62105646A - サ−マルヘツド - Google Patents
サ−マルヘツドInfo
- Publication number
- JPS62105646A JPS62105646A JP60246810A JP24681085A JPS62105646A JP S62105646 A JPS62105646 A JP S62105646A JP 60246810 A JP60246810 A JP 60246810A JP 24681085 A JP24681085 A JP 24681085A JP S62105646 A JPS62105646 A JP S62105646A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- thermal conductivity
- heater
- substrate
- heating element
- base layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 39
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 28
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 26
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 abstract description 24
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 22
- 208000032843 Hemorrhage Diseases 0.000 abstract description 9
- 208000034158 bleeding Diseases 0.000 abstract description 9
- 230000000740 bleeding effect Effects 0.000 abstract description 9
- 239000011148 porous material Substances 0.000 abstract description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 4
- 231100000319 bleeding Toxicity 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 44
- 239000010408 film Substances 0.000 description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 11
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 9
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 4
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 4
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 4
- 238000007743 anodising Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 3
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 2
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 2
- 238000005338 heat storage Methods 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 238000009825 accumulation Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002048 anodisation reaction Methods 0.000 description 1
- KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L chromic acid Substances O[Cr](O)(=O)=O KRVSOGSZCMJSLX-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N furo[3,4-b]pyrazine-5,7-dione Chemical compound C1=CN=C2C(=O)OC(=O)C2=N1 AWJWCTOOIBYHON-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Electronic Switches (AREA)
- Non-Adjustable Resistors (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
(発明の技術分野)
本発明はサーマルヘッドに関し、特にその発熱体の下地
層の改良に関するものである。
層の改良に関するものである。
(発明の背景)
第16図を参照するに、一般にサーマルヘッドは、熱伝
導率の比較的大きいアルミナセラミック等の絶縁性基板
1と、その表面の一部あるいは全面に積層されたガラス
グレーズ層(下地層)3と、そのガラスグレーズ層3の
表面に配設されたドツト状発熱体5と、不図示の一対の
電極とを有して成る。なお、図中、7は発熱体5の保護
膜を示す、また、基板1の裏面には、アルミナセラミッ
クの熱伝導率よりも更に大きい、例えばアルミニウム性
の放熱板(不図示)も設けられている。
導率の比較的大きいアルミナセラミック等の絶縁性基板
1と、その表面の一部あるいは全面に積層されたガラス
グレーズ層(下地層)3と、そのガラスグレーズ層3の
表面に配設されたドツト状発熱体5と、不図示の一対の
電極とを有して成る。なお、図中、7は発熱体5の保護
膜を示す、また、基板1の裏面には、アルミナセラミッ
クの熱伝導率よりも更に大きい、例えばアルミニウム性
の放熱板(不図示)も設けられている。
ところで、サーマルヘッドに記録紙を押し付けて発熱体
5を発熱させることにより記録を行なった場合、記録紙
に形成される画素(画素の集まりで文字や図柄が構成さ
れる)は、それを形成したドツト状発熱体の面形状より
大きいことがしばしば見られる。
5を発熱させることにより記録を行なった場合、記録紙
に形成される画素(画素の集まりで文字や図柄が構成さ
れる)は、それを形成したドツト状発熱体の面形状より
大きいことがしばしば見られる。
この現象は「にじみ」と称され、記録速度を上げようと
して通電電流を大きくすれば益々目立ってくる。
して通電電流を大きくすれば益々目立ってくる。
(発明の目的)
従って、本発明の目的は、印字画素の「にじみ」を防止
または抑制したサーマルヘッドを提供することにある。
または抑制したサーマルヘッドを提供することにある。
(発明の概要)
本発明者らは、まず「にじみ」の原因について鋭意研究
した。
した。
第16図に於いてガラスグレーズ層3は、°発熱体5で
生じた熱が基板1の方に逃げるのを防止して温度を上昇
させるために設けられたものであるが、熱の逃げを完全
に防止できるものではなく、グレーズ層中で水平方向(
面方向)にも逃げる。
生じた熱が基板1の方に逃げるのを防止して温度を上昇
させるために設けられたものであるが、熱の逃げを完全
に防止できるものではなく、グレーズ層中で水平方向(
面方向)にも逃げる。
そして水平方向に逃げた熱は、上に接する保護膜7に伝
わり、この影響で保護膜7は相当は高温になり、しばし
ば記録可能温度を越える。そのため、例えば第17図の
符号3aで示す領域に「にじみ」が出ることが判明した
。
わり、この影響で保護膜7は相当は高温になり、しばし
ば記録可能温度を越える。そのため、例えば第17図の
符号3aで示す領域に「にじみ」が出ることが判明した
。
そこで、グレーズ層3は熱の逃げを完全に防止すること
は理論上不可能であることと、高速記録を達成するには
印字終了後は発熱体5が速やかに降温する必要があり、
従って、グレーズ層3も適当に熱を逃がした方がよいこ
とから、本発明者らは、下地層としてグレーズ層に代え
て垂直方向に比べ水平方向の熱伝導率の小さい下地層を
使用すれば、下地層の水平方向への熱の逃げが抑制され
、その結果、下地層から保護膜7へ水平方向に上がって
行く熱の影響が防止されることを見い出し、本発明を成
すに至った。
は理論上不可能であることと、高速記録を達成するには
印字終了後は発熱体5が速やかに降温する必要があり、
従って、グレーズ層3も適当に熱を逃がした方がよいこ
とから、本発明者らは、下地層としてグレーズ層に代え
て垂直方向に比べ水平方向の熱伝導率の小さい下地層を
使用すれば、下地層の水平方向への熱の逃げが抑制され
、その結果、下地層から保護膜7へ水平方向に上がって
行く熱の影響が防止されることを見い出し、本発明を成
すに至った。
