JPS62105436A - パタ−ン認識装置 - Google Patents
パタ−ン認識装置Info
- Publication number
- JPS62105436A JPS62105436A JP60245733A JP24573385A JPS62105436A JP S62105436 A JPS62105436 A JP S62105436A JP 60245733 A JP60245733 A JP 60245733A JP 24573385 A JP24573385 A JP 24573385A JP S62105436 A JPS62105436 A JP S62105436A
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- Japan
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- camera
- reflection mirror
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- reflected
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
-
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- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
- H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/481—Disposition
- H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
- H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
Landscapes
- Investigating Materials By The Use Of Optical Means Adapted For Particular Applications (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
工叢上辺胴ｌ亙界
本発明は、半導体装置の製造工程、具体的には、半導体
ペレットの表面電極部分とリードフレームとをワイヤー
ボンディングする］二程で、ワイヤーボンディングに先
だって半導体ペレット」二の電極の配列パターンを認識
するパターン認識装置に関する。
ペレットの表面電極部分とリードフレームとをワイヤー
ボンディングする］二程で、ワイヤーボンディングに先
だって半導体ペレット」二の電極の配列パターンを認識
するパターン認識装置に関する。
発１Ｆと斤量−
周知のように、半導体装置の本体である半導体ペレット
の大きさは数ｍｍ角稈度で、極めて小さく、その上、半
導体ペレットは印刷基板やリードフレームなどのアイラ
ンド部に半田や樹脂等を用いてマウントされるので、半
導体ペレットが傾斜していたり、回転や横ずれしている
ことがある。
の大きさは数ｍｍ角稈度で、極めて小さく、その上、半
導体ペレットは印刷基板やリードフレームなどのアイラ
ンド部に半田や樹脂等を用いてマウントされるので、半
導体ペレットが傾斜していたり、回転や横ずれしている
ことがある。
このような傾斜や回転・横ずれがあると、半導体ペレッ
トに対し正確にワイヤーボンディングできなくなるおそ
れがある。従って、ワイヤーボンディングに先だって、
半導体ペレット」二の電極の実際の配列パターンを明瞭
に認識する必要がある。
トに対し正確にワイヤーボンディングできなくなるおそ
れがある。従って、ワイヤーボンディングに先だって、
半導体ペレット」二の電極の実際の配列パターンを明瞭
に認識する必要がある。
従来Ω妓藷−
従来、半導体ペレット」二の電極の配列パターンを認識
するパターン認識装置としては、次に説明する三つの方
式があった。
するパターン認識装置としては、次に説明する三つの方
式があった。
その一つは、第４図に示したように、光源１からの光を
ハーフミラ−２で反射して印刷基板３上に配列された半
導体ペレッ） ４−にに照射し、ハーフミラ−２を透過
した反射光を半導体ペレット４の真上に配置したカメラ
５で受像し、図示しない画像処理装置によりパターン認
識するものであるところで、第４図パターン認識装置に
あっては、ワイヤーボンディング装置のキャピラリ１０
をカメラ５と半導体ペレット４との間の光路の内外で移
