JPS62102584A - 半導体レ−ザ装置 - Google Patents
半導体レ−ザ装置Info
- Publication number
- JPS62102584A JPS62102584A JP24454685A JP24454685A JPS62102584A JP S62102584 A JPS62102584 A JP S62102584A JP 24454685 A JP24454685 A JP 24454685A JP 24454685 A JP24454685 A JP 24454685A JP S62102584 A JPS62102584 A JP S62102584A
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- JP
- Japan
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- semiconductor laser
- reflectance
- resonator
- diodes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
この発明は元ディスク′メモリへの情報の書き込み及び
読み出しに用いられる半導体レーザ装置に関するもので
ある。
読み出しに用いられる半導体レーザ装置に関するもので
ある。
この種、尤ディスク°メモリへの情報の舊き込み及び読
み出しに用いられる半導体レーザ装置では、情報の書き
込みの為には高光出力特性が必要とされ、−万情報の読
み込みには低雑音特性が要求されてい、るものである。
み出しに用いられる半導体レーザ装置では、情報の書き
込みの為には高光出力特性が必要とされ、−万情報の読
み込みには低雑音特性が要求されてい、るものである。
この様な高光出力特性及び低雑音特性を実現するために
は以下の方法がある。
は以下の方法がある。
まず、高光出力特性について考えてみると、高光出力特
性を得る為には、レーザダイオードの対向する共振器端
面の反射率を非対称とする方法がとられる。第２図に尤
ディスク“メモリへの情報の書き込み及び読み出しに用
いられるレーザ光と出射する側の共振器端面〔以下共振
器前端面と称す〕の反射率に応じた上記レーザ光の最大
光出力特性を示す。
性を得る為には、レーザダイオードの対向する共振器端
面の反射率を非対称とする方法がとられる。第２図に尤
ディスク“メモリへの情報の書き込み及び読み出しに用
いられるレーザ光と出射する側の共振器端面〔以下共振
器前端面と称す〕の反射率に応じた上記レーザ光の最大
光出力特性を示す。
この図から解る様にレーザ光の出力特性は、上記共振器
前端面の反射率が低い程、高出力なレーザ光が得られる
。
前端面の反射率が低い程、高出力なレーザ光が得られる
。
−１、上記共振器前端面に対向する而の共振器端面〔以
下、共振器後端面と称す〕の反射率が大きい程上記共振
器前端面からのレーザ光の出力が大きい（図示せず）か
ら、従って最も大きなレーザ光の出力を得るためには共
振器前端面の反射率をＯ〔％〕、共振器後端面の反射率
を１００［％］とすれば良りが、最大光出力特性以外の
特性の理由から、共振器後端面の反射率は６０〔％〕程
度が良いとされている。
下、共振器後端面と称す〕の反射率が大きい程上記共振
器前端面からのレーザ光の出力が大きい（図示せず）か
ら、従って最も大きなレーザ光の出力を得るためには共
振器前端面の反射率をＯ〔％〕、共振器後端面の反射率
を１００［％］とすれば良りが、最大光出力特性以外の
特性の理由から、共振器後端面の反射率は６０〔％〕程
度が良いとされている。
次に低雑音特性について考えてみると、低雑音特性を得
る為には、逆に上記共振器前端面の反射率をある一定の
範囲内に制限する必要がる。
る為には、逆に上記共振器前端面の反射率をある一定の
範囲内に制限する必要がる。
これ汀、反射率を低くすると、元ディスク°メモリから
、上記共振器端面に央ってくる反射光が、レーザ媒質内
に再入射する割合いが増大しレーザ媒質内部でのレーザ
共振状態を乱す為である。しかし、あまり反射率を高く
すると、モード′ポツピングが生じ易くなる為に、これ
にも制限がある。第３図Ｖｃ光ディスク°メモリからの
戻り光１１を一定にした場合の雑音特性と共振器前端面
反射率との関係を示す。
、上記共振器端面に央ってくる反射光が、レーザ媒質内
に再入射する割合いが増大しレーザ媒質内部でのレーザ
共振状態を乱す為である。しかし、あまり反射率を高く
すると、モード′ポツピングが生じ易くなる為に、これ