即ち、本発明は、水平方向の熱熱伝導率が垂直方向のそ
れに比べて低い下地層の上にドツト状発熱体を形成して
なるサーマルヘッドを提供する。
れに比べて低い下地層の上にドツト状発熱体を形成して
なるサーマルヘッドを提供する。
このように熱伝導率に異方性のある材料は、現在のとこ
ろ垂直方向に孔のあいた多孔質薄膜が容易に入手できる
ものである。この多孔質薄膜を使用するにあたり、その
上に直接発熱体や電極を形成する際に不都合がある場合
には、多孔質薄膜の上に極く薄く無孔質薄膜を形成し、
その上に発熱体その他を形成してもよい、更に将来適当
な材料が開発されれば、基板と下地層を兼用させて同一
の材料で済むかもしれない。その場合には基板と下地層
をどこかで区別することは困難になろう。
ろ垂直方向に孔のあいた多孔質薄膜が容易に入手できる
ものである。この多孔質薄膜を使用するにあたり、その
上に直接発熱体や電極を形成する際に不都合がある場合
には、多孔質薄膜の上に極く薄く無孔質薄膜を形成し、
その上に発熱体その他を形成してもよい、更に将来適当
な材料が開発されれば、基板と下地層を兼用させて同一
の材料で済むかもしれない。その場合には基板と下地層
をどこかで区別することは困難になろう。
(実施例)
一第1の実施例−
第1図および第3図(a)、(b)は本発明サーマルヘ
ッドの第1の実施例を示し、第1図はその縦断面図、第
3図(a)はその■−■線断面図、第3図(b)はその
平面図である。以下では第1図と同様な箇所には同一の
符号を付すものとする。
ッドの第1の実施例を示し、第1図はその縦断面図、第
3図(a)はその■−■線断面図、第3図(b)はその
平面図である。以下では第1図と同様な箇所には同一の
符号を付すものとする。
第1図および第3図(a) 、 (b)を参照するに、
アルミナセラミックから成る基板1上には、第2図に示
すようなアルミニウムの多孔質陽極酸化膜11が基板l
の長手方向に沿って81層され、その上に酸化膜11と
直交して所定の間隔で発熱体5が積層され、更に酸化膜
11上で発熱体5が所定の面積だけ露出されるように一
対の電極12a。
アルミナセラミックから成る基板1上には、第2図に示
すようなアルミニウムの多孔質陽極酸化膜11が基板l
の長手方向に沿って81層され、その上に酸化膜11と
直交して所定の間隔で発熱体5が積層され、更に酸化膜
11上で発熱体5が所定の面積だけ露出されるように一
対の電極12a。
12bが第3図(b)に示すように発熱体5に接続され
、これにより発熱体5に通電するようになっている。電
極12a、12bは不図示の電源に接続され、不図示の
駆動回路を介して所望の発熱体が通電され発熱するよう
になっている。
、これにより発熱体5に通電するようになっている。電
極12a、12bは不図示の電源に接続され、不図示の
駆動回路を介して所望の発熱体が通電され発熱するよう
になっている。
発熱体5の下地層としての多孔質陽極酸化膜11には、
第2図に示すように、発熱体5の表面に対して垂直方向
に直径300〜500λ程度の孔110が1cm’あた
り10 個程度あけられている。なお、第1図中、7
は発熱体5の保護膜であり、例えば、Sif%薄膜によ
る耐酸化保護層と、Ta105等の薄膜による耐摩耗保
護膜層とから成る。第3図(b)では保護膜7は省略し
ている。
第2図に示すように、発熱体5の表面に対して垂直方向
に直径300〜500λ程度の孔110が1cm’あた
り10 個程度あけられている。なお、第1図中、7
は発熱体5の保護膜であり、例えば、Sif%薄膜によ
る耐酸化保護層と、Ta105等の薄膜による耐摩耗保
護膜層とから成る。第3図(b)では保護膜7は省略し
ている。
このように構成された本実施例のサーマルヘッドの製造
プロセスについて、第3図(a)、(b)オヨび第4図
(a)、(b)〜第7図を参照して以下順に説明する。
プロセスについて、第3図(a)、(b)オヨび第4図
(a)、(b)〜第7図を参照して以下順に説明する。
(a) 第4図(a)および(b)に示すように、ア
ルミナセラミック基板lの表面に蒸着マスクを使用して
厚さ40層讃のアルミニウム薄膜21をスパッタリング
によって形成した。アルミニウム薄膜21は、発熱体5
の下地層となる幅3■層の下地層部210と、後工程の
陽極酸化処理の際の電源端子部211とから成る。
ルミナセラミック基板lの表面に蒸着マスクを使用して
厚さ40層讃のアルミニウム薄膜21をスパッタリング
によって形成した。アルミニウム薄膜21は、発熱体5
の下地層となる幅3■層の下地層部210と、後工程の
陽極酸化処理の際の電源端子部211とから成る。
(b) 第5図に示すように、5%シュウ酸から成る