動可能に設置し、パターン認識中は、キャピラリ１０を
上記光路の外へ逃がして光路が遮られないようにし、パ
ターン認識後、直ちにワイヤーボンディング作業を行わ
せる必要がある。
ハーフミラ−２で反射して印刷基板３上に配列された半
導体ペレッ） ４−にに照射し、ハーフミラ−２を透過
した反射光を半導体ペレット４の真上に配置したカメラ
５で受像し、図示しない画像処理装置によりパターン認
識するものであるところで、第４図パターン認識装置に
あっては、ワイヤーボンディング装置のキャピラリ１０
をカメラ５と半導体ペレット４との間の光路の内外で移
動可能に設置し、パターン認識中は、キャピラリ１０を
上記光路の外へ逃がして光路が遮られないようにし、パ
ターン認識後、直ちにワイヤーボンディング作業を行わ
せる必要がある。
従って、第４図パターン認識装置は、キャピラリ１０を
光路の内外で移動させなければならない分たけ作業性が
悪くなるという難点がある。
光路の内外で移動させなければならない分たけ作業性が
悪くなるという難点がある。
一方、第５図の方式は、半導体ペレット４の斜め上方に
カメラ５を配置し、光源１から斜めに照射された光を半
導体ペレット４に当てて反射させ、この反射光をカメラ
５によって受像するものである。また、第６図の方式は
、半導体ペレット４の斜め」―方にカメラ５と反射ミラ
ー６とを左右に振り分けて配置し、カメラ５と半導体ペ
レット４との間の光路途中にハーフミラ−２を設置し、
光源５からの光をハーフミラ−２、半導体ペレット４、
反射ミラー６、半導体ペレット４の順で反射させてカメ
ラ５で受像するものである。
カメラ５を配置し、光源１から斜めに照射された光を半
導体ペレット４に当てて反射させ、この反射光をカメラ
５によって受像するものである。また、第６図の方式は
、半導体ペレット４の斜め」―方にカメラ５と反射ミラ
ー６とを左右に振り分けて配置し、カメラ５と半導体ペ
レット４との間の光路途中にハーフミラ−２を設置し、
光源５からの光をハーフミラ−２、半導体ペレット４、
反射ミラー６、半導体ペレット４の順で反射させてカメ
ラ５で受像するものである。
第５図又は第６囲み式のパターン認識装置では、図示例
から明らかなように半導体ペレット４の上方が自由空間
となるため、キャピラリ１０を゛１′導体ペレット４の
真」−に配置でき、パターン認識後、直ちにワイヤーボ
ンディングできる。
から明らかなように半導体ペレット４の上方が自由空間
となるため、キャピラリ１０を゛１′導体ペレット４の
真」−に配置でき、パターン認識後、直ちにワイヤーボ
ンディングできる。
しかし、第４図乃至第６図に示す従来装置には次に説明
する共通の問題点があった。
する共通の問題点があった。
光１しｊ省犬ル」ビＸどす］」即題イ、（＝即ち、従来
のパターン認識装置は光源１やカメラ５等の位置・設置
姿勢が印刷）、（板３にス・１し゛て１′。
のパターン認識装置は光源１やカメラ５等の位置・設置
姿勢が印刷）、（板３にス・１し゛て１′。
導体ベレットが傾きなく配列されていることを前提とし
て設定されているので、例えば第６図に仮想線イで示し
たよう：ぴＩ６導体ペレット４が傾斜していると、反射
ミラー６への入射光の光路ＸＩ と反射ミラー６からの
反射光の光路Ｘ２とが異なる。そのため、カメラ５への
入射光（−１が減少し、それに伴って、画像のコントラ
ストが低下して配列パターンを明瞭に認識できなくなる
といった問題点があった。
て設定されているので、例えば第６図に仮想線イで示し
たよう：ぴＩ６導体ペレット４が傾斜していると、反射
ミラー６への入射光の光路ＸＩ と反射ミラー６からの
反射光の光路Ｘ２とが異なる。そのため、カメラ５への
入射光（−１が減少し、それに伴って、画像のコントラ
ストが低下して配列パターンを明瞭に認識できなくなる
といった問題点があった。
本発明は、基本的には第６図の方式を採用した従来のパ
ターン認識装置を改良することによって」二記の問題点
を解決するもので、半導体ペレット等の認識対象物が傾
斜していても、カメラへの入射光量が減少しないように
して、明瞭なパターン認識を行うことができるパターン
認識装置を提供することを目的とする。
ターン認識装置を改良することによって」二記の問題点
を解決するもので、半導体ペレット等の認識対象物が傾
斜していても、カメラへの入射光量が減少しないように
して、明瞭なパターン認識を行うことができるパターン
認識装置を提供することを目的とする。
ＩＪ−メレＬこの−
１−記問題点を解決するため、認識対象物を監視するカ
メラと、認識対象物とカメラを結ぶ光路に沿って認識対
象物を照明する光源と、認識対象物上で反射した光源か