にも制限がある。第３図Ｖｃ光ディスク°メモリからの
戻り光１１を一定にした場合の雑音特性と共振器前端面
反射率との関係を示す。
この図から雑音特性に関しては、共振器前端面の反射率
は２０〜３Ｇ（％〕であるのが最も良いことが解る。
は２０〜３Ｇ（％〕であるのが最も良いことが解る。
ところで、従来の半導体レーザ装置に於ては光ディスク
′メモリへの情報の腎込み及び読込みを単一発光点のレ
ーザダイオードを用いていた。従って共振器端面の反射
率は、上記低雑音特性及び高光出力特性の比較的良好な
値を両方満足するような範囲の中で選択しており、具体
的には、共振器前端面の反射率は ５ｏ（Ｘ〕。
′メモリへの情報の腎込み及び読込みを単一発光点のレ
ーザダイオードを用いていた。従って共振器端面の反射
率は、上記低雑音特性及び高光出力特性の比較的良好な
値を両方満足するような範囲の中で選択しており、具体
的には、共振器前端面の反射率は ５ｏ（Ｘ〕。
共振器後端面に［６０（％〕の反射率であった。
従来の半導体レーザ装置は、以上の球に構成されている
ので、一種類の共振器端面の反射率で特性の異なる低雑
音特性及び高光出力特性の両方を満足しなければならず
、実質的には上記低雑音特性及び高光出力特性の各々の
最適値を上記種類の共振器端面で満足するのは不可能で
、いずれか−万の特性または相方の特性が劣ってしまう
という問題点が何った。
ので、一種類の共振器端面の反射率で特性の異なる低雑
音特性及び高光出力特性の両方を満足しなければならず
、実質的には上記低雑音特性及び高光出力特性の各々の
最適値を上記種類の共振器端面で満足するのは不可能で
、いずれか−万の特性または相方の特性が劣ってしまう
という問題点が何った。
この発明は、上記のような問題点に鑑みてなされたもの
で、昌光出力特性及び、低雑音特性の両特性を最大限に
高めることができる半導体レーザ装置を得ることを目的
とする。
で、昌光出力特性及び、低雑音特性の両特性を最大限に
高めることができる半導体レーザ装置を得ることを目的
とする。
この発明に係る半導体レーザ装置は複数の半導体レーザ
ダイオードを１＠のチップ内に設け、上記複数の半導体
レーザダイオードの各々の上記共振器端面から同一方向
にレーザ光を出射せしめ、共振器端面の反射率を異なら
せるようにしたものである。
ダイオードを１＠のチップ内に設け、上記複数の半導体
レーザダイオードの各々の上記共振器端面から同一方向
にレーザ光を出射せしめ、共振器端面の反射率を異なら
せるようにしたものである。
この発明における半導体レーザ装置は、１個のチップ内
に複数の半導体レーザダイオードを設けて同−１回にレ
ーザ光を出射させ共振器端面の反射率を異ならせている
ので、上記共振器端面の反射率の各々に応じた良好な特
性を１個のチップで得ることができるものである。
に複数の半導体レーザダイオードを設けて同−１回にレ
ーザ光を出射させ共振器端面の反射率を異ならせている
ので、上記共振器端面の反射率の各々に応じた良好な特
性を１個のチップで得ることができるものである。
第１図はこの発明の一実施例を示す半導体レレーザ
ーザ装置で、特に２点アレイ゛ダイオードの概略図であ
る。図に加て、（１：及び（２）は各々上記２点アレイ
・レーザダイオードを構成する半導１本レーザダイオー
ドで、これらの半導体レーザダイオードＩｌｌ ＋２１
は、分離溝（３）により互いの注入電流が分離されてｈ
るものである。
る。図に加て、（１：及び（２）は各々上記２点アレイ
・レーザダイオードを構成する半導１本レーザダイオー
ドで、これらの半導体レーザダイオードＩｌｌ ＋２１
は、分離溝（３）により互いの注入電流が分離されてｈ
るものである。
（４）及び（５）は、各々光ディスク°メモリへの情報
の鼾き込み及び読み出しに用いられるレーザ光を出射点
ｉ６１ ｔｅｌから出射する側の共振器端面〔以下、共
振器前端面と称す〕のコーテイング膜、＋８１ ｆ９＋
は各々の半導体レーザダイオードの表面１ば極である。
の鼾き込み及び読み出しに用いられるレーザ光を出射点
ｉ６１ ｔｅｌから出射する側の共振器端面〔以下、共
振器前端面と称す〕のコーテイング膜、＋８１ ｆ９＋
は各々の半導体レーザダイオードの表面１ば極である。
上記実施例に於る具体的数値について説明すると、−万
の共振器前端面のコーテイング膜（４１の反射率（ｆｌ
Ａ）を ８〔％〕、他方の共振器前端面のコーテイング
膜（５）の反射率（ｉｔＢ）ｋ ２０ （％〕とし、共
振器後端面の反射率（Ｒｆ）は共ｉＣ６０（％〕とする
。これら２つの半導体レーザダイオードｆｉ＋ ＋２１