電解質溶液23中に、下地層部210だけが液に触れ端
子部211が液に触れないように基板全体を浸漬した。
電解質溶液23中に、下地層部210だけが液に触れ端
子部211が液に触れないように基板全体を浸漬した。
このとき、下地層210と端子部211とを接続する部
分が液に触れないようにポリイミドテープ22で保護し
た。溶液23中には電極25も浸漬し、アルミニウム薄
膜2tの端子部分211が陽極、電極25が陰極となる
ように各電極に電源27を接続する。液温を2Q”0に
保持しつつ、アルミニウム薄膜の下地層部210におけ
る電流密度が45mA/crrt′になるように定電流
を流し、50分間陽極酸化を行ない下地層部210を全
部酸化した。これにより、第6図に示すように下地層と
してアルミニウムの多孔質陽極酸化薄膜11を得た。
分が液に触れないようにポリイミドテープ22で保護し
た。溶液23中には電極25も浸漬し、アルミニウム薄
膜2tの端子部分211が陽極、電極25が陰極となる
ように各電極に電源27を接続する。液温を2Q”0に
保持しつつ、アルミニウム薄膜の下地層部210におけ
る電流密度が45mA/crrt′になるように定電流
を流し、50分間陽極酸化を行ない下地層部210を全
部酸化した。これにより、第6図に示すように下地層と
してアルミニウムの多孔質陽極酸化薄膜11を得た。
(c) 第7図に示すように多孔質陽極酸化薄膜11
の上にスパッタリングにより窒化タンタルTa2 Nの
薄膜を形成し、フォトリソ・エツチングにより第3図(
b)に示すように例えば8ドツ)/II■の密度でバタ
ーニングして発熱体5を形成した。
の上にスパッタリングにより窒化タンタルTa2 Nの
薄膜を形成し、フォトリソ・エツチングにより第3図(
b)に示すように例えば8ドツ)/II■の密度でバタ
ーニングして発熱体5を形成した。
(d) その上にニクロム合金NiCrと金Auの二層
を真空蒸着し、その後フォトリソ・エツチングにより、
第3図(b)に示すようにパターニングして一対の電極
12a、12bを形成した。
を真空蒸着し、その後フォトリソ・エツチングにより、
第3図(b)に示すようにパターニングして一対の電極
12a、12bを形成した。
(e) 発熱体5を中心として発熱体5と電極12a
、12bの表面に、保護膜7として厚さ2JLmの酸化
シリコン5i02と五酸化タンタルTa1Osを蒸着マ
スクを用いてスパッタリングで形成した。
、12bの表面に、保護膜7として厚さ2JLmの酸化
シリコン5i02と五酸化タンタルTa1Osを蒸着マ
スクを用いてスパッタリングで形成した。
このようにして第1図、第3図(a)、(b)に示すよ
うに構成されたサーマルヘッドでは、発熱体5の下地層
11が多孔質アルミナ薄膜から構成されるので、次ぎの
ような利点がある。
うに構成されたサーマルヘッドでは、発熱体5の下地層
11が多孔質アルミナ薄膜から構成されるので、次ぎの
ような利点がある。
すなわち、空気の熱伝導率はアルミナの約17103で
あり、発熱体5の表面に対して垂直方向にあけられた孔
110内の空気の存在により、垂直方向の熱伝導率が大
きく水平方向の熱伝導率がそれに比べて小さい発熱体下
地層11を得ることができる。換言すると、熱伝導率異
方性を有する下地層11を得ることができる。従って、
孔110内の低熱伝導率の空気の存在により、発熱体5
から下地層11に拡散される熱が水平方向に伝熱される
のが妨げられるので、発熱エネルギにより下地層11に
蓄熱されたとしても発熱体5の下方に垂直方向に向けて
のみ蓄熱され印字ドツト周囲のにじみがなくなり印字品
質が向上する。
あり、発熱体5の表面に対して垂直方向にあけられた孔
110内の空気の存在により、垂直方向の熱伝導率が大
きく水平方向の熱伝導率がそれに比べて小さい発熱体下
地層11を得ることができる。換言すると、熱伝導率異
方性を有する下地層11を得ることができる。従って、
孔110内の低熱伝導率の空気の存在により、発熱体5
から下地層11に拡散される熱が水平方向に伝熱される
のが妨げられるので、発熱エネルギにより下地層11に
蓄熱されたとしても発熱体5の下方に垂直方向に向けて
のみ蓄熱され印字ドツト周囲のにじみがなくなり印字品
質が向上する。
また、アルミナ多孔質薄膜11の熱伝導率は、比較的熱
伝導率の高いアルミナにあけられた孔110の個数、す
なわち、アルミナ多孔質薄膜中の孔11.0内に存在す
る空気の体積に依存するが、前述したように、空気の熱
伝導率はアルミナの約1710”でありほぼ断熱と考え
てよく、下地層11は、放熱作用を持つアルミナと断熱
作用を持つ空気とが混在した層である。そこで、断熱作
用を持つ空気を適度な割合で分布させれば、アルミナ自
体を下地層とした場合よりも全体として小さい適度な熱
伝導率を持つ下地層が得られる。その結果、所望の昇温
特性を得るために必要な電力は、アルミナ自体を下地層
とした場合に比べて小さくてすみ、低消費電力で高速記
録できるサーマルヘッドを提供できる。
伝導率の高いアルミナにあけられた孔110の個数、す
なわち、アルミナ多孔質薄膜中の孔11.0内に存在す
る空気の体積に依存するが、前述したように、空気の熱
伝導率はアルミナの約1710”でありほぼ断熱と考え
てよく、下地層11は、放熱作用を持つアルミナと断熱
作用を持つ空気とが混在した層である。そこで、断熱作
用を持つ空気を適度な割合で分布させれば、アルミナ自
体を下地層とした場合よりも全体として小さい適度な熱
伝導率を持つ下地層が得られる。その結果、所望の昇温
特性を得るために必要な電力は、アルミナ自体を下地層
とした場合に比べて小さくてすみ、低消費電力で高速記
録できるサーマルヘッドを提供できる。
更に、下地層11を構成するアルミナ部分は熱伝導率が
大きく、また空気部分では蓄熱作用がないため、発熱終
了時にはアルミナ部分を伝熱してアルミナセラミック基
板1に熱が速やかに拡散するため降温特性も向上され、
これによっても記録速度の高速化を図ることができる。
大きく、また空気部分では蓄熱作用がないため、発熱終
了時にはアルミナ部分を伝熱してアルミナセラミック基
板1に熱が速やかに拡散するため降温特性も向上され、
これによっても記録速度の高速化を図ることができる。
更にまた。従来のブレース層はガラスペーストを印刷焼
成して形成しておりその製法上厚さにむらがあり、感熱
紙やインクシート、ヒでのヘッド接触圧力が一様でなく
、そのため各ドツトに同一の電力を投入しても印字濃度
にむらがあったが、本実施例における下地層11は陽極
酸化処理により得られ厚さにむらがなく、感熱紙やイン
クシート上でのヘッド接触圧力が一様となり、従来のよ
うな印字濃度のむらは生じない。
成して形成しておりその製法上厚さにむらがあり、感熱
紙やインクシート、ヒでのヘッド接触圧力が一様でなく
、そのため各ドツトに同一の電力を投入しても印字濃度
にむらがあったが、本実施例における下地層11は陽極
酸化処理により得られ厚さにむらがなく、感熱紙やイン
クシート上でのヘッド接触圧力が一様となり、従来のよ
うな印字濃度のむらは生じない。
一第2の実施例−
アルミナセラミック基板1に代え金属製の基板31を用
いて上述したと同様のサーマルヘッドを得ることができ
る。この場合、製造プロセスがやや異なるのでその点に
ついて第8図〜第10図を参照して説明する。
いて上述したと同様のサーマルヘッドを得ることができ
る。この場合、製造プロセスがやや異なるのでその点に
ついて第8図〜第10図を参照して説明する。
(a) 金属製基板31の表面に、マスクを用いて、
スパッタリング等により下地層を構成する厚さ40JL
mのアルミニウム(AM)薄膜を第8図に斜線で示すよ
うに形成した。
スパッタリング等により下地層を構成する厚さ40JL
mのアルミニウム(AM)薄膜を第8図に斜線で示すよ
うに形成した。
(b) フォトレジスト材33を基板全面に塗布した
後、フォトリソグラフィによって第9図に斜線で示すよ
うにパターニングしてアルミニウム薄1I5I21だけ
が露出するようにした。基板の裏面および側面もフォト
レジストまたはポリイミドテープ等で保護した。
後、フォトリソグラフィによって第9図に斜線で示すよ
うにパターニングしてアルミニウム薄1I5I21だけ
が露出するようにした。基板の裏面および側面もフォト
レジストまたはポリイミドテープ等で保護した。
(C) 第10図に示すように、上述したと同様に5
%シュウ酸から成る電解質溶液23中にアルミニウム薄
膜21の全部が触れるように基板全体を浸漬した。溶液
23中に浸漬され元電極25を陰極、金属製基板31が
陽極となるように電源27を接続し、第1の実施例と同
一条件でアルミニウム薄膜21を陽極酸化してアルミナ
多孔質陽極酸化薄膜11を得た。
%シュウ酸から成る電解質溶液23中にアルミニウム薄
膜21の全部が触れるように基板全体を浸漬した。溶液
23中に浸漬され元電極25を陰極、金属製基板31が
陽極となるように電源27を接続し、第1の実施例と同
一条件でアルミニウム薄膜21を陽極酸化してアルミナ
多孔質陽極酸化薄膜11を得た。
(d) 第1の実施例で説明した製造プロセス(a)
〜(e)と同様にして、酸化薄膜11の上に発熱体5.
電極12a、12bおよび保護膜7を順次に積層してサ
ーマルへラドを形成した。
〜(e)と同様にして、酸化薄膜11の上に発熱体5.
電極12a、12bおよび保護膜7を順次に積層してサ
ーマルへラドを形成した。
本実施例でも上述した第1の実施例と同一の効果が得ら
れるのに加えて、金属製基板31はアルミナセラミック
基板1よりも熱伝導率が大きく熱蓄積が少ないので、大
型電源を使用すれば超高速記録が可能となる。また、低
価格の金属材料を用いて基板を構成すれば、アルミナセ
ラミック基板を用いたサーマルヘッドよりも廉価なサー
マルヘッドが得られる。
れるのに加えて、金属製基板31はアルミナセラミック
基板1よりも熱伝導率が大きく熱蓄積が少ないので、大
型電源を使用すれば超高速記録が可能となる。また、低
価格の金属材料を用いて基板を構成すれば、アルミナセ
ラミック基板を用いたサーマルヘッドよりも廉価なサー
マルヘッドが得られる。
一第3の実施例一
本実施例は基板41をアルミニウムで形成したものであ
り、その他の構成については第1の実施例と同様である
ので、製造プロセスについてのみ第11図〜第15図を
用いて説明する。
り、その他の構成については第1の実施例と同様である
ので、製造プロセスについてのみ第11図〜第15図を
用いて説明する。
(a) まず、アルミニウム基板41の表面を電解研
摩した。
摩した。
(b) アルミニウム基板41の表面にフォトレジス
ト材33を塗布した後に、第11図に示すようにフォト
リングラフィにより下地層を形成すべき部分410だけ
を露出させた。
ト材33を塗布した後に、第11図に示すようにフォト
リングラフィにより下地層を形成すべき部分410だけ
を露出させた。
(C) アルミニウム基板41の裏面および側面を、
電源端子部411を除いてすべてフォトレジストまたは
、ポリイミドテープ等で保護した。
電源端子部411を除いてすべてフォトレジストまたは
、ポリイミドテープ等で保護した。
(d) 第1および第2の実施例と同様に、アルミニ
ウム基板41上の露出部分410が完全に5%シュウ酸
電解質溶液23に触れるように基板41を溶液中に浸漬
し、同様に溶液23中に浸漬された電極25が陰極、ア
ルミニウム基板41が陽極となるように各電極41.2
5を電源27に接続し、上述したのと同一の条件で12
0分間陽極酸化を行った。その結果、第13図に示すよ
うに厚さ約150gmのアルミナ多孔質陽極酸化薄膜1
1が形成された。この酸化薄膜11はアルミニウム基板
41から約50JLm突出して形成された。
ウム基板41上の露出部分410が完全に5%シュウ酸
電解質溶液23に触れるように基板41を溶液中に浸漬
し、同様に溶液23中に浸漬された電極25が陰極、ア
ルミニウム基板41が陽極となるように各電極41.2
5を電源27に接続し、上述したのと同一の条件で12
0分間陽極酸化を行った。その結果、第13図に示すよ
うに厚さ約150gmのアルミナ多孔質陽極酸化薄膜1
1が形成された。この酸化薄膜11はアルミニウム基板
41から約50JLm突出して形成された。
(e) 基板全体を剥離液に浸漬してフォトレジスト
材33を剥離するとともにポリイミドテープ等もすべて
剥離した。
材33を剥離するとともにポリイミドテープ等もすべて
剥離した。
(f) 第1の実施例で説明した製造プロセス(C)
と同様にして、第14図に示すように窒化タンタルTa
2Nからなる発熱体5を形成して所定の密度でパターニ
ングした。
と同様にして、第14図に示すように窒化タンタルTa
2Nからなる発熱体5を形成して所定の密度でパターニ
ングした。
(g) 更に、第1の実施例で説明した製造プロセス
(d)、(e)と同様にして、一対の電極12a、12
bおよび保護膜7を順次に積層して、第15図に示す構
成のサーマルヘッドを得た。
(d)、(e)と同様にして、一対の電極12a、12
bおよび保護膜7を順次に積層して、第15図に示す構
成のサーマルヘッドを得た。
本実施例では第1の実施例と同様な効果が得られるのに
加えて、基板41自体がアルミニウム酸であり、従来か
ら基板の底面に設けているアルミニウム酸の放熱板を基
板と一体に構成できる。
加えて、基板41自体がアルミニウム酸であり、従来か
ら基板の底面に設けているアルミニウム酸の放熱板を基
板と一体に構成できる。
また、高価なアルミナセラミックから成る基板を用いて
なくてすみサーマルヘッドの原価低減に寄与できる。
なくてすみサーマルヘッドの原価低減に寄与できる。
なお、陽極酸化に供される溶液としては、シュウ醜の他
に、硫酸、クロム醜、リン酸等を用いることができる。
に、硫酸、クロム醜、リン酸等を用いることができる。
また、孔110の径を大きくして断熱効果を上げるため
、陽極酸化後に硫酸等で孔110の内壁を溶解してもよ
い。
、陽極酸化後に硫酸等で孔110の内壁を溶解してもよ
い。
また、孔110に断熱材を充填したり、孔110を貫通
孔にしてもよい。
孔にしてもよい。
(発明の効果)
本発明によれば、水平方向の熱伝導率が垂直方向の熱伝
導率より低い下地層の上に発熱体を配設したので、発熱
体から下地層に伝熱される熱は垂直方向にのみ拡散し、
横方向へ拡散せず、従って、たとえ下地層に蓄熱された
としても記録ドツトのにじみが防止される。
導率より低い下地層の上に発熱体を配設したので、発熱
体から下地層に伝熱される熱は垂直方向にのみ拡散し、
横方向へ拡散せず、従って、たとえ下地層に蓄熱された
としても記録ドツトのにじみが防止される。
また、第1〜第3の実施例のようにアルミナ多孔質薄膜
を下地層とすれば、アルミナ自体の熱伝導率よりも全体
として低い熱伝導率の下地層が得られ、所望の昇温特性
が比較的低電力で得られ、高速印字に伴う消費電力の増
加が防止できる。また、このような多孔質薄膜における
孔には空気が存在するのでその部分では蓄熱がなく、発
熱後に熱エネルギはアルミナ部分を伝わって下方向に速
やかに拡散され、降温特性も向上される。
を下地層とすれば、アルミナ自体の熱伝導率よりも全体
として低い熱伝導率の下地層が得られ、所望の昇温特性
が比較的低電力で得られ、高速印字に伴う消費電力の増
加が防止できる。また、このような多孔質薄膜における
孔には空気が存在するのでその部分では蓄熱がなく、発
熱後に熱エネルギはアルミナ部分を伝わって下方向に速
やかに拡散され、降温特性も向上される。
なお、発熱体への投入電力を一定とすれば、このような
降温特性の向上により低下する昇温特性は投入電力を大
きくすれば解消されるが、本発明のように発熱体から下
地層に伝達される熱を下地層中では垂直方向にのみ拡散
することにより、投入電力を大きくした場合に生じやす
い記録ドツトのにじみが防止される。
降温特性の向上により低下する昇温特性は投入電力を大
きくすれば解消されるが、本発明のように発熱体から下
地層に伝達される熱を下地層中では垂直方向にのみ拡散
することにより、投入電力を大きくした場合に生じやす
い記録ドツトのにじみが防止される。
第1図は本発明の第1〜第3の実施例の構成を示す縦断
面図、第2図は第1図に示した多孔質薄膜の斜視図、第
3図(a)は第1図のm−m線断面図、第3図(b)は
その平面図、第4図(a)、(b)〜第7図は第1の実
施例の製造プロセスを説明する図、第8図〜第1O図は
第2の実施例の製造プロセスを説明する図、第11図〜
第15図は第3の実施例の製造プロセスを説明する図、
第16図は従来のサーマルヘッドの一例を示す縦断面図
、第17図はその平面図である。 1:アルミナセラミック基板 3:グレーズ暦 5:発熱体 7:保護膜 11:多孔質薄膜12a、12
b:電極 21ニアルミニウム薄膜 23:電解質溶液25:電極
27:電源 31:金属製基板 33:フォトレジスト材 41ニアルミニウム基板 110:孔 出 願 人 日本光学工業株式会社 代理人弁理士 永 井 冬 紀 第13図 、り 第14図 第15図
面図、第2図は第1図に示した多孔質薄膜の斜視図、第
3図(a)は第1図のm−m線断面図、第3図(b)は
その平面図、第4図(a)、(b)〜第7図は第1の実
施例の製造プロセスを説明する図、第8図〜第1O図は
第2の実施例の製造プロセスを説明する図、第11図〜
第15図は第3の実施例の製造プロセスを説明する図、
第16図は従来のサーマルヘッドの一例を示す縦断面図
、第17図はその平面図である。 1:アルミナセラミック基板 3:グレーズ暦 5:発熱体 7:保護膜 11:多孔質薄膜12a、12
b:電極 21ニアルミニウム薄膜 23:電解質溶液25:電極
27:電源 31:金属製基板 33:フォトレジスト材 41ニアルミニウム基板 110:孔 出 願 人 日本光学工業株式会社 代理人弁理士 永 井 冬 紀 第13図 、り 第14図 第15図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1)基板上に設けられたドット状発熱体と、その発熱体
に通電するための一対の電極とを有するサーマルヘッド
において、 水平方向の熱伝導率が垂直方向の熱伝導率よりも低い下
地層を前記基板上に設け、その下地層の上に前記発熱体
を設けたことを特徴とするサーマルヘッド。 2)特許請求の範囲第1項に記載のサーマルヘッドにお
いて、前記下地層は垂直方向に孔のあいた多孔質薄膜で
あることを特徴とするサーマルヘッド。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60246810A JPS62105646A (ja) | 1985-11-02 | 1985-11-02 | サ−マルヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP60246810A JPS62105646A (ja) | 1985-11-02 | 1985-11-02 | サ−マルヘツド |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS62105646A true JPS62105646A (ja) | 1987-05-16 |
Family
ID=17154019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP60246810A Pending JPS62105646A (ja) | 1985-11-02 | 1985-11-02 | サ−マルヘツド |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS62105646A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1780020A3 (en) * | 2005-10-25 | 2008-07-30 | Seiko Instruments Inc. | Heating resistance element, thermal head, printer, and method of manufacturing heating resistance element |
JP2011025633A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法、ならびに記録ヘッドおよび記録装置 |
JP2011025548A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法、ならびに記録ヘッドおよび記録装置 |
-
1985
- 1985-11-02 JP JP60246810A patent/JPS62105646A/ja active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1780020A3 (en) * | 2005-10-25 | 2008-07-30 | Seiko Instruments Inc. | Heating resistance element, thermal head, printer, and method of manufacturing heating resistance element |
US7522178B2 (en) | 2005-10-25 | 2009-04-21 | Seiko Instruments Inc. | Heating resistance element, thermal head, printer, and method of manufacturing heating resistance element |
JP2011025548A (ja) * | 2009-07-27 | 2011-02-10 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法、ならびに記録ヘッドおよび記録装置 |
JP2011025633A (ja) * | 2009-07-29 | 2011-02-10 | Kyocera Corp | 配線基板およびその製造方法、ならびに記録ヘッドおよび記録装置 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US5156896A (en) | Silicon substrate having porous oxidized silicon layers and its production method | |
US8256099B2 (en) | Manufacturing method for a thermal head | |
JPS62105646A (ja) | サ−マルヘツド | |
US8998385B2 (en) | Thermal head, printer, and method of manufacturing thermal head | |
JP4633442B2 (ja) | サーマルヘッド | |
US4034187A (en) | Thermal printing head | |
JP2013082092A (ja) | サーマルヘッドおよびその製造方法、並びにサーマルプリンタ | |
JPH0274356A (ja) | 通電方式記録ヘッド | |
US5182574A (en) | Thermal head | |
JP5765843B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JPS6280061A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPS63202465A (ja) | 空洞を設けたサ−マルヘツド | |
JPS5973973A (ja) | 感熱記録ヘツド | |
JPS62105645A (ja) | サ−マルヘツドの構造 | |
JPH0493261A (ja) | サーマルヘッド | |
JPS6360768A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH0546918Y2 (ja) | ||
JP3844155B2 (ja) | サーマルヘッドの製造方法 | |
JPH02305654A (ja) | サーマルヘッド | |
JPH04105952A (ja) | 凸部に多孔質酸化シリコン層を有するシリコン基板の製造方法 | |
JPH0528183B2 (ja) | ||
JPS60210471A (ja) | サ−マルヘツド | |
JPH0473162A (ja) | 多孔質酸化シリコン層を有するシリコン基板およびその製造方法 | |
JP2971265B2 (ja) | サーマルヘッド | |
JPH06340103A (ja) | サーマルヘッド |