らの光を横切って配置され認識対象物の傾きにかかわら
ず認識対象物からの光と平行に反射させる反射ミラーと
を含むことを特徴とする。
メラと、認識対象物とカメラを結ぶ光路に沿って認識対
象物を照明する光源と、認識対象物上で反射した光源か
らの光を横切って配置され認識対象物の傾きにかかわら
ず認識対象物からの光と平行に反射させる反射ミラーと
を含むことを特徴とする。
作−Ｕ
」１記手段によると、反射ミラーによって反射ミラーへ
の入射光と平行に認識対象物に光を戻すため反射ミラー
への入射光の光路と反射ミラーからの反射光の光路とを
同一に設定することか可能になる。従って、認識対象物
が傾斜していても、カメラへの入射光量の減少が小さく
、高コントラストの画像を得ることができる。
の入射光と平行に認識対象物に光を戻すため反射ミラー
への入射光の光路と反射ミラーからの反射光の光路とを
同一に設定することか可能になる。従って、認識対象物
が傾斜していても、カメラへの入射光量の減少が小さく
、高コントラストの画像を得ることができる。
Ｘ−為一朝一
以下、本発明の実施例を第１図を参蕪して説明する。
第１図に示した実施例において第６図装置と異なる点は
、反射ミラー７がその中心周りで揺動自在に構成されて
いる点のみである。
、反射ミラー７がその中心周りで揺動自在に構成されて
いる点のみである。
第１図において、光源１から出た光はハーフミラ−２、
認識対象物（ペレット）４、反射ミラー７、認識対象物
４の順で反射され、認識対象物４がカメラ５で受像され
る。ここで反射ミラー７は図示しない可動装置で傾斜自
在であり、認識対象物４が傾斜していないときは、反射
ミラー７の姿勢を実線で示したように、入射光に対して
直角に設定する。こうしてお（と、反射ミラー７への入
射光の光路Ｙ１ と反射ミラー７からの反射光の光路
Ｙ２とが同一になる。従って、認識λｊ象物４への入射
光の光路Ｚ１とカメラ５への入射光の光路Ｚ２も同一に
なり、カメラ５への入射光の光軸が該カメラ５から外れ
ることはない、次に、認識対象物４が仮想線イで示した
ように傾斜してるときは、反射ミラー７をその中心周り
で所定角度揺動させることによってその姿勢を仮想線で
示したように入射光に対して直角に設定する。こうして
おくと、反射ミラー７への入射光の光路Ｘｌ と反射ミ
ラー７からの反射光の光路Ｘ２とが同一になる。従って
、認識対象物４への入射光の光路Ｚ１ とカメラ５への
入射光の光路Ｚ２も同一になるから、この場合もカメラ
５への入射光の光軸が該カメラ５から外れることはない
。
認識対象物（ペレット）４、反射ミラー７、認識対象物
４の順で反射され、認識対象物４がカメラ５で受像され
る。ここで反射ミラー７は図示しない可動装置で傾斜自
在であり、認識対象物４が傾斜していないときは、反射
ミラー７の姿勢を実線で示したように、入射光に対して
直角に設定する。こうしてお（と、反射ミラー７への入
射光の光路Ｙ１ と反射ミラー７からの反射光の光路
Ｙ２とが同一になる。従って、認識λｊ象物４への入射
光の光路Ｚ１とカメラ５への入射光の光路Ｚ２も同一に
なり、カメラ５への入射光の光軸が該カメラ５から外れ
ることはない、次に、認識対象物４が仮想線イで示した
ように傾斜してるときは、反射ミラー７をその中心周り
で所定角度揺動させることによってその姿勢を仮想線で
示したように入射光に対して直角に設定する。こうして
おくと、反射ミラー７への入射光の光路Ｘｌ と反射ミ
ラー７からの反射光の光路Ｘ２とが同一になる。従って
、認識対象物４への入射光の光路Ｚ１ とカメラ５への
入射光の光路Ｚ２も同一になるから、この場合もカメラ
５への入射光の光軸が該カメラ５から外れることはない
。
尚、本発明は上記実施例にのみ限定されることはなく、
例えば半導体ペレットに限定されることなく、パターン
認識を要するものであれば、何にでも適用できる。
例えば半導体ペレットに限定されることなく、パターン
認識を要するものであれば、何にでも適用できる。
また、第１図実施例では反射ミラー７は可動装置が必要
であるが、第２図に示すマイクロプリズム８を用いた反
射ミラー７ａあるいは第３図に示すマイクロビーズ９を
用いた反４・１ミラー７ｂを用いることにより、反射ミ
ラー７ａまたは７ｂを固定できる。この場合、反射ミラ
ー７ａまたは７ｂに入射する光と反射した光は光路が一
致しないが平行しているため、マイクロプリズム８又は
マイクロビーズ９が十分小さければ、カメラに戻る光量
の低下を抑えることができる。
であるが、第２図に示すマイクロプリズム８を用いた反
射ミラー７ａあるいは第３図に示すマイクロビーズ９を