は各々独立して駆動することによシ上記コーティング膜
（４）全備えた半導体レーザダイオード（ｌＩＩ−ｉ丸
ディスク°メモリへの書込み用として用いられ、上記コ
ーテイング膜＋５１ ’ｆ（＠ ｊ（た半導体レーザダ
イオード（２）は元ディスク゛メモリの読込み用として
用いられるものであり、２つの半導体レーザダイオード
ＩＩ＋ ＋２１のレーザ光出射点＋６１ ＋７１間の距
離はｘｏｏ（μｍ：）である。
の共振器前端面のコーテイング膜（４１の反射率（ｆｌ
Ａ）を ８〔％〕、他方の共振器前端面のコーテイング
膜（５）の反射率（ｉｔＢ）ｋ ２０ （％〕とし、共
振器後端面の反射率（Ｒｆ）は共ｉＣ６０（％〕とする
。これら２つの半導体レーザダイオードｆｉ＋ ＋２１
は各々独立して駆動することによシ上記コーティング膜
（４）全備えた半導体レーザダイオード（ｌＩＩ−ｉ丸
ディスク°メモリへの書込み用として用いられ、上記コ
ーテイング膜＋５１ ’ｆ（＠ ｊ（た半導体レーザダ
イオード（２）は元ディスク゛メモリの読込み用として
用いられるものであり、２つの半導体レーザダイオード
ＩＩ＋ ＋２１のレーザ光出射点＋６１ ＋７１間の距
離はｘｏｏ（μｍ：）である。
以上の様に構成された半導体レーザ＆装置に於ては、半
導体レーザ・ダイオードＩｌ＋の共振器前端面（４１０
反射率（Ｒｈ）が３Ｃ％〕であるので、第２図の最大光
出力特性から解る様に高光出力が得られるものであり、
これによって光ディスク゛メモリへの暑き込みが特性良
く行えるものである。また、半導体レーザ・ダイオード
（２）の共振器前端面（６）の反射率（ｆｌＢ）が２０
〔％〕であるので、第８図の雑音特性から解る様に低雑
音での動作が行えるものであり、これによって、光ディ
スク・メモリの内容が正しく読み収れるようになるもの
である。史に上記実施例に於ては、２つの半々４体レー
ザダイオード１１１ ＋２１のレーザ光出射点１６１１
７１間の距ｒ４１’１１００［：μｍ］としているので
、モード町干渉距離より離れることができ、かつ従来の
封止装置への装着が可能となる様なチップサイズで構成
することができるものであり、これによって同一光学系
を用いての元ディスク・メモリへの情報丹き込み及び読
み出しが可能となるものである。
導体レーザ・ダイオードＩｌ＋の共振器前端面（４１０
反射率（Ｒｈ）が３Ｃ％〕であるので、第２図の最大光
出力特性から解る様に高光出力が得られるものであり、
これによって光ディスク゛メモリへの暑き込みが特性良
く行えるものである。また、半導体レーザ・ダイオード
（２）の共振器前端面（６）の反射率（ｆｌＢ）が２０
〔％〕であるので、第８図の雑音特性から解る様に低雑
音での動作が行えるものであり、これによって、光ディ
スク・メモリの内容が正しく読み収れるようになるもの
である。史に上記実施例に於ては、２つの半々４体レー
ザダイオード１１１ ＋２１のレーザ光出射点１６１１
７１間の距ｒ４１’１１００［：μｍ］としているので
、モード町干渉距離より離れることができ、かつ従来の
封止装置への装着が可能となる様なチップサイズで構成
することができるものであり、これによって同一光学系
を用いての元ディスク・メモリへの情報丹き込み及び読
み出しが可能となるものである。
なお、上記実施列に於ては、共振器前端面（４）の反射
率（ＲＡ）ｉ ８ （％〕、共振器前端面（５）の反射
率（軸）を２０（％〕としたがそれ以外の反射率でも良
く、例えば、反射率（ＲＡ）は１〜５〔％〕程程度及反
射率’ＲＢ）に、２０〜３０（％〕であれば最も良好な
半導体レーザ装置が得られるものである。
率（ＲＡ）ｉ ８ （％〕、共振器前端面（５）の反射
率（軸）を２０（％〕としたがそれ以外の反射率でも良
く、例えば、反射率（ＲＡ）は１〜５〔％〕程程度及反
射率’ＲＢ）に、２０〜３０（％〕であれば最も良好な
半導体レーザ装置が得られるものである。
この発明は以上説明した様に、共振器端面の反射率か異
なる複数の半導体レーザダイオードを１個のチップ内に
備えて、上記複数の半導体レーザダイオードの各々の上
記共振器端面から同一方向にレーザ光を出射するように
したので、上記共振器端面の反射率の各々に応じた艮好
な特性を１個のチップで得ることができ、これによって
例えば高光出力特性及び低雑音特性の両特性全最大限に
高めることが容易に可能となるという効果かめる。
なる複数の半導体レーザダイオードを１個のチップ内に
備えて、上記複数の半導体レーザダイオードの各々の上
記共振器端面から同一方向にレーザ光を出射するように
したので、上記共振器端面の反射率の各々に応じた艮好