用いた反４・１ミラー７ｂを用いることにより、反射ミ
ラー７ａまたは７ｂを固定できる。この場合、反射ミラ
ー７ａまたは７ｂに入射する光と反射した光は光路が一
致しないが平行しているため、マイクロプリズム８又は
マイクロビーズ９が十分小さければ、カメラに戻る光量
の低下を抑えることができる。
光ｌｆｉ効盟一
本発明は、」二足のように反身・１ミラーへの入射光と
反射ミラーからの反ＵＪ光の光路をほぼ同一にすること
ができ、従ってカメラへの入射光の光路を、認識対象物
の傾斜のイ１無に関係なくほぼ同一光路に設定すること
ができる。そのため、カメラに入射される全光量が最大
になり、パターン認識を常に明瞭に認識できる。
反射ミラーからの反ＵＪ光の光路をほぼ同一にすること
ができ、従ってカメラへの入射光の光路を、認識対象物
の傾斜のイ１無に関係なくほぼ同一光路に設定すること
ができる。そのため、カメラに入射される全光量が最大
になり、パターン認識を常に明瞭に認識できる。
第１図は本発明実施例によるパターン認識装置に採用さ
れるパターン認識方式を例示した光線追跡図、第２図は
反射ミラーの他の実施例を示す要部斜視図、第３図は反
射ミラーの史に他の実施例を示す側断面図、第４図・第
５図・第６図は従来装置に採用されているパターン認識
方式を示した光線追跡図である。 １・・・光源、２・・・ハーフミラ−１４・・・認識対
象物、５・・・カメラ、６・・・反射ミラー。 −〇− 第１図 第２図 第３図 第４図
れるパターン認識方式を例示した光線追跡図、第２図は
反射ミラーの他の実施例を示す要部斜視図、第３図は反
射ミラーの史に他の実施例を示す側断面図、第４図・第
５図・第６図は従来装置に採用されているパターン認識
方式を示した光線追跡図である。 １・・・光源、２・・・ハーフミラ−１４・・・認識対
象物、５・・・カメラ、６・・・反射ミラー。 −〇− 第１図 第２図 第３図 第４図
Claims (1)
- 認識対象物を監視するカメラと、認識対象物とカメラを
結ぶ光路に沿って認識対象物を照明する光源と、認識対
象物上で反射した光源からの光を横切って配置され認識
対象物の傾きにかかわらず認識対象物からの光と平行に
反射させる反射ミラーとを含むことを特徴とするパター
ン認識装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245733A JPS62105436A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | パタ−ン認識装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP60245733A JPS62105436A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | パタ−ン認識装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62105436A true JPS62105436A (ja) | 1987-05-15 |
Family
ID=17137990
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP60245733A Pending JPS62105436A (ja) | 1985-10-31 | 1985-10-31 | パタ−ン認識装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62105436A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021226A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ |
-
1985
- 1985-10-31 JP JP60245733A patent/JPS62105436A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2013021226A (ja) * | 2011-07-13 | 2013-01-31 | Hitachi High-Tech Instruments Co Ltd | ダイボンダ |
| US9099524B2 (en) | 2011-07-13 | 2015-08-04 | Fasford Technology Co., Ltd. | Die bonder |
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