な特性を１個のチップで得ることができ、これによって
例えば高光出力特性及び低雑音特性の両特性全最大限に
高めることが容易に可能となるという効果かめる。
第１図は、この発明の一実施例を示す半導体レーザ装置
の概略図、第２図は半導体レーザ装置の最大光出力特性
を示す図、第８図は半導体レーザ装置の雑音特性を示す
図である。 図において、Ｈｌ ＋２１は半導体レーザダイオード、
＋４１ ｔ５＋は共振器前端面である。
の概略図、第２図は半導体レーザ装置の最大光出力特性
を示す図、第８図は半導体レーザ装置の雑音特性を示す
図である。 図において、Ｈｌ ＋２１は半導体レーザダイオード、
＋４１ ｔ５＋は共振器前端面である。
Claims (2)
- （１）複数の半導体レーザダイオードを１個のチップ内
に設け、上記複数の半導体レーザダイオードの各々の共
振器端面から同一方向にレーザ光を出射する半導体レー
ザ装置において、上記複数の半導体レーザダイオードの
上記同一方向にレーザ光を出射する共振器端面の反射率
を互いに異ならせるようにしたことを特徴とする半導体
レーザ装置。 - （２）複数の半導体レーザダイオードにおける２個は光
ディスクメモリの書き込み用および読み取り用として用
い、書き込み用の半導体レーザダイオードの共振器端面
の反射率は読み取り用の半導体レーザダイオードの共振
器端面の反射率よりも低いことを特徴とする特許請求の
範囲第１項記載の半導体レーザ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24454685A JPS62102584A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP24454685A JPS62102584A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62102584A true JPS62102584A (ja) | 1987-05-13 |
| JPH0528516B2 JPH0528516B2 (ja) | 1993-04-26 |
Family
ID=17120306
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP24454685A Granted JPS62102584A (ja) | 1985-10-29 | 1985-10-29 | 半導体レ−ザ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62102584A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7194013B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | GaN semiconductor laser device, and optical disk information system using the laser device |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116891A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
-
1985
- 1985-10-29 JP JP24454685A patent/JPS62102584A/ja active Granted
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS61116891A (ja) * | 1984-11-13 | 1986-06-04 | Nec Corp | 半導体レ−ザアレイ装置 |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7194013B2 (en) | 2001-07-02 | 2007-03-20 | Nichia Corporation | GaN semiconductor laser device, and optical disk information system using the laser device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0528516B2 (ja) | 1993-04-26 |